低功耗单片低噪声放大器芯片
运放芯片yd2200参数
运放芯片 YD2200 参数介绍一、概述运放芯片（Operational Amplifier，简称 OPAMP）是一种重要的电子元器件，用于信号放大、滤波、比较和信号调理等应用。
YD2200 是一款常见的运放芯片，具有多种特性和功能，适用于广泛的电路设计和应用场景。
二、基本参数1. 供电电压（VCC）： YD2200 芯片的供电电压范围为正负 5V 到正负18V，这使得它能够适应不同电源需求，并提供稳定的工作环境。
2. 输入偏置电流（IB）： YD2200 的输入偏置电流非常小，通常在几十纳安到几百纳安之间。
这意味着在使用该芯片时，输入端所需的驱动电流非常低，有助于降低功耗和提高电路的性能。
3. 开环增益（Aol）：YD2200 的开环增益通常在100dB 到120dB 之间。
这意味着它能够提供很高的信号放大能力，适用于需要精确放大小信号的应用。
4. 带宽（BW）： YD2200 的带宽通常在几十千赫兹到几百千赫兹之间。
这意味着它能够处理较高频率的信号，使其适用于音频放大、通信和控制系统等领域。
5. 输出电流（IO）： YD2200 的输出电流通常在几十毫安到几百毫安之间，具有较高的输出能力，可以驱动负载电阻，满足不同应用对输出功率的需求。
三、特色功能1. 低噪声： YD2200 在设计中采用了低噪声技术，能够提供清晰、稳定的信号放大，适用于对信号质量要求较高的应用，如音频放大器和测量仪器。
2. 温度稳定性： YD2200 具有良好的温度稳定性，能够在广泛的工作温度范围内提供可靠的性能。
这使得它适用于各种环境下的应用，如汽车电子、工业控制等领域。
3. 低功耗： YD2200 的设计优化了功耗，能够在保证性能的同时降低功耗，延长电池寿命，减少能源消耗。
4. 过载保护： YD2200 内置过载保护电路，能够在输出过载时自动切断输出，保护芯片和外部电路的安全。
5. 外部补偿： YD2200 支持外部补偿电路的连接，可以通过调整外部元件来优化芯片的频率响应和稳定性。
GS6001 6002 6004 聚洵低功耗运算放大器
GS6001.6002.6004描述GS6001系列的增益带宽乘积为1MHz，转换速率为0.8V /μs，在5V时的静态电流为75μA/放大器。
GS6001系列旨在在低压和低噪声系统中提供最佳性能。
它们可将轨到轨的输出摆幅转换成重负载。
输入共模电压范围包括地，对于GS6001系列，最大输入失调电压为3.5mV。
它们的额定温度范围为扩展的工业温度范围（-40℃至+ 125℃）。
工作范围为1.8V至6V。
GS6001单个采用绿色SC70-5和SOT23-5封装。
GS6002 Dual采用绿色SOP-8和MSOP-8封装。
GS6004 Quad具有绿色SOP-14和TSSOP-14封装。
应用：ASIC输入或输出放大器•传感器接口•医学交流• 烟雾探测器• 音频输出•压电换能器•医疗仪器•便携式系统特征：•+ 1.8V〜+ 6V单电源供电•轨到轨输入/输出•增益带宽乘积：1MHz（典型值）•低输入偏置电流：1pA（典型值）•低失调电压：3.5mV（最大值）•静态电流：每个放大器75µA（典型值）•嵌入式射频抗电磁干扰滤波器•工作温度：-40°C〜+ 125°C•包装：GS6001提供SOT23-5和SC70-5封装GS6002提供SOP-8和MSOP-8封装GS6004提供SOP-14和TSSOP-14封装Features•Single-Supply Operation from +1.8V ~ +6V •Operating Temperature: -40°C ~ +125°C•Rail-to-Rail Input / Output •Small Package:•Gain-Bandwidth Product: 1MHz (Typ.) GS6001 Available in SOT23-5 and SC70-5 Packages •Low Input Bias Current: 1pA (Typ.) GS6002 Available in SOP-8 and MSOP-8 Packages •Low Offset Voltage: 3.5mV (Max.) GS6004 Available in SOP-14 and TSSOP-14 Packages •Quiescent Current: 75µA per Amplifier (Typ.)•Embedded RF Anti-EMI FilterGeneral DescriptionThe GS6001 family have a high gain-bandwidth product of 1MHz, a slew rate of 0.8V/ s, and a quiescent current of 75A/amplifier at 5V. The GS6001 family is designed to provide optimal performance in low voltage and low noise systems. They provide rail-to-rail output swing into heavy loads. The input common mode voltage range includes ground, and the maximum input offset voltage is 3.5mV for GS6001 family. They are specified over the extended industrial temperature range (-40 to +125 ). The operating range is from 1.8V to 6V. The GS6001 single is available in Green SC70-5 and SOT23-5 packages. The GS6002 dual is available in Green SOP-8 and MSOP-8 packages. The GS6004 Quad is available in Green SOP-14 and TSSOP-14 packages.Applications•ASIC Input or Output Amplifier •Audio Output•Sensor Interface •Piezoelectric Transducer Amplifier •Medical Communication •Medical Instrumentation•Smoke Detectors •Portable SystemsPin ConfigurationFigure 1. Pin Assignment DiagramAbsolute Maximum RatingsCondition Min Max Power Supply Voltage (V DD to Vss) -0.5V +7.5V Analog Input Voltage (IN+ or IN-) Vss-0.5V V DD+0.5V PDB Input Voltage Vss-0.5V +7V Operating Temperature Range -40°C +125°C Junction Temperature +160°CStorage Temperature Range -55°C +150°C Lead Temperature (soldering, 10sec) +260°CPackage Thermal Resistance (T A=+25 )SOP-8, θJA 125°C/WMSOP-8, θJA 216°C/WSOT23-5, θJA 190°C/WSC70-5, θJA 333°C/WESD SusceptibilityHBM 6KVMM 400VNote: Stress greater than those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions outside those indicated in the operational sections of this specification are not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.Package/Ordering InformationMODEL CHANNEL ORDER NUMBERPACKAGEDESCRIPTIONP ACKAGEOPTIONMARKINGINFORMATIONGS6001-CR SC70-5 Tape and Reel,3000 6001GS6001 SingleGS6001-TR SOT23-5 Tape and Reel,3000 6001 GS6001Y-CR SC70-5 Tape and Reel,3000 6001Y GS6001Y-TR SOT23-5 Tape and Reel,3000 6001YGS6002 Dual G S6002-SR SOP-8 Tape and Reel,4000 GS6002 GS6002-MR MSOP-8 Tape and Reel,3000 GS6002GS6004 Quad GS6004-TR TSSOP-14 Tape and Reel,3000 GS6004 GS6004-SR SOP-14 Tape