模拟电子技术基础(第四版)完整版本
模拟电子技术基础(第四版)课件童诗白

感谢观看
利用运放实现模拟信号的检测、处理和控制,如PID控制器等。
反馈放大电路
05
总结词
理解反馈放大电路的核心概念和类型是掌握模拟电子技术的基础。
详细描述
反馈放大电路是一种通过引入反馈网络来控制放大器性能的电路。根据反馈信号的性质,可以分为正反馈和负反馈。正反馈是指反馈信号加强输入信号,使放大器增益提高;而负反馈则是削弱输入信号,使放大器增益降低。
有源滤波器
用于提高电路的输入阻抗,减小信号源内阻对电路的影响。
电压跟随器与缓冲电路
集成运算放大器的线性应用
比较器
波形发生器
功率放大器
自动控制电路
集成运算放大器的非线性应用
01
02
03
04
将模拟信号转换为数字信号,用于信号的阈值检测和脉冲整形。
利用运放实现正弦波、方波、三角波等波形发生。
利用运放实现音频信号的功率放大,用于扬声器驱动等场合。
晶体管时代
随着集成电路的诞生,电子设备进一步微型化,智能手机、平板电脑等便携式智能设备成为人们生活的重要组成部分。
集成电路时代
近年来,人工智能和物联网技术的迅猛发展,使得智能家居、自动驾驶等成为现实,进一步推动了电子技术的进步。
人工智能与物联网时代
电子技术的发展
医疗电子技术
医疗电子设备如心电图机、超声波诊断仪、医疗影像系统等都离不开电子技术的支持,为医疗诊断和治疗提供了重要的技术支持。
电阻是导体对电流的阻碍作用,电容是储存电荷的元件。电阻和电容是电子电路中最基本的被动元件。
二极管与晶体管
电感与变压器
半导体器件
02
如硅和锗,是半导体的基本组成材料。
元素半导体
模拟电子技术基础第四版第3章

RE1
+ CE1
RE2
uo
ui如为低频信号,
缺点:低频特性差,不能放大变化缓慢的信号; 可否放大? 在集成电路中不能制造大容量电容,因此阻容耦合放大电路不
便于集成化。
优点:各级之间的直流通路各不相连,各级的静态工作点相互独立, 电路的分析设计和调试简单。在分立元件电路中应用非常广泛。
3.2 多级放大电路的分析方法
当共集放大电路作第一级时,输入电阻Ri与其负载,即第二级的 输入电阻Ri2有关;而当共集放大电路作最后一级时,输出电阻 Ro与其信号源内阻,即倒数第二级的输出电阻Ro1有关。(二级)
.
Ii
.
Ie E Ib
•
C Io
RS +
us
.
Ui
.
RE rIbeb RC
RL
.
Uo
Ri
B
Ro
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE ]
RB
ui1 ui
ui2 b
RC uo
uo1
T1
RC+VCC
uo2 RB
T2
RE
VEE
双端输入
a
RB
ui1 ui
ui2 b
RC uo
uo1
T1
RC+VCC
差模信号
uid=ui1–ui2 =ui
共模信号
uo2 T2
uic = u( i1 +ui2 )/2= 0 RB
RE
VEE
ui1, ui2:
一对差模信号分
•
Uo1
RB3
•
RE2 RL Uo
C2
Ro1
Ro
模拟电子技术基础(第四版)第1章

ID
理想二极管符号 UD
(V)
ID
开关模型等效电路
0.7V 0 0.7
0
UD
(V)
(a)理想模型 特性 )理想模型VA特性
(b)开关模型 特性 )开关模型VA特性
3、折线模型:正向导通时。相 、折线模型:正向导通时。 当于理想二极管串联一个等效 和一个电压源U 电阻rD和一个电压源 ON ,特 性曲线如图( 所示 所示。 性曲线如图(c)所示。
二极管的伏安特性仍可由 二极管的伏安特性仍可由
iD = IS (e
近似描述。 近似描述。
UD / UT
−1)
D E
导通电压
IS:反向饱和电流 UT:电压当量,室温下26mV
IR
反向 漏电
开启电压 Uon
开启电压 导通电压
硅二极管 0 .5 V 0 . 6 ~ 0 .8 V (取 0 .7 V )
锗二极管 0 .1 V 0 . 2 ~ 0 .3 V (取 0 .3 V )
发射区:发射载流子 发射区: 集电区: 集电区:收集载流子 基区: 基区:传送和控制载流子 为例) (以NPN为例) 为例
演示
载流子的传输过程
以上看出,三极管内有两种载流子 自由电子 自由电子和 以上看出,三极管内有两种载流子(自由电子和空 参与导电, 穴)参与导电,故称为双极型三极管-BJT (Bipolar 参与导电 故称为双极型三极管- Junction Transistor)。 。
二极管伏安特性与温度T的关系: 二极管伏安特性与温度T的关系:
的增加而增加 所以二极管的正向压降 增加, 的增加而降低 降低。 由于IS随T 的增加而增加,所以二极管的正向压降VF随T 的增加而降低。 一般线性减少2 2.5mV/C° 一般线性减少2~2.5mV/C° (利用该特性,可以把二极管作为温度传感器) 利用该特性,可以把二极管作为温度传感器)
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版

