蒸发结晶法制备超长t-硒纳米线

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二氧化硅纳米线制备方法

二氧化硅纳米线制备方法

二氧化硅纳米线制备方法二氧化硅纳米线是一种具有很高应用潜力的纳米材料,它在电子器件、传感器、催化剂等领域都具有广阔的应用前景。

本文将介绍几种常见的二氧化硅纳米线制备方法。

一、气相法制备二氧化硅纳米线气相法是制备二氧化硅纳米线的常用方法之一。

该方法通过控制反应温度、气氛和反应时间等条件,使气相中的硅源在催化剂的作用下发生化学反应,生成纳米线。

常用的气相法包括化学气相沉积法(CVD)和热蒸发法。

化学气相沉积法是一种将气态前驱物转化为固态纳米线的方法。

在CVD过程中,通常使用有机硅化合物作为硅源,如三氯硅烷(SiCl3H)。

该方法需要在高温下进行,反应温度一般在800-1100摄氏度之间。

通过调节反应条件和催化剂的选择,可以控制二氧化硅纳米线的尺寸和形貌。

热蒸发法是一种将固态硅源通过升温蒸发的方法制备二氧化硅纳米线。

在热蒸发过程中,硅源被加热至高温,然后在惰性气氛中蒸发,并在基底上沉积形成纳米线。

这种方法操作简单,但对硅源的纯度要求较高。

二、溶液法制备二氧化硅纳米线溶液法是一种简单易行的制备二氧化硅纳米线的方法。

该方法通常使用硅源溶液,在适当的条件下,通过溶剂挥发或溶液中其他物质的作用,使硅源逐渐沉淀形成纳米线。

常见的溶液法包括溶胶-凝胶法、水热法和电化学沉积法。

溶胶-凝胶法是一种将溶胶转化为凝胶的方法。

在溶胶-凝胶过程中,硅源以溶胶的形式存在于溶液中,通过加热、干燥和煅烧等步骤,使溶胶逐渐凝胶化生成纳米线。

这种方法制备的纳米线具有较高的纯度和均一的尺寸分布。

水热法是一种利用高温高压水溶液制备纳米线的方法。

在水热法中,硅源在水热反应条件下与其他溶液中的成分发生反应,生成纳米线。

这种方法具有简单、环保的特点,但对反应条件的控制较为严格。

电化学沉积法是一种利用电化学方法在电极表面沉积纳米线的方法。

在电化学沉积过程中,通过控制电极电势和电解液成分,使硅源在电极表面沉积形成纳米线。

这种方法可以实现对纳米线尺寸和形貌的精确控制。

红外硒化锌标准-概述说明以及解释

红外硒化锌标准-概述说明以及解释

红外硒化锌标准-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可能如下:红外硒化锌是一种具有广泛应用前景的红外材料。