and Reel,2500 GS6004Electrical Characteristics(At VS = +5V, RL = 100kΩ connected to VS/2, and VOUT = VS/2, unless otherwise noted.)GS6001/2/4PARAMETER SYMBOL CONDITIONS TYP MIN/MAX OVER TEMPERATURE+25 +25 -40 to +85 UNITS MIN/MAX INPUT CHARACTERISTICSInput Offset Voltage V OS V CM = V S/2 0.8 3.5 5.6 mV MAX Input Bias Current I B 1 pA TYP Input Offset Current I OS 1 pA TYP Common-Mode Voltage Range V CM V S = 5.5V -0.1 to +5.6 V TYPV S = 5.5V, V CM = -0.1V to 4V 70 62 62 dB Common-Mode Rejection Ratio CMRR MINV S = 5.5V, V CM = -0.1V to 5.6V 68 56 55Open-Loop Voltage Gain A OL R L = 5kΩ, V O = +0.1V to +4.9V 80 70 70 dBR L = 10kΩ, V O = +0.1V to +4.9V 100 94 85MINInput Offset Voltage Drift ∆V OS/∆T 2.7 µV/ TYP OUTPUT CHARACTERISTICSV OH R L = 100kΩ 4.997 4.980 4.970 V MINV OL R L = 100kΩ 5 20 30 mV MAX Output Voltage Swing from RailV OH R L = 10kΩ 4.992 4.970 4.960 V MINV OL R L = 10kΩ8 30 40 mV MAXOutput Current I 84 60 45R = 10Ω to V /2I SINK 75 60 45mA MINPOWER SUPPLY1.8 1.8 V MIN Operating Voltage Range6 6 V MAX Power Supply Rejection Ratio PSRR V S = +2.5V to +6V, V CM = +0.5V 82 60 58 dB MIN Quiescent Current / Amplifier I Q 75 110 125 µA MAX DYNAMIC PERFORMANCE (CL = 100pF)Gain-Bandwidth Product GBP 1 MHz TYP Slew Rate SR G = +1, 2V Output Step 0.8 V/µs TYP Settling Time to 0.1% t S G = +1, 2V Output Step 5.3 µs TYP Overload Recovery Time V IN ·Gain = V S 2.6 µs TYP NOISE PERFORMANCEVoltage Noise Density e n f = 1kHz 27 nV / Hz TYP f = 10kHz 20 nV / Hz TYPTypical Performance charAt T A=+25o C, Vs=5V, R L=100KΩ connecteLarge Signal Transient Response Small Signal Transient ResponseC L=100pFR L=100kΩG=+1C L=100pFR L=100kΩG=+1Time(10µs/div) Time(2µs/div)CMRR vs. Frequency PSRR vs. FrequencyFrequency (kHz) Frequency (kHz) Supply Current vs. Temperature Overload Recovery TimeVs=5.5VVs=1.8VVs=5VG=-5V IN=500mV Vs=5VTemperature ( ) Time(2µs/div)Typical Performance characteristicsAt T A=+25o C, R L=100KΩ connected to V S/2 and V OUT= V S/2, unless otherwise noted.Output Voltage Swing vs.Output Current Output Voltage Swing vs.Output Current Sourcing CurrentSourcing Current-50-50Vs=3V 25Vs=5V 135 25135-50-50Sinking CurrentSinking CurrentOutput Current(mA) Output Current(mA)Input Voltage Noise Spectral Density vs. Frequency Open Loop Gain, Phase Shift vs. Frequency Frequency (kHz) Frequency (kHz)Application NoteSizeGS6001系列系列运算放大器具有单位增益稳定的特性，适用于各种通用应用。
tpa626工作原理
tpa626工作原理TPA626是一款常用的音频功率放大器芯片，它具有高品质的音频放大功能，被广泛应用于音频设备中。
本文将介绍TPA626的工作原理和相关特点。
TPA626的工作原理主要包括输入级、工作级和输出级。
在输入级，音频信号通过输入端口进入芯片，经过放大和滤波处理后，进入工作级。
工作级是TPA626的核心部分，它由一个或多个放大器级联而成，用于增大音频信号的幅度。
放大器采用了差动输入和单端输出的结构，既能够提供高增益和低失真的音频放大效果，又能够将输出信号直接连接到扬声器。
在工作级的放大过程中，TPA626还提供了一些功能，如音量控制、增益调节和音频平衡控制等。
这些功能可以根据用户的需求进行调整，以获得更好的音频效果。
TPA626的输出级是将放大后的音频信号输出到扬声器。
为了保证音频信号的质量和稳定性，TPA626采用了一系列的保护电路，如过热保护、过流保护和短路保护等。
这些保护电路可以有效地防止因外界干扰或不正常工作而对芯片和扬声器造成损坏。
除了以上的基本工作原理外，TPA626还具有一些特点和优势。
首先，它采用了BTL（Bridge-Tied Load）结构，使得输出功率更大，且能够驱动低阻抗的扬声器。
其次，TPA626具有低功耗和低噪声的特点，可以提供清晰、稳定的音频输出。
另外，TPA626还支持单电源供电和双电源供电两种模式，适应不同的应用场景。
TPA626是一款功能强大、性能稳定的音频功率放大器芯片。
它的工作原理简单明了，通过多级放大实现音频信号的放大和处理，并通过输出级将放大后的信号送至扬声器。
TPA626还具有低功耗、低噪声和多种保护功能等优点，适用于各种音频设备中，如手机、音响、电视等。
通过合理的设计和应用，TPA626能够提供高质量的音频体验，满足用户的需求。
SGOP97 低功耗、高精度运算放大器.
SGOP97低功耗、高精度运算放大器概述：SGOP97（以下简称OP97）是可代替工业标准OP07的低功耗精密运算放大器。
OP97保持OP07的标准特性而仅需要600µA的电源电流，这要低于OP07的1/6。
具有25µV的超低失调电压，并且在全温范围内的漂移在0.6µV/℃以下。
在大多数电路中，不需要外加失调调整。
在若干领域对OP07的规范作了改进。
值得注意的是偏置电流在整个军用温度范围内保持在250pA以下。
OP97对于那些必须要在高温下工作的长期积分器或采样—保持电路中使用是很理想的。
对OP97来说，共模抑制和电源电压抑制也做了改善，在共模或电源电压的很宽范围内，都达到最小114dB。
杰出的PSR、从±2.25V到±20V的额定电源范围以及OP97的最低功耗要求，综合起来，使得OP97成为用在便携式和用电池工作仪表上的优选器件。
OP97的引出管脚与OP07一致，用于调零的电位器接在1脚和8脚之间，而滑动片接到V+上，OP97可使以725、OP05、OP12和1012型放大器所做的电路设计得以升级。
它可以在那些不调零或者调零电路已被拆除的电路中代替741型放大器。
特点：·低的电源电流： 600µA（最大）·具有OP07的性能失调电压：20µV（最大）失调电压漂移：0.6µV/℃（最大）·非常低的偏置电流25℃： 100pA（最大）-55℃～+125℃： 250pA（最大）·高共模抑制能力： 114dB（最小）·扩展的工业温度范围：-40℃～+85℃绝对最大额定值1：电源电压±20V输入电压2 ±20V差模输入电压3 ±1V差模输入电流4 ±10mA输出短路持续时间不限工作温度OP97A -55℃——+125℃OP97E/F -40℃——+85℃贮存温度范围-65℃——+150℃结温范围-65℃——+150℃引线温度（焊接，60秒）300℃注：1.若不另作说明，绝对最大额定值既适用于芯片，也适用于封装元件。
单片lna cmos工艺 节点 eetop -回复
单片lna cmos工艺节点eetop -回复“单片LNA CMOS工艺节点”是一个引人注目的话题。
