基于碳化硅的石墨烯材料及其特征和应用
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Ａ Ｎ
1
ｉｌ
：
＊
Ｅ ｍａ
－
ｔ
ｉ
ｕ ｑ ｈ ｔ＠
1
6 3 ｃｏ ｍ
．
是 直 接 带 隙 的 超 宽 禁 带 半 导 体 材料 具 有 非 常 大 的 禁 带 宽 度 6 2 ｅ Ｖ 极 高 的 击 穿 场 强 和 热 导 率 优 良 的 热 稳 定 性 和 耐 腐 蚀 性 良 好 的 光学 及 力 学 性 能 是 制 作 Ａ ＧａＮ 深 紫 外光 电 子器 件 的 最 佳 衬 底 材料 钨 单 晶 与 Ａ Ｎ 的 热 导 率相 近 热 膨 胀 系 数 几乎 相 同 ａ 轴 晶 格 失 配 为 7 ％ 具 有 高 熔 点 耐 腐 蚀 性 等特 点 在 Ｐ ＶＴ 法 生 长 Ａ Ｎ 的 环 境 下 可 稳 定 存 在 并循 环 使 用 本 文 以 〇 〇 钨 单 晶 为 籽 晶 利 用 物 理 气 相 传 输 法 生 长 Ａ Ｎ 体 单 晶 通过 表面 加 工 技 术 和 热 处 理 技 术 获 得 适 宜 Ａ Ｎ 单 晶 生长 的 钨单 晶 表 面状 态 通过 工 艺 优 化 控 制 成核 点 数 量 实 现 Ａ Ｎ 在 单 晶 鹤表 面 的 单 点 成 核 在 温 度为 2 2 0 Ｃ 和 氣气 压力 为 5 0 0 ｍ ｂ ａ 下 在 鹤 单 晶 衬 底 上 获得 尺寸 为 3 ｍ ｍ ＊ 5 ｍｍ 5 ｍｍ 的 六 边 形 晶 粒 Ａ Ｎ 拉 曼 光谱 显 示 出 单 晶 质 量 优 良 半 高 宽 为 7 5 ａ ｒｃ ｅｃ 且 出 现 峰 值 在 8 8 9 ｃ ｍ Ａ Ｌ 的 Ｏ 模 表 明 在 0 0 钨 单 晶 衬 底 上 生 长 的 Ａ Ｎ 单 晶 沿 ｃ 面发 育 在 此 晶 粒 基础 上 通 过调 整 工 艺 条 件 和 反 复生 长 最 终 获 得 基 本完 整 的 直 径 为 2 0 ｍｍ 的 黄 褐 色 Ａ Ｎ 体 单
1
＼
陈小龙
1
＊
Ｅ ｍａ
－
ｉｌ
：
ｌ
ｗ ｇｕｏ ＠ ｐ ｈ ｖ ａｃ
ｉ
．
．
ｃｎ
在 碳 化 硅 基 底 上 生长 石 墨 烯 被 广 泛 认 为是 有 希 望 实 现 大 规 模 工 业 化 生 产 和 大 规 模 器 件 加 工 的 技术途 径 美 国 ＢＭ 公 司 已 用 实 验 结 果 证 明 碳 化 硅 上 石 墨 烯 止 上 ｚ 场 效 应 晶 体 管 的 电 流 增 益 截 频 率 已 达到 3 5 0 Ｇ Ｈ 因 此 碳 化 硅基 底 生 长 石 墨 烯 不 仅 在半 导 体 应 用 行 业而 且 在 基 础研 宄 领 域均 得 到 了 广 泛 的 关 注 本 报 告 将 系 统 介 