NOR Flash 编程

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NOR Flash 编程

//*********************************************************************** ***************************

//*** norflash操作原理:假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的intel L18F256 32MB norflash(块大小为128KB)

/*

intel E28F128J3A150 16MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为:

bf561 <=> E28F128J3A150

A[23:1] => A[23:1] //bf561给norflash的地址信号

D[15:0] => D[15:0] //bf561给norflash的数据信号

/AMS0 => /CE //bf561给norflash的片选信号

/AOE => /OE //bf561给norflash的读信号

/AWE => /WE //bf561给norflash的写信号

/BYTE //上拉为高

VPEN //上拉为高

/RP //上拉为高

*/

1.norflash读取生产ID和设备ID的步骤:

1)执行相应的命令序列:=>向norflash的基地址发送命

*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x00AA;

*(0x0C000000 + 0x2AAA) = 0x0055;

*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x0090;

2)开始读取生产ID:

(u16)mnfID=*(0x0C000000+0x0);

3)开始读取设备ID:

(u16)devID=*(0x0C000000+0x2);

2.以块为单位擦除norflash的步骤:(假设擦除uboot所在分区:0x0C100000)

1)禁止flash的写保护://设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)

2)Block unlock

*((short*)0x0C100000) = 0x0060; //块对齐地址

*((short*)0x0C100000) = 0x00D0; //块对齐地址

while(!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080)); //块对齐地址

*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //设置norflash为read array模式

3)执行擦除命令序列:=>向要操作的块地址发送命令

*((short*)0x0C100000) = 0x0020; //块对齐地址,INTEL_ERASE_CMD0

*((short*)0x0C100000) = 0x00D0; //块对齐地址,INTEL_ERASE_CMD1

while (!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080)); //块对齐地址,等待直到擦除结束

5)设置norflash为read array模式

*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //让norflash重新进入read array模式

6)使能flash的写保护://设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)

3.以块为单位写norflash的步骤:(假设写uboot所在分区:0x0C100000)

/*

发送写命令(0xE8)->发送数据->发送确认写命令(0xD0)->确认状态寄存器命令(0x70)->清掉状态寄存器命令(0x50)

块对齐字对齐块对齐字对齐字对齐

*/

1)禁止flash的写保护://设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)

2)发送写命令://块对齐地址

*((short*)0x0C100000)=0x00E8; //块对齐地址,program setup command

while(!(*0x0C100000 & 0x0080)); //块对齐地址

3)开始发送要写到flash的数据=>(这些数据会在norflash芯片内部的buffer中锁存起来) =>每次2个字节,因为数据总线宽度为16位

(short *)ulData = 0x10010000 =>SDRAM的地址

(long *)psAddress = 0x0C000000 =>Norflash的地址

for(i=0; i<15; i++)

{

*psAddress = ulData[i];

psAddress++;

}

4)通知norflash将存在自己buffer中的数据写到norflash的介质上:

*((short*)0x0C100000)=0x00D0; //块对齐地址

5)读状态寄存器,确保步骤4)已经完成

*0x0C100000 = 0x0070; //Check Status Register ,这里是字对齐的地址

while(!(*0x0C100000 & BIT7)); //字对齐地址

6)// Check program status.

if ( *0x0C100000 & 0x0010 ) //字对齐地址

{

*0x0C100000 = 0x0050; //字对齐地址, Clear Status

*((short*)0x0C100000) = 0x00FF; //块对齐地址Put chip back into read array mode.

return 1;

}

7)使能flash的写保护://设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)

//*********************************************************************** ***************************

//*** norflash操作原理:假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的st stm29w640d 8MB norflash(块大小为64KB,16位宽度)

//=> 注意ST和intel norflash是有区别的:

// ST的norflash A0可用,故对16bit的接法为A1接A0,后面引脚类推

//intel的norflash A0不可用,故对16bit的接法为A1接A1,后面引脚类推

//

/*

1).st stm29w640d 8MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为:

bf561 <=> stm29w640d

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