模拟电子技术基础第五版复习思考题
电子技术基础_模拟部分(第五版)习题答案8word格式
电子技术基础模拟部分第五版第八章作业题解答湖呵呵8功率放大电路8.1 功率放大电路的一般问题在甲类r乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率最高？解：在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流％不出现截止状态（即导通角。
=2打）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通3 = 77）的称为乙类；导通吋间大于半周而小于全周（打<E <2"）的称为甲乙类。
其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达78. 5% D8,3 乙类双电源互补对称功率放大电路&3.1在图题1所示电路中*设丁的0 = 100, V吐二0.7 V, V CES =0.5 V T Z CE0 =0,电容C对交流可视为短路. 输入信号叫为正弦波。
（门计算电路可能达到的最大不失真输岀功率尸叭；（2）此时心应调节到什么数值？（3）此时电路的效率叶二？试与工作在乙类的互补对称电路比较。
解:（1）求尸晌[(%-V CE J/(2Q)『瓦（2）求他考虑到仏二几12 V』5 V"72 A[(12 - O.3)/(2Q)F8W^2+07 W图题8, 3, J下载可编辑1 570 Q (12 - 0, 7) V x 100 0.72 A下载可编辑显然，比工作于乙类的互补对称电路的理想效率低很多。
乩* 2 一双电源互补对称电路如图题艮3.2所示，设已知V cc = 12 V t /?L = 16 0^.为正弦波。
求；(1)在BJT 的饱和压降比岛可以忽略环计的条件F,负 载上可能得到的最大输出功率 2 (2)每个管子允许的管耗耳開至少应为多 少？(。
每个管子的耐压I K (Btt)CE0 |应大于多少？解：⑴输出功率(2)每管允许的管耗P (.M ^0, 2 卩小=0. 2 x4.5 W 二® 9 W(3) 每管的耐压湖呵呵2.07 W12 V xO, 72~A= 24%(RR)CEO孑 2 V cc = 2 x 12 V =24 V8,3+3在图题8.3.2所示电路中，设哲为正弦波”心=8要求最大输出功率巴皿=9 W o 试求在BJT 的惋和压降〈E J 可以 忽略不计的条件下，求：(1)正、负电源％匚的最小 值；(2)根据所求卩优最小值•计算相应的厶“ | V tBRKE J 的最小值；(父)输出功率最大(匕m = 9W)时，电源供给的功率(4)每个管子允许 的管耗戶跡的最小值；(门当输岀功率最大(P 晌二 9 W)时的输入电压有效值中解：(1) V 蔭的最小值 由卩丽金可求得/2X 8 ftx9 W = 12 V(2)心和丨陷讣(的最小值k T1图题8.3.2CM12 V 811|V (BR)C£O >2V CC =2X12 V=24 V设为电流平均值.则匕=2%S =篇2 X (12 V)/ 7T X 8 fl1L46 W(4)P阳的最小值湖呵呵P CM MO. 2P_ =0.2 x9 W =1.8 W(5)输人电压有效值—卩严％/后& 49 V8. 3.4设电路如图题&久2所示，管子在输入信号耳作用下，在一周期内J和轮流导电约180°,电源电压％=20 V,负载肌=8 0,试计算：(D在输人信号=10 V(有效值)时，电路的输岀功率、管耗、直流电源供给的功率和效率；(2)当输人信号叫的幅值为xV cc =20 V时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率°解：(1) ^ = 10 V 时V im =M 二QxlO V = 14 V,人"^AV.=14 Vi V2 1 V21 141・输出功率P. =y '--~=y x~W= 12. 25 Wcc每管的管耗V4( 20 xl43, 14一牛)W" 02 W两管的管耗电源供给的功率P T=2P TI = 10. 04 W=巴 5 = 12. 25 + 10. 04 =22. 29 W效率可= )x100% x 100% ^54.96% 厂1J E迅日乙，⑵=20 V时％二血卩貯咯=20 V1V2X on2输出功率巴=斗・占二斗X辛琢=25 W2n L 2 o两管的管耗P T =2P T1二寻(冬-字卜6恋W/电源供给的功率P v = P o + P T = 25 + 6. 85 =31+ 85 WP95效率7?二才x 100% =——- X 100% 弋7& 5%Jr v 3 1 * &58.4甲乙类互补对称功率放大电路& 4.1 一单电源互补对称功放电路如图题8.4. 1所示*设比为正弦波,湖呵呵由H则有图题8解?cc 立6D %为 TH-1 000pFq °~IR100 pF图题8.4.3% D. T2 =甲£ 兔 E ~P & 4. 称电路中 量很大，氏碍情况下k T(2)动态时，若输 应调整哪个电=R 、= 1, 1 kfi, =0 7 V ‘ P CM = 町中任意一个yK cc =6 V,调整乩或町可满 足这一要求。