绍 基 于 碳 化硅 单 晶 和 粉 末 可 控 制 备 平 躺 在 碳 化 硅 基 底 上 的 少 层 石 墨 烯 和 桂 及石 毫克 量 级 的 自 由 站 立石 墨烯 以 墨 烯 包 覆 碳 化 颗 粒 的 核 壳结 构 异 质 结 材 料 的 形 貌 特 征 材 料 特 性 以 及 它 们 在揭 示 石 墨 烯 材 料 基 本 物 理 特 性 应 用 于 高 频 微 电 子 器 件 和 紫 外 光 探 测 器 以 及 在 光催 化 降 解 有 机 污 染 物 和 劈 裂水 制 氢 方 面 的 性 硅 业 能 同 时 也 讨 论 了 碳 化 上 石 墨 烯在 今 后 微 电 子 光 电 子 工 和 能 源 环 保 领域 硅 于 的 碳 材 料 制 应用 的 优 势 和 存 在 的 问 题 我 们 的 研 宄 结 果 表 明 基 先 进 化 研 的 石 墨 烯 以 及 它 们 形 成 的 复合 材 料 必 将 在 高 性 能 的 微 电 子器 件 石 墨 烯 光 电 集 成 电 路 和 绿 色 环 保 的 光 催 化 应 用 领 域 发挥 重要 的 作 用
＠ ｎ ｍｔｅ
ｉ
．
ａｃ ｃ ｎ
．
碲 化镉及 其 系 列 半 导 体具 有 高 的 平 均 原 子序 数 宽 禁 带 宽 度 大 的 密 度 和 高 电 阻 率等 特 点 是 下 代室 温 型 半 导 体 射 线 探 测 器 的 理 想 材 料 之 但 是 碲 化镉 还 具 有 熔 点 高 导 热 系 数 小 熔 体对 流 小 等 不 利 于 晶 体 生 长 的 缺 陷 在 碲 化 镉 晶 体 生 长 中 强 制 对 流 对 于 晶 体 生 长 是 必 要 的 在 本 次 会议 中 我 们将 介 绍 碲 化镉 系 列 晶 体 使 用 移 动 加 热 法 制 备 时 通过 改 变 坩 埚 的 运 动 形 态 控 制熔 体 的 强 制对 流 红 等 条件 研 宄 晶 体 生 长 界 面 宏 观 和 微观 形 貌 以 及 晶 体 外 透 过率 电 阻 率等 性 能 的 变化
ｉ
，
ｉ
ｉ
Ｐｈ ｙ Ｒ ｅｖ Ｂ 8
．
．
3
，
1
2 5 4 3 0
2 0
1
（ 2
0
1
1
）
［
6 7
8
］
Ｊ
Ｈｕ ａ ｎ ｇ ＬＷ Ｇｕ ｏ
，
，
ｅｔ ａｌ
；
．
Ｐ ｈ ｙｓ Ｃ 2
．
6
，
3 4 5 3 0
1
1
（
4
）
［
］
Ｙ Ｇｕ ｏ Ｌ Ｗ Ｇｕ ｏ
、 、
一 一
，
。
，
，
。
。
，
，
，
，
，
，
。
关 键词
：
碲化镉
；
移动 加 热 法
；
强 制 对流
ｃ ｃｃ
ｇ
ｌ
7
－
0
1
6 2
基 于 碳化 硅 的 石 墨 烯材料 及其 特 征和 应用 玉 、 萍 ＼ 李 林 ＼ 黄 郊 ＾ 伟 ＼ 陈 洪 详 郭 丽伟 贾 治 芦 中 科 院 物 理所
