极管特性曲线分析
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线

件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。
设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。
1.输入/输出特性三极管特性曲线是反映三极管各电极电压和电流之间相互关系的曲线,是用来描述三极管工作特性曲线,常用的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线:输入特性曲线表示当E极与C极之间的电压VCE保持不变时,输入电流(即基极电流IB)和输入电压(即基极与发射极间电压VBE)之间的关系曲线;当VCE=0时,相当于集电极与发射极短路,即发射结与集电结并联。
因此,输入特性曲线与PN结的伏安特性类似,呈指数关系。
当VCE增大时,曲线将右移。
对于小功率晶体管,VCE大于1V的一条输入特性曲线可以近似VCE大于1V的所有输入特性曲线。
三极管输入特性曲线输出特性曲线表示基极电流IB一定时,三极管输出电压VCE与输出电流IC之间的关系曲线。
根据输出特性曲线,三极管的工作状态分为三个区域。
截止区:它包括IB=0及IB〈0(即IB与原方向相反)的一组工作曲线。
当IB=0,IC=Iceo(称为穿透电流),在常温下此值很小。
在此区域中,三极管的两个PN 结均为反向偏置,即使VCE电压较高,管子中的电流Ic却很小,此时的管子相当于一个开关的开路状态。
饱和区:该区域中的电压VCE的数值很小,VBE〉VCE 集电极电流IC随VCE的增加而很快的增大。
此时三极管的两个PN 结均处于正向偏置,集电结失去了收集某区电子的能力,IC不再受IB控制。
VCE对IC控制作用很大,管子相当于一个开关的接通状态。
放大区:此区域中三极管的发射结正向偏置,而集电极反向偏置。
当VEC超过某一电压后曲线基本上是平直的,这是因为当集电结电压增大后,原来流入基极的电流绝大部分被集电极拉走,所以VCE再继续增大时,电流IC变化很小,另外,当IB 变化时,IC即按比例的变化,也就是说,IC受IB的控制,并且IC变化比IB的变化大很多,△IC和△IB成正比,两者之间具有线性关系,因此此区域又称为线性区。
三极管的特性曲线

特点:曲线簇靠近纵轴附近,各条曲线的 特点:曲线簇靠近纵轴附近, 上升部分十分密集,几乎重叠在一起, 上升部分十分密集,几乎重叠在一起,可以 看出: 看出: 改变时, 当 IB 改变时,Ic 基本上不会随之而改 变。
Ε 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同 晶体管饱和的程度将因I Ic的数值不同
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
此区域中 : 100µA µ IB=0,IC=ICEO 80µABE< 死区 µ ,U 电压, 电压 60µA ,称为 µ 截止区。 截止区。 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
输出特性曲线簇
输出特性三个区域的特点: 输出特性三个区域的特点
Ε (2)为了保证三极管工作在放大区,在组成放大 为了保证三极管工作在放大区,
电路时, 电路时,外加的电源的极性应使三有管的发射结 处于正向偏置状态,集电结则处于反向偏置状态。 处于正向偏置状态,集电结则处于反向偏置状态。
Ε (3)即使三极管工作在放大区,由于其输入,输 即使三极管工作在放大区,由于其输入,
结论: 结论: 在放大区,UBE> 0.7V,UBC< 0,Je正 在放大区, 0.7V, 0,Je正 偏,Jc反偏,Ic随IB变化而变化,但与 反偏, 变化而变化, 的大小基本无关。 UCE的大小基本无关。 ΔIc>>ΔIB,具有很强的电流放大作 用!
3、饱和区: 饱和区:
Ε Ε Ε
晶体管工作在饱和模式下: 晶体管工作在饱和模式下: >0.7V, >0, Je、Jc均正偏 均正偏。 UBE>0.7V,UBC>0,即:Je、Jc均正偏。
(1) 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=βIB , 且 ∆IC = β ∆ IB (2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:UCE<UBE , βIB>IC,UCE≈0.3V (3) 截止区: UBE< 死区电压, IB=0 , IC=ICEO ≈0 截止区: 死区电压,
常用半导体器件_三极管的输出特性曲线