它通过在硒化锌基底上形成薄膜或晶体结构,能够在红外光谱范围内有效地吸收和发射红外辐射。

与其他红外材料相比,红外硒化锌具有几个显著的特点。

首先,它具有优异的光学和电学性能,能够在短波红外和远红外波段中实现高度敏感的探测和传感。

其次,红外硒化锌具有可调谐的能带结构,可以通过控制材料的组成和结构来调节其能隙,实现对不同波长的红外光的选择性吸收和发射。

再者,红外硒化锌具有较高的热稳定性和抗腐蚀性,能够在恶劣环境下稳定地工作。

为了制备红外硒化锌材料,目前广泛采用的方法包括熔体生长、物理气相沉积、分子束外延等。

这些方法能够在不同的基底上实现红外硒化锌的制备,并且能够控制材料的晶体结构和形貌,以满足不同应用领域的需求。

红外硒化锌作为一种重要的红外材料,在军事、航空航天、电子、通信等领域具有广泛的应用前景。

它可以用于红外探测器、红外成像仪、红外通信系统等设备的制造,也可以用于医疗诊断、安防监控和环境监测等领域的应用。

综上所述,本文将深入探讨红外硒化锌的基本特性和制备方法,分析其应用前景,并期望通过对红外硒化锌的研究和发展,为相关领域的技术进步和应用创新提供有力支撑。

1.2文章结构文章结构指的是整篇文章的组织和布局方式,它起到了框架的作用,帮助读者更好地理解文章的内容。

本文的文章结构主要包括引言、正文和结论三个部分。

引言部分主要对文章进行概述,介绍红外硒化锌标准的背景和重要性。

接下来,本文将分为以下几个部分进行详细的介绍和分析。

正文部分将主要包括红外硒化锌的基本特性和制备方法。

在2.1节中,将详细介绍红外硒化锌的基本特性,包括其物理性质、化学性质以及在红外技术领域中的应用情况等。

在2.2节中,将介绍红外硒化锌的制备方法,包括传统的物理方法和化学方法,以及近年来的先进制备技术等。

通过对这些内容的分析和比较,读者能够全面了解红外硒化锌的特性和制备。

Sb_2Se_3纳米线的水热合成和表征

Sb_2Se_3纳米线的水热合成和表征

Sb2Se3 独特的晶体结构有着密切的联系。
关键词:水热合成; Sb2Se3;纳米线
中图法分类号:TQ134
文献标识码:A
文章编号:1002-185X(2010)10-1820-05
一维纳米结构一直是纳米材料科学领域中研究的 热点。其中,一维半导体纳米结构在未来的纳米电子 学和纳米加工学中扮演着重要的角色[1],因为它们既 可以作为单独的器件使用,又可以用作纳米器件加工 中的导线或者连接单元。常见的一维纳米结构有纳米 棒[2]、纳米线[3,4]及纳米管[5]等。
的情况下水热合成 Sb2Se3 纳米线,对合成产物的物相 成分和形貌进行表征,并根据实验结果研究 Sb2Se3 纳 米线可能的生长机制和反应机制。
1实验
实验所用原料为分析纯的SbCl3、SeO2和纯度为 99.999 %的Se粉,其中SeO2和Se粉分别为反应提供了 不同的硒源,将原料按摩尔比Sb:Se=2:3的比例分别称 量后溶于去离子水中,加入水合肼(N2H4·H2O)作为还 原剂,将配置好的混合溶液倒入容积为100 mL的聚四 氟乙烯为内衬的反应釜内搅拌,然后用去离子水填充 至填充度为80%,密封反应釜加热至150 ℃,保温24 h 后,自然冷却到室温, 收集釜底的黑色或深灰色粉末 状反应产物, 用去离子水、乙醇和丙酮反复清洗后, 将所得灰黑色粉末在60 ℃真空下干燥5 h。
图 1 水热合成 Sb2Se3 粉末的 XRD 图谱 Fig.1 XRD patterns of Sb2Se3 nano-powders synthesized by a
hydrothermal method: (a) SeO2 as precursors and (b) Se as precursors
2 结果与讨论

化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展

化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展

化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展摘要:SiC纳米线具有优良的物理、化学、电学和光学等性能在光电器件、光催化降解、能量存储和结构陶瓷等方面得到广泛应用。

其制备方法多种多样其中化学气相沉积法(CVD)制备SiC纳米线因具有工艺简单、组成可控和重复性好等优点而备受关注。

近年来在化学气相沉积法制备SiC纳米线以及调控其显微结构方面取得了较多成果。

采用Si粉、石墨粉和树脂粉等低成本原料以及流化床等先进设备,通过化学气相沉积法制备出线状、链珠状、竹节状、螺旋状以及核壳结构等不同尺度、形貌各异的SiC纳米线并且有的SiC纳米线具有优良的发光性能、场发射性能和吸波性能等,为制备新型结构和形貌的SiC纳米线及开发新功能性的SiC纳米器件提供了重要参考。

目前,未添加催化剂时利用气相沉积法制备的SiC纳米线虽然纯度较高但存在产物形貌、尺度和结晶方向等可控性差;制备温度较高和产率相对较低的问题。

而添加催化剂、熔盐以及氧化物辅助可明显降低SiC纳米线的制备温度提高反应速率以及产率但易在SiC 纳米线中引入杂质。

将来应在提高SiC纳米线的纯度、去除杂质方面开展深入研究;还应注重低成本、规模化制备SiC纳米线的研究采用相应措施调控SiC纳米线的显微结构以拓宽SiC纳米线的应用领域。