在本文中，我们将重点讨论LNA（低噪声放大器）的意义、CMOS工艺节点的作用以及如何将这两者结合起来。
首先，我们来了解一下LNA的意义。
作为收发信号链路中的第一级放大器，LNA的主要任务是将接收天线上收集到的微弱信号放大到可以被后续电路处理的级别。
由于接收到的信号通常非常微弱，因此放大器必须具有极低的噪声系数以确保信号的质量和准确性。
此外，LNA还需要提供足够的增益以克服后续电路的损耗和影响。
因此，开发一种高性能的LNA对于无线通信和射频应用至关重要。
接下来，让我们探讨一下CMOS工艺节点。
CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺是集成电路制造中最常用的工艺之一。
它的优点是工艺成熟、制造成本低、功耗低以及兼容性广泛。
CMOS工艺一直以来都是数字和模拟集成电路的制造工艺，但是它在射频应用中的表现相对较差。
传统的CMOS工艺节点通常无法提供足够的高频性能和低噪声特性，因此需要引入其他辅助处理技术，例如双极性和GaAs等。
然而，近年来，随着半导体技术的不断进步，CMOS工艺已经取得了重要的突破。
现在的CMOS工艺纳米级别已经成为现实，其性能得到了显著提升，包括更高的频率响应、低功耗和低噪声系数。
这就为将CMOS工艺应用于射频前端器件（如LNA）的设计提供了新的机会和挑战。
在单片LNA CMOS工艺节点的设计中，主要的目标是在保证高性能和兼容性的同时提供低功耗和小尺寸的解决方案。
为了实现这一目标，设计工程师通常会采用一系列的技术和方法。
首先，他们会利用先进的CMOS工艺节点，如16纳米或更小的尺寸。
这些工艺节点提供了更高的集成度、更高的频率响应和更低的功耗。
同时，他们也会使用一些特殊的射频设计技术来解决高频和低噪声的要求，例如以源极电感和栅极电容为基础的电路结构。
这些技术可以帮助减少信号损耗和提高信号质量，从而实现更好的性能。
一种低功耗2.4GHz低噪声放大器设计
５９ １
是大 滤 波 电容 ， ， Ｌ 构 成 输 入 匹 配 网络 ， 中 ｃ 其
，
噪声系数如图 ８ 所示 ， ０ ７ Ｂ 达到了较好 为 ．２ｄ ，
的噪声 匹 配 。三 阶 交 调 测 试 如 图 ９所 示 ，Ｉ 为 Ｉ Ｐ
Ｃ 本 文采 用 片 外 实 现 ， 主 要 从 噪 声 指 标 和测 这
也呈感性 。由文献 ［ ］ ６ 可知 Ｉ ［ 与 Ｉ ［ 。］ ｍ Ｚ ］ ｍ Ｚ。 的比 例 系数相 近 ， 部 也就 满 足 了 匹 配 条 件 。对 于 Ｚ。 虚 。 的实部 ， 其大小与 ｃ 呈反 比， 通过改变 Ｍ Ｓ的栅宽 Ｏ 从而改变 ｃ 的值 ， 来调节 Ｒ ［ ］ ｅ Ｚ 的大小。通常情
图 １ 共 源 共栅 Ｌ Ａ 原 理 图 Ｎ
项 目来源 ： 基于传 输线频率选择器 的 Ｃ Ｓ硅基毫米波 压控 振荡 器研 究（ Ｙ ０ ３ １０ ３ ＭＯ Ｋ Ｚ４７０３ ）
收稿 日期 ：０ １ ｏ — ４ ２ １一 ４ ２ 修改 日期 ：０ １ ｏ — ５ ２ １ 一 ５ ２
５８ ｌ
阻抗 ：
ｎ
可 以看出， 增加 ｃ 也是付出了一定的代价 。为
使 Ｒ ［ ｉ ＝ ０Ｑ仍满足 ， ｅ ｚ ］ ５ 必须增大源极 串联电感
＋ ｓ 表＋
Ｚ Ｚ ＝
（ ５ ）
（） ６
当满 足条件 式 （ ）式 （ ） 电路 将 同时 达 到功 ６ 、 ７时 率 匹配 和噪声 匹配 ：
关键 词 ：Ｍ Ｓ低噪声放大器； Ｃ Ｏ； 噪声匹配； 低功耗；
中图分 类号 ：Ｎ Ｔ ４
文献标 识码 ： Ａ
文章 编号 ：０ ５ ９９ （０１ ｏ — ５ ７ ０ １０ — ４０ ２ １ ）５ ０ １ — ４
lm324芯片手册
lm324芯片手册LM324是一种很常见的操作放大器芯片，也叫做四路运算放大器。
它由德州仪器公司于1970年推出，具有低功耗、低噪声、宽输入电压范围和高共模抑制比等特点。
在电子设计中，LM324经常被用于模拟信号处理、电压比较和传感器信号放大等应用。
LM324芯片的引脚图如下所示：```┌─────────┐VCC ──────│ V+│─── OUT1VIN- ─────│- │VIN+ ─────│+ │VEE ──────│ V-│─── OUT2(│(+) │)│ ││ ││ │VREF ─────│ V1│─── OUT3│ ││ ││(–) │IN1 ─────│+ │IN2 ──────│- ││ ││ │GND ──────│ V2│─── OUT4└─────────┘```其中，VCC和VEE是芯片的正负电源引脚，VIN+和VIN-是输入信号的正负引脚，VREF是基准电压引脚，IN1和IN2是四路输入信号的引脚，OUT1到OUT4是四路输出信号的引脚。
V+和V-是运算放大器的电源引脚，它们可以在单电源或双电源电路中提供运算放大器所需的电源。
引脚V1和V2可以被外接电阻调整，用于设置运算放大器的放大倍数。
为了提高LM324芯片的使用效果，除了正确连接引脚之外，还需要注意以下几点：1. 电源设置：在单电源供电时，VCC和VEE分别用来连接正负电源，电源电压范围为3V至32V。
在双电源供电时，VCC用来连接正电源，VEE用来连接负电源，电源电压范围为±1.5V至±16V。
2. 输入电压范围：LM324芯片的输入电压范围很大，一般情况下可以达到电源电压的范围。
在单电源供电时，输入电压范围为0至VCC-1.5V。
在双电源供电时，输入电压范围为VEE+1.5V至VCC-1.5V。
3. 输出电压范围：LM324芯片的输出电压范围接近电源电压的范围，但不能达到电源电压的最大值。
AT2659 L1频段卫星导航低噪声放大器芯片
1 功能描述AT2659 是一款专门针对中国 BDS（北斗卫星导航系统），美国的 GPS，俄罗斯的GLONASS 和欧盟的 GALILEO 导航系统应用而设计的高增益、低噪声系数射频放大器。
AT2659 芯片采用先进的 SiGe 工艺设计制造，具有 23dB 高增益和 0.71dB 的低噪声系数。
芯片支持 1.4V 至 3.6V 宽电源供电，电流消耗仅 4.4mA。
芯片采用 1.5 mm X 1 mm ×0.55 mm 的 6 pin DFN 封装，符合 RoHS 规范。
特性●支持BDS、GPS、GALILEO、GLONASS等L1频段的多个卫星导航系统；●典型噪声系数：0.71dB；●典型功率增益：23dB；●典型输入P1dB：-14dBm；●工作频率：1550MHz ～ 1615MHz；●典型工作电流：4.4mA;●宽供电电压范围：1.4V ~ 3.6V;●所有管脚支持2.5KV HBM ESD保护●内部集成的50Ω输出匹配电路；●外围电路简单应用●导航设备●可穿戴式设备●内置天线●外置天线●定位功能移动设备●个人导航仪●集成 GPS 的手机●笔记本/PAD技术描述PIN 排列图管脚定义管脚名称功能1、2GND接地3RFIN射频输入4VDD电源5工作（高电平）,休眠(低电平),SHDN6RFOUT射频输出电气参数典型应用电路元件标号描述C1输入隔直电容， 100pFC2旁路电容，100pFL1输入匹配电感, 6.8 nH典型工作特性典型工作条件为：评估板测试，温度为25℃，电源电压为2.85V，输入信号为导航系统中心频率信号。
输入输出特性（S11，S21/增益，S12，S22，评估板实测值）频率1561.098MHz 1575.42MH1602MHz参数zBD L1Glonass L1GPS L1S11(dB)-10.93-11.37-12.15 S21/增益(dB)23.0723.0322.88 S12(dB)-34.10-34.10-33.94 S22(dB)-17.72-17.28-14.623.2噪声系数（评估板实测值）3.2.1 BDS（北斗）中心频率=1561.098MHz 评估板噪声系数实测值=0.88dB*芯片噪声系数应考虑 PCB 损耗和 SMA 损耗。
单片集成低功耗神经信号检测CMOS放大器
前 期 已经获 得 了德 国弗 朗霍夫 生物 医学 工程 研究 所 的１ ２触 点 中型卡 肤 （ ｕｆ 电极并 用 于体 外 动 物 实 Ｃ ｆ） 验 ． 电极 与神 经接 触 面展开 为矩 形 ， 入 体 内后 卷 该 植 成 圆筒状 ． 电极 １ ２个 触 点 分 为 四 组 ， 组触 点 可 以 每 构成 一路 神经 信号 检 测 通 道 ． 只卡 肤 电极 构 成 四 单 路通 道从 四个 角度 检测 神经 纤维 的信 号 ． 如 图 １所 示 ， 通 道神 经 信 号 检测 电路 包 括 以 单 下部 分 ： 前置 放 大级 、 主放 大级 、 冲级 和偏 置级 ． 缓 电 极 两端 的触 点接 到 电路 两 个 输 入 端 ， 间触 点 作 为 中 参考 电位 ． 置级 提供 适 当 的增 益并 提 高信 噪 比 ， 前 具 有 带通 频率 响应 以滤 除 干 扰 信 号 ． 统 结 构所 需 用 传 到的 ｎ Ｆ级 分 立 电 容 ． ， ９ 在此 通 过 采 用 改 进 的 电 Ｉ 路结 构 ， 只需要 ｐ Ｆ级 ， 即可 以方 便 地 集 成 于 Ｃ ＭＯ Ｓ
ＥＥＡＣＣ ： １ ２２０； ７５ ０Ｄ １
中 图 分 类 号 ：Ｔ ３ Ｎ４ ２
文 献标 识 码 ：Ａ
文章 编 号 ：０ ５－１ ７ ２ ０ ）８１ ９ －６ ２ ３４ ７ （０ ６ ０ —４ ００
１ 引言