第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
例4.3.1 在放大电路中测得4个三极管的各管脚对“地”电位如图所 示。试判断各三极管的类型(是NPN型还是PNP型,是硅管 还是锗管),并确定e、b、c三个电极。
3V
8V
−3V 2.3V
−5V
0V
−0.8V −1V
3.7V
2V
−0.6V
6V
(a)
0
U(BR)CEO uCE
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
2. 三极管型号的意义 国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
用字母表示同一型号中的不同规格
用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类
用字母表示材料
三极管 第二位:A 锗PNP管, B 锗NPN管, C 硅PNP管, D 硅NPN管 第三位:X 低频小功率管,D 低频大功率管,
B
ic
C
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
−1.4V 硅管
−2.8V −3.5V 1.1V
锗管
1.3V 1V
12V 硅管 2V
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
发射结偏、集电结均正偏,管子饱和。
UBE=2.7V,远大于发射结正偏时的电压, 故管子已损坏。
−0.7V
iC
iB
+
u+−BE
uCE −
当三极管饱和时,UCE 0,C-E iC/mA 饱和区
间如同一个开关的接通。
IB=40μA 4
当三极管截止时,IC 0 , C-E 3
之间如同一个开关的断开。
各种晶体管漏极至源极曲线

各种晶体管漏极至源极曲线
晶体管的漏极至源极曲线通常被称为I-V 特性曲线,表示漏极电流与源极电压之间的关系。
对于不同类型的晶体管,如MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和BJT(双极型晶体管,如NPN和PNP),其I-V 特性曲线有所不同。
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):
对于N 沟道(N-Channel)MOSFET:
当源极电压(Vds)增加时,漏极电流(Ids)呈线性增加,最终趋于饱和。
漏极电流与栅极电压(Vgs)之间存在阈值电压,即使Vgs小于阈值电压,也会有漏极电流。
通常,Ids随着Vgs的增加而增加,形成特定的I-V 曲线。
对于P 沟道(P-Channel)MOSFET:
P 沟道MOSFET的特性曲线与N 沟道MOSFET相似,但电流方向相反。
BJT (Bipolar Junction Transistor):
对于NPN BJT:
漏极电流(Ic)与集电极电压(Vce)之间的关系通常表现为一条呈饱和特性的曲线。
当Vce 达到一定值时,Ic基本保持恒定。
对于PNP BJT:
PNP BJT的特性曲线与NPN BJT相似,但电流方向相反。
这些特性曲线通常在器件手册或数据表中提供,并且通过实验测量可以得到。
I-V 特性曲线对于设计和分析电路中的晶体管行为非常重要。
在实际应用中,工程师会根据这些曲线来优化电路的性能。
晶体管输出特性曲线实验报告

回零的时刻应与阶梯波跳变的时刻严格一致,否则得不到右图所示
曲线族。
②电容
C1
的充电时间为
T1=
������1������2 ������1+������2
������1ln(1
+
2������3),放电时间
������4
T2=������1������1ln(1
+
2������3),矩形波周期
������4
在锯齿波发生电路与电阻 R14 之间,波形为较理想的锯齿波,如图 4,但经过电阻 R14 之后,波形似 乎是两个频率之比近似为 9 的锯齿波相乘的结果,如图 5.
图4
图5
阶梯波发生电路的运放输出端不与电阻 R13 相连时,也能得到较理想的阶梯波。与电阻 R13 以及被测 三极管相连时,在运放输出端与 R13 之间的测得的阶梯波已有畸变。在较高的台阶处,本应水平的部 分向下倾斜了一定的角度,即电容 C3 通过电阻 R13 和被测三极管的 B-E 极进行缓慢放电,如图 6.而 在 R13 与被测三极管之间,阶梯波已经完全消失,如图 7.
2
1. 矩形波的设计频率为 800Hz(设计过程中,并未忽略 D1 导通时 R1 的分流作用),由于电阻、电容等 器件的不精确性,以及实际二极管的正向电阻并不为零,当矩形波发生电路不与其他任何电路相连 时,其频率 f=761Hz,占空比为 5.3%,Vopp=16V.当与阶梯波和锯齿波发生电路相连时,频率 f=910Hz,占空比变为 9%,Vopp=11.6V.
回扫线,本人尝试过将 R10 变为 0(短路)以及同时加大 R10 和 R2 两种方案。这两种方案所得回扫线的形
状与特性曲线十分相似,在屏幕上的位置相当于特性曲线向下平移了一定的距离。将 R10 变为 0 得到的
三极管的特性曲线

三极管的特性曲线
三极管外部各极电压和电流的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性,还能用来定量地估算出三极管的某些参数,是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式,有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路,其基本测试电路如图Z0118所示,共发射极特性曲线可以用描点法绘出,也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线
在三极管共射极连接的情况下,当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时,
UBE和IB之间的一簇关系曲线,称为共射极输入特性曲线,如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为:
IB=f(UBE)| UBE = 常数 GS0120
由图Z0119 可以看出这簇曲线,有下面几个特点:。
高教社2024新能源汽车电工电子技术教学课件36三极管结构与特性