第 十 七 届 全 国 晶 体 生长 与 材 料 学 术会 议 ＣＣＣＧ 4 第 2 分 会 半 导 体 材料 器件 及 应 用
（
：
7
）
＊
Ｅ ｍａ
－
ｉｌ
：
ｘｕ
ｉ
ｉ
ｎ ｇｔ ａｏ ＠ｎ ｉ ｍ ｔｅ ａｃ ｃ ｎ
．
＊
Ｅ ｍ ａ ｉｌ
－
：
ｉ
ｉ
ａｎ ｇ ｈ ａ ｏｃ ｈｕ ａ ｎ
．
氮化 铝 Ａ Ｎ 单 晶 与 Ａ ＧａＮ 外 延 层 之 间 具 有 最 小 的 晶 格 失 配率 以 及 近 配 乎 为零 的 热 膨 胀 系 数 失 率 由 此 成 为 制 备 含 有高 铝组 分 Ａ ＧａＮ 和 Ａ Ｎ 外 延 层 及 相 关 器 件 的 最 优 衬 底 材 料 物 理 气 相 传 输 法 ＰＶ Ｔ 法 是 当 前 唯 实 现 较 大 般 生 长 温 度 在 2 0 5 0 2 3 2 0 Ｃ 以 便 获 得足 够 的 尺 寸 Ａ Ｎ 体 单 晶 生 长 的 方法 生 迁 长 表 面 移率 和 速 率 但 这 也 造成 大 量 点 缺 陷 的 存在 生 长 出 的 晶 体普 遍 带 有 黄 褐 色 本 文 研 宄 了 较 低 生 长 温 度 范 围 内 Ｓ Ｃ 上 Ｐ ＶＴ 法 生 长 Ａ Ｎ 的 生 长 发 育 过 程 分 析 了 温度 条 件对 晶 体 表观 颜色 和 形 貌 的 影 响 实 验采 用 偏 角 0 0 0 4 Ｈ Ｓ Ｃ 温 单 晶 片 为 籽 晶 采 用 反 常 规 的 轴 向 大温 差 场设 计 籽 晶 温 度在 7 2 0 7 9 0 Ｃ 源 粉 温 度 2 0 0 2 2 0 0 Ｃ 温 度 梯 度 高 达 5 0 Ｃ ｃｍ 生 长 出 多 片 直 径 4 2 ｍｍ 厚 度 5 ｍｍ 完 整 Ａ Ｎ 单 晶 较低 温 度 生 长 的 Ａ Ｎ 颜 色 较 浅 甚 至 无 色 较 高 温 度生 长 的 Ａ Ｎ 为 微 黄色 利 用 ＸＲ Ｄ 拉 曼 谱 对 Ａ Ｎ 单 晶 材 料样 品 进行 了 表 征
．
，
4
，
4 6 7 7
1
（
2 0
4
）
4
1
第 十 七 届 全 国 晶 体 生 长 与 材 料学 术 会议 Ｃ Ｃ Ｃ Ｇ 第 2 分 会 半 导 体材料 器 件 及 应 用
（
：
－
1
7
）
［
1
1
］
Ｋａ
ｉ
ｘ ｉｎ
ｈｕ Ｌ ｉ ｗｅ ｉ Ｇ ｕ ｏｅ ｔ ａｌ ｇ Ｚ
2 0
1
5
）
Biblioteka Baidu
2 ］ Ｌ ［
3 ［
ａｎ ｌ ｉ ａ ｎ Ｃ ｈ ｅ ｎ
ｌｉ
，
Ｌ ｗｅ
ｉ
ｉ
Ｇ ｕ ｏ ｅ ｔ ａ ｌ
；
ｃ Ｓ
；
ｉ
．
Ｒｅｐ
．
3
，
2 5 9 9
3
1 1
2 0 （
（
1
3
）
Ｌ ａｎ ］
ｉ