本文综述了目前国内外采用化学气相沉积制备SiC纳米线的方法分析总结了无催化剂、催化剂、熔盐以及氧化物辅助等各种制备方法的优缺点并对未来的研究进行展望,期望为SiC纳米线的低成本、规模化制备和应用提供理论依据。

引言:SiC纳米线因具有小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应等而表现出独特的电、磁、光、热等物理和化学性质。

同时SiC纳米线还具有优异的力学性能、抗腐蚀性、耐热性以及耐高温氧化性等,使其在复合材料和陶瓷材料的强化增韧中起重要作用调以及吸收性能好,可有效改善材料的场发射性能、催化性能、电化学性能及微波吸收性能等l1。

多功能性的SiC纳米线成为极具广泛应用潜力的理想新型材料。

氮化硅纳米线的制备与应用

氮化硅纳米线的制备与应用

氮化硅纳米线的制备与应用氮化硅(SiN)纳米线是一种非常有应用价值的新材料,它具有很高的导电性和机械强度,同时也具有良好的光学性质和化学惰性,因此被广泛研究和应用。

本文将介绍氮化硅纳米线的制备方法和应用领域。

一、氮化硅纳米线的制备方法氮化硅纳米线可以通过多种方法制备,其中最常用的方法是气相沉积和溶胶-凝胶法。

气相沉积是一种通过将氮化硅前体分子在高温下分解生成纳米粒子,然后在其上形成纳米线的方法。

该方法有两种变体,即热蒸发法和化学气相沉积法。

热蒸发法是在真空中将氮化硅前体分子蒸发并沉积至基底上,形成纳米线。

在化学气相沉积法中,氮化硅前体分子被输送到反应室中,并在高温下分解成Si和N原子,再在基底表面上生长成纳米线。

溶胶-凝胶法是一种基于水热反应的方法,其过程类似于化学气相沉积法。

先将氮化硅前体分子溶解在溶剂中,然后将其晶化生成固态凝胶,在高温下热处理,形成SiN纳米线。

二、氮化硅纳米线的应用领域氮化硅纳米线作为一种新型的纳米材料,具有广泛的应用领域。

1. 光电领域氮化硅纳米线可以作为太阳能电池中的材料,具有高光吸收率、高载流子迁移率、良好的稳定性等优点。

同时,氮化硅纳米线还可以用于制备发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等器件,其性能和效率都非常优异。