神 经损 伤后 的信 号再 生与 功能重 建是 生命 科学 领 域 的重要 课题 之一 ． 神经 损 伤后 ， 伤 面上下 两端 损 的神经 元虽 然仍 可 能 存 活 ， 因神 经 信 息 的信 道 已 但 经 中断 ， 生物 体 丧失 了相 关 的运 动 、 觉 功 能 ． 使 感 利 用神 经元 的 电特性 ， 以构思 采用 植入 体 内 、 中断 可 与
dad1000芯片参数
dad1000芯片参数英文回答：The DAD1000 chip is a highly integrated, low-power, multi-protocol wireless transceiver designed for low-power wireless applications. It is based on the IEEE 802.15.4 standard and supports a variety of data rates and modulation schemes. The DAD1000 chip also includes a built-in power amplifier and low-noise amplifier, making it an ideal choice for applications where space and power consumption are limited.The DAD1000 chip is available in a variety of package options, including a 24-pin QFN package and a 32-pin LQFP package. It operates from a supply voltage of 1.8V to 3.6V and has a maximum output power of 20dBm. The DAD1000 chip also features a low-power sleep mode that consumes less than 1uA.The DAD1000 chip is a versatile and low-power wirelesstransceiver that is ideal for a wide range of applications, including:Wireless sensor networks.Industrial automation.Home automation.Medical devices.Automotive applications.中文回答：DAD1000 芯片是一款高度集成、低功耗、多协议无线收发器，专为低功耗无线应用而设计。
OPA1662_低功耗、低噪声和低失真音频运算放大器
(V–) +0.5 106
(VANCE
Differential
170 || 2
Common-mode
600 || 2.5
OPEN-LOOP GAIN
AOL
Open-loop voltage gain
OUTPUT
(V–) + 0.6 V ≤ VO ≤ (V+) – 0.6 V, RL = 2 kΩ
0.00004 –128
FREQUENCY RESPONSE
GBW Gain-bandwidth product
G = +1
22
SR
Slew rate
G = –1
17
Full power bandwidth(1)
VO = 1 VP
2.7
Overload recovery time
G = –10
1
Channel separation (dual and quad) f = 1 kHz
±0.5
±1.5
2
8
1
3
IB
Input bias current
IOS
Input offset current
INPUT VOLTAGE RANGE
VCM = 0 V VCM = 0 V
600
1200
±25
±100
VCM
Common-mode voltage range
CMRR Common-mode rejection ratio
(V–) – 0.5 to (V+) + 0.5 ±10 Continuous
–55 to +125 –65 to +150
GaAsMMIC812GHz低功耗低噪放芯片
• 197•本文叙述了GaAs MMIC 8-12 GHz低功耗低噪放芯片的设计，并给出了实际测试结果。
该低噪放芯片在具有较低噪声的同时，实现了较低的功耗，且具有正斜率的增益均衡特性。
增益19.2~21dB，噪声系数为1.5dB，输出P-1大于10dBm，静态电流35mA，增益具有1.8dB的正斜率，输入输出驻波比均≤1.5:1。
电路芯片尺寸为：1.75×1.45×0.1 （单位mm）。
引言：当前，砷化镓单片微波集成电路的制作工艺不断提高，特别是异质结器件 (PHEMT) 的问世，在高频率、低噪声等方面显示出优良性能。
单片微波集成电路以其优良的一致性、可靠性等在各种微波系统中得到广泛应用。
目前，在微波组件中对低功耗的要求越来越高，如果芯片设计中能降低功耗，对整个微波系统会是一项很重要的贡献。
另外，微波系统中经常遇到损耗随着频率升高而加剧的问题，需要通过额外添加均衡器件加大频带低端损耗来获得宽频带的增益平坦。
这种做法往往会降低接收灵敏度，加大功率损耗，增加系统复杂度。
如果我们在微波系统中使用的放大器具有增益随频率升高而增加的特性的话，则可以有效解决这一问题。
本文介绍的低噪放芯片不仅具有较低的功耗、优良的噪声性能及实现了中功率的放大，而且还具有正斜率的增益均衡特性，正好满足上述要求。
一、芯片工作原理及设计1.电路结构选择由于功耗要求较小，故采用电流复用结构以减小电流，如图1所示。
由于要求单电源供电，所以在电路第一级采用在源极并联RC结构的自偏置馈电方式。
由于该芯片的工作带宽较宽，故采用RLC并联负反馈结构，此结构可以在几个倍频程内实现较理想的增益以及较低的噪声和良好的驻波。
2.电路结构设计低噪声放大器晶体管漏极偏置在图2中VDD为晶体管漏极电压，VG为晶体管栅极电压，ID1和ID2分别为晶体管T1和T2的漏极电流。
整个电路的功耗为VDD×(ID1+ID2)。
为了合理利用组件中给定的电压，选择电流复用结构来实现低噪声放大器。
低功耗单端输入差分输出低噪声放大器
出级 增 加 一 级 共栅 级 ，有 效 地 增 加 了 电路 的
对 称 性 ；通 过 在 共源 支 路 串联 一 个 电感 ，解 决 了差 分 信 号 相位 偏 差 问题 ，实 现 了 电路 的
低 功 耗 、低 噪 声 、高 增 益性 能 。
２ 电路 设 计
图 １是本 文 提 出的 一种 低 噪声 放 大 器 电 路 拓 扑 结 构 。 图 中没 有 采用 Ｂ ｌｎ结 构 实 现 ａ ｕ 图 １ 电路拓扑结构图
很 难 做 到 两 路信 号输 出信 号 相位 的对 称 ，文
献 ［］ 有 给 出合 适 的 输 出 匹 配 电路 解 决 输 ６没
出不 平 衡 问题 。
为 了 解 决 上述 问题 ，本 文 采 用 电流 复用
技 术 设 计 了应用 于无 线 局 域 网的 单 端输 入 差 分 输 出的 ２４ ．ＧＨｚ低 噪 声放 大 器 。通过 在 输
中图 分类号 ｔ Ｎ ３ Ｔ ４ ２
文 献标识码 。Ａ
１ 引言
随 着 社会 的发 展 ，无 线 局域 网 已深 入 到 社 会 的各 个 方 面 。无 线 局 域 网技 术 ，方 便 地 实 现 了短 距 离
无 线 通 信 ，特 别 是 由于 Ｃ ＭＯＳ工 艺 技 术 的 飞速 发 展 ，深 亚 微米 ，纳 米 Ｃ ＭＯＳ工 艺 日趋 成 熟 ，截 止 频 率 不 断 增 加 ，成 本 不 断 降低 ，推 动 了无 线 局 域 网的普 及 。 与传 统 的 Ｉ — 族化 合 物 半 导 体 和锗 硅 工 艺 Ｉｖ Ｉ 相 比 ，Ｃ ＭＯＳ 射 频集 成 电路 同时 兼 有低 成 本 、低 功 耗 并 与基 带 和 数 字 电路 实 现 片 上系 统 等 优 点 。 无 线 局 域 网芯 片 电路 ，要 求满 足 低 功 耗 、低 噪 声 、高 增 益 等 高 性 能 的 需求 。为 更 好 地 抑 制 共 模 噪
sa8812的参数
sa8812的参数SA8812是一种特定的芯片型号，被广泛应用于音频领域，其具备高性能、低功耗、低噪声等特点，适用于各种音频设备，如音频放大器、音频解码器、功放等。
下面将针对SA8812的参数进行详细介绍。
1. 芯片封装与尺寸：SA8812采用了小型封装，通常为SSOP或QFN封装，这种封装形式有助于在芯片布局上更好地节省空间，并且方便焊接。
2. 工作电压：SA8812的工作电压范围一般在3.3V至5V之间，这使得它可以适应多种使用场景，并且对电源的要求相对较低，适合于移动设备等功耗敏感的应用。
3. 输出功率与电流：SA8812具备较高的输出功率，其输出电流一般可达数安培级别，这意味着它可以驱动较大功率的音频设备，如扬声器、耳机等；同时，高输出功率也意味着它可以在噪声环境下提供清晰的音频。
4. 频率响应范围：SA8812的频率响应范围一般在20Hz至20kHz之间，这意味着它能够传输人耳可感知的所有音频频率，并且保持较好的频率平衡。
这样的特性有助于提供更真实、更逼真的音频体验。
5. 失真与信噪比：SA8812通常具备较低的失真水平和较高的信噪比，失真主要来自于非线性元件或电路部件，而信噪比则表示了信号与噪声之间的比例关系。
低失真和高信噪比能够提供更清晰、更准确的音频信号。
6. 工作温度范围：SA8812的工作温度范围通常在零下40度至正70度之间，这使得它可以在较为恶劣的环境中正常工作，如在高温或低温条件下。
