《模拟电子技术基础(第五版康华光主编)》复习提纲

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电子技术基础模拟部分(第五版)康华光课后解答

电子技术基础模拟部分(第五版)康华光课后解答
医疗领域
医疗设备中广泛应用模拟电子技术,如心电图机 、超声诊断仪等,用于生物信号的放大、处理和 记录。
工业控制领域
模拟电子技术用于传感器信号的放大和处理,以 及执行器的驱动和控制,实现工业过程的自动化 和智能化。
THANKS
感谢观看
晶体管时代
晶体管的发明取代了真空 管,使得电子设备更加小 型化、高效化。
集成电路时代
集成电路的出现进一步推 动了电子技术的发展,实 现了电路的高度集成和微 型化。
模拟电子技术基本概念
信号与系统
介绍信号的概念、分类以及系统 的基本性质。
放大电路基础
阐述放大电路的基本原理、性能指 标和分析方法。
反馈放大电路
负反馈对放大电路性能影响分析
提高放大倍数稳定性
负反馈能够减小放大电路的开环放大倍数,从而减小环境温度、电源 电压等因素对放大倍数的影响,提高放大倍数的稳定性。
改善输入输出电阻
负反馈能够减小放大电路的输入电阻,增大输出电阻,从而改善电路 的输入输出特性。
减小非线性失真
负反馈能够减小放大电路的非线性失真,提高电路的动态范围。
VS
设计实例
以LC振荡器为例,其设计步骤包括选择 合适的放大器和正反馈网络、确定振荡频 率和振幅、计算元件参数并进行仿真验证 等。在设计过程中需要考虑电路的稳定性 、失真度、频率响应等性能指标,并采取 相应的措施进行优化和改进。
06
直流稳压电源与波形发生电路
直流稳压电源组成及工作原理
整流电路
将交流电转换为脉动直流电。
在显示器上呈现清晰的图像。
视频信号处理
02
通过模拟电路对视频信号进行亮度、对比度、色彩等调整,优
化图像质量。

康光华《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(模拟集成电路)【圣才出品】

康光华《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(模拟集成电路)【圣才出品】

在电路中,当电源电压VCC 和 VEE 发生变化时, IREF 以及 VBE 也将发生变化,由于
Re的值一般为数千欧,使 IC2 的变化远小于 IREF 的变化,因此,电源电压波动对工作电流
IC2 的影响不大。同时,T0对T1有温度补偿作用,所以 IC1 的温度稳定性也较好。
- VEE
图6-2 微电流源
IIB (IBN IBP ) / 2
输入偏置电流的大小,在电路外接电阻确定之后,主要取决于运放差分输入级BJT的
性能,当它的β值太小时,将引起偏置电流增加。
3.输入失调电流
当输入电压为零时,流入放大器两个输入端的静态基极电流之差称为输入失调电流
IIO:
4.温度漂移
由于温度变化引起的输出电压产生的漂移,通常把温度升高一度输出漂移折合到输入
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第 6 章 模拟集成电路
6.1 复习笔记
一、集成电路中的直流偏置技术
所谓电流源是指电流恒定的电源。电流源电路直流电阻小,交流电阻大,具有温度补
偿作用。它除了可为电路提供稳定的直流偏置外,还可以作为放大电路的有源负载以获得
W4 W1
/ /
L4 L1
I REF
电流源的基准电流为
I REF I D0 Kn0 (VGS 0 VT 0 )2
(3)JFET 电流源
图 6-4 MOSFET 多路电流源
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如图 6-5(a)所示,如将 N 沟道结型场效应管的栅极直接与源极相连,则可得到简
射极耦合差分式放大电路对共模信号有相当强的抑制能力,但它的差模输入阻抗很低。 (2)带有源负载的射极耦合差分式放大电路

模拟电子技术基础复习提纲-全文可读

模拟电子技术基础复习提纲-全文可读
《模拟电子技术基础》复习提纲涵盖了九个核心章节。首章聚焦半导体二极管及其应用,涉及P型与N型半导的分析。第二章重点讨论晶体三极管及其基本放大电路,包括放大的条件、区域、通路、失真等,要求熟练掌握共发射极等放大电路的计算与分析。接下来,场效应管及其放大电路章节介绍了场效应管的工作原理及要求。第四章集成运算放大器是重点,涉及差分放大电路、共模抑制比等关键概念,以及典型电路的计算。第五章阐述负反馈放大电路的原理与影响。第六章讲述基于集成运放的信号运算与处理电路,如各种运算电路与电压比较器的识别与计算。第七章探讨信号产生与变换电路,特别是正弦波振荡的条件与识别。第八章功率放大电路则关注输出功率、转换效率等。最后,第九章直流稳压电源介绍了整流、滤波等基本概念与计算。整体而言,提纲全面梳理了模拟电子技术的基础知识点,为复习提供了明确的方向。