模拟电子技术基础华成英第五版复习与考试
思路与方法：
（1）零、极点的概念；
A j
A0
（2）中频增益的贡献因子与求解方法；
多级放大器
单级放大器 B
（3) 结合波特图，求解高、低频截止频率；
0
l
h
1.00，n 1
(4) 注意极点相同或相近，收缩因子的求解方法； 电子线路
Sn
0.64，n 0.51，n
2 3
0.44，n 4
典型题解1_Av（S）的复频域分析
R
Vimin Vz ILmax I z min
电子线路
第二章 PN结二极管及其应用
本章重点：
6、二极管限幅电路
下限幅电路
上限幅电路
上、下双向限幅电路
电子线路
第二章 PN结二极管及其应用
本章重点：
7、钳位电路: 保持信号不失真，而将信号顶部、底部电平钳制在指定电平上;
vo vi vc
VM sin0t VM VB
（4分），
题1：某放大器电压增益函数为
AV
(S)
(S
1015 S(S 5) 2)(S 50)(S
106
)2
，求该放
大器的中频增益 AV ，以及高频截止频率h 和低频截止频率 l
解：归一化处理
AV
(S)
1015
S
(1+
S 5
)
*
5
*
1 2
*
1 50
*
1 1012
(1
S 2
)(1
S )(1 50
（2）高频
re
26mV I EQ
hie
0ib rc'
E
加上发射结电容Cπ 和集电结电
电子技术基础模拟部分(第五版)康华光课后解答
医疗设备中广泛应用模拟电子技术，如心电图机 、超声诊断仪等，用于生物信号的放大、处理和 记录。
工业控制领域
模拟电子技术用于传感器信号的放大和处理，以 及执行器的驱动和控制，实现工业过程的自动化 和智能化。
THANKS
感谢观看
晶体管时代
晶体管的发明取代了真空 管，使得电子设备更加小 型化、高效化。
集成电路时代
集成电路的出现进一步推 动了电子技术的发展，实 现了电路的高度集成和微 型化。
模拟电子技术基本概念
信号与系统
介绍信号的概念、分类以及系统 的基本性质。
放大电路基础
阐述放大电路的基本原理、性能指 标和分析方法。
反馈放大电路
负反馈对放大电路性能影响分析
提高放大倍数稳定性
负反馈能够减小放大电路的开环放大倍数，从而减小环境温度、电源 电压等因素对放大倍数的影响，提高放大倍数的稳定性。
改善输入输出电阻
负反馈能够减小放大电路的输入电阻，增大输出电阻，从而改善电路 的输入输出特性。
减小非线性失真
负反馈能够减小放大电路的非线性失真，提高电路的动态范围。
VS
设计实例
以LC振荡器为例，其设计步骤包括选择 合适的放大器和正反馈网络、确定振荡频 率和振幅、计算元件参数并进行仿真验证 等。在设计过程中需要考虑电路的稳定性 、失真度、频率响应等性能指标，并采取 相应的措施进行优化和改进。
06
直流稳压电源与波形发生电路
直流稳压电源组成及工作原理
整流电路
将交流电转换为脉动直流电。
在显示器上呈现清晰的图像。
视频信号处理
02
通过模拟电路对视频信号进行亮度、对比度、色彩等调整，优
化图像质量。
模拟电子技术(第五版)基础习题答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。
采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
模拟电子技术第五版基础习题与解答
模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中，模拟电子技术一直占据着重要的地位。
它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。
《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材，其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。
首先，让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。
半导体器件是模拟电子技术的基石，理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。
例如，有这样一道习题：“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能？”对于这道题，我们需要明白，纯净的半导体中载流子浓度很低，而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级，从而增加了载流子的浓度，使得导电性能得到改善。
再比如，“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。