第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率,并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P (吸收);W 5.15.032=×=P (吸收) W 15353−=×−=P (产生);W 5154=×=P (吸收); W 4225=×=P (吸收);元件1、2、4和5起负载作用,元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ;V 13335=+−=I I U电流源功率:W 2621−=⋅−=U P (产生),即电流源产生功率6W 2。
电压源功率:W 632−=⋅−=I P (产生),即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得:A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ;A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示:(1)求图(a)中的ab 端等效电阻;(2)求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示:(1)求图(a)中的电压S U 和U ;(2)求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
《模拟电子技术基础》(第四版)_第1章

0 iD
+ uD
uD
–
Question1 UD UON
2.二极管导通时正向压降为一常量UD (正向导通电压0.7V 或0.3V ), 截止时反向电流为零的二极管的等效 模型 iD iD + uD UD –
一、外加正向电压(正向偏置)
P区
外电场驱使P区的空穴进入空间 N区电子进入空间电荷区 空间电荷区变窄 电荷区抵消一部分负空间电荷 抵消一部分正空间电荷
N区
I 扩散运动增强,形 成较大的正向电流, 此时PN结导通 内电场方向 外电场方向
E
R 外电场加强扩散
二、 外加反向电压(反向偏置)
外电场驱使空间电荷区两侧的多子(空穴和自由电子)移走, 空间电荷区加宽
Uon
0 0.4 0.8
–50
-IS – 0.1
非线性特性 UBR反向击穿电压
UZ(稳压管)
uD / V UD
– 0.2
死区
反向击穿
硅管的伏安特性
一般:特性曲线上区分Uon和UD 计算时不区分Uon和UD Si 管:0.5V左右
开启电压: Uon
正向导通电压UD 二极管方程
Ge管:0.1V左右 Si 管:0.6V~0.8V (0.7V) Ge管:0.2V~0.3V(0.3V)
三、如何学好模电
课程特点:内容多、内容杂、工程实践性强
基本原理 “基本电路”原理
放大器、反馈、 振荡器
绪论
1、抓“重点”
基 本 分析方法
图解法、小信号等效电路法
2、注重综合分析 注重工程化素质培养 3、提高学习效率、培养自学能力
模拟电子技术基础第四版第5章

20lg Au 20lg 2 3 dB, 45
20 lg Au
20 lg
f fL
20dB/十倍频
多级放大:
Au Au1 • Au2 • Au3
Au Au1 1 • Au2 2 • Au3 3
Au Au1 • Au2 • Au3
1 2 3 各级放大电路相频图的叠加
Ic c
gmUbe
RC
RE
Ce
•
RL Uo
RC高通或低通电路?
b rbb b rbe e
•
Ib
•
Ui
RB
oIb
c
e 1
RE
Ce
RC
RL
Reqe RE //[(rbb rbe ) /(1 0 )]
Ui
rbb
rbe
Ui (1
0 )RE
• (1
0 )RE
Reqe
U i
e Ce
RC低通电路
Req2 RC RL
f
90 45
0
45 90
m 180
0.1 fL2 fL2 10 fL2
0.1 fH fH 10ffH
Au
低频段
Aum
中频段
高频段
0.707 0.6
AAuumm
0
f1 fL2
0
fL2
–90º
–100º
– 180º
通频带
f2
fbw fH fL
-3dB带宽
fH
f
fL fL2
fH f
– 270º
Au
Uo Ui
R R 1
1 1 1
jC
j RC
模拟电子技术基础(第四版)完整 童诗白ppt课件