《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲

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模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论)信号、模拟信号、放大电路、三大指标。

(放大倍数、输入电阻、输出电阻)第三章二极管及其基本电路)本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。

在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。

N型半导体和P型半导体。

在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。

载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。

P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。

空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。

PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。

PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。

)二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线))二极管的三种模型表示方法。

(理想模型、恒压降模型、折线模型)。

(V BE=)第四章双极结型三极管及放大电路基础)BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。

(由三端的直流电压值判断各端的名称。

由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数))什么是直流负载线什么是直流工作点)共射极电路中直流工作点的分析与计算。

有关公式。

(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。

)小信号模型中h ie和h fe含义。

)用h参数分析共射极放大电路。

(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。

)常用的BJT放大电路有哪些组态(共射极、共基极、共集电极)。

各种组态的特点及用途。

P147。

(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。

模拟电子技术复习大纲康华光5版共28页文档

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6、最大的骄傲于最大的自卑都表示心灵的最软弱无力。——斯宾诺莎 7、自知之明是最难得的知识。——西班牙 8、勇气通往天堂,怯懦通往地狱。——塞内加 9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。——赫尔普斯 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。——笛卡儿
模拟电子技术复习大纲康华光5版
1、战鼓一响,法律无声。——英国 2、ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ何法律的根本;不,不成文法本 身就是 讲道理 ……法 律,也 ----即 明示道 理。— —爱·科 克
3、法律是最保险的头盔。——爱·科 克 4、一个国家如果纲纪不正,其国风一 定颓败 。—— 塞内加 5、法律不能使人人平等,但是在法律 面前人 人是平 等的。 ——波 洛克
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康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)..

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目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。

信号是信息的载体,按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类:①时间连续、数值连续信号,即模拟信号;②时间离散、数值连续信号;③时间连续、数值离散信号;④时间离散、数值离散信号,即数字信号。

二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波),从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号,过滤掉不需要的频率信号,也可以过滤掉某些频率信号,保留其它频率信号。

幅度频谱:各频率分量的振幅随频率变化的分布。

相位频谱:各频率分量的相位随频率变化的分布。

三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路,所谓放大作用,其放大的对象是变化量,本质是实现信号的能量控制。

放大电路有以下4种类型:1.电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2.电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3.互阻放大电路电路的互阻增益为4.互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻:输入电压与输入电流的比值,即对输入为电压信号的放大电路,R i越大越好;对输入为电流信号的放大电路,R i越小越好。

《电子技术基础》考试大纲

《电子技术基础》考试大纲

《电子技术基础》考试大纲个人整理精品文档,仅供个人学习使用《电子技术基础》考试大纲(包括模拟电路、数字电路两部分)一、参考书目.康华光,电子技术基础——模拟部分,第五版,高等教育出版社,.康华光,电子技术基础——数字部分,第五版,高等教育出版社,二、考试内容与基本要求《模拟电子技术》考试大纲一、半导体器件结、半导体二极管、稳压二极管的工作原理;晶体三极管与场效应管的放大原理;.熟悉半导体二极管的伏安特性,主要参数及简单应用。

.熟悉稳压二极管的伏安特性,稳压原理及主要参数。

理解双极性三极管的电流放大原理,伏安特性,熟悉主要参数。

二、放大器基础放大电路的性能指标和电路组成及静态分析;稳定静态工作点的偏置电路;放大电路的动态分析,三种基本组态放大电路;场效应管放大电路性能指标分析;运算放大器放大电路性能指标分析。