”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电，P 型半导体中主要是空穴导电，并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。
在二极管这一章节，也有不少具有代表性的习题。
“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性，并解释其原因。
”在解答这道题时，我们要知道在正向偏置时，二极管的 PN 结变薄，电阻减小，电流容易通过；而在反向偏置时，PN 结变厚，电阻增大，只有极小的反向饱和电流。
还有“利用二极管的单向导电性，设计一个简单的整流电路，并计算其输出电压和电流。
”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中，通过计算来确定电路的性能参数。
三极管是模拟电子技术中的核心器件，相关的习题更是复杂多样。
“阐述三极管的放大作用原理，以及如何判断三极管的工作状态。
”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理，知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。
判断工作状态时，需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系，以及各极之间的电压来确定。
又如“设计一个共射极放大电路，计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。
模拟电子技术基础 第五版 总结、习题课
UO1≈( 1.3V )
UO2＝( 0 )
UO3≈( －1.3UO5≈(
)， 1.3V
UO6≈(
) －2V
稳压二极管
在正向特性区和反 向截止区稳压管特性曲线 与普通二极管的特性曲线 基本一样。 在反向击穿区，稳压 管特性曲线更加陡直。 即UBR几乎为定值（作为UZ）；或当∆UZ有微小 变化时， ∆IZ有很大变化。利用此特性稳压管工作在 反向击穿区时起稳压作用。
∵ UO ´ <UZ
Uo´
∴稳压管不工作，UO=3.33V
【例】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 （1）计算UI20V时输出UO的值。 解：假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ´ = UI · RL/(RL+R)=6.7V UO ´ >UZ
假设稳压管工作
IR=(UI-UZ)/R=18mA IL=UZ/RL=12mA IDZ = IR- IL =6mA ∵ IZmin < IDZ < IZmax ∴ UO=6V
（1）为保证空载时 稳压管能够安全工 作，R2应选多大？
（2）当R2按上面原则选定后，负载电阻 允许的变化范围是多少？
总结习题课 - 8
解：稳压管中的最大电流为 :
I Z max
PZM 40 mA UZ
IZ ≤ IDZ≤IZmax IZ ≤ IR1 - IR2 ≤ IZmax
（1） 为保证空载时稳压管能够安全稳定工作，
总结习题课 - 15
解：（1）基准电压UR＝UZ＋UBE＝5V，
输出电压的可调范围：
R1 R2 R3 R1 R2 R3 UO U Z ~ U Z R2 R3 R3 7.5 ~ 15V
电子技术基础_模拟部分(第五版)课后答案
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“模拟电子技术基础”思考题
“模拟电子技术基础”思考题“模拟电子技术基础”思考题0．绪论思考题1.什么是电子技术？什么是电子器件？2.电子电路与普通电路有哪些区别与联系？集成电路与分立元件电路有哪些区别？3.课程的性质是什么？课程不同于其它课程的特点是什么？重点需要掌握哪些内容？1.半导体二极管及其应用思考题1．常用的半导体材料有哪两种？半导体导电与金属导电有什么不同之处？2．本征半导体与掺杂半导体有哪些不同之处？P型与N型半导体的特性是什么？3．PN结是如何形成的？PN结最重要的特点是什么？4．二极管的特性是什么？硅管和锗管的伏安特性有何不同之处？5．为什么二极管的反向饱和电流受环境温度的影响比较大？硅管和锗管相比较，哪种管子的反向电流受温度影响更大？6．什么是稳压管？稳压管的工作条件是怎样的？限流电阻的大小可以任意选取吗？2. 晶体管及放大电路基础思考题1.晶体管的结构是怎样的？晶体管的四种工作状态是什么？为什么晶体管会完成电流放大作用？2.共射极放大电路的组成有什么特点？信号是如何被放大的？3.什么是放大电路的静态和动态？静态分析应采用哪种电路？而动态分析需要借助哪种电路？4.什么是非线性失真？包括哪两种类型？如何克服非线性失真？5.共射极放大电路的特性及主要动态指标如何计算？6.共集电极放大电路和共基极放大电路的特性是什么？如何计算动态指标？