2. 传感器领域氮化硅纳米线的高导电性和化学稳定性,使其成为了一种优秀的传感器材料。

例如,氮化硅纳米线可以用于制作气体传感器,检测环境中的氧气、氮氧化物等气体成分。

此外,氮化硅纳米线还可以用于生物传感器,对于检测血糖、蛋白质等生物分子具有重要作用。

3. 储能领域氮化硅纳米线作为储能材料也有很好的应用前景。

由于其高导电性、机械强度和化学稳定性,氮化硅纳米线可以用于超级电容器、锂离子电池等储能设备的制备,具有很高的能量密度和循环寿命。

4. 其他领域氮化硅纳米线还可以用于制备场发射器件、催化剂等领域。

场发射器件是一种基于场致发射原理制成的器件,其在显示器、伏安计等电子设备中得到了广泛应用。

化学蒸发法制备二维纳米晶体材料的实验方法

化学蒸发法制备二维纳米晶体材料的实验方法

化学蒸发法制备二维纳米晶体材料的实验方法在当代科技发展日新月异的时代,纳米材料研究被认为是材料科学领域的重要研究方向之一。

纳米晶体材料由于其特殊的性质和广泛的应用前景,受到了科学家们的广泛关注。

本文将介绍一种常用的实验方法——化学蒸发法(Chemical Vapor Deposition, CVD)来制备二维纳米晶体材料。

化学蒸发法是一种通过物质在气体相中转化成为固体相的方法,它主要利用了气相反应和物质沉积的原理。

在二维纳米晶体材料的制备过程中,化学蒸发法具有许多优势,比如可控性高、纯度高、晶粒大小可调等。

首先,通过准备合适的前驱体和基底材料,我们可以开始进行化学蒸发法的制备实验。

在选择前驱体时,需要考虑其热稳定性和易于气相反应的特性。

常见的前驱体包括金属有机化合物、金属卤化物等,它们在高温下可以分解生成稳定的气体分子。

而基底材料则需具备适宜的晶格匹配性和热稳定性,以保证蒸发过程中晶体的生长质量。

其次,制备过程中需要使用特定的实验装置,其中最关键的部分是热源和反应室。

通常,采用石英管作为反应室,将前驱体放置在石英舟中,然后进一步加热到合适的温度。

热源可以选择电阻炉、感应炉等,以提供稳定的高温环境。

温度的选择需要根据前驱体的特性和所制备纳米晶体材料的要求来确定,通常在500℃以上才能使前驱体完全分解。

接下来,制备过程中需要控制反应室内的气氛和气氛的流动。

一般来说,研究人员可以通过控制反应室内的气体流量以及修饰反应室的结构来实现。

在进行实验前需要将反应室进行充分净化,以防止杂质对所制备的纳米晶体材料的影响。

一旦净化完毕,可以将想要的气体输入到反应室中,将所制备纳米晶体材料的气相前驱体输送到反应区域。

在制备过程中,还需要注意反应室内的气体压力和温度的控制。

气体压力的控制对于纳米晶体材料的生长过程至关重要,它可以影响晶体的分散度和晶粒大小。

温度的控制则需要根据不同的前驱体和所制备材料的特性来调节,确定最佳的生长条件。

纳米线的制备方法

纳米线的制备方法

纳米线的制备方法纳米线是一种具有特殊结构和性质的纳米材料,具有很大的应用潜力。

制备纳米线的方法有很多种,包括物理法、化学法和生物法。

本文将介绍其中几种常见的方法。

物理法是制备纳米线的一种常用方法,主要有拉伸法和电化学光学束法。

拉伸法是指通过拉伸金属等材料使其横截面减小,从而得到纳米线。

这种方法适用于一些金属材料,如金、银等。

在拉伸过程中,金属原子的运动会受到限制,从而形成纳米尺寸的纳米线。

电化学光学束法是一种将高能离子束聚焦在金属靶上的方法,通过离子束撞击金属靶材料,使其获得高能量并形成纳米线。

这种方法不仅适用于金属材料,还适用于半导体材料等。

通过调整离子束的能量和角度,可以控制纳米线的直径和长度。

化学法是制备纳米线的另一种重要方法,其中包括溶胶-凝胶法、气相沉积法和溶液法。

溶胶-凝胶法是一种将溶胶(亚微米尺度的颗粒)通过凝胶化反应形成纳米线的方法。

这种方法通过调控反应条件和控制溶胶的粒径,可以得到不同直径和长度的纳米线。

气相沉积法是一种将气体中的原子沉积在基底上形成纳米线的方法。

在这种方法中,金属或半导体的源材料被加热到高温,然后通过反应堆引入气体,使气体中的原子与源材料反应并沉积在基底上。

通过控制反应条件和基底温度,可以得到纳米尺寸的纳米线。

溶液法是一种将溶液中的金属或半导体原子聚集在一起形成纳米线的方法。

这种方法是通过调控溶液中的化学反应条件和控制溶液中原子的聚集程度,可以得到纳米尺寸的纳米线。