.理解放大电路的组成原则。

.理解静态、动态、直流通路、交流通路的概念及放大电路主要动态指标的含义。

.熟悉放大电路的静态和动态分析方法。

掌握调整静态工作点的方法。

.掌握计算三种组态放大电路的静态工作点和动态指标。

三、放大器的频率参数频率特性的基本概念与分析方法;放大器频率分析,三极管的频率参数;共射极接法放大电路的频率特性;场效应高频等效电路,运算放大器的高频等效电路。

.理解阻容耦合共射放大电路的频率特性。

.理解三极管的频率参数。

.了解多级放大电路频率特性的概念。

四、放大电路中的负反馈负反馈的基本概念;负反馈对放大器性能的影响;深度负反馈的计算;反馈放大电路的稳定性分析。

.理解反馈,正反馈,负反馈,直流反馈,交流反馈,开环,闭环,反馈系数,反馈深度,电压反馈,电流反馈,串联反馈,并联反馈等概念。

.熟悉负反馈类型的判断。

.掌握各种基本组态负反馈对放大电路性能的影响。

1/3个人整理精品文档,仅供个人学习使用.掌握深度负反馈放大电路增益的估算方法。

五、功率放大器功率放大器的原理;互补推挽功率放大器();功率放大器的其它电路;集成功率应用电路。

电子技术基础第五版康华光总复习

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3
集成运算放大器
差分输入级
中间级
输出级
偏置电路
输入级:差动放大器 中间级:共射放大器 输出级:互补对称功率放大器
4
运算放大器的电路模型
通常: ▪ 开环电压增益
Avo的105 (很高)
▪ 输入电阻 ri 106Ω (很大)
▪ 输出电阻 ro 100Ω (很小)
运算放大器的电路模型
5
电压传输特性: vo= f (vi) V+ vo
uC(0):uC的初始值
5、微分运算电路
uo
Rf C
dui dt
电路的作用:实现波形变换。
电路分析法求解步骤:
(1)虚短和虚断; (2)对集成运放两个输入端运用KCL定律列写电流方 程; (3)用各点电位表示电流,并整理成关于 uI 和 uO的 表达式。
同相端输入信号系数为正,反相端输入信号系数为负
vi1
24
二、习题
习题2.4.9
R4
vi3
R6
1
A1
+
vo1
vP1
R5
vN2

A2
+
vo
R3
令 vi3=0,
A2 构成积分电路
vo'
1 R5C
vo1dt
令 vo1=0, A2 构成积分电路
vo''
1 R6C
vi3 dt
可得
vo
vo'
vo''
1 RC
[(vi2 vi1) vi3 ]dt
积分关系:
由于,τ>> TP ui=uR+uo uR
u0
uc

康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套题库【课后习题-反馈放大电路】【圣才出品】

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第7章反馈放大电路7.1反馈的基本概念7.1.1在图7-1所示的各电路中,哪些元件组成了级间反馈通路?它们所引入的反馈是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是交流反馈(设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略)?图7-1解:图(a)中由电阻2R引入负反馈,交、直流反馈均有;图(b)中由1e R引入负反馈,交、直流反馈均有,由1f R、2f R引入直流反馈;图(c)中由f R、2e R引入负反馈,交、直流反馈均有;图(d)中由1R、2R引入负反馈,交、直流反馈均有;图(e)中由3R、2A引入负反馈,交、直流反馈均有;图(f)中由6R引入负反馈,交、直流反馈均有。

7.1.2试判断图7-1所示各电路中级间交流反馈的组态。

解:将放大电路交流通路输出短路,若反馈不起作用,则该电路为电压反馈,否则为电流反馈;若反馈信号与输入信号在输入回路以电压相加减的形式出现,则该电路为串联反馈,在输入节点以电流相加减的形式出现,则该电路为并联反馈。

图(a)中由电阻2R引入电压并联负反馈;图(b)中由1e R引入电流串联负反馈;图(c)中由f R、2e R引入电流并联负反馈;图(d)中由1R、R2引入电压串联负反馈;图(e)中由3R、A2引入电压并联负反馈;图(f)中由6R引入电流串联负反馈。

7.1.3在图7-2所示的两电路中,从反馈的效果来考虑,对信号源内阻R s的大小有何要求?图7-2解:图(a)引入串联负反馈,故从反馈的效果考虑,信号源内阻Rs越小越好;图(b)引入并联负反馈,故从反馈的效果考虑,信号源内阻Rs越大越好。

7.2负反馈放大电路的四种组态7.2.1电路如图7-3所示。

(1)分别说明由R f1、R f2引入的两路反馈的类型及各自的主要作用;(2)指出这两路反馈在影响该放大电路性能方面可能出现的矛盾是什么?(3)为了消除上述可能出现的矛盾,有人提出将R f2断开,此办法是否可行?为什么?你认为怎样才能消除这个矛盾?图7-3解:(1)1f R在第一、三级间引入交、直流负反馈,直流负反馈能稳定前三级的静态工作点,其中交流反馈为电流串联负反馈,可稳定第三级的输出电流,同时提高T1的输入电阻;R在第一、四级间引入交、直流负反馈,其中直流负反馈为T1提供偏置,且稳定各2f级的静态工作点,而其交流反馈为电压并联负反馈,可稳定该电路的输出电压,同时降低了T1的输入电阻。