目录
contents
1 三极管基本结构 2 三极管的特性 3 三极管的特性曲线
三极管结构与特性
一 三极管基本结构
N P N 三 极 管 通过给基极高电压时控制
三极管CE导通
P N P 三 极 管 通过给基极低电压时控制三
极管CE导通
U+Biblioteka U–三极管结构与特性
一 三极管基本结构
三极管内部由两个PN节构成:
三极管结构与特性
二 三极管的特性
uCE电压充足
iB由零变大,iC也跟着变大, 并且符合iC=βiB ,其中β为
电流放大倍数。
三极管结构与特性
二 三极管的特性
这种状态下,iC受iB控制,
这种状态为放大状态,也叫 放大区。
三极管结构与特性
二 三极管的特性
1.碳膜电阻
三极管为放大器时 三极管是工作在放大区,放大区也称为线性区。
断出iC =0,这是三极管的截止工作区。
iC和uCE的关系 当uCE由0变大到3V左右时,iC跟随uCE变大而变
大,这种状态下, iC受uCE控制,三极管工作在饱
和区。
三极管结构与特性
1三. 碳极膜管电特阻征 曲 线
三 三极管的特性曲线
uCE >3V
iC不会跟着uCE变大而变大,而是几乎保持恒定
电流。
三 三极管的特性曲线
纵 轴 描述iC电流大小 横 轴 描述uCE电压大小 曲 线 在不同iB电流下, iC与uCE之间的关系
三极管结构与特性
1三. 碳极膜管电特阻征 曲 线
三 三极管的特性曲线
iB=0 当uCE由0变大时, iC几乎没有变化,基本就近
于0,通过这个曲线可以分析出,当iB =0,则可以推
双极型半导体三极的特性曲线

目 录
• 双极型半导体简介 • 双极型半导体三极管特性 • 双极型半导体三极管的工作原理 • 双极型半导体三极管的应用实例 • 双极型半导体三极管的发展趋势与展望
01 双极型半导体简介
双极型半导体的定义
01
双极型半导体是指具有两个能带 间隙的半导体,即价带和导带之 间存在两个能级,分别是空穴和 电子的导带。
波形变换
双极型半导体三极管可以将一种波形 转换为另一种波形,如将正弦波转换 为矩形波等。
05 双极型半导体三极管的发 展趋势与展望
新材料的应用
硅基材料的突破
随着硅基材料的不断改进,双极型半导体三极管性能得到显著提升,具有更高的 耐压、耐热和稳定性。
化合物半导体的应用
新型化合物半导体材料如硅碳化物、氮化镓等在双极型半导体三极管中的应用, 有望提高器件的开关速度和效率。
新能源领域
双极型半导体三极管在太阳能逆变器、风力发电系统和电动车驱动电路等新能源领域具有潜在的应用价值。
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集电极-发射极电压与电流关系
当集电极电流固定时,随着集电极电压的增加,发射极电 流逐渐减小,呈现出正阻特性。
当发射极电流固定时,集电极电压对集电极电流的影响较 小。
04 双极型半导体三极管的应 用实例
放大电路中的应用
信号放大
01
双极型半导体三极管可以作为放大器,将微弱的输入信号放大
到所需的幅度,用于驱动负载或进行信号处理。
02 双极型半导体三极管特性
输入特性曲线
输入电阻
输入电流
双极型半导体三极管输入电阻的大小 取决于基极电流的大小,随着基极电 流的增大,输入电阻逐渐减小。
晶体三极管特性曲线