溶液法具有制备简单、成本低等优点,是一种常用的制备纳米线的方法。

生物法是一种利用生物体内的生物分子和生物体系生成纳米线的方法。

例如,利用细菌或其他微生物的代谢活性,可以在其表面生成金属或半导体纳米线。

这种方法具有制备过程简单、环境友好等优点。

通过调控生物体系中的生长条件和控制生物体对原料的代谢能力,可以得到纳米尺寸的纳米线。

综上所述,制备纳米线的方法有物理法、化学法和生物法等多种方法。

不同的方法适用于不同的材料和应用需求。

激光蒸发法制备碳纳米管

激光蒸发法制备碳纳米管

激光蒸发法制备碳纳米管引言:碳纳米管是一种非常重要的纳米材料,具有独特的物理和化学性质,因此在纳米科技、电子器件、催化剂等领域有着广泛的应用前景。

激光蒸发法是一种常用的制备碳纳米管的方法,本文将介绍激光蒸发法的原理、制备过程以及优缺点。

一、激光蒸发法的原理激光蒸发法是利用高能激光束瞬间作用于碳源,使其蒸发并在高温下形成碳烟,然后通过凝结和沉积过程得到碳纳米管。

激光蒸发法的原理主要包括以下几个方面:1.1 光热效应激光束在碳源上的作用会产生光热效应,即将激光能量转化为热能。

当激光束照射到碳源上时,碳源吸收激光能量,使温度快速升高,从而导致碳源蒸发。

1.2 热解和重排碳源在高温下发生热解和重排反应,形成碳原子团簇。

这些碳原子团簇具有较高的活性,有利于碳纳米管的生成。

1.3 凝结和沉积碳原子团簇在高温下经过凝结和沉积过程,形成碳纳米管。

凝结是指碳原子团簇的聚集和堆积,沉积是指碳原子团簇沉积在衬底上形成碳纳米管。

二、激光蒸发法制备碳纳米管的过程激光蒸发法制备碳纳米管的过程主要包括以下几个步骤:2.1 碳源的选择碳源是激光蒸发法制备碳纳米管的关键。

常用的碳源包括石墨、纳米碳黑等。

碳源的选择要考虑其纯度、结构和形态等因素。

2.2 激光照射选择合适的激光器,将激光束照射到碳源上。

激光束的功率、波长和照射时间等参数需要根据实际情况进行调节。

2.3 凝结和沉积在激光照射下,碳源蒸发并形成碳烟,经过凝结和沉积过程得到碳纳米管。

凝结和沉积过程可以通过调节衬底的温度和形貌来控制碳纳米管的生长方向、形态和尺寸。

2.4 纯化和表征制备得到的碳纳米管需要进行纯化和表征。

纯化可以通过酸洗、高温处理等方法来去除杂质和非纳米管形态的碳物质。

表征可以使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜等技术来观察和分析碳纳米管的形貌、结构和尺寸等特征。

三、激光蒸发法制备碳纳米管的优缺点激光蒸发法制备碳纳米管具有以下优点:3.1 高效性激光蒸发法可以在较短的时间内制备大量的碳纳米管,具有较高的生长速率和生长效率。

原位生长硅纳米线的制备及其性能评价研究

原位生长硅纳米线的制备及其性能评价研究

原位生长硅纳米线的制备及其性能评价研究随着纳米技术的发展和应用,硅纳米线作为一种重要的纳米材料在生物医学、光电子学、传感器等领域得到了广泛的研究和应用。

原位生长硅纳米线是指通过在硅衬底上进行热氧化处理,在一定条件下形成硅纳米线。

本文将介绍硅纳米线的制备以及性能评价的相关研究。

一、制备原位生长硅纳米线的方法原位生长硅纳米线的制备方法有很多,其中比较常用的是热氧化法和蒸发法。

1、热氧化法这种方法是在硅衬底上进行高温制备。

首先,在硅衬底上沉积一层金属催化剂(如金、钯、镍等)。

然后,在氧化氮气的混合气氛下对硅衬底进行高温处理。

在催化剂的作用下,硅表面被氧化,形成了一层二氧化硅的表面层。

在一定条件下,热氧化反应会发生扩散,形成硅纳米线。

2、蒸发法这种方法是将硅片放置在真空腔内,在一定温度下进行蒸发生长,生成硅纳米线。

和热氧化法不同的是,这种方法不需要金属催化剂,在高温下硅片表面会自然地扩散形成硅纳米线。

二、原位生长硅纳米线的性能评价硅纳米线作为一种新型的纳米材料,具有很多优异的性质。

下面将介绍硅纳米线的主要性能评价。

1、光电性能硅纳米线具有优异的光电性能,可以作为传感器、太阳能电池等电子器件的基础材料。

研究发现,硅纳米线的光电转换效率比传统硅材料更高,这是由于硅纳米线的结构特殊,具有更大的表面积和光吸收能力。

2、力学性能硅纳米线的弯曲强度和硅单晶相当,但其断裂强度却相对较小,其中原因是硅纳米线的较小直径、大比表面积和形成的多晶结构导致空洞和缺陷数量增多,这对其力学性能产生了很大的影响。