康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套题库【课后习题-二极管及其基本电路】【圣才出品】

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图 3-5
解:(1)二极管恒导通,在恒压降模型情形下,有 vo 2VD 1.4 V 。
则电路中的电流为
(2)小信号模型等效电路如图 3-6 所示,小信号模型中, 阻为
。 ,二极管的微变电
。 由图 3-6 可知, 故
即有 VB>VA,所以 D 截止。 图(c),根据分压公式,有
即有 VB<VA,所以 D 正偏导通。
3.4.7 二极管电路如图 3-10(a)所示,设输入电压 vI(t)波形如图 3-10(b)所示, 在 0<t<5 ms 的时间间隔内,试绘出 vo(t)的波形,设二极管是理想的。
图 3-10
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第 3 章 二极管及其基本电路
3.2 PN 结的形成及特性
3.2.1 在室温(300 K)情况下,若二极管的反向饱和电流为 1 nA,问它的正向电流为
因此,输出电压 vo 的变化范围为 1.394 V~1.406 V。
图 3-6
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3.4.4 在图 3-5 的基础上,输出端外接一负载 RL=1 kΩ时,问输出电压的变化范围是多
少?
解:外接负载后,二极管中的直流电流为: ID
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解 : 当 输 入 电 压 v(I t) 6 V 时 , 二 极 管 截 止 , 输 出 电 压 vO 6 V ; 当 输 入 电 压

《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲

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模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论1.1)信号、模拟信号、放大电路、三大指标。

(放大倍数、输入电阻、输出电阻)第三章二极管及其基本电路3.1)本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。

在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。

N型半导体和P型半导体。

在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。

载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。

P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。

空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。

PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。

PN结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。

3.2)二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线)3.3)二极管的三种模型表示方法。

(理想模型、恒压降模型、折线模型)。

(V BE=0.7V)第四章双极结型三极管及放大电路基础4.1)BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。

(由三端的直流电压值判断各端的名称。

由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数)4.2)什么是直流负载线?什么是直流工作点?4.3)共射极电路中直流工作点的分析与计算。

有关公式。

(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。

4.4)小信号模型中h ie和h fe含义。

4.5)用h参数分析共射极放大电路。

(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。

4.6)常用的BJT放大电路有哪些组态?(共射极、共基极、共集电极)。

各种组态的特点及用途。

P147。

(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。

康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)章节题库-第一章至第四章【圣才出品】

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图 2-2
解:(1)放大器 A2: vO2
vp2
vn2
R1 RW
vO

放大器 A1:
vi1 vn1 vn1 vn2
R
Rf

vn1
vp1
Rf R Rf
vi 2

由式①②③得: vO
10
Rw R1
vi2
vi1

(2)当 Rw 的滑动端在最上端时,若 Vi1=10 mV,Vi2=20 mV,则
20 lg
AV
40, AV
100, 100 70.7 , 2
f
fL
70.7Hz ;
(5 1 )
f fH 10 2 70700Hz
二、选择题
1.某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 12kΩ的负载电阻后,输出电压降
为 3V,这说明放大电路的输出电阻为( )。
A.19kΩ
B.2kΩ
20
mV
14
V
R1
143
故 R2max RW R1min 9.86 k 。
2.设集成运放为理想器件,证明图 2-3 所示的电路图为一个双积分电路。
图 2-3
解:设两电阻 R 中间节点为 A,电压为 ul,两电容 C 中间结点 B,电压为 u2。由理想运
放可得 uN=uP=0。
A
处电容上的电流为:
图 2-6 解:(1)S 合上,由电路得到 u-=u+=0,由电流电压关系列出方程 (2)S 断开,因为是理想运放,所以同相端和反相端没有电流流入或流出。得到 u+= u-=vi 列出电流电压方程 (3)由(1)和(2)的结果可以直接列出方程
极,为使差动放大电路的参数保持对称,应使两个差分对管基极对地电阻尽量一致,因而有