晶体三极管特性曲线1、集电极输出特性曲线和二极管一样,晶体管的特性曲线可以提供很多信息。
有许多类型的晶体管特性曲线。
集电极曲线族是最常见的曲线之一。
图10-9就是这种曲线的一个例子。
垂直轴表示集电极电流(IC),以毫安为单位;水平轴表示集电极-发射极偏置电压(UCE),以伏特为单位。
该图叫做集电极曲线族,因为它是同一个三极管在给定不同基极电流的条件下描绘的。
图10-10给出了一种电路可以用来测量一个集电极曲线族的数据的电路。
用三个表来分别测量基极电流IB,集电极电流IC,集电极-发射极电压UCE。
为了画出含有三个变量的曲线,将一个变量值固定为常数而使其它两个量改变。
对一个集电极曲线族来说,常量是基极电流。
如图10-10所示,先调整可变电阻器得到需要的基极电流,然后调整可变电源,每给定为一个UCE值,记录集电极电流的值。
接着,再改变UCE值,并记录IC的值。
在图上描出这些数据点就产生了一条IC-UCE的伏安特性曲线。
改变基极电流,重复前面的操作,就可以产生这一族中的其它曲线。
从图10-9所示的曲线可得到一些结型晶体管的重要参数。
注意到集-发极间电压对集电极电流的影响很小。
注意IB=20μA时的曲线,电压从2V到18V范围内集电极电流有多大变化?电压增加16V,电流大约增加0.3mA。
由此可见,集电极电压对电流的影响很小,仅在集电极电压很小的时候对集电极电流有影响(见图10-9中1V以下部分曲线称三机关报和区)。
由输出特性曲线图,我们定义三极管的动态电阻(也称三极管集电极输出电阻):实际表示输出特性曲线的斜率。
对于上例可见三极管有较大的动态电阻。
你要学会利用图10-9读一些数据。
例如,当IC=10mA,VCE=4V时,求IB=?,这两个数据点在80μA的曲线上相交,所以答案是80μA。
读该图时,使用估值也是必要的。
例如,当UCE=10V,IC=7mA时,基极电流值为多少?这两个值的交点与族内的每条曲线都不相交,大约在40μA和60μA曲线之间,所以估值50μA是比较合理的。
晶体三极管的输入输出特性曲线

晶体三极管的输入、输出特性曲线三极管的特性曲线是指三极管各极上的电压和电流之间的关系曲线,是三极管内部性能的外部表现。
从使用三极管的角度来说,了解它的特性曲线是重要的。
由于三极管有两个PN结,因此它的特性曲线不像二极管那样简单。
最常用的有输入特性和输出特性曲线两种,在实际应用中,通常利用晶体管特性图示仪直接观察,也可用图1的电路开展测试逐点描绘。
(一)输入特性曲线输入特性是指,当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时,加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。
以3DG130C为例,按图1实验电路测试。
当UCE分别固定在O和1伏两种情况下,调整RPl测得的IB和UBE的值,列于表1。
它的输入特性曲线,如图2所示。
为了说明输入特性,图中画出两种曲线,表示UCE不同的两种情况。
但两条线不会同时存在。
图1晶体三极管输入、输出特性实验电路图2晶体三极管输入特性曲线表1三极管输入特性数据1.当UCE = O伏时,也就是将三极管的集电极与发射极短接,如图3所示,相当于正向接法的两个并联二极管。
图2中曲线A的形状跟二极管的正向伏安特性曲线非常相似,IB和UBE 也是非线性关系。
2.当UCE=I伏时,集电结反偏,产生集电极电流IC, 在一样的UBE条件下,基极电流IB就要减小。
(图2中a点降到b 点),因此曲线B相对曲线A右移一段距离。
可见,UCE 对IB有一定影响。
当UCE>1伏以后,IB与UCE几乎无关,其特性曲线和UCE = I优那条曲线非常接近,通常按UCE = I 伏的输出特性曲线分析。
图3 UCE=O时的等效电路图4 3AX52B的输入特性曲线图4是3AX52B错三极管的输入特性,注意横坐标是一UBE,这是指PNP型错管的基极电位低于发射极电位。
可见,错管和硅管它们的输入特性曲线都是非线性的,都有“死区”, 错管和硅管相比,错管在较小的UBE值下,就可使发射结正偏导通。
电子技术试验:三极管输入、输出特性曲线的测试

五、下次预习要求
(P147实验4.14)
现代电子技术实验
4.13、三极管输入、输出特性曲线 的测试
现代电子技术实验
预习情况检查
1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。 2.晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要
参数定义。
现代电子技术实验
一.实验目的
1. 进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 3. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
பைடு நூலகம்
设VCE =5V,适当选择和记录IBQ
ebc
1008:NPN型
IC
I B VCE 5V
IC
IB VCE 5V
iC
△IC IC
IB 10 A IB 8 A
IB 4 A
IB 2 A
VCE =5V
vCE
四、实验报告要求
1.写出所测参数的定义及其物理意义。 2.用坐标纸定量描绘特性曲线,正确标明相应
2.共射输出特性曲线
以输入口电流iB为参变量,反映输出口iC与vCE的函 数关系曲线。
iC f (vCE ) IB 常数
iC
iB5 iB4
iB3
iB2 iB1
O
uCE
3.三极管输出特性测试电路
图示仪面板主要包括
阶梯信号部分
晶体管输出特性的动态测量
半 导 体 特 性 图
示 集电 仪 极电 操源
作 面 板
测试台
Y轴
X轴 阶梯电
源
三、实验内容
1.晶体管输出特性的测量
(1)调节图示仪有关控制旋钮,测绘输出特性曲线。
(2)在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。
三极管的特性曲线