3、化学性能硅纳米线具有较好的化学稳定性,这是由于其表面具有一层致密的SiO2薄膜。

同时,硅纳米线也具有一定的生物相容性,可以用于生物医学领域的研究。

三、硅纳米线的应用前景硅纳米线在未来的应用前景非常广阔。

其具有优异的电子、光电、力学和化学性能,在新型的纳米材料、能源材料、生物医学材料等领域都具有广泛的应用前景。

其中,硅纳米线在传感器领域应用最为广泛,可以用于气体、压力、温度、湿度等传感器的制备。

纳米金线 合成方法

纳米金线 合成方法

纳米金线合成方法引言纳米金线是一种具有很高应用潜力的纳米材料,其具有优异的电子、光学和磁学性能,因此在微电子、光电子和生物传感等领域具有广泛的应用。

本文将介绍纳米金线的合成方法,包括物理方法和化学方法。

物理方法物理方法主要是通过物理手段来合成纳米金线,包括电子束蒸发、溅射、热拉伸和光刻等。

1. 电子束蒸发电子束蒸发是一种常用的纳米金线合成方法。

它通过将金属材料放置在真空腔中,然后使用电子束来加热金属,使其蒸发并沉积在基底上。

通过控制蒸发的条件和基底的形状,可以得到不同直径和长度的纳米金线。

2. 溅射溅射是一种利用离子轰击金属靶材,使其原子从靶材上脱落并沉积在基底上的方法。

溅射可以通过控制离子束的能量和靶材的成分来得到不同直径和形状的纳米金线。

3. 热拉伸热拉伸是一种利用高温将金属线拉长,使其直径变细的方法。

通过控制拉伸的条件和金属线的起始直径,可以得到不同直径和长度的纳米金线。

4. 光刻光刻是一种利用光敏材料和光刻胶来制作微细结构的方法。

通过将金属薄膜沉积在光刻胶上,并使用光刻机进行曝光和显影,可以得到不同形状和尺寸的纳米金线。

化学方法化学方法主要是通过化学反应来合成纳米金线,包括溶液法、气相法和电化学法等。

1. 溶液法溶液法是一种常用的纳米金线合成方法。

它通过将金属盐溶解在溶剂中,然后加入还原剂或模板剂,使金属离子还原成金属原子并沉积在模板上。

通过控制溶液的成分和反应条件,可以得到不同直径和形状的纳米金线。

2. 气相法气相法是一种利用气相反应来合成纳米金线的方法。

它通过将金属前驱物蒸发并与气相中的其他化学物质反应,使金属原子沉积在基底上。

通过控制气相反应的条件和金属前驱物的成分,可以得到不同直径和长度的纳米金线。

3. 电化学法电化学法是一种利用电化学反应来合成纳米金线的方法。

它通过在电化学池中将金属离子还原成金属原子,并使其沉积在电极上。

通过控制电化学池的成分和电流密度,可以得到不同直径和形状的纳米金线。

氧化锌纳米结构的热蒸发沉积合成及生长机理

氧化锌纳米结构的热蒸发沉积合成及生长机理

氧化锌纳米结构的热蒸发沉积合成及生长机理田蜜;侯丽珍;喻博闻;宋春蕊;苏耿;王世良;贺跃辉【摘要】以ZnO粉末为原料,用N 2作为载气,采用无催化辅助的热蒸发法沉积制备ZnO纳米结构,分别用X线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对ZnO的物相、形貌和结构进行表征,并结合晶体生长理论和实验条件,对ZnO产物的形貌变化和纳米带生长方向进行研究.结果表明:离气源较近的位置到离出口较近的位置,ZnO纳米结构的形貌由连续颗粒膜逐渐向纳米带、直径大于100 nm和直径小于100 nm 的纳米线变化.特别是发现ZnO纳米带除了常见的[001]生长方向外,还有[101]和[203]两种极为罕见的生长方向,这些纳米带都具有上下表面均由(±010)晶面组成的特点.ZnO产物的形貌变化是其生长过程由动力学控制为主转向热力学控制为主的结果,纳米带生长方向不同,可能与其晶核形成过程中的竞争生长有关.【期刊名称】《粉末冶金材料科学与工程》【年(卷),期】2016(021)001【总页数】7页(P18-24)【关键词】ZnO;纳米结构;热蒸发沉积;纳米带;纳米线;生长方向【作者】田蜜;侯丽珍;喻博闻;宋春蕊;苏耿;王世良;贺跃辉【作者单位】中南大学物理与电子学院,先进材料超微结构与超快过程研究所,长沙410083;湖南师范大学物理与信息科学学院,长沙 410081;中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙 410083;中南大学物理与电子学院,先进材料超微结构与超快过程研究所,长沙 410083;中南林业科技大学材料科学与工程学院,长沙 410004;中南大学物理与电子学院,先进材料超微结构与超快过程研究所,长沙 410083;中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙 410083【正文语种】中文【中图分类】O781ZnO作为II-VI族宽禁带半导体材料, 室温下带隙为3.37 eV,具有大的激子束缚能60 meV,在室温条件下表现出近紫外光[1]和透明导电性能[2]。