4. 由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动 会达到平衡,载流子的浓度就一定了。
5. 载流子的浓度与温度密切相关,它随着温度的升 高,基本按指数规律增加。
11
莆田学院三电教研室--模拟电路多媒体课件
3. 空间电荷区产生内电场
空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒; —— 内电场;内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。
4. 漂移运动 内电场有利 于少子运动—漂 移。
少子的运动 与多子运动方向 相反
阻挡层
P
空间电荷区
N
内电场
Uho
20
莆田学院三电教研室--模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3
本征锗的电子和空穴浓度:
n = p =2.38×1013/cm3 10
莆田学院三电教研室--模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
小结
带负电的自由电子
1. 半导体中两种载流子
带正电的空穴
2. 本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现, 称为 电子 - 空穴对。
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体 称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体,
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时,半导 体不导电,如同绝缘体。 图 1.1.1
《模拟电子技术基础》(第四版)_第4章

代替RE,抑制共模干扰 效果好,KCMR大。
T3
T4
+VCC
I BQ1 I BQ 2 ICQ1 ICQ 2
ICQ3
ICQ1
2 I BQ 3 ICQ2
T1 T2 IE
ICQ4
RL
IO
Uo
ICQ3 ICQ1
ICQ 4 ICQ3
I O I CQ 4 I CQ 2 I CQ 3 I CQ1 I CQ1 I CQ1 0
id1 gm1ugs1
uo io RL 2id1RL 2 gm1ugs1RL
uo 2 gm1ugs1RL Au gm1RL uid 2ugs1
ii ib 2
作业:4.8
ic 2 i c3
ic5
ic 6
RL
io ic 6 ic3 ic5 ic 2 ic 2 ic 2
转移特性
Rid
FET1
+ VCC
ib1
T1
ie1 ic1
RE
T2
Rod rce 2 // rds 4
FET2
ui1
ic 2
io
id 4 FET4
ui 2
+
id1
FET3
id 3
RL
uo
-
io id 4 ic 2 id 3 ic1 ic1 ic1 2 ib1
B2
B3
•
C3
rce1
rce2 Ib2
Uo
• •
Ib3
•
3Ib3Байду номын сангаас
R
•
Ui rbe1
•
模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。
模拟电子技术基础(第4版华成英)ppt课件

1
乙类功率放大器是一种非线性放大器,其工作原 理是将输入信号的负半周切除,仅让正半周通过 晶体管放大。
2
在乙类功率放大器中,晶体管只在正半周导通, 因此效率较高。但因为晶体管工作在截止区和饱 和区,所以失真较大。
3
乙类功率放大器通常采用推挽电路形式,以减小 失真。
THANKS
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利用晶体管、可控硅等开关元件的开关特性,通过适当组合实现非 正弦波信号的输出。
非正弦波发生电路的组成
包括开关元件、储能元件和输出电路。
非正弦波发生电路的特点
输出信号波形多样,幅度大,但频率稳定性较差,且波形质量受开 关元件特性的影响较大。
波形变换电路
波形变换电路的原理
利用运算放大器和适当组合的RC电路,将一种波形变换为另一种波 形。
基本放大电路 放大电路的基本概念和性能指标
总结词
共基极放大电路的特点是输入阻抗低、 输出阻抗高。
VS
详细描述
共基极放大电路是一种特殊的放大电路, 其工作原理基于晶体管的电压放大作用。 由于其输入阻抗低、输出阻抗高的特点, 因此常用于实现信号的电压放大。在电路 结构上,共基极放大电路与共发射极放大 电路类似,只是晶体管的基极接输入信号 而不是发射极。
01
特征频率
晶体管在特定工作点上的最高使 用频率,超过该频率时放大电路 将失去放大能力。
截止频率
02
03
放大倍数
晶体管在正常放大区与截止区的 交界点上所对应的频率,是晶体 管的重要参数之一。
晶体管在不同频率下的电压放大 倍数,反映了晶体管在不同频率 下的放大性能。
单级放大电路的频率响应
低通部分
放大电路对低频信号的放大能力较强,随着频 率升高,增益逐渐下降。
模拟电子技术基础(第四版)课件 第十章