输出特性曲线
当基极电流I B一定时,集电极与发射极之间的电压U CE(也称管压降)与集电极电流I C之间的关系曲线,称为三极管的输出特性曲线。
每取一个I B 值,就有一条输出特性曲线与之对应,如用一组不同的I B值,就可得到图2-8所示的输出特性曲线族。
三极管的输出特性有以下特点:
①当U CE=0时,I C=0,随着U CE的增大,I C跟着增大,当U CE大于1V左右以后,无论U CE怎么变化,I C几乎不变,所以曲线与横轴接近平行。
②当基极电流I B等值增加时,I C比I B增大得多,各曲线可以近似看成平行等距,各曲线平行部分之间的间距大小,反映了三极管的电流放大能力,间距越大,放大倍数越大。
从图中还可以看出,三极管的特性曲线可分为3个区域。
这3个区域对应。
晶体管特性曲线的测量

课程名称:电路与电子技术实验Ⅱ指导老师:成绩:__________________实验名称:晶体管特性曲线的测量类型:___________________同组学生姓名:__________ 一、实验目的和要求(必填)二、实验内容和原理(必填)三、主要仪器设备(必填)四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析(必填)七、讨论、心得一、实验目的和要求1.复习三极管的输入特性曲线2.掌握三极管输入输出特性曲线的实验设计方法3.通过分析特性曲线,求取三极管主要参数二、实验内容和原理1.三极管的输入特性曲线三极管在共射连接情况下,保持U CE不变,通过不断增加U BE,测得U BE与i B之间的伏安特性曲线,即为三极管的输入特性曲线。
在输入特性曲线中,U CE=0的曲线与PN结的伏安特性曲线相类似。
当U CE增大至1V的过程中,曲线逐渐右移。
当U CE从1V起继续增大,曲线近似与U CE=1V保持不变,可用任何一条曲线代替所有曲线。
2.三极管的输出特性曲线三极管在共射连接情况下,保持i B不变,通过不断增加U CE,测得U CE与i C之间的伏安特性曲线,即为三极管的输出特性曲线。
在输出特性曲线中分为三个区:截止区、放大区、饱和区。
截止区:发射结反偏,集电结反偏,i C≤I CEO,I C近似认为为0。
放大区:发射结正偏,集电结反偏。
对于硅管,UCE>0.7,对于锗管,UCE>0.3。
iC仅决定于iC,与UCE无关。
理想情况下,放大区的曲线是一族横轴的等距离平行线,iC=βiB,△iC=β△iB。
饱和区:发射结正偏,集电结正偏。
当深度饱和的时候,对于硅管,UCE=0.3,对于锗管,UCE=0.1。
三、主要实验仪器DP832A 可编程线性直流电源;MY61数字万用表;综合实验箱四、操作方法和实验步骤1.测量输入特性曲线①将三极管插入万用表的测量三极管增益系数的插口中,大致测量β的近似值。
实验一三极管特性曲线

表1NPN型三极管输入特性曲线测量,保持UcIN=0V
UbIN设置值(mV)
(参考值)
UbIN实测值(mV)
Ube实测值(mV)
Ib计算值(uA)
0
0
0
0
200
注意:接线时首先将电压源的参考级与测量电路的地相连接,用万用表检测输出电压极性。调节电压源使输出为正电压后再接入电路!
图5 NPN型三极管特性曲线测试电路
(2)保持UcIN=0V,将UbIN从0V增大,使用万用表测量UbIN和Ube电压值填入表1,利用采样电阻Rb计算出基极电流Ib,绘制输入特性曲线图。与测量二极管I-V特性曲线类似,在PN结导通前后应适当增加测量点数,方便作图。
672
18.0
900
901
679
22.2
【作图:NPN管的输入特性曲线Ib-Ube,分析曲线形状是否与PN结I-V曲线相类似】
UcIN=0V时,NPN管的输入特性曲线如图6所示.
图6 UcIN=0V时, NPN管输入特性曲线
分析:当UcIN=0V时,三极管的集电极和发射极之间短路,发射结和集电结并联,此时三极管输入特性曲线形状与PN结I-V曲线形状类似。
《电子技术实验》课程实验报告
实验一三极管特性曲线的测量
一、实验目的
1.熟练掌握三极管、场效应管的输入特性和输出特性,分析不同工作区的特点与应用,了解三极管、场效应管的关键参数及其测量方法,为后续搭建单级放大电路和负反馈放大电路提供基础。
2.学习电子电路静态工作点的确定和调节,掌握节点电压和支路电流的测量方法。
晶体管的输入输出特性曲线详解解读