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学性能, 发现蒸发结晶制备 的 硒纳米线不仅具有 易氧化、 . 难还原 的特性, 而且在还原时具有
较好 的放 电行 为 .
关键 词 : 纳米 线 ;超 声 ;蒸发 结 晶 硒 中图 分类 号 :O 1.2 635 文 献标识 码 i A 文 章编 号 :6167 (0 10.270 17—8621)30 1.5
首先 配制 35m lL的 N O . o / aH溶 液 , 准确 称取 03 硒 粉 , 将其 溶解 在 3 L的 NO .g 并 0m a H溶 液 中 , 整个 溶解 过程是 在磁 力搅 拌 并加热 的条 件下 完成 的 , 待硒粉 完全 溶解后 , 置 1 i, 人 大量 蒸馏 水 , 时 静 0mn加 此 体 系 中析 出红 色无定 形 a硒 . 置使其 沉 淀 , . 8 静 川 过滤 , 反复洗 涤后 得到 红色无 定 形 a硒 样 品 . 并 .
收 稿 E期 :2 1—30 t 0 10—3
作者简 介: 丁筛霞 ( 7. , 1 8) 女, 9 江苏阜宁人 , 讲师 , 士, 博 研究方向为纳米材料的制备及性 能研究
28 l
淮 阴师范学 院学报 ( 自然科学)
第 1 0卷
12 t 纳米 线 的制备 . - 硒 12 1 无定 形 O 硒 的制备 .. L .
O 引言
硒 是一 种重 要 的半导 体 材料 , 其优 良的光 电 、 化性 质 受 到 了研 究 者 的广 泛 关 注 . 为 人 体 必需 的 催 作 微 量元 素 , 又具 有增 强机 体 免疫 能力 、 硒 抗癌 和 防 病 等多 种 功 能… . 它在 传 感 器 、 印机 、 激 光 器及 原 影 微 子 探针 等领 域有 很好 的应 用 前景 .
50C, 烧 2h 得 到直径 在 2 ~6 l、 度在 几 十微 米 的 . 纳米 线 . 0o 煅 后 0 0nI T长 硒
本文将商品 s 溶解在氢氧化钠溶液 中并通过简单 的稀释法析出无定形单质硒 , e 再以无水乙醇为溶
剂 , 无 定形硒 在 超声 的条 件下 进行 蒸 发结 晶生 长 , 而 制 备 出直 径 在 6 10n 、 度 可 达几 百 微 米 让 从 0 5 n长 l 的 . 纳米 线 , 采 用 x射 线衍 射 ( R 、 射 电镜 (E 、 发射 扫 描 电镜 (E E 等 手 段 对 产 物进 硒 并 X D)透 T M)场 F S M) 行 了表征 . 通过 对 比实 验 , 究 了 . 纳米线 的生长 过程 , 比较 了 . 纳米 线 与 市售 硒 粉 的 电化学 性 研 硒 并 硒 能 , 现本 文所 制 备 的 £ 纳 米线 易 氧化 、 还 原而且 在 还原 时具 有极好 的放 电行 为 . 发 一 硒 难
Xa i 等采用高温溶液降温的手段生成 了三角 s(e es 的晶型之一) 晶核 , 制备 了三角 s 纳米线[ . a rB e 7 Mys ] e T 等利用超声波作用辅 助合成 了 s 纳米线 _.u e 8 ZoM等l 以碳粉和硒 粉为原料 , J 5 在管 式炉 中加热 至
1 实验 部 分
11 仪器 与药 品 . 硒 粉 , 氧化 钠 , 水 乙醇 等均 为分析 纯 试剂 , 氢 无 使用 前 未做 进 一 步 处理 , 验 用 水 为二 次 蒸馏 水 . 实 磁 力 搅拌 器 (82型 , 7— 江苏金 坛 市金城 国胜实 验仪 器厂 )电子天 平 (A 03 上海精 科 天平 有 限 公 司 )超 声 , J 50 , ,