7. 耗电量与低功耗模式：SA8812具备低功耗模式，可以在待机或空闲状态下降低功耗，从而延长电池寿命。
此外，SA8812的设计和优化也使得其整体耗电量相对较低。
总之，SA8812作为一种高性能的音频芯片，具备了尺寸小、工作电压适应范围广、高输出功率、宽频响范围、低失真、高信噪比、较宽的工作温度范围和低功耗等特点。
这些参数使得SA8812成为音频设备中常用的芯片之一，为用户提供了更高品质的音频体验。
单片lna cmos工艺 节点 eetop -回复
单片lna cmos工艺节点eetop -回复在芯片设计领域中，单片低噪声放大器（LNA）是一个非常重要的组成部分。
它负责接收并放大来自天线或传感器等外部信号源的微弱信号。
CMOS工艺被广泛用于单片LNA的制造，因为它具有成本低、集成度高和功耗低等优点。
本文将深入讨论单片LNA和CMOS工艺的关系，并探讨其中涉及的一些关键技术节点。
首先，让我们回顾一下低噪声放大器的基本原理。
LNA的主要目标是放大输入信号并尽量减小噪音。
因此，一个好的LNA必须具备高增益和低噪声系数。
采用CMOS工艺制造的LNA通常由三个主要的基本构建单元组成：负乘法器（negative multiplier）、差分放大器（differential amplifier）和负反馈（negative feedback）。
CMOS工艺对于单片LNA来说非常适用，因为它能够实现高度集成的复杂电路，并具备较低的功耗和成本。
CMOS工艺下的单片LNA通常使用差分结构，这样可以有效抵消噪声和干扰，提高信号的纯净度。
此外，由于CMOS工艺采用的是标准的硅基材料，制造过程更加简单，因此能够降低生产成本。
在CMOS工艺下实现单片LNA时，有几个关键的技术节点需要考虑。
首先是源极共源电感（source inductor），它用于抵消CMOS工艺内部的电容效应，提高LNA的效能。
此外，还有输入匹配电路（input matchingnetwork），它用于提供合适的输入阻抗，以便与天线或传感器等外部信号源进行匹配。
同时，输出匹配电路（output matching network）用于提供合适的输出阻抗，以便与后续电路相匹配。
另一个重要的技术节点是噪声优化。
由于LNA的主要目标是放大微弱信号并尽量减小噪声，因此在CMOS工艺下设计单片LNA时需要考虑噪声的优化。
常见的噪声源包括热噪声、过程噪声和1/f噪声。
通过采用合适的电路拓扑结构、合理的偏置电流和电源电压选择，可以有效降低噪声水平。
运放ADA4075-2_cn详细中文资料
双通道
OP275
AD8666 OP262
07642-001
OUTB TOP VIEW 6 –INB (Not to Scale) 5 +INB V– 4
7
ADA4075-2
AD8606 AD8656 AD8692 AD8608 AD8694
四通道
AD8668 OP462
Rev. B
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OUTA 1 –INA 2 +INA 3 V– 4 8 V+
OUTA 1 –INA 2 +INA 3
8
引脚配置
V+
图1. 8引脚SOIC
X波段单片低噪声放大器
X波段单片低噪声放大器刘莹【摘要】本文介绍了X波段8.5-10.5 GHz单片低噪声放大器的设计,给出了在片测试结果.该放大器采用三级放大,在8.5-10.5 GHz频率范围内,噪声系数典型值小于1.2dB,增益＞30dB,具有3dB的正斜率,P-1大于7dBm,输入输出驻波≤1.4:1.电路芯片尺寸为:2.7mmX1.2mmX0.1mm.【期刊名称】《电子世界》【年(卷),期】2018(000)009【总页数】2页(P138-139)【关键词】8.5-10.5 GHz;放大器;MMIC【作者】刘莹【作者单位】成都嘉纳海威科技有限责任公司【正文语种】中文一、引言单片微波集成电路简称MMIC，是一种把有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上的微波电路。
它具有体积小、稳定性高、一致性好、寄生参量小、大批量低成本等特点，成为军事电子和民用通信系统最具吸引力的选择。
低噪声放大器(LNA)作为射频信号传输链路的第一级，它的噪声系数特性决定了整个射频电路前端的噪声性能，因此作为高性能射频接收电路的第一级LNA 的设计必须满足[1]：（1）较高的线性度以抑制干扰和防止灵敏度下降；（2）足够高的增益，使其可以抑制后续级模块的噪声；（3）与输入输出阻抗的匹配，通常为50欧；（4）尽可能低的功耗，这是无线通信设备的发展趋势所要求的。
本文介绍的8.5－10.5 GHz低噪声MMIC 放大器不仅具有优良的噪声性能，而且还具有正斜率的高增益特性和较低功耗，具有很好的实际应用性能。
二、MMIC放大器的设计1.电路结构及器件的选择常用的放大器电路结构有：平衡结构、行波结构、有耗匹配、负反馈等[2]。
本设计采用负反馈结构。
放大器采用三级放大，以获得较高的增益。
为了兼顾噪声、增益、输出功率以及功耗，根据FOUNDRY厂家提供的器件参数，经过分析比较，放大器的第一级采用350μm栅宽的器件，第二级采用250μm栅宽的器件，第三级采用88μm栅宽的器件,第一级和第二级采用电流复用的结构来减小直流功耗。
GS321 GS358 GS324系列聚洵低功耗运算放大器
描述：GS321、GS324、GS358、系列具有1MHz的高增益带宽乘积，0.6V / s的压摆率和5V时每放大器40mA的静态电流。
GS321系列旨在在低压和低噪声系统中提供最佳性能。
它们可将轨到轨的输出摆幅转换成重负载。
输入共模电压范围包括地，对于GS321系列，最大输入失调电压为3.5mV。
它们的额定温度范围为扩展的工业温度范围（-40℃至+125）。
工作范围为2.1V至5.5V。
GS321 Single采用绿色SC70-5和SOT-23-5封装。
GS358 Dual采用绿色SOP-8，MSOP-8，DIP-8和DFN-8封装。
GS324 Quad具有绿色SOP-14和TSSOP-14封装。
特点：●+ 2.1V〜+ 5.5V单电源供电●轨到轨输入/输出●增益带宽乘积：1MHz（典型值）●低输入偏置电流：1pA（典型值）●低失调电压：3.5mV（最大值）●静态电流：每个放大器40µA（典型值）●工作温度：-40°C〜+ 125°C●嵌入式射频抗电磁干扰滤波器●包装：GS321采用SOT23-5和SC70-5封装GS358提供SOP-8，MSOP-8，DIP-8和DFN-8封装GS324采用SOP-14和TSSOP-14封装应用：ASIC输入或输出放大器•传感器接口•医学交流•烟雾探测器•音频输出•压电换能器•医疗仪器•便携式系统Features•Single-Supply Operation from +2.1V ~ +5.5V •Small Package:•Rail-to-Rail Input / Output GS321 Available in SOT23-5 and SC70-5 Packages•Gain-Bandwidth Product: 1MHz (Typ.) GS358 Available in SOP-8, MSOP-8, DIP-8 and DFN-8•Low Input Bias Current: 1pA (Typ.) Packages•Low Offset Voltage: 3.5mV (Max.) GS324 Available in SOP-14 and TSSOP-14 Packages•Quiescent Current: 40µA per Amplifier (Typ.)•Operating Temperature: -40°C ~ +125°C•Embedded RF Anti-EMI FilterGeneral DescriptionThe GS321 family have a high gain-bandwidth product of 1MHz, a slew rate of 0.6V/ s, and a quiescent current of 40μA/amplifier at 5V. The GS321 family is designed to provide optimal performance in low voltage and low noise systems. Theyprovide rail-to-rail output swing into heavy loads. The input common mode voltage range includes ground, and the maximuminput offset voltage is 3.5mV for GS321 family. They are specified over the extended industrial temperature range (-40℃ to+125 ). The operating range is from 2.1V to 5.5V. The GS321 single is available in Green SC70-5 and SOT-23-5 packages.The GS358 Dual is available in Green SOP-8, MSOP-8, DIP-8 and DFN-8 packages. The