晶体管的输入输出特性曲线详解届别系别专业班级姓名指导老师二零一二年十月晶体管的输入输出特性曲线详解学生姓名:指导老师:摘要:晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
根据晶体管的结构进行分类,晶体管可以分为:NPN型晶体管和PNP 型晶体管。
依据晶体管两个PN结的偏置情况,晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。
晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映,通常称为伏安特性。
生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。
利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。
晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快,准确性,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。
晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
关键字:晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。
【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis.一、晶体管的基本结构晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图1-1(a)、(b)所示。
从三个区引出相应的电极,发射极,基极,集电极,各用“E”(或“e”)、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
电工电子学 12.晶体管的伏安特性曲线

三极管极管的伏安特性曲线
输出特性曲线:是指当基极电流 IB 为常数时,输出电路(集电 极电路)中集电极电流 IC 与集-射极电压 UCE 之间的关系曲线 IC = f (UCE ) 。
IC C B
UCE E
饱和区 IC / mA
4
3
放 2.3
21.5
大
1
区
036
100 µA
80µA
60 µA
40 µA
集电区结面积大。 (2)外部条件:
输出特 性曲线
发射结正偏,即Ube > Uon ; 集电结反偏,即Ucb>0,也
即 Uce > Ube 。
VB在B保晶证体发管射放结大正特向性偏的置基础 上来进一步研究其工作特性: 比Rb如限基制极基电极流电流IB 与基-射极 电 电 UVR变CcC极压C限E化保之电转制证U间流换B将集E的为集电I之C关电结与电间系压反集极的。的向-电关射变偏流系极化置的;电集压
20 µA
IB =0 UCE /V
9 12
截止区
第9章 二级管和晶体管
2.输出特性曲线
(1) 放大区
输出特性曲线的近 于水平部分是放大区。
在放放大大区区也称,为IC线 性 I区B 。,
因为 IC 和 IB 成正比的 关系。对 NPN 型管而 言 , 应 使 UBE > 0, UBC < 0,此时,UCE > UBE。
称为集电极最大允许耗散功
全 PCM
率 PCM。
工
由 ICM 、U(BR)CEO 、PCM 三者共同确定晶体管的安全
ICEO
区
作
工作区。
O
U(BR)CEO UCE
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目录一、三极管特性曲线分析 (1)三极管结构 (1)三极管输入特性曲线 (2)三极管输出特性曲线 (2)二、三极管应用举例 (3)三极管在放大状态下的应用 (3)三极管在开关状态下的应用 (3)三、线性电路和非线性电路 (4)线性电路理论 (4)非线性电路理论 (5)线性电路的分析应用举例 (6)非线性电路的分析应用举例 (7)四、数字电路和模拟电路 (8)数字电路 (8)模拟电路 (8)数字电路和模拟电路区别与联系 (9)五、总结与体会 (9)六、参考文献 (10)三极管输入输出曲线分析——谈线性电路与非线性电路摘要:三极管是电路分析中非常重要的一个元器件。
本文主要分析了三极管输入输出特性曲线,介绍了线性电路和非线性电路的理论在分析工具的不同之处。
同时,线性电路和非线性电路在分析电路时各有着不同的用处。
最后,介绍了数字电路及模拟电路区别与联系。
关键词:三极管;数字电子技术;模拟电子技术一、三极管特性曲线分析三极管结构双极结型三极管是由两个PN结背靠背构成。
三极管按结构不同一般可分为PNP和NPN 两种。