维硒 纳米 材料 在功 能器 件 开发 和超 大规模 集成 研究 等 方面 有重 要 的 意 义 J从 20 首 次制 备 5. 00年
s 纳米 线 以来 , 的 s 纳米 线制 备 方 法 不 断 出现 , Zag等应 用 多 孔 阳极 铝模 板制 备 s 纳 米 线 l; e 新 e 如 hn e 6
波清洗器( Q l , K l8昆山超声仪器有 限公 司)离心机 (D 8.B 上海安 亭科学仪器厂 )x射线衍射仪 , T L0 , 2 ,
( / a— , D m xr 日本理 学 株 式 会 社 ) 电子 透 射 电 镜 ( 一0 , t 岛 津 公 司 ) 场 发 射 扫 描 电镜 (E LJM B 、 H 80 E本 、 JO S . 60F 荷 兰菲 利普公 司 ) 电化学 工作 站 ( H64 , 70 , 、 C I0 C 上海 辰华 公 司 ) .
第 01 6 1 年 月 2 O卷第 3期 1
淮 阴师范学院学报 ( 自然科 学)
J U N L O A YNT A H R O L G ( a rl c ne O R A FHU II E C E SC L E E N t a Si c) u e
Vo . O No. 11 3
Jn 0 1 u .2 l
蒸发结 晶法制备 超长 一 硒纳 米线
丁筛 霞, 新亚 , 良富, 葛 刘 方 瑾 ,张效敏
( 安徽职业技术学 院 材料工 程系 , 安徽 合肥 20 1 ) 30 1
摘 要 :通过 简单 的溶 解一 出法制 备 出无 定 形 单 质硒 , 以无水 乙醇 为 溶 剂 , 无定 形 硒 在 析 再 让 超 声 的条件 下进 行蒸 发 结 晶诱 导 的 自组装 生长 , 而制 备 出直 径在 6 从 0~10m、 5n 长度 可达 几 百 微米的 £ 纳米线. . 硒 采用 x射 线衍 射 、 射 电镜 、 发 射 扫描 电镜 等 手 段 对 产 物 的组 成 、 构 透 场 结 和形 貌 进行 了表 征 . 通过 对 比实验 , 究 了 . 研 硒纳 米 线 的 生长过 程 , 现 溶 剂 乙醇 的使 用 和 超 发 声蒸 干 的操 作过 程对 一 纳米 线 的形成起 关键 作 用 . 比较 了 . 纳米 线 与 市售 硒粉 的 电化 硒 并 硒
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