GS324 Quad is available in GreenSOP-14 and TSSOP-14 packages.Applications•ASIC Input or Output Amplifier •Audio Output•Sensor Interface •Piezoelectric Transducer Amplifier •Medical Communication •Medical Instrumentation •Smoke Detectors •Portable SystemsPin ConfigurationFigure 1. Pin Assignment DiagramAbsolute Maximum RatingsCondition Min MaxPower Supply Voltage (V DD to Vss) -0.5V +7.5VAnalog Input Voltage (IN+ or IN-) Vss-0.5V V DD+0.5VPDB Input Voltage Vss-0.5V +7VOperating Temperature Range -40°C +125°CJunction Temperature +160°CStorage Temperature Range -55°C +150°CLead Temperature (soldering, 10sec) +260°CPackage Thermal Resistance (T A=+25 )SOP-8, θJA 125°C/WMSOP-8, θJA 216°C/WSOT23-5, θJA 190°C/WSC70-5, θJA 333°C/WESD SusceptibilityHBM 6KVMM 300V注意：应力大于“绝对最大额定值”中列出的压力可能会导致设备永久损坏。
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运放芯片大全AD704 低偏置电流,低功耗,低失调电压,精密四运算放大器AD705 低偏置电流,低功耗,低失调电压,精密运算放大器AD706 低偏置电流,低功耗,低失调电压,精密双运算放大器AD707 低失调电压,精密运算放大器AD708 低失调电压,精密双运算放大器AD711 JFET输入,高速,精密运算放大器AD712 JFET输入,高速,精密双运算放大器AD713 JFET输入,高速,精密四运算放大器AD744 JFET输入,高速,精密运算放大器AD745 JFET输入,低噪音,高速运算放大器AD746 JFET输入,高速,精密双运算放大器AD795 JFET输入,低噪音,低功耗,精密运算放大器AD797 低噪音运算放大器AD8002 电流反馈型,低功耗,宽带,高速双运算放大器AD8005 电流反馈型,低功耗,宽带,高速双运算放大器AD8011 电流反馈型,低功耗,宽带,高速运算放大器AD8031 单电源,低功耗,高速运算放大器AD8032 单电源,低功耗,高速双运算放大器AD8041 单电源,宽带,高速运算放大器AD8042 单电源,宽带,高速双运算放大器AD8044 单电源,宽带,高速四运算放大器AD8047 宽带,高速运算放大器AD8055 低功耗,宽带,高速运算放大器AD8056 低功耗,宽带,高速双运算放大器AD8072 电流反馈型,宽带,高速双运算放大器AD812 电流反馈型,低电压,低功耗,高速双运算放大器AD817 低功耗,宽带,高速运算放大器AD818 低功耗,宽带,高速运算放大器AD820 JFET输入,单电源,低电压,低功耗,精密运算放大器AD822 JFET输入,单电源,低电压,低功耗,精密双运算放大器AD823 JFET输入,单电源,低电压,低功耗,精密,高速双运算放大器AD824 JFET输入,单电源,低电压,低功耗,精密四运算放大器AD826 低功耗,宽带,高速双运算放大器AD827 低功耗,高速双运算放大器AD828 低功耗,宽带,高速双运算放大器AD844 电流反馈型,宽带,高速运算放大器AD846 电流反馈型,高速,精密运算放大器AD847 低功耗,高速运算放大器AD8531 COMS单电源,低功耗,高速运算放大器AD8532 COMS单电源,低功耗,高速双运算放大器AD8534 COMS单电源,低功耗,高速四运算放大器AD9617 低失真，电流反馈型,宽带,高速,精密运算放大器AD9631 低失真，宽带,高速运算放大器AD9632 低失真，宽带,高速运算放大器AN6550 低电压双运算放大器AN6567 大电流,单电源双运算放大器AN6568 大电流,单电源双运算放大器BA718 单电源,低功耗双运算放大器BA728 单电源,低功耗双运算放大器CA5160 BIMOS,单电源,低功耗运算放大器CA5260 BIMOS,单电源双运算放大器CA5420 BIMOS,单电源,低电压,低功耗运算放大器CA5470 BIMOS单电源四运算放大器CLC400 电流反馈型,宽带,高速运算放大器CLC406 电流反馈型,低功耗,宽带,高速运算放大器CLC410 电流反馈型,高速运算放大器CLC415 电流反馈型,宽带,高速四运算放大器CLC449 电流反馈型,宽带,高速运算放大器CLC450 电流反馈型,单电源,低功耗,宽带,高速运算放大器CLC452 单电源,电流反馈型,大电流,低功耗,宽带,高速运算放大器CLC505 电流反馈型,高速运算放大器EL2030 电流反馈型,宽带,高速运算放大器EL2030C 电流反馈型,宽带,高速运算放大器EL2044C 单电源,低功耗,高速运算放大器EL2070 电流反馈型,宽带,高速运算放大器EL2070C 电流反馈型,宽带,高速运算放大器EL2071C 电流反馈型,宽带,高速运算放大器EL2073 宽带,高速运算放大器EL2073C 宽带,高速运算放大器EL2130C 电流反馈型,宽带,高速运算放大器EL2150C 单电源,宽带,高速运算放大器EL2160C 电流反馈型,宽带,高速运算放大器EL2165C 电流反馈型,宽带,高速,精密运算放大器EL2170C 单电源,电流反馈型,低功耗,宽带,高速运算放大器EL2175C 电流反馈型,宽带,高速,精密运算放大器EL2180C 单电源,电流反馈型,低功耗,宽带,高速运算放大器EL2224 宽带,高速双运算放大器EL2224C 宽带,高速双运算放大器EL2232 电流反馈型,宽带,高速双运算放大器EL2232C 电流反馈型,宽带,高速双运算放大器EL2250C 单电源,宽带,高速双运算放大器EL2260C 电流反馈型,宽带,高速双运算放大器EL2270C 单电源,电流反馈型,低功耗,宽带,高速双运算放大器EL2280C 单电源,电流反馈型,低功耗,宽带,高速双运算放大器EL2424 宽带,高速四运算放大器EL2424C 宽带,高速四运算放大器EL2444C 单电源,低功耗,高速四运算放大器EL2450C 单电源,宽带,高速四运算放大器EL2460C 电流反馈型,宽带,高速四运算放大器EL2470C 单电源,电流反馈型,低功耗,宽带,高速四运算放大器EL2480C 单电源,电流反馈型,低功耗,宽带,高速四运算放大器HA-2640 高耐压运算放大器HA-2645 高耐压运算放大器HA-2839 宽带,高速运算放大器HA-2840 宽带,高速运算放大器HA-2841 宽带,高速运算放大器HA-2842 宽带,高速运算放大器HA-4741 通用四运算放大器HA-5020 电流反馈型,宽带,高速运算放大器HA-5127 低噪音,低失调电压,精密运算放大器HA-5134 低失调电压,精密四运算放大器HA-5137 低噪音,低失调电压,高速,精密运算放大器HA-5142 单电源,低功耗双运算放大器HA-5144 单电源,低功耗四运算放大器HA-5177 低失调电压,精密运算放大器HA-5221 低噪音,精密运算放大器HA-5222 低噪音,精密双运算放大器HA-7712 BIMOS,单电源,低功耗,精密运算放大器HA-7713 BIMOS,单电源,低功耗,精密运算放大器HA16118 CMOS单电源,低电压,低功耗双运算放大器HA16119 CMOS单电源,低电压,低功耗双运算放大器HFA1100 电流反馈型,宽带,高速运算放大器HFA1120 电流反馈型,宽带,高速运算放大器HFA1205 电流反馈型,低功耗,宽带,高速双运算放大器HFA1245 电流反馈型,低功耗,宽带,高速双运算放大器ICL7611 CMOS低电压,低功耗运算放大器ICL7612 CMOS低电压,低功耗运算放大器ICL7621 CMOS低电压,低功耗双运算放大器ICL7641 CMOS低电压四运算放大器ICL7642 CMOS低电压,低功耗四运算放大器ICL7650S 稳压器LA6500 单电源，功率OP放大器LA6501 单电源，功率OP放大器LA6510 2回路单电源功率OP放大器LA6512 高压,功率OP放大器双运算放大器LA6513 高压,功率OP放大器双运算放大器LA6520 单电源,功率OP放大器三运算放大器LF356 JFET输入，高速运算放大器LF356A JFET输入，高速运算放大器LF411 JFET输入，高速运算放大器LF411A JFET输入，高速运算放大器LF412 JFET输入，高速双运算放大器LF412A JFET输入，高速双运算放大器LF441 低功耗，JFET输入运算放大器LF441A 低功耗，JFET输入运算放大器LF442 低功耗，JFET输入双运算放大器LF442A 低功耗，JFET输入双运算放大器LF444 