硅微工艺湿法刻蚀常见材料刻蚀剂和刻蚀速率
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金
HCl 3mL
HNO31mL
25-50um/min
KI 4g
I21g
H2O 40mL
0.5-1um/min
银
NH4OH 1mL
H2O21mL
CH3OH 4mL
360.0nm/min，腐蚀后快速清洗
铜
H2O 70mL+FeCl330g，50℃
7um/min
铬
HCl 1mL
甘油1mL
80.0nm/min
H2O 2mL
80℃，细线
H3PO44mL
HNO31mL
CH3COOH 4mL
H2O 1mL
35nm/min，细线，腐蚀GaAs
K2Br4O70.1M
KOH 0.51M
K3Fe(CN)60.6M
1um/min，腐蚀时无气体溢出
H3PO416-19mL
HNO31mL
H2O 0-4mL
150.0-250.0nm/min，腐蚀GaAs
四甲基氢氧化氨（TMAH）/水/90℃
1.0
12.5-50
SiO2刻蚀速率比（100）硅低四个数量级
掺杂浓度>4X1020cm-3时，刻蚀速率降低到1/40
与IC兼容，易操作，表面光滑，研究不充分
各种材料的腐蚀剂和腐蚀速率
材料
腐蚀剂
腐蚀速率
Si
HF+HNO3+H2O
最大490um/min
SiO2
NH4F 150g
HF(40%) 70mL
H2O 150mL
23℃时0.1μm/min
Si3N4
49% HF 23℃
85% H3PO4155℃
85% H3PO4180℃
LPCVD
PECVD
8.0nFra Baidu bibliotek/min
钨
KH2PO434g
KOH 13.4g
K3Fe(CN)633g
用水稀释至1L
160.0nm/min
铂
HCl 3mL
HNO31mL
20um/min，腐蚀之前在HF中浸泡30S
HCl 7mL
HNO31mL
H2O 8mL
40.0-50.0nm/min, 85℃
钯
HCl 1mL
HNO310mL
CH3COOH 10mL
掺杂浓度>1020cm-3时，刻蚀速率降低到1/20
与IC不兼容，对氧化层腐蚀过快，大量H2气泡
邻苯二酚，乙二胺，水（EDP）/Pyrazine/115℃
1.25
35
Si3N41Å/min
SiO22-5Å/min
掺杂浓度>5X1010cm-3时，刻蚀速率降低到1/50
有毒性，易失效，需与氧气隔离，很少氢气，硅酸盐沉淀
1.5nm/min
12.0nm/min
150.0-300.0nm/min
10.0-20.0nm/min
60.0-100.0nm/min
多晶硅
HF 6mL
HNO3100mL
H2O 40mL
800nm/min，边缘平整
HF 1mL
HNO326mL
CH3COOH 33mL
150nm/min
铝
HCl 1mL
HCl 1mL
饱和CeSO49mL
80.0nm/min
(NaOH 1g+H2O 2mL) 1mL
(K3Fe(CN)61g+H2O 3mL) 3mL
25.0-100.0nm/min
钼
H3PO45mL
HNO33mL
H2O 2mL
抛光腐蚀
K3Fe(CN)611g
KOH 10g
H2O 150mL
1um/min
KI 4g
I21g
H2O 40mL
100.0nm/min
硅常见各向异性刻蚀
刻蚀剂/稀释剂/添加剂/温度
刻蚀速率（100）/mm/min
刻蚀速率比（100）/（111）
掩膜材料刻蚀速率
刻蚀终止特性
备注
KOH/水/异丙醇/85℃
1.4
400，（110）/（111）是60
Si3N4几乎不刻蚀
SiO228Å/min
HCl 3mL
HNO31mL
25-50um/min
KI 4g
I21g
H2O 40mL
0.5-1um/min
银
NH4OH 1mL
H2O21mL
CH3OH 4mL
360.0nm/min，腐蚀后快速清洗
铜
H2O 70mL+FeCl330g，50℃
7um/min
铬
HCl 1mL
甘油1mL
80.0nm/min
H2O 2mL
80℃，细线
H3PO44mL
HNO31mL
CH3COOH 4mL
H2O 1mL
35nm/min，细线，腐蚀GaAs
K2Br4O70.1M
KOH 0.51M
K3Fe(CN)60.6M
1um/min，腐蚀时无气体溢出
H3PO416-19mL
HNO31mL
H2O 0-4mL
150.0-250.0nm/min，腐蚀GaAs
四甲基氢氧化氨（TMAH）/水/90℃
1.0
12.5-50
SiO2刻蚀速率比（100）硅低四个数量级
掺杂浓度>4X1020cm-3时，刻蚀速率降低到1/40
与IC兼容，易操作，表面光滑，研究不充分
各种材料的腐蚀剂和腐蚀速率
材料
腐蚀剂
腐蚀速率
Si
HF+HNO3+H2O
最大490um/min
SiO2
NH4F 150g
HF(40%) 70mL
H2O 150mL
23℃时0.1μm/min
Si3N4
49% HF 23℃
85% H3PO4155℃
85% H3PO4180℃
LPCVD
PECVD
8.0nFra Baidu bibliotek/min
钨
KH2PO434g
KOH 13.4g
K3Fe(CN)633g
用水稀释至1L
160.0nm/min
铂
HCl 3mL
HNO31mL
20um/min，腐蚀之前在HF中浸泡30S
HCl 7mL
HNO31mL
H2O 8mL
40.0-50.0nm/min, 85℃
钯
HCl 1mL
HNO310mL
CH3COOH 10mL
掺杂浓度>1020cm-3时，刻蚀速率降低到1/20
与IC不兼容，对氧化层腐蚀过快，大量H2气泡
邻苯二酚，乙二胺，水（EDP）/Pyrazine/115℃
1.25
35
Si3N41Å/min
SiO22-5Å/min
掺杂浓度>5X1010cm-3时，刻蚀速率降低到1/50
有毒性，易失效，需与氧气隔离，很少氢气，硅酸盐沉淀
1.5nm/min
12.0nm/min
150.0-300.0nm/min
10.0-20.0nm/min
60.0-100.0nm/min
多晶硅
HF 6mL
HNO3100mL
H2O 40mL
800nm/min，边缘平整
HF 1mL
HNO326mL
CH3COOH 33mL
150nm/min
铝
HCl 1mL
HCl 1mL
饱和CeSO49mL
80.0nm/min
(NaOH 1g+H2O 2mL) 1mL
(K3Fe(CN)61g+H2O 3mL) 3mL
25.0-100.0nm/min
钼
H3PO45mL
HNO33mL
H2O 2mL
抛光腐蚀
K3Fe(CN)611g
KOH 10g
H2O 150mL
1um/min
KI 4g
I21g
H2O 40mL
100.0nm/min
硅常见各向异性刻蚀
刻蚀剂/稀释剂/添加剂/温度
刻蚀速率（100）/mm/min
刻蚀速率比（100）/（111）
掩膜材料刻蚀速率
刻蚀终止特性
备注
KOH/水/异丙醇/85℃
1.4
400，（110）/（111）是60
Si3N4几乎不刻蚀
SiO228Å/min