ａｎ Ｃ ｈ ｅ ｎ ， Ｌ ｉｗ ｅ ｉ Ｇ ｕ ｏ
，
，
Ａｐｐ
ｌ
．
Ｐｈ
ｙ
ｓ．
Ｌ ｅ ｔｔ 1
．
0 0
，
0 2 3
1
1
3
（
2 0
1
2）
ｃｃｃ
ｇｌ 7
－
0
1
9
1
低温
ＰＶ Ｔ
1
法生 长 无色 Ａ Ｎ 单 晶 研 究 齐 海涛 电子集 团 4 6 所
Ｉ
1
4
＊
Ｅ ｍ ａｉ
－
ｌ
：
ｔ
ｊ
ｕ
ｔ ｑｈ
＠
1
6 3 ｃ ｏｍ
（
1
）
ｌ
，
，
ｌ
1
一
。
（
）
一
°
—
1
，
，
，
，
。
ｉ
1
，
。
（
1
）
－
ｉ
°
—
，
，
1
1
，
°
°
—
1
，
／
。
，
1
．
1
。
1
，
，
1
。
、
1
。
关键词
：
氮 化铝 单 晶
；
物 理 气 相 传 输法
；
无色
；
低温 生 长
ｃｃｃ
ｇ
ｌ
7
－
0
1
9 3
钨单 晶 上
1
单 晶 生长 研 究 ｐ 张丽 电子 集 团 4 6 所
，
0 2
（
2 0
2
）
1
4
）
［
9
1
］
Ｊ ｉ ａ
ＹｕＰ
ｉ
ｉ
ｎｇ
，
，
Ｇ ｕ ｏ Ｌ Ｗｅ
ｉ ｉ
ｅ ｔ ａ ｌ
，
Ｃｈ ｎ
．
Ｓ ｃｉ
Ｂｕ
ｌｌ
ｅｔ
．
5
7
，
3 0 2 2 （2 0
1
1
［
0
］
Ｗｅ
Ｌ ｕ Ｌ ｗ ｅ Ｇ ｕ ｏ ｅ ｔ
ｉ
ａｌ
；
Ｒ Ｓ Ｃ Ａｄｖ
，
Ｉ
。
，
。
，
、
、
、
。
，
、
。
：
、
。
关键 词
：
碳化 硅
；
石 墨烯
；
光 电性 能
；
光 催化
参 考 文献
［
1
］
Ｚｈ
ｉ
ｉｌ ｉ
ｎＬｉ
，
Ｌ
ｉ
ａ ｎｌ ｉ ａｎ Ｃ ｈ ｅ ｎ ｅ ｔ ａ ｌ
；
Ｐｈ ｙ Ｒｅ ｖ Ｂ Ｂ 9
．
．
1
，
0 9 4 4 2 9
（
ＡＮ
1
，
（
．
）
、
、
、
，
ｌ
。
1
，
，
1
．
，
、
，
1
。
［
1
］
，
1
。
，
1
。
，
，
°
1
。
1
ｒ
，
＊
1
．
。
1
，
．
ｓ
，
－
ｌ
ｌ
（
）
，
1
［
］
1
。
，
，
1
晶
。
关键词
：
氮化 铝 单 晶
；
物 理气 相 传 输 法
；
钨单 晶
4 2
，
ｅ ｔ ａ ｌ ，
Ｒ Ｓ Ｃ Ａ ｄｖ
7
，
．
，
3 9 2 6
2 0
1
3
）
［
4
5
］
［
］
Ｈ ｕ ａｎ ｇ Ｑ Ｓ Ｗａ ｎｇ Ｇｅ ｔ ａ Ｊ ｎ ｎｇ Ｌ ｎ Ｌ ｗ ｅ Ｇｕ ｏ ｇ
ｌ
，
ｍ ａｌ ｌ Ｓ
ｅｔ ａｌ
Ｊ
，
，
4 5 0
（
2 0
1
）
ｉ
ｉ
ｊ
．
，
．
．
ｅ ｔ ａ ｌ
；
Ｊ
．
Ａｐｐ
；
ｌ
．
Ｐｈ
ｌ
．
ｙ
．
1
5
，
0 4
3 5 2 7 1
（
2 0
1
4
1
）
［
Ｊ ｉ ｎｇ ｊ ｉ ｎ ｇ Ｌｉ ｎ， Ｌ ］
ｉ
ｗｅ
ｉ
Ｇｕ ｏ
ｉ
ｅｔ ａｌ