低功耗，JFET输入四运算放大器LF444A 低功耗，JFET输入四运算放大器LM2902 单电源四运算放大器LM2904 单电源双运算放大器LM324 单电源四运算放大器LM358 单电源双运算放大器LM4250 单程控、低功耗运算放大器LM607 低失调电压,精密运算放大器LM6118 宽带,高速双运算放大器MAX430 CMOS单电源运算放大器MAX432 CMOS单电源运算放大器MAX4330 单电源,低电压,低功耗运算放大器MAX4332 单电源,低电压,低功耗双运算放大器MAX4334 单电源,低电压,低功耗四运算放大器MAX474 单电源,低电压,宽带,高速双运算放大器MAX475 单电源,低电压,宽带,高速四运算放大器MAX477 宽带,高速运算放大器MAX478 单电源,低功耗,精密双运算放大器MAX478A 单电源,低功耗,精密双运算放大器MAX479 单电源,低功耗,精密四运算放大器MAX479A 单电源,低功耗,精密四运算放大器MAX480 单电源,低功耗,低电压,低失调电压,精密运算放大器MAX492C 单电源,低功耗,低电压,精密双运算放大器MAX492E 单电源,低功耗,低电压,精密双运算放大器MAX492M 单电源,低功耗,低电压,精密双运算放大器MAX494C 单电源,低功耗,低电压,精密四运算放大器MAX494E 单电源,低功耗,低电压,精密四运算放大器MAX494M 单电源,低功耗,低电压,精密四运算放大器MAX495C 单电源,低功耗,低电压,精密运算放大器MAX495E 单电源,低功耗,低电压,精密运算放大器MAX495M 单电源,低功耗,低电压,精密运算放大器MC1458 通用双运算放大器MC1458C 通用双运算放大器MC33071A 单电源,高速运算放大器MC33072A 单电源,高速双运算放大器MC33074A 单电源,高速四运算放大器MC33078 低噪音双运算放大器MC33079 低噪音四运算放大器MC33102 低功耗双运算放大器MC33171 单电源,低电压,低功耗运算放大器MC33172 单电源,低电压,低功耗双运算放大器MC33174 单电源,低电压,低功耗四运算放大器MC33178 大电流,低功耗,低噪音双运算放大器MC33179 大电流,低功耗,低噪音四运算放大器MC33181 JFET输入,低功耗运算放大器MC33182 JFET输入,低功耗双运算放大器MC33184 JFET输入,低功耗四运算放大器MC33201 单电源,大电流,低电压运算放大器MC33202 单电源,大电流,低电压双运算放大器MC33204 单电源,大电流,低电压四运算放大器MC33272 单电源,低电压,高速双运算放大器MC33282 JFET输入,宽带,高速双运算放大器MC33284 JFET输入,宽带,高速四运算放大器MC33502 BIMOS,单电源,大电流,低电压,双运算放大器MC34071A 单电源,高速运算放大器MC34072A 单电源,高速双运算放大器MC34074A 单电源,高速四运算放大器MC34081 JFET输入,宽带,高速运算放大器MC34082 JFET输入,宽带,高速双运算放大器MC34084 JFET输入,宽带,高速四运算放大器MC34181 JFET输入,低功耗运算放大器MC34182 JFET输入,低功耗双运算放大器MC34184 JFET输入,低功耗四运算放大器MC35071A 单电源,高速运算放大器MC35072A 单电源,高速双运算放大器MC35074A 单电源,高速四运算放大器MC35081 JFET输入,宽带,高速运算放大器MC35082 JFET输入,宽带,高速双运算放大器MC35084 JFET输入,宽带,高速四运算放大器MC35171 单电源,低电压,低功耗运算放大器MC35172 单电源,低电压,低功耗双运算放大器MC35174 单电源,低电压,低功耗四运算放大器MC35181 JFET输入,低功耗运算放大器MC35182 JFET输入,低功耗双运算放大器MC35184 JFET输入,低功耗四运算放大器MM6558 低电压,低失调电压,精密双运算放大器MM6559 低电压,低失调电压,精密双运算放大器MM6560 低电压,低失调电压,精密双运算放大器MM6561 低功耗,低电压,低失调电压,精密双运算放大器MM6564 单电源,低电压,低功耗,低失调电压,精密双运算放大器MM6572 低噪音,低电压,低失调电压,精密双运算放大器NE5230 单电源,低电压运算放大器NE5512 通用双运算放大器NE5514 通用四运算放大器NE5532 低噪音,高速双运算放大器NE5534 低噪音,高速运算放大器NJM2059 通用四运算放大器NJM2082 JFET输入,高速双运算放大器NJM2107 低电压,通用运算放大器NJM2112 低电压,通用四运算放大器NJM2114 低噪音双运算放大器NJM2115 低电压,通用双运算放大器NJM2119 单电源,精密双运算放大器NJM2122 低电压,低噪音双运算放大器NJM2130F 低功耗运算放大器NJM2132 单电源,低电压,低功耗双运算放大器NJM2136 低电压,低功耗,宽带,高速运算放大器NJM2137 低电压,低功耗,宽带,高速双运算放大器NJM2138 低电压,低功耗,宽带,高速四运算放大器NJM2140 低电压双运算放大器NJM2141 大电流,低电压双运算放大器NJM2147 高耐压,低功耗双运算放大器NJM2162 JFET输入,低功耗,高速双运算放大器NJM2164 JFET输入,低功耗,高速四运算放大器NJM3404A 单电源,通用双运算放大器NJM3414 单电源,大电流双运算放大器NJM3416 单电源,大电流双运算放大器NJM3415 单电源,大电流双运算放大器NJM4556A 大电流双运算放大器NJM4580 低噪音双运算放大器NJU7051 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压运算放大器NJU7052 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压双运算放大器NJU7054 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压四运算放大器NJU7061 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压运算放大器NJU7062 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压双运算放大器NJU7064 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压四运算放大器NJU7071 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压运算放大器NJU7072 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压双运算放大器NJU7074 CMOS单电源,低功耗,低电压,低失调电压四运算放大器OP-07 低漂移,精密运算放大器OP-113 BICMOS单电源,低噪音,低失调电压,精密运算放大器OP-150 COMS,单电源,低电压,低功耗OP-160 电流反馈型,高速运算放大器OP-162 单电源,低电压,低功耗,高速,精密运算放大器OP-177 低失调电压,精密运算放大器OP-183 单电源,宽带运算放大器OP-184 单电源,低电压,高速,精密运算放大器OP-191 单电源,低电压,低功耗运算放大器OP-193 单电源,低电压,低功耗,精密运算放大器OP-196 单电源,低电压,低功耗运算放大器OP-200 低功耗,低失调电压,精密双运算放大器"OP-213 BICMOS单电源,低噪音,低失调电压,精密双运算放大器OP-250 COMS,单电源,低电压,低功耗双运算放大器OP-260 电流反馈型,高速双运算放大器OP-262 单电源,低电压,低功耗,高速,精密双运算放大器OP-27 低噪音,低失调电压,精密运算放大器OP-270 低噪声,低失调电压,精密双运算放大器OP-271 精密双运算放大器OP-275 高速双运算放大器OP-279 单电源,大电流双运算放大器OP-282 JFET输入,低功耗双运算放大器OP-283 单电源,宽带双运算放大器OP-284 单电源,低电压,高速,精密双运算放大器OP-290 单电源,低功耗,精密双运算放大器OP-291 单电源,低电压,低功耗双运算放大器OP-292 BICMOS单电源,通用双运算放大器OP-293 单电源,低电压,低功耗,精密双运算放大器OP-295 BICMOS低功耗,精密双运算放大器OP-296 单电源,低电压,低功耗双运算放大器OP-297 低电压,低功耗,低漂移,精密双运算放大器OP-37 低噪音,低失调电压,高速,精密运算放大器OP-400 低功耗,低失调电压,精密四运算放大器OP-413 BICMOS单电源,低噪音,低失调电压,精密四运算放大器。
2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器
2005211216 收稿, 2006203215 收改稿
Ξ