• 稳压电路: 克服电网波动及负载变化的影响,保持输出电压的
稳定。
10.2 整流电路
10.2.1 半波整流电路
一、工作原理
2U 2 sint
优点:使用元件少。 缺点:输出波形脉动大;直 流成分小。
二、主要参数
1.输出电压平均值 UO(AV) 输出电压平均值就是负 载电阻上电压的平均值
uL
t
0
1.放大电路的构成
由于 U+ = U ,UF = UZ, 所以
R3 R2 UZ UF UO R1 R2 R3 R1 R2 R3 UZ 则: U O R3 R2
当 R2 的滑动端调至最右端时,
UO 为最小值
U Omin
当 R2 的滑动端调至最左端时, UO 为最大值,
I
稳压管的伏安特性 在稳压管稳压电路中,只 要使稳压管始终工作在稳 压区,保证稳压管的电流: IZmin≤IDZ≤IZmax 输出电压UO就基本稳定。
UZ U
IZmin
IZmax
10.4.2 稳压原理
稳压电路应从以下两个方面考察其稳压特性
·电网电压波动; ·负载变化。 1. UI 不变,RL 变化 2. RL 不变, UI变化
2U 2 1.57 2 2 U2
三、二极管的选择
根据流过二极管电流的平均值和它所承受的最大反向电 压来选择二极管的型号。 二极管的正向电流等于负载电流平均值
0.45U 2 I D(AV) =I O(AV) RL
二极管承受的最大反向电压等于变压器副边的峰值电压
U R max 2U 2
UO 为最小值
U Omin
当 R2 的滑动端调至最下端时, UO 为最大值,
模拟电电子技术基础第1章(第四版)童诗白 华成英

iD/mA 1.0
0.5 iD=– IS 1.0 D/V
–1.0
–0.5
0
0.5
PN结的伏安特性
模拟电子技术基础
在一定的温度条件下,由本征激发决定的少 子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定 的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电 流也称为反向饱和(saturation)电流。
• Majority carriers---holes (mostly generated by ionized acceptor and a tiny small portion by thermal ionization) • Minority carriers--- free electrons (only generated by thermal ionization.)
+4
+4
共价键有很强的结合力,使原子规则 排列,形成晶体。
+4
+4
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为 束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以 本征半导体的导电能力很弱。
三、 本征半导体中的两种载流子
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础
三、 本征半导体中的两种载流子
P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼) 的半导体(P-type semiconductor) 。
模拟电子技术基础
1.1.2 杂质半导体
模拟电子技术基础
一、 N型半导体
因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周 围四个半导体原子中的 价电子形成共价键,而 多余的一个价电子因无 共价键束缚而很容易形 成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子(carrier),它主要由 杂质原子提供;空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子, 因此五价杂质原子也称为施主杂质(donor impurity)。
模拟电子技术基础答案全解(第四版)