Ａｐｐ
ｉ
Ｐ ｈ ｙ Ｌ ｅ ｔ ｔ
． ．
．
0 4 1 8 3
1
ｉｌ
：
＊
Ｅ ｍａ
－
ｔ
ｉ
ｕ ｑ ｈ ｔ＠
1
6 3 ｃｏ ｍ
．
是 直 接 带 隙 的 超 宽 禁 带 半 导 体 材料 具 有 非 常 大 的 禁 带 宽 度 6 2 ｅ Ｖ 极 高 的 击 穿 场 强 和 热 导 率 优 良 的 热 稳 定 性 和 耐 腐 蚀 性 良 好 的 光学 及 力 学 性 能 是 制 作 Ａ ＧａＮ 深 紫 外光 电 子器 件 的 最 佳 衬 底 材料 钨 单 晶 与 Ａ Ｎ 的 热 导 率相 近 热 膨 胀 系 数 几乎 相 同 ａ 轴 晶 格 失 配 为 7 ％ 具 有 高 熔 点 耐 腐 蚀 性 等特 点 在 Ｐ ＶＴ 法 生 长 Ａ Ｎ 的 环 境 下 可 稳 定 存 在 并循 环 使 用 本 文 以 〇 〇 钨 单 晶 为 籽 晶 利 用 物 理 气 相 传 输 法 生 长 Ａ Ｎ 体 单 晶 通过 表面 加 工 技 术 和 热 处 理 技 术 获 得 适 宜 Ａ Ｎ 单 晶 生长 的 钨单 晶 表 面状 态 通过 工 艺 优 化 控 制 成核 点 数 量 实 现 Ａ Ｎ 在 单 晶 鹤表 面 的 单 点 成 核 在 温 度为 2 2 0 Ｃ 和 氣气 压力 为 5 0 0 ｍ ｂ ａ 下 在 鹤 单 晶 衬 底 上 获得 尺寸 为 3 ｍ ｍ ＊ 5 ｍｍ 5 ｍｍ 的 六 边 形 晶 粒 Ａ Ｎ 拉 曼 光谱 显 示 出 单 晶 质 量 优 良 半 高 宽 为 7 5 ａ ｒｃ ｅｃ 且 出 现 峰 值 在 8 8 9 ｃ ｍ Ａ Ｌ 的 Ｏ 模 表 明 在 0 0 钨 单 晶 衬 底 上 生 长 的 Ａ Ｎ 单 晶 沿 ｃ 面发 育 在 此 晶 粒 基础 上 通 过调 整 工 艺 条 件 和 反 复生 长 最 终 获 得 基 本完 整 的 直 径 为 2 0 ｍｍ 的 黄 褐 色 Ａ Ｎ 体 单
1
＼
陈小龙
1
＊
Ｅ ｍａ
－
ｉｌ
：
ｌ
ｗ ｇｕｏ ＠ ｐ ｈ ｖ ａｃ
ｉ
．
．
ｃｎ
在 碳 化 硅 基 底 上 生长 石 墨 烯 被 广 泛 认 为是 有 希 望 实 现 大 规 模 工 业 化 生 产 和 大 规 模 器 件 加 工 的 技术途 径 美 国 ＢＭ 公 司 已 用 实 验 结 果 证 明 碳 化 硅 上 石 墨 烯 止 上 ｚ 场 效 应 晶 体 管 的 电 流 增 益 截 频 率 已 达到 3 5 0 Ｇ Ｈ 因 此 碳 化 硅基 底 生 长 石 墨 烯 不 仅 在半 导 体 应 用 行 业而 且 在 基 础研 宄 领 域均 得 到 了 广 泛 的 关 注 本 报 告 将 系 统 介 绍 基 于 碳 化硅 单 晶 和 粉 末 可 控 制 备 平 躺 在 碳 