7.多级放大电路耦合方式有哪几种？各自有哪些特点？如何计算多级放大电路的静态和动态指标？8.什么是频率失真？与放大电路的非线性失真有区别吗？放大电路的上限截止频率与下限截止频率都受电路哪些参数影响？3. 场效应管及其放大电路思考题1.场效应管有哪些类型？它们在结构和特性上各有什么特点？2.为什么场效应管导电沟道出现预夹断后，其漏极电流达到恒定？3.场效应管放大电路有哪些偏置方式？不同类型的场效应管的偏置一样吗？4.场效应管放大电路有哪三种类型？各自的特点和动态特性？5.比较场效应管放大电路与晶体管组成的基本放大电路各有什么特点？4. 集成运算放大器思考题1.集成运算放大器为什么要采用直接耦合放大电路？直接耦合放大电路最大的问题是什么？2.零点漂移产生的主要原因是什么？如何克服零点漂移？3.差模信号和共模信号有什么区别？差分放大电路为什么可以抑制共模信号而放大差模信号？4.怎样把任意输入信号分解为差模分量和共模分量？5.差分放大电路有哪几种输入和输出方式？它们的静态和动态参数计算方法有何异同？6.典型差分放大电路中，发射极公共电阻R E的作用是什么？是否此电阻可以无限增大？7.集成运放由哪几个部分组成？各部分的作用是什么？5. 反馈和负反馈放大电路思考题1.什么是反馈、正反馈、负反馈、交流反馈与直流反馈？2.如何用瞬时极性法判断反馈极性？3.什么是电压反馈、电流反馈、串联反馈与并联反馈？如何判断反馈的类型？4.什么是深度负反馈？负反馈对放大电路的性能有哪些影响？5.如何计算深度负反馈放大电路的反馈增益或反馈电压增益？6．集成运放组成的运算电路思考题1.反相输入加法电路与同相输入加法电路有什么区别，各有什么优点？2.实现减法运算有几种方案可供选择？3.在实际应用中，使用积分运算和微分运算电路时需要注意哪些问题？4.如何用对数和反对数运算电路构成模拟乘法器？你能用乘法器和运算放大器构成哪些应用电路？5.集成运算放大器选型和使用时要注意哪些问题？7. 信号检测与处理电路思考题1.测量放大器与一般的放大器相比有哪些特点？2.隔离放大器的作用是什么？应用于哪些测量？3.滤波器的功能是什么？什么是有源滤波器？低通和高通有源滤波器的电路结构和幅频特性是什么？4.理想运放工作于线性区和非线性区各有何特点?分析方法有何不同。
电子技术基础 模拟部分 课后复习思考题答案
R2 10 R1
解 ： 当 vi 1V 时，有
vi 2mA ，R1 0.5kΩ， R2 5kΩ R1
取 R1 510Ω ，R2 5.1kΩ
第三章 二极管及其基本电路
一、填空题： 1．制作电子器件的常用材料主要采用 硅和锗 。 2．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3． 本征半导体是指 完全纯净的、 结构完整的半导体晶体 。 P 型半导体中的少子是 电子 ， 多子是 空 穴 ， N 型半导体中的少子是 空穴 ，多子是 电子 。 4．半导体中参与导电的有 两 种载流子，分别是 电子 和 空穴 ，导体中参与导电的有 一 种载流 子，是 电子 。 5．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流 IS 将增大，这是因为此时 PN 结内部的 B 。 A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 6．半导体 PN 结中内电场 E，是由 空间电荷区 产生的，当将 反向 电压加在 PN 结两端时，其 PN 结内 电场 E 增强。PN 结 不易 （不易/容易）导通。 7．二极管导通时，其正向电压应该比门坎电压 高 （高/低） ，硅管的正向导通电压约为 0.7 V，锗管的 正向导通电压约为 0.2 V。
电压增益 20lg Av dB 、 电流增益 20lg Ai dB 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为 10pA 时，输出为 500mV，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解：
8．设 计 一 反 相 放 大 器 ，电 路 如 图 所 示 ，要 求 电 压 增 益 A v = v o / v i =- 10 ，当 输 入 电 压 v i =- 1V 时 ， 流 过 R 1 和 R 2 的 电 流 小 于 2m A ， 求 R 1 和 R 2 的 最 小 值 。
模拟电子技术基础-第五版-总结、习题课
（3）由 UZ UBE3 UO
R5
可得
R4 RP R5
(UZ UBE3) R 4 R5 UO (UZ UBE3) R 4 RP R5
R5
R5
总结习题课 - 7
10.12 习题解答
10.12 电路如图P10.12所示，已知稳压管的稳定电压 为 6V ， 最 小 稳 定 电 流 为 5mA ， 允 许 耗 散 功 率 为 240mW；输入电压为20～24V，R1＝360Ω。试问：
UO1≈( 1.3V)