图1-1 三极管示意图及符号PNP型三极管和NPN型三极管具有几乎等同的电流放大特性,以下讨论主要介绍NPN 型三极管工作原理。
NPN型三极管其两边各位一块N型半导体,中间为一块很薄的P型半导体。
这三个区域分别为发射区、集电区和基区,从三极管的三个区各引出一个电极,相应的称为发射极(E)、集电极(C)和基极(B)。
虽然发射区和集电区都是N型半导体,但是发射区的掺杂浓度比集电区的掺杂浓度要高得多。
另外在几何尺寸上,集电区的面积比发射区的面积要大。
由此可见,发射区和集电区是不对称的。
双极型三极管有三个电极:发射极(E)、集电极(C)、基极(B),其中两个可以作为输入,两个可以作为输出,这样就有一个电极是公共电极。
三种接法就有三种组态:共发射极接法(CE)、共基极接法(CC)、共集电极接法(CB)。
这里只以共射接法为例分析其输入输出曲线。
图1-2 三极管三种组态晶体三极管的输入特性和输出特性曲线描述了各电极之间电压、电流的关系。
三极管输入特性曲线输入特性曲线描述了在管压降CE U 一定的情况下,基极电流B i 与发射结压降BE U 之间的函数关系,即()CE C B BE Ui f u ==。
图1-3 三极管输入特性曲线三极管输出特性曲线输出特性曲线描述是基极电流B I 为一常量时,集电极电流C i 与管压降CE u 之间的函数关系,即()B C CE I C i f u ==。
输出特性曲线可以分为三个工作区域,如下图所示:在饱和区内,发射结和集电结均处于正向偏置。
Ci 主要随CE u 增大而增大,对B i 的影响不明显,即当BE u 增大时,B i 随之增大,但C i 增大不大。
在饱和区,C i 和Bi 之间不再满足电流传输方程,即不能用放大区中的β来描述C i 和B i 的关系,三极管失去放大作用。
在放大区内,发射结正向偏置,集电结反向偏置,各输出特性曲线近似为水平的直线,1. 死区2. 线性区3. 非线性区U ce =0V 时,发射极与集电极短路,发射结与集电结均正偏,实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。
当1CE U V >,0cb ce be U U U =->时,,集电结已进入反偏状态,开始1CE U V >收集载流子,且基区复合减少, 特性曲线将向右稍微移动一些, I C / I B 增大。
但U ce 再增加时,曲线右移很不明显。
表示当B i 一定时, 图1-4 三极管输出特性曲线C i 的值基本上不随CE u 而变化。
此时表现出B i 对C i 的控制作用,C B I I β=。
三极管在放大电路中主要工作在这个区域中。
一般将0b I ≤的区域称为截止区,由图可知,C I 也近似为零。
在截止区,三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态。
二、 三极管应用举例三极管在电路中有着非常重要的应用地位。
三极管在放大状态下的应用分压式电流负反馈放大电路是各种电子设备中经常采用的一种弱信号放大电路,其核心部件就是三极管,当三极管工作在放大状态,那么在通电过程中,三极管静态时的工作电压必须满足发射极正偏,集电极反偏,而且随着输入信号的变化,各种电压或电流都能随着发生相应的变化, 图2-1 分压式电流负反馈放大电路 不能出现信号的失真现象。
三极管在开关状态下的应用三极管的开关特性在数字电路中应用广泛,是数字电路最基本的开关元件。
当处于开状态时,三极管为处于饱和状态,Uce ≤Ube ,Uce 间的电压很小,一般小于PN 结正向压降(<.当处于关状态时,基极电流Ib 为>1V 时为放大状态 。
右图是共射型三极管典型电路,同时参考三极管输出特性曲线进行分析。
三极管是以基极电流B i 作为输入,操控整个 图2-2 共射型三极管电路三极管的工作状态。
若三极管是在截止区,B i 趋近于0 (BE V 亦趋近于0),C 极与E 极间约呈断路状态,C i = 0,CE CC V V =。
若三极管是在线性区, B i 的值适中 (0.7BE V V =), C fe B I h I =,呈比例放大,CE CC C C CC fe B V V R I V h I =-=-可被 B I 操控。
若三极管在饱和区,B I 很大,0.8BE V V =0.2CE V V =,0.6BC V V=,Cfe B I h I ≤,B-C 与B-E 两接面均为正向偏压,C-E 间等同于一个带有 V 电位落差的通路,可得(0.2)/C CC C I V R =-,C I 与 B I 无关了,因此时的B I 大过线性放大区的B I 值,C fe B I h I <是必然的。
三极管在截止态时 C-E 间如同断路,在饱和态时C-E 间如同通路 (带有 V 电位降),因此可以作为开关。