化 硅 基 底 上 的 少 层 石 墨 烯 和 桂 及石 毫克 量 级 的 自 由 站 立石 墨烯 以 墨 烯 包 覆 碳 化 颗 粒 的 核 壳结 构 异 质 结 材 料 的 形 貌 特 征 材 料 特 性 以 及 它 们 在揭 示 石 墨 烯 材 料 基 本 物 理 特 性 应 用 于 高 频 微 电 子 器 件 和 紫 外 光 探 测 器 以 及 在 光催 化 降 解 有 机 污 染 物 和 劈 裂水 制 氢 方 面 的 性 硅 业 能 同 时 也 讨 论 了 碳 化 上 石 墨 烯在 今 后 微 电 子 光 电 子 工 和 能 源 环 保 领域 硅 于 的 碳 材 料 制 应用 的 优 势 和 存 在 的 问 题 我 们 的 研 宄 结 果 表 明 基 先 进 化 研 的 石 墨 烯 以 及 它 们 形 成 的 复合 材 料 必 将 在 高 性 能 的 微 电 子器 件 石 墨 烯 光 电 集 成 电 路 和 绿 色 环 保 的 光 催 化 应 用 领 域 发挥 重要 的 作 用
＠ ｎ ｍｔｅ
ｉ
．
ａｃ ｃ ｎ
．
碲 化镉及 其 系 列 半 导 体具 有 高 的 平 均 原 子序 数 宽 禁 带 宽 度 大 的 密 度 和 高 电 阻 率等 特 点 是 下 代室 温 型 半 导 体 射 线 探 测 器 的 理 想 材 料 之 但 是 碲 化镉 还 具 有 熔 点 高 导 热 系 数 小 熔 体对 流 小 等 不 利 于 晶 体 生 长 的 缺 陷 在 碲 化 镉 晶 体 生 长 中 强 制 对 流 对 于 晶 体 生 长 是 必 要 的 在 本 次 会议 中 我 们将 介 绍 碲 化镉 系 列 晶 体 使 用 移 动 加 热 法 制 备 时 通过 改 变 坩 埚 的 运 动 形 态 控 制熔 体 的 强 制对 流 红 等 条件 研 宄 晶 体 生 长 界 面 宏 观 和 微观 形 貌 以 及 晶 体 外 透 过率 电 阻 率等 性 能 的 变化
ｉ
，
ｉ
ｉ
Ｐｈ ｙ Ｒ ｅｖ Ｂ 8
．
．
3
，
1
2 5 4 3 0
2 0
1
（ 2
0
1
1
）
［
6 7
8
］
Ｊ
Ｈｕ ａ ｎ ｇ ＬＷ Ｇｕ ｏ
，
，
ｅｔ ａｌ
；
．
Ｐ ｈ ｙｓ Ｃ 2
．
6
，
3 4 5 3 0
1
1
（
4
）
［
］
Ｙ Ｇｕ ｏ Ｌ Ｗ Ｇｕ ｏ
、 、
一 一
，
。
，
，
。
。
，
，
，
，
，
，
。
关 键词
：
碲化镉
；
移动 加 热 法
；
强 制 对流
ｃ ｃｃ
ｇ
ｌ
7
－
0
1
6 2
基 于 碳化 硅 的 石 墨 烯材料 及其 特 征和 应用 玉 、 萍 ＼ 李 林 ＼ 黄 郊 ＾ 伟 ＼ 陈 洪 详 郭 丽伟 贾 治 芦 中 科 院 物 理所