模电第五版康华光复习大纲

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40 带宽 20 0 2 20 fL 2 102 2 103 2 104 fH f/Hz
第三章 二极管及其基本电路
1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后, 共价键就留下一个空位,这个空位就称为空穴 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 •两种载流子参与导电,自由电子 数(n)=空穴数(p) 本征激发的特点—— •外电场作用下产生电流,电流大 小与载流子数目有关 •导电能力随温度显著增加
第五章 场效应管放大电路
双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。 1、能够根据转移特性判别场效应管的类型(P237 表5.5.1) 结型场效应管 N型:VGS<0 VDS>0夹断电压VP<0 P型:VGS>0 VGS<0夹断电压VP>0 N型:VGS>0 VDS>0开启电压VT>0 P型: VGS<0 VGS<0开启电压VT<0
4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差,而出现扩散运动,在中间形成空 间电荷区(耗尽层),又由于空间电荷区的内电场作用,存 在漂移运动,达到动态平衡。 单向导电性 —— 不外加电压,扩散运动=漂移运动,iD=0 加正向电压(耗尽层变窄),扩散运动>漂移运动形成iD 加反向电压(耗尽层变宽),扩散运动为0,只有很小的 漂 移运动 形成反向电流 特性方程:iD=IS(eVo/VT-1) 特性曲线 : 正向导通:死区、导通区 反向截止:截止区、击穿区
3、正确理解变压器反馈式,电容三点式,电感三点式LC 正弦波振荡电路的结构和工作原理 4、了解石英晶体正弦振荡电路的工作原理及特点 5、能够利用相位平衡条件判断电路是否振荡。 6、电压比较器及电压传输特性。 习题9.6.1;9.6.2;9.7.1;9.7.2;

康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套题库【章节题库-双极结型三极管及放大电路基础】【圣才出

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fH
1 可知,要使 2 RC
fH 提高,则应使电容减小。
2.因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) 【答案】× 【解析】N 型半导体的多子是自由电子,电子漂移能力强,由于原子结构中还有原子核 带正电,在没有外界电流的参与下是不带电的,不能说 N 型半导体带负电。
三、选择题 1.下列电路,已知稳压管 D2 的稳定电压值 V2=4V,如图 4-2 所示,试判断该三极管处 于( )。 A.饱和区 B.放大区 C.截止区 D.已损坏
4.7 50
12A ,一般而言,三极管的β值在
50
到 200
之间,于是
有 IC<2.4mA,从而有集电极反偏,假设成立,三极管处于放大区。
2.图 4-3 电路工作于放大状态,为了使静态工作点 ICQ 增大,应该( )。 A.减小电阻 R 和电容 C B.换成β大的管子 C.增大电阻 RE 的阻值 D.减小 RB1 阻值
4.对于图 4-4 所示的复合管,假设 ICEO1 和 ICEO2 分别表示 T1、T2 单管工作时的穿透电流, 则复合管的穿透电流 ICEO 为( )。
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图 4-4 A.ICEO=ICEO2 B.ICEO=ICEO1+ICEO2 C.ICEO=ICEO1 D.ICEO=ICEO2 +(1+β2)ICEO1 【答案】D 【解析】T1 的射级为 T2 的基极,若 T1 穿透电流为 ICEO1,则 T2 的射极电流应达到(1+β2) ICEO1,所以复合管穿透电流为 ICEO2 +(1+β2)ICEO1
3.在阻容耦合共射放大电路中,影响低频响应的主要因素是( 的主要因素 。

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。

如:V CE、I C等。

•小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。

如:v CE、i B等。

•小写字母、小写下标表示纯交流量。

如:v ce、i b等。

•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。

如:等。

二.信号(1)模型的转换(2)分类(3)频谱二.放大电路(1)模型(2)增益如何确定电路的输出电阻r o?三.频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

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模拟电子技术基础复习提纲
第一章绪论
)信号、模拟信号、放大电路、三大指标。

(放大倍数、输入电阻、输出电阻)
第三章二极管及其基本电路
)本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。

在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。

N型半导体和P型半导体。

在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。

载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。

P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。

空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。

PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。

PN结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。

)二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线)
)二极管的三种模型表示方法。

(理想模型、恒压降模型、折线模型)。

(V BE=)
第四章双极结型三极管及放大电路基础
)BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。

(由三端的直流电压值判断各端的名称。

由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数)
)什么是直流负载线什么是直流工作点
)共射极电路中直流工作点的分析与计算。