控制此开关的是B I ,也可以用BB V 作为控制的输入讯号。
下图显示三极管开关的通路、断路状态,及其对应的等效电路。
图2-3 截止态如同断路图2-4 饱和态如同通路三、线性电路和非线性电路是否满足叠加定理和齐次性是线性电路和非线性电路之间最主要的区别。
线性电路理论线性电路是指完全由线性元件、独立源或线性受控源构成的电路。
线性就是指输入和输出之间关系可以用线性函数表示。
齐次,非齐次是指方程中有没有常数项,即所有激励同时乘以常数k时,所有响应也将乘以k。
线性电路的最基本的特性是它具有叠加性和齐次性。
电路的叠加性是指在有几个电源共同作用下的线性电路中,通过每一个元件的电流或其两端的电压,可以看成是由每一个电源单独作用时在该元件上所产生的电流或电压的代数和。
线性电路的齐次性是指当激励信号(如电源作用)增加或减小K倍时,电路的响应(即在电路其它各电阻元件上所产生的电流和电压值)也将增加或减小K倍。
叠加性和齐次性是线性电路独有的特性,这两个定理也简化了线性电路分析的过程。
叠加性和齐次性可表示如下:图3-1 线性电路的叠加性图3-2 线性电路的齐次性图3-3 线性电路叠加性和齐次性的综合特性在线性电路中,由多个独立电源共同作用所引起的响应等于这些独立电源分别单独作用时所引起的响应的代数和,所以对电路的分析比较简单,小信号和大信号作用下的结果基本一致。
分析线性电路时,我们采用戴维南定理和诺顿定理进行分析。
戴维南定理是指任一线性有源单口网络,可用一个电压源串联一个阻抗来代替,电压源的电压等于该网络端口的开路电压,而等效阻抗则等于该网络中全部独立源为零值时从端口看进去的阻抗。
由这一电压源和等效阻抗组成的等效电路,称为戴维南等效电路。
诺顿定理是指一个有源线性单口网络,可用一个电流源并联一个等效阻抗来代替,电流源等于该网络端口的短路电流,等效阻抗等于该网络中全部独立源为零值时从端口看进去的阻抗。
电流源和等效阻抗并联的电路,称为诺顿等效电路。
图3-4 戴维南定理图3-5 诺顿定理非线性电路理论当电路中至少含有一个非线性电路元件时(例如非线性电阻元件、非线性电感元件等),其运动规律就要由非线性微分方程或非线性算子来描述,我们称这样的电路为非线性电路。
一百多年以来,人们对电路理论的研究,取得的较多成果在于线性电路理论方面。
而事实上自然界是千变万化的,绝大多数行为均是非线性的,电路也是如此。
与线性电路相比,非线性电路较为复杂,有其独特的地方。
首先,非线性电路不满足叠加定理,所以在线性电路中一系列行之有效的分析方法在非线性电路中就不在适用。
其次,非线性系统的解不一定存在。
非线性电路的特性一般是由一组非线性代数方程来描述。
对实际系统来说,它在一定初始条件下的解应该存在且唯一。
但当我们去求解这组方程时,方程可能有多个解,也有可能没有解。
因此,在求解之前,应对系统的解得性质进行判断。
若解肯本不存在,求解它就没有任何意义。
再者,对线性系统来说,一般存在一个平衡状态,我们很容易判断系统的平衡状态是否为稳定的。
但非线性系统一般存在多个平衡态,其中有些平衡态是稳定的,有些平衡态可能不是稳定的。
当我们在考察非线性电路的性质时,定性分析法是非常重要的方法。
定性分析法设计的数学工具有微分方程定性理论、稳定性理论、泛函分析中的不动点定理等。
其侧重于电路解的特性、解的全局性和渐进性。
除了定性分析法,近似解析法也是比较常见的方法。
分析仅含有二端非线性电阻的非线性动态电路时,可以采用分段线性化方法,用较简单的分段线性函数来逼近非线性电阻的电压电流非线性关系,从而可以用解析的方法求出较简单的非线性电路的解,并能定量的考察一些参数变化对电路响应的影响。
分析电路时,无论是线性还是非线性电路,实验方法是很重要的研究方法。
电路理论分析正确与否,应该以事实为准则。
除了理论分析和物理实验外,我们还可以采用电路的数字仿真方法。
线性电路的分析应用举例一阶RC 电路是典型的线性电路,通常由一个电容器和一个电阻器组成。
RC 电路可组成简单的有源滤波器,低通滤波器或者高通滤波器。
下面简单介绍下有RC 有源电路组成的滤波器。
一阶RC 低通滤波器如图所示,电压传输系数为:111111o i HU j C Au f U j RC R j j C f ωωω====+++&&& 令1/H RC ω= ,则1/2H f RC π= ,此时 图3-6 RC 低通滤波器21(/)U H A f f =+& ,arctan /H f f ϕ=- ,处于滞后状态。
当0f = 时,1uA =& 。
当0,H f f ϕ=? 时,0uA &: 上述电路的频率特性可用特定的渐近线—波特图来表示,其幅频和相频波特图如下:图3-7 RC 低通滤波器的幅聘波特图和相频波特图由幅频特性图可知,用渐近线代替实际幅频特性时最大误差发生在转折频率H f 处,在H f f = 处偏差为-3dB 。