第 十 七 届 全 国 晶 体 生长 与 材 料 学 术会 议 ＣＣＣＧ 4 第 2 分 会 半 导 体 材料 器件 及 应 用
（
：
7
）
＊
Ｅ ｍａ
－
ｉｌ
：
ｘｕ
ｉ
ｉ
ｎ ｇｔ ａｏ ＠ｎ ｉ ｍ ｔｅ ａｃ ｃ ｎ
．
＊
Ｅ ｍ ａ ｉｌ
－
：
ｉ
ｉ
ａｎ ｇ ｈ ａ ｏｃ ｈｕ ａ ｎ
．
氮化 铝 Ａ Ｎ 单 晶 与 Ａ ＧａＮ 外 延 层 之 间 具 有 最 小 的 晶 格 失 配率 以 及 近 配 乎 为零 的 热 膨 胀 系 数 失 率 由 此 成 为 制 备 含 有高 铝组 分 Ａ ＧａＮ 和 Ａ Ｎ 外 延 层 及 相 关 器 件 的 最 优 衬 底 材 料 物 理 气 相 传 输 法 ＰＶ Ｔ 法 是 当 前 唯 实 现 较 大 般 生 长 温 度 在 2 0 5 0 2 3 2 0 Ｃ 以 便 获 得足 够 的 尺 寸 Ａ Ｎ 体 单 晶 生 长 的 方法 生 迁 长 表 面 移率 和 速 率 但 这 也 造成 大 量 点 缺 陷 的 存在 生 长 出 的 晶 体普 遍 带 有 黄 褐 色 本 文 研 宄 了 较 低 生 长 温 度 范 围 内 Ｓ Ｃ 上 Ｐ ＶＴ 法 生 长 Ａ Ｎ 的 生 长 发 育 过 程 分 析 了 温度 条 件对 晶 体 表观 颜色 和 形 貌 的 影 响 实 验采 用 偏 角 0 0 0 4 Ｈ Ｓ Ｃ 温 单 晶 片 为 籽 晶 采 用 反 常 规 的 轴 向 大温 差 场设 计 籽 晶 温 度在 7 2 0 7 9 0 Ｃ 源 粉 温 度 2 0 0 2 2 0 0 Ｃ 温 度 梯 度 高 达 5 0 Ｃ ｃｍ 生 长 出 多 片 直 径 4 2 ｍｍ 厚 度 5 ｍｍ 完 整 Ａ Ｎ 单 晶 较低 温 度 生 长 的 Ａ Ｎ 颜 色 较 浅 甚 至 无 色 较 高 温 度生 长 的 Ａ Ｎ 为 微 黄色 利 用 ＸＲ Ｄ 拉 曼 谱 对 Ａ Ｎ 单 晶 材 料样 品 进行 了 表 征
．
，
4
，
4 6 7 7
1
（
2 0
4
）
4
1
第 十 七 届 全 国 晶 体 生 长 与 材 料学 术 会议 Ｃ Ｃ Ｃ Ｇ 第 2 分 会 半 导 体材料 器 件 及 应 用
（
：
－
1
7
）
［
1
1
］
Ｋａ
ｉ
ｘ ｉｎ
ｈｕ Ｌ ｉ ｗｅ ｉ Ｇ ｕ ｏｅ ｔ ａｌ ｇ Ｚ
2 0
1
5
）
Biblioteka Baidu
2 ］ Ｌ ［
3 ［
ａｎ ｌ ｉ ａ ｎ Ｃ ｈ ｅ ｎ
ｌｉ
，
Ｌ ｗｅ
ｉ
ｉ
Ｇ ｕ ｏ ｅ ｔ ａ ｌ
；
ｃ Ｓ
；
ｉ
．
Ｒｅｐ
．
3
，
2 5 9 9
3
1 1
2 0 （
（
1
3
）
Ｌ ａｎ ］
ｉ
ａｎ Ｃ ｈ ｅ ｎ ， Ｌ ｉｗ ｅ ｉ Ｇ ｕ ｏ
，
，
Ａｐｐ
ｌ
．
Ｐｈ
ｙ
ｓ．