UO2＝( 0 )
UO3≈( －1.3V)
UO4≈( 2V )， UO5≈( 1.3V)， UO6≈( －2V)
稳压二极管
在正向特性区和反 向截止区稳压管特性曲线 与普通二极管的特性曲线 基本一样。
在反向击穿区，稳压 管特性曲线更加陡直。
即UBR几乎为定值（作为UZ）；或当∆UZ有微小 变化时， ∆IZ有很大变化。利用此特性稳压管工作在 反向击穿区时起稳压作用。
总结习题课 - 1
已知UZ＝6V， UBE＝0.7V， R1＝R2＝R3＝300Ω， UI＝24V
1）UO≈24V； >>>>>>>>（1）T1的c、e 短路； 2）UO≈23.3V； >>>>>>>>（2）Rc 短路； 3）UO≈12V且不可调； >>>>>>（3）R2 短路； 4）UO≈6V且不可调； >>>>>>（4）T2的b、c 短路； 5）UO可调范围变为6～12V。>>>>>（5）R1 短路。
IL=UZ/RL=12mA
高教版《模拟电子技术基础(第五版)课程讲义复习要点第6章复习
（b）
课堂练习：
一、 理想运放构成如图T6-9所示电路，试写出uO 与 u I 的关系式。
R4
uI1
R1
uI2
R2
A1
uo1 R5
A2
uO
R3
R6
C
图T6-9 题6-10图
二、 电路如图所示，设所有运放均为理想运放。图中， u1=0.6V，u2=0.4V，u3=－1V。 1、A1、A2、A3、A4各构成什么运算电路？ 2、试求uO1=？uO2=？uO3=？ 3、设电容两端的初始电压为2V，极性如图中所示，求使 uO4=－6V所需的时间t=？
七、熟练掌握电压比较器的工作原理及典型电压比较器的分析 方法。
6-8 理想运放组成如图T6-7（a）所示电路，其输入电压波形 如图T6-7（b）所示，当t 0 时，uO 0
试画出输出电压 uO 的波形。
R1
uI 1k
R
C
1μF
A
uI V
2
uO
0 10 20 30 40
t ms
-2
（a）
图T6-7 题6-8图
第六章 集成运算放大器复习
一、 集成运放工作在线性区的电路特征
必须要在电路中引入深度负反馈
二、 理想运放在线性工作区的特点
“虚短” “虚断
“虚地
三、 分析理想运”放运算电路的”思路
1、确定uP：对同相端列KCL方程； 2、确定uN：利用“虚短”的概念 ； 3、求输出电压uO：对与输出相关联的端列KCL方程即可。
对多级运放电路，从左到右逐级完成分析。
四、熟练掌握由运放实现的比例、加法、减法、加减、积分等 线性运算电路的分析。 （注意记住常用运算电路的电路结构及输出电压表达式，注 意P159页表6-2-1）
电子技术基础(模拟部分)(第5版)习题全解
电子技术基础（模拟部分）（第5版）习题全解电子技术基础（模拟部分）（第5版）习题全解电子技术基础（模拟部分）（第5版），是电子工程师必备的习题书。
本书辅以详细的计算与推导，指出常见的模拟电路解决方案。
本文将就第5版书中提供的习题做出讲解，全面解析如下：一、多电平传输技术1、模拟传输中可产生的不同电平：当输入信号的相位发生变化时，可在输出信号电平上产生多种不同的变化。
当高低电平有跃变时，其输出信号就会涵盖多种电平，比如2电平、4电平、8电平等。
2、多电平传输的使用：多电平传输技术的种类极其多样，可满足不同的传输需求。
比如，可应用于4G LTE、WiMax、802.11b/g/n、商业双向宽带、无线局域网、IEEE802网络、自适应宽带等。
二、脉冲宽度调制技术1、基本概念：脉冲宽度调制（PWM）是模拟电子技术中一种重要的调制技术，通过更改输出的脉冲宽度来表示信号的不同变化。
2、技术应用：PWM技术可用于模拟调制，比如可应用于伺服电机控制、音频放大器控制、功率放大器控制、绿色能源系统、直流调速系统等场景。
三、开关电源和交流-直流转换技术1、基本概念：开关电源是通过改变一个开关要么关闭要么打开来产生电压的电源，它可以快速的达到高效率以及高功率密度输出。
交流-直流转换技术则是借助半导体技术，将交流电变换成直流电的技术。
2、实际应用：开关电源和交流-直流转换技术广泛应用于各种电子设备，比如手机、笔记本电脑、LED显示屏、液晶显示器、电源模块、测试仪器、车载电子设备等领域。
四、模振荡器技术1、基本概念：模振荡器技术是模拟电子技术中重要的一项，它依靠振荡电路中固定的电路以及积分电容，从而获得交流振荡信号的技术。
2、应用场景：模振荡器技术具有很好的应用前景，它可以用于模拟信号发生器、信号补偿技术、ADC输入和DAC输出、声音编解码技术等领域。
综上所述，电子技术基础（模拟部分）（第5版）书中提供的习题涵盖广泛，从多电平传输技术、脉冲宽度调制技术、开关电源和交流-直流转换技术、模振荡器技术等形式，为读者全面深入的了解模拟电子技术提供帮助。
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矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。