第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解:波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。
试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。
图P1.2解:u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ~I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。
(1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么?图P1.4解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。
(2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
(完整版)模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】
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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
模拟电子技术基础(第四版)课件7
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1 ( f )2
A u
f0
1
(
f f0
)2
j2(2
Aup
)
f f0
Aup
f0
1 2RC
——中心频率
图 7.3.22常用有源带阻滤波电路
Aup
1
RF R1
——通带电压放大倍数
Q f0 1 B 2(2 Aup )
A u
1
Aup
j1 Q
ff 0 f02 f
2
模拟电子技术多媒体课件
7.3.5 状态变量型有源滤波器 一、状态变量型有源滤波电路的传递函数 二、状态变量型有源滤波电路的组成 三、集成状态变量型滤波电路(AF100)
分析过程(见教材P366~367)
图7.3.13 无限增益多路反馈 二阶低通滤波电路
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
三、三种类型的有源低通滤波器
滤波器的品质因数Q,也称为滤波器的截止特性系数。 其值决定于 f = f0 附近的频率特性。 按照 f = f0 附近频率特性的特点,可将滤波器分为: 巴特沃思(Butterworth)
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
三、带阻滤波器(BEF)
在规定的频带内,信号被 U i
低通
U o
阻断,在此频带以外的信号能 顺利通过。
高通
20lg Au
低通
O
f1
f
20lg Au
O 20lg Au
高通 f
f2
通阻通
O
f1
f2
f
图 7.3.20
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
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第一讲 绪论
本课程是入门性质的技术基础课
第一讲 绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、“模拟电子技术基础”课程的特 点四、如何学习这门课程 五、课程的目的 六、考查方法
一、电子技术的发展
很大程度上反映在元器件的发展上 : • 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 • 1958年 集成电路 • 1969年 大规模集成电路 • 1975年 超大规模集成电路
三、“模拟电子技术基础”课程的特点
2. 实践性 实用的模拟电子电路几乎都需要进行调试
才能达到预期的目标,因而要掌握以下方法: ➢ 常用电子仪器的使用方法 ➢ 电子电路的测试方法 ➢ 故障的判断与排除方法 ➢ EDA软件的应用方法
四、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
➢ 基本概念:概念是不变的,应用是灵活的, “万 变不离其宗”。 ➢ 基本电路:构成的原则是不变的,具体电路是多种 多样的。 ➢ 基本分析方法:不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法,因而有不同的分析方法。
➢ 数字信号 在时间和数值上均具有离散性,u或 i 的变化在 时间上不连续,总是发生在离散的瞬间;且它们的 数值是一个最小量值的整数倍,当其值小于最小量 值时信号将毫无意义。 大多数物理量所转换成的信号均为模拟信号。
二、模拟信号与模拟电路
4. 模拟电路
➢ 模拟电路:对模拟量进行处理的电路。 ➢ 最基本的处理是对信号的放大。 ➢ 放大:输入为小信号,有源元件控制电源使负载获
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目 多了?少了?为什么?
杂质半导体主要靠多数载 流子导电。掺入杂质越多, 多子浓度越高,导电性越强, 实现导电性可控。
磷(P)
2. P型半导体
3
硼(B)
多数载流子
P型半导体主要靠空穴导电, 掺入杂质越多,空穴浓度越高, 导电性越强,
得大信号,并保持线性关系。 ➢ 有源元件:能够控制能量的元件。
二、模拟信号与模拟电路
5. “模拟电子技术基础” 课程的内容
➢ 半导体器件。 ➢ 处理模拟信号的电子电路及其相关的基本功能:各
种放大电路、运算电路、滤波电路、信号发生电路、 电源电路等等。 ➢ 模拟电路的分析方法。 ➢ 不同的电子电路在电子系统中的作用。
考查解决问题的能力--设计能力 4. 会调:仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA
考查解决问题的能力--实践能力
综合应用所学知识的能力
础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应
一、本征半导体
1、什么是半导体?什么是本征半导体?
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。 绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。 半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
2. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 ➢ 根据需求,最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊”。
3. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
五、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的 分析和设计的学习,使学生获得模拟电子技术方面的基 础知识、基础理论和基本技能,为深入学习电子技术及 其在专业中的应用打下基础。
1. 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验 技能。
2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力, 以及将所学知识用于本专业的能力。
建立起系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和 创新意识。
六、考查方法
1. 会看:定性分析 考查分析问题的能力
2. 会算:定量计算 3. 会选:电路形式、器件、参数
2. 电信号 ➢ 由于非电的物理量很容易转换成电信号,而且 电信号又容易传送和控制,因此电信号成为应用 最为广泛的信号。 ➢ 电信号是指随时间而变化的电压u或电流i ,记 作u=f(t) 或i=f(t) 。
二、模拟信号与模拟电路
3. 电子电路中信号的分类
➢ 模拟信号 对应任意时间值t 均有确定的函数值u或i,并且u 或 i 的幅值是连续取值的,即在时间和数值上均具 有连续性。
2、本征半导体中的两种载流子
运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时,带负电的自由电 子和带正电的空穴均参与导电, 且运动方向相反。由于载流子数 目很少,故导电性很差。 温度升高,热运动加剧,载流 子浓度增大,导电性增强。 热力学温度0K时不导电。
载流子
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?
二、杂质半导体
第一片集成电路只有4个晶体管,而1997年一片集成 电路中有40亿个晶体管。有科学家预测,集成度还将按 10倍/6年的速度增长,到2015或2020年达到饱和。
学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展!
二、模拟信号与模拟电路
1. 信号:是反映消息的物理量 ➢ 如温度、压力、流量,自然界的声音信号等等, 因而信号是消息的表现形式。 ➢ 信息需要借助于某些物理量(如声、光、电) 的变化来表示和传递。
无杂质 稳定的结构
1、本征半导体的结构
共价键
由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚
而成为自由电子
自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置,称为空穴
自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。
一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高, 热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对 的浓度加大。
三、“模拟电子技术基础”课程的特点
1、工程性
➢ 实际工程需要证明其可行性。 强调定性分析。
➢ 实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存 在一定的误差范围的。 电子电路的定量分析称为“估算”。
➢ 近似分析要“合理”。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。
➢ 电子电路归根结底是电路。 估算不同的参数需采用不同的模型,可用电路的 基本理论分析电子电路。