Ｌ ｅ ｔｔ 1
．
0 0
，
0 2 3
1
1
3
（
2 0
1
2）
ｃｃｃ
ｇｌ 7
－
0
1
9
1
低温
ＰＶ Ｔ
1
法生 长 无色 Ａ Ｎ 单 晶 研 究 齐 海涛 电子集 团 4 6 所
Ｉ
1
4
＊
Ｅ ｍ ａｉ
－
ｌ
：
ｔ
ｊ
ｕ
ｔ ｑｈ
＠
1
6 3 ｃ ｏｍ
（
1
）
ｌ
，
，
ｌ
1
一
。
（
）
一
°
—
1
，
，
，
，
。
ｉ
1
，
。
（
1
）
－
ｉ
°
—
，
，
1
1
，
°
°
—
1
，
／
。
，
1
．
1
。
1
，
，
1
。
、
1
。
关键词
：
氮 化铝 单 晶
；
物 理 气 相 传 输法
；
无色
；
低温 生 长
ｃｃｃ
ｇ
ｌ
7
－
0
1
9 3
钨单 晶 上
1
单 晶 生长 研 究 ｐ 张丽 电子 集 团 4 6 所
，
0 2
（
2 0
2
）
1
4
）
［
9
1
］
Ｊ ｉ ａ
ＹｕＰ
ｉ
ｉ
ｎｇ
，
，
Ｇ ｕ ｏ Ｌ Ｗｅ
ｉ ｉ
ｅ ｔ ａ ｌ
，
Ｃｈ ｎ
．
Ｓ ｃｉ
Ｂｕ
ｌｌ
ｅｔ
．
5
7
，
3 0 2 2 （2 0
1
1
［
0
］
Ｗｅ
Ｌ ｕ Ｌ ｗ ｅ Ｇ ｕ ｏ ｅ ｔ
ｉ
ａｌ
；
Ｒ Ｓ Ｃ Ａｄｖ
，
Ｉ
。
，
。
，
、
、
、
。
，
、
。
：
、
。
关键 词
：
碳化 硅
；
石 墨烯
；
光 电性 能
；
光 催化
参 考 文献
［
1
］
Ｚｈ
ｉ
ｉｌ ｉ
ｎＬｉ
，
Ｌ
ｉ
ａ ｎｌ ｉ ａｎ Ｃ ｈ ｅ ｎ ｅ ｔ ａ ｌ
；
Ｐｈ ｙ Ｒｅ ｖ Ｂ Ｂ 9
．
．
1
，
0 9 4 4 2 9
（
ＡＮ
1
，
（
．
）
、
、
、
，
ｌ
。
1
，
，
1
．
，
、
，
1
。
［
1
］
，
1
。
，
1
。
，
，
°
1
。
1
ｒ
，
＊
1
．
。
1
，
．
ｓ
，
－
ｌ
ｌ
（
）
，
1
［
］
1
。
，
，
1
晶
。
关键词
：
氮化 铝 单 晶
；
物 理气 相 传 输 法
；
钨单 晶
4 2
，
ｅ ｔ ａ ｌ ，
Ｒ Ｓ Ｃ Ａ ｄｖ
7
，
．
，
3 9 2 6
2 0
1
3
）
［
4
5
］
［
］
Ｈ ｕ ａｎ ｇ Ｑ Ｓ Ｗａ ｎｇ Ｇｅ ｔ ａ Ｊ ｎ ｎｇ Ｌ ｎ Ｌ ｗ ｅ Ｇｕ ｏ ｇ
ｌ
，
ｍ ａｌ ｌ Ｓ
ｅｔ ａｌ
Ｊ
，
，
4 5 0
（
2 0
1
）
ｉ
ｉ
ｊ
．
，
．
．
ｅ ｔ ａ ｌ
；
Ｊ
．
Ａｐｐ
；
ｌ
．
Ｐｈ
ｌ
．
ｙ
．
1
5
，
0 4
3 5 2 7 1
（
2 0
1
4
1
）
［
Ｊ ｉ ｎｇ ｊ ｉ ｎ ｇ Ｌｉ ｎ， Ｌ ］
ｉ
ｗｅ
ｉ
Ｇｕ ｏ
ｉ
ｅｔ ａｌ
Ａｐｐ
ｉ
Ｐ ｈ ｙ Ｌ ｅ ｔ ｔ
． ．
．
0 4 1 8 3