摘要: 报道了 基于 0 125 Λ m GaA s PHEM T 工 艺的 2 18 ～ 412 GHz M M I C 低噪声放 大器, 详细介 绍和分析了低 噪声放大器的器件基础和设计原理, 设计采用源极串联电感 负反馈方法使输入阻抗 共轭匹配和最小噪声匹 配趋于 一致, 偏置网络采用自偏置栅压、 单电源供电, 并用ADS 软件仿真。电路评估板选用 Roger s RO 4350B , 在 218 ～ 4 12
Ξ
分 , 其主要功能是提供足够的增益来克服后续各级 的噪声, 由于微波系统的噪声系数基本上取决于前 级放大器的噪声系数, 所以低噪声放大器的噪声性 能在系统的噪声性能中是决定性部分。 目前, 国内外 GaA s MM IC 技术 正在 蓬 勃兴 起, 实验 室 报道 的 M M IC 低噪声放大器具有低功耗、 低噪声、 良好的 输入 输出匹 配以及优 异的 动态范 围, 笔 者设 计的 M M IC 低噪声放大器具有重要的意义 , 能直接应用 于无线接收系统的射频前端。
Abstrac t: The pap er present s a self 2bia s 218～ 412 GHz low no ise am p lifie rM M IC based on a st andard 0125 Λ m GaA s PHEM T t echno logy. The design p rincip le of low no ise am p lifie r by con 2 ve rging the input im pedance con jugat e m at ch and op t im um noise m a tch is int roduced. The serie s vo ltage nega t ive feedback am pl ifier has dem ons trated a m ax im um no ise figure of 2 13 dB , an as so 2 cia ted ga in of m o re than 20 dB from 218 to 412 GHz. T he circuit sim ulat ion is ach ieved by using AD S softw a re. The tes t is com p leted using R oge rs RO 4350B a s tes t boa rd. Key words: low no ise am pl if ier (L NA ); M M IC; P HEM T
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ｔ ｈ ｅ ｐ ｅ ｒ ｆ ｏ ｒ ｍａ ｎ ｃ ｅ ｆ ｌ ｕ ｃ ｔ ｕ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｎ ｄ ｏ ｐ ｔ ｉ ｍｉ ｚ ｅ ｔ ｈ ｅ ｐ ｅ ｒ ｆ ｏ ｒ ｍａ ｎ ｃ ｅ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ ｃ ｈ ｉ ｐ ．Ｗ ｉ ｔ ｈ ａ ＤＣ ｂ ｉ ａ ｓ ｏ ｆ ５ Ｖ， ｔ ｈ ｅ ｗｏ ｒ ｋ ｉ ｎ ｇ ｆ ｒ ｅ ｑ ｕ ｅ ｎ ｃ ｙ ｉ ｓ １ ９ ～２ ４ ＧＨ ｚ ， ｔ ｈ ｅ ｇ ａ ｉ ｎ ａ ｎ ｄ ｎ ｏ ｉ ｓ ｅ ｆ ｉ ｇ ｕ ｒ ｅ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ ＬＮＡ ａ ｒ ｅ（ ２ ４ ． ７ ±０ ． ２ ）ｄ Ｂ ａ ｎ ｄ （ １ ．４± ０ ．１ ）ｄ Ｂ， ｔ ｈ ｅ ｔ ｏ ｔ ａ ｌ ｃ ｕ ｒ ｒ ｅ ｎ ｔ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ ｃ ｈ ｉ ｐ ｗａ ｓ ５ ｍ Ａ． Ｔｈ ｅ ｃ ｈ ｉ ｐ ａ ｒ ｅ ａ ｉ Ｓ ２ ｍｍ × １ ｍ ｍ．
ｕｓ ｉ ｎｇ ｔ ｈｅ ｃ ｕ ｒ ｒ ｅ ｎｔ ｍｕｌ ｔ ｉ ｐｌ ｅ ｘ ｉ ｎｇ ｓ ｔ ｒ ｕ ｃ ｔ ｕ ｒ ｅ ａ ｎ ｄ ａ ｃ ｔ ｉ ｖ ｅ ｂ ｉ ａ ｓ ｔ ｅ ｃ ｈｎ ｏｌ ｏ ｇ ｙ，ａ ｔ ｈ ｒ ｅ ｅ ｓ ｔ ａ ｇ ｅ Ｒｏ ｂｕｓ ｔ ａ ｎｄ ｌ ｏ ｗ ｐｏ ｗｅ ｒ ｃ ｏ ｎｓ ｕ ｍｐ ｔ ｉ ｏ ｎ ｍｏ ｎ ｏｌ ｉ ｔ ｈｉ ｃ ｍｉ ｃ ｒ ｏ ｗａ ｖ ｅ ｉ ｎ ｔ ｅ ｇ ｒ ａ ｔ ｅ ｄ ｃ ｉ ｒ ｃ ｕｉ ｔ ｌ ｏ ｗ ｎｏ ｉ ｓ ｅ ａ ｍｐｌ ｉ ｆ ｉ ｅ ｒ ｉ ｓ ｄ ｅ ｓ ｉ ｇ ｎｅ ｄ ． Ｔｈｅ ｎｅ ｇ ａ ｔ ｉ ｖｅ ｆ ｅ ｅ ｄ ｂａ ｃ ｋ ｉ ｓ ｕｓ ｅ ｄ ｔ ｏ ｉ ｍｐｒ ｏ ｖ ｅ ｃ ｈｉ ｐ ｓ ｔ ａ ｂｉ ｌ ｉ ｔ ｙ ａ ｎｄ ｔ ｈｅ ａ ｃ ｔ ｉ ｖ ｅ ｂｉ ａ ｓ ｔ ｅ ｃ ｈｎ ｏｌ ｏ ｇ ｙ ｉ ｓ ｕ ｓ ｅ ｄ ｔ ｏ ｓ ｏ ｌ ｖｅ
２ ． Ｃ ｏ ｌ ｌ ｅ ｇ ｅ ｏ ｆ Ａｅ ｒ ｏ ｎ ａ ｕ ｔ ｉ ｃ ｓ ａ ｎ ｄ Ａｓ ｔ ｒ ｏ ｎ ａ ｕ ｔ ｉ ｃ ｓ ，Ｚ ｈ ｅ ｊ ｉ ａ ｎ ｇ Ｕｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ，Ｈａ ｎ ｇ ｚ ｈ ｏ ｕ ３ １ ０ ０ ２ ７ ， Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ；
摘要 ： 基于 ０ ． １ ５ ｍ Ｇａ Ａｓ ｐ ＨＭＥ Ｔ 工 艺技 术 的 管 芯特 性 分 析 ， 采 用 电流 复 用 结构 及 有 源偏 置技
术， 研 制 了一款 高鲁棒 性低 功耗 单 片低噪 声放 大 器芯 片． 该款 芯 片具 有 三级 拓 扑 结构 ， 采 用 源极 负 反馈提 高芯 片稳定 性 ， 采 用有 源偏 置技 术 弥补 工 艺波动 现 象造成 的芯 片性 能波动 ． 供 电 电压 为 ５ Ｖ
ＺＨ ＯＵ Ｓ ｈ ｏ ｕ ｌ ｉ ，ＹＵ Ｊ ｕபைடு நூலகம்ｎ ｘ ｕ ｅ ，ＣＨＥＮ Ｗｅ ｉ ，ＸＩ ＯＮＧ Ｄｅ ｐ ｉ ｎ ｇ 。
（ １ ． Ｃ ｏ ｌ ｌ ａ ｇ ｅ ｏ ｆ Ｉ ｎ ｆ ｏ ｒ ｍａ ｔ ｉ ｏ ｎ Ｅ ｎ ｇ ｉ ｎ ｅ ｅ ｒ ｉ ｎ ｇ ，Ｚ ｈ ｅ ｊ ｉ ａ ｎ ｇ Ｕｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ｏ ｆ Ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ，Ｈａ ｎ ｇ ｚ ｈ ｏ ｕ ３ １ ０ ０ ２ ３ ， Ｃｈ ｉ ｎ ａ ；
３ ． Ｃｏ ｌ ｌ ｅ ｇ ｅ ｏ ｆ ｐ ｈ ｙ ｓ ｉ ｃ ｓ ａ ｎｄ Ｏｐ ｔ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ Ｅｎ ｇ ｉ ｎｅ ｅ ｒ ｉ ｎ ｇ，Ｇｕ ａ ｎ ｇ ｄ ｏ ｎ ｇ Ｕｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ｏ ｆ Ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ，Ｇｕ ａ ｎ ｇ ｚ ｈ ｏ ｕ ５ １ ０ ０ ０６，Ｃｈ ｉ ｎ ａ ）
比， 噪 声 系数 和 电路 功耗方 面具 有 明显的优 势． 关键词 ： 低 噪声放 大 器 ； 电流复 用 ； 低 功耗 ； 有 源偏置 ； 鲁棒 性
中图分 类号 ： Ｔ Ｎ７ ２ ２ ． ３ 文 献标 志码 ： Ａ 文章 编号 ： １ ０ ０ ６ — ４ ３ ０ ３ （ ２ ０ １ ６ ） ０ ６ — ０ ６ ２ ４ — ０ ４
周 守利 ， 俞俊 学 。 陈 伟 ， 熊 德平。
（ １ ． 浙 江 工 业 大 学 信 息 工程 学 院 ，浙 江 杭 州 ３ １ ０ ０ ２ ３ ； ２ ． 浙 江 大学 航 空 航 天学 院 ，浙 江 杭 州 ３ １ ０ ０ ２ ７ ３ ． 广 东工 业 大 学 物 理 与 光 电学 院 ， 广东 广州 ５ １ ０ ０ ０ ６ ）
Ａｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ：Ａｎ ａ ｌ ｙ ｚ ｉ ｎ ｇ ｔ ｈ ｅ ｃ ｈ ａ ｒ ａ ｃ ｔ ｅ ｒ ｉ ｓ ｔ ｉ ｃ ｏ ｆ ｔ ｒ ａ ｎ ｓ ｉ ｓ ｔ ｏ ｒ ｂ ａ ｓ ｅ ｏ ｎ ０ ． １ ５“ ｍ Ｇａ Ａｓ ＰＨ ＥＭ Ｔ ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｉ ｑ ｕ ｅ ａ ｎ ｄ
第４ ４卷 第 ６ 期
２ ０ １ ６年 １ ２月
浙 江 工 业 大 学 学 报
Ｊ ０ＵＲＮＡＬ ＯＦ ＺＨＥ Ｊ Ｉ ＡＮＧ Ｕ ＮＩ ＶＥＲＳ Ｉ ＴＹ ＯＦ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ
Ｖｏ １ ． ４ ４ Ｎｏ ． ６
Ｄｅ ｃ ．２ Ｏ１ ６
低 功 耗单 片低 噪声 放 大 器 芯 片
的条件 下 ， 芯片的 工作 带宽 为 １ ９ ～２ ４ ＧＨｚ ， 增 益和 噪 声 系数 分别 为 （ ２ ４ ． ７ ±０ ． ２ ） ， （ １ ． ４ ±０ ． １ ）ｄ Ｂ ，
电路 总电流仅 为 ５ ｍＡ． 芯片尺 寸 为 ２ ｍｍ×１ ｍｍ． 与其 他 相 同工作 频 率 、 使 用传 统技 术 的 芯 片相