有关公式。

(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。

)小信号模型中h ie和h fe含义。

)用h参数分析共射极放大电路。

(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。

)常用的BJT放大电路有哪些组态(共射极、共基极、共集电极)。

各种组态的特点及用途。

P147。

(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。


复合管类型及判别。

(类型与前一只管子决定)
)什么是波特图怎样定义放大电路的带宽(采用对数坐标的幅频和相频特性曲线。


)RC低通电路的波特图及特点。

(3dB带宽)
)影响三极管带宽上限的原因是晶体管极间电容和分布电容的存在,使高频信号增益降低。

第五章场效应管放大电路
)什么叫单极性器件场效应管和BJT放大原理的最根本的不同点是什么
)场效应管的种类及符号识别。

(重点为N沟道增强型场效应管,该管在放大状态下,开启电压V T为正值,栅极电压应大于源极电压)。

)场效应管V-I特性曲线在饱和器的表达式。

i D=K n(v GS-V T)2
)什么是开启电压什么是夹断电压互导g m的定义和意义。

)什么是沟道长度调制效应(对实际场效应管,当V GS一定时I D随着V DS增加有所增加。

即特性曲线上斜。

通常引入参数λ描述该效应。


)共源极MOSFET放大电路静态工作点的计算。

第六章模拟集成电路
)镜像电流源和微电流源,结构,特点。

)什么是差模信号什么是共模信号什么是共模抑制比
)计算单端输入和单端输出的BJT差分放大电路的电压增益。

)集成运算放大器电路分为哪几个部分(偏置电路、输入级、中间放大级、输出级)。

)什么是运放的输出失调电压V IO转换速率S R单位增益带宽BW G(输入电压为零时,为使输出电压为零而加在输入端的补偿电压;输入大信号时输出电压的最大变化速率;运放电压增益为1时的最高频率)。

)模拟乘法器的符号。

用途。

(各种运算电路,调制解调电路、函数发生电路等)
第二章运算放大器
)什么是理想运算放大器
)同相放大电路和反相放大电路的构成,分析方法,(放大倍数计算)。

集成运放在线性区工作时的分析方法(依据)(v p=v n, i p=i n =0,也称虚短和虚断)
)电压跟随器,构成、特点。

)求差电路。

构成。

输出表达式。

计算。

)求和电路。

构成。

输出表达式。

计算。

)积分电路和微分电路,构成。

输入方波时的波形表换。

第七章反馈放大电路
)什么是负反馈为什么要引入负反馈
)区分直流反馈和交流反馈。

)判别电路是否为负反馈。

(极性判别法)
)识别电路负反馈的组态。

(电压串联、电压并联、电流串联、电流并联)。

)负反馈电路的一般表达式。

(A/(1+AF)).
负反馈对于输入和输出电阻的影响。

电压反馈稳定输出电压,电流反馈稳定输出电流。

稳定输出电压等效于减小输出电阻。

)定性描述负反馈和带宽的关系。

第八章功率放大电路
)功率放大电路的技术要求(功率更大、效率更高、非线性失真小、器件散热)
)什么是甲类、乙类、甲乙类、丙类功放电路甲类功率放大器的最高效率(理论不超过50%,乙类功率放大器的效率达%)
)以乙类放大器为例,说明如何计算信号功率,电源功率,管耗、效率。

乙类放大器中,如果忽略功率管的饱和压降,能够输出的最大正弦信号功率为(Vcc)2/(2R L),当输出功率最大时,管耗并不是最大,原因在于三极管接近饱和,V CE小。

第九章信号处理和信号产生电路
)什么是滤波器滤波器的分类(LPF、HPF、BPF、BEF)。

什么是理想滤波器什么是有源滤波
器什么是滤波器的传递函数。

什么是滤波器的截止频率
正弦波振荡电路的振荡条件。

(振幅条件和相位条件)桥式振荡器(文氏桥)和移相式的原理及结论。

振荡频率、反馈系数及增益要求。

相位条件。

变压器反馈式振荡器的极性判别,振荡频率。

)三点式LC振荡电路极性判别。

放大电路的组态。

)石英晶体振荡器的特点。

(频率稳定性高,Q值大。

在电路中起电感的作用)
)电压比较器的特点,电路判别。

门限电压的计算。

传输特性曲线。

画对应的输入输出波形。

)迟滞比较器的特点,门限电压的计算。

传输特性曲线。

画对应的输入输出波形。

第十章直流稳压电源
)什么是整流什么是滤波什么是稳压各部分的作用
)单相桥式整流电路的结构和工作原理。

)串联反馈式稳压电路特点。

)三端稳压器及应用。

开关稳压电路及DC-DC变换电路的特点。

能量转换效率高,元件体积小重量轻,电路较复杂。

纹波较大。

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