第一章半导体二极管
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
7•电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。（）
8•电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载 电流较小的场合。（）
5.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A.少子B.多子
C.杂质离子D.空穴
6.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正
偏导通状态。
A.0B.死区电压
C.反向击穿电压D.正向压降
7.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）o
A.温度B.掺杂工艺
C.掺杂浓度D.晶体缺陷
8.硅管正偏导通时，其管压降约为（）o
2.二极管在反向电压超过最高反向工作电压Urm时会损坏。（）
3.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）
4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
5.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）
6.变压器中心抽头式全波整流电路，二极管承受的反向峰值电压为.2V20（）
11•两个硅稳压管，UZ1=6V, U2=9V,下面那个不是两者串联时可能得到的稳压 值（）。
A.15 VB. 6.7V
C. 9.7VD.3 V
12.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（
)
A.左移，下移
B.
右移，上移
C.左移，上移
D.
右移，下移
13.如图，V为理想二极管
()
二、判断题
1.二极管在工作电流大于最大整流电流If时会损坏。（）
第一章半导体二极管
一、单选题
1.如图，V为理想二极管 （）
AV导通，Vab=0Vo
BV导通，VAb=15V0
CV截止，VA百度文库=12V0
DV截止，VAb=3V0
A.小于，大于B.大于，小于
C.大于，大于D.小于，小于
3. 下列符号中表示发光二极管的为（）
A. Id= 0B.Id<Iz且Id>Izm
C.Iz>Id>IzmD.Iz<Id<Izm
A 0.1VB 0.2V
C 0.5VD 0.7V
9•在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极
管承受的最大反向电压为（）
A.10VB.102V
C.10/2VD.20V
10•桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V,此时，输出的电压约为
（）
A.24VB.18V
C.9VD.28.2V
8•电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载 电流较小的场合。（）
5.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A.少子B.多子
C.杂质离子D.空穴
6.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正
偏导通状态。
A.0B.死区电压
C.反向击穿电压D.正向压降
7.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）o
A.温度B.掺杂工艺
C.掺杂浓度D.晶体缺陷
8.硅管正偏导通时，其管压降约为（）o
2.二极管在反向电压超过最高反向工作电压Urm时会损坏。（）
3.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）
4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
5.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）
6.变压器中心抽头式全波整流电路，二极管承受的反向峰值电压为.2V20（）
11•两个硅稳压管，UZ1=6V, U2=9V,下面那个不是两者串联时可能得到的稳压 值（）。
A.15 VB. 6.7V
C. 9.7VD.3 V
12.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（
)
A.左移，下移
B.
右移，上移
C.左移，上移
D.
右移，下移
13.如图，V为理想二极管
()
二、判断题
1.二极管在工作电流大于最大整流电流If时会损坏。（）
第一章半导体二极管
一、单选题
1.如图，V为理想二极管 （）
AV导通，Vab=0Vo
BV导通，VAb=15V0
CV截止，VA百度文库=12V0
DV截止，VAb=3V0
A.小于，大于B.大于，小于
C.大于，大于D.小于，小于
3. 下列符号中表示发光二极管的为（）
A. Id= 0B.Id<Iz且Id>Izm
C.Iz>Id>IzmD.Iz<Id<Izm
A 0.1VB 0.2V
C 0.5VD 0.7V
9•在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极
管承受的最大反向电压为（）
A.10VB.102V
C.10/2VD.20V
10•桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V,此时，输出的电压约为
（）
A.24VB.18V
C.9VD.28.2V