电工学第一章习题
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电工学第一章习题
一、填空题:
1. PN结的单向导电性指的是。
2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压U BE分别为V和V。
3. 晶体三极管有两个PN结,分别是和,分三个区域区、区和区。
4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为状态。
5. 物质按导电能力强弱可分为、和。
6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是型半导体,其多子为。
7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是:V1=2V,V2=1.7V,V3=-2.5V,可判断该三极管管脚“1”为极,管脚“2”为极,管脚“3”为极,且属于材料型三极管。
8.电阻始终是元件。电容和电感是元件,它们不消耗电能。电容可以把电能转换成存储和释放;电感可以把电能转换成存储和释放。
9.当晶体管处在放大状态时,发射结,集电结。对于PNP型晶体管来说,集电极
C、基极B、发射级E的电压关系满足,对于NPN型晶体管来说,集电极C、基极
B、发射级E的电压关系满足。
10.对于某一元件,关联参考方向下,如果P<0,则该元件(吸收或发出)功率,(消耗或提供)电能,起(负载或电源)作用。
11. 电路如图所示,欲使电压源输出功率为零,则电
阻R为____, 所吸收功率为______W。
12.电路一般由、、和控制装置四个部分组成。
13电路中某点的电位与参考点的选择,两点间的电压与参考点的选择。
14.电路通常有、和三种状态。
15. 电路图上标示的电流、电压方向称为,假定某元件是负载时,该元件两端的电压和通过元件的电流方向应为方向。
二、选择题
16.晶体管能实现放大的内部结构条件是()。
A.两个背靠背的PN结
B.空穴和电子都参与了导电
C.有三个掺杂浓度不一样的域
D.发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,并且基区很薄,集电结面积比发射结大
17.已知图1所示电路中的US =10 V,IS = 13 A。电阻R1 和R2 消耗的功率由( )供给。(a) 电压源
(b) 电流源
(c) 电压源和电流源
18.在电感性负载两端并联一定值的电容,以提高功率因素,下列说法正确的是()。
(A)减少负载的工作电流
(B) 减少负载的有功功率
(C)减少负载的无功功率
(D) 减少线路的功率损耗
19.关于电位下列说法不正确的是( )。
A、参考点的电位为零,VX某点电位为正,说明该点电位比参考点高;
B、参考点的电位为零,VX某点电位为负,说明该点电位比参考点低。
C 、选取不同的参考点,电路中各点的电位也将随之改变;
D、电路中两点间的电压值是固定的,与零电位参考点的选取有关。
20.图中a、b间的等效电阻R
ab为:()
A)2Ω;
B)6Ω;
C)14Ω。
21.电路如图所示, US为独立电压源, 若外电路不变, 仅电阻R变化时, 将会引起( )
A. 端电压U的变化
B. 输出电流I的变化
C. 电阻R支路电流的变化
D. 上述三者同时变化
22.电流源开路时,该电流源内部()。
A.有电流,有功率损耗
B.无电流,无功率损耗
C.有电流,无功率损耗
23.稳压二极管工作在伏安特性的()
A、死区
B、正向导通区
C、反向截止区
D、反向击穿区
24.如图一所示,电源E1=6V,E2=12V,电阻R1=R2=R3=R4=R5,那么电阻R3两端
的电压为()
A、6V
B、4.5V
C、4V
D、2V
三、简答题
25.如何判断元件在电路中起负载作用还是电源作用。
26. 简述电压源的特性。
27.简述晶体管处于放大状态时具有的电压电流特性。
28.试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时,三极管中的两个PN结所具有的特点。
四.判断题
29. 理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。()
30. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。()
31. 绝缘体两端的电压无论再高,都不可能通过电流。()
32. 在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。()
33. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。()
五、计算题
34.应用等效电源的变换,化简下图所示的各电路。
35. 试用电源等效变换的方法,求下图所示电路中的电流I。
36.在如图所示电路中,设D为理想二极管,已知输入电压ui的波形。试画出输出电压uo的波形图。
37.图示为硅三极管在工作时实测的各极对地电压值。试根据各极对地电压判断三极管的工作状态。
38.已知电路如图所示,试求a、b两端电阻。
39.用直流电压表测某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别是如图所示。试指出每只晶体管的E、B、C极,以及类型和材料。
40.写出下图所示各电路的输出电压值,设图中二极管都是理想的。
答案:
一.填空题
1.PN结正向偏置时导通,反向偏置时阻断的特性
2. 0.7 0.3
3.发射结集电结饱和放大截止
4.饱和截止放大
5.导体绝缘体半导体
6.P空穴
7.基发射集电锗PNP
8.耗能储能电场能磁场能
9.正偏反偏V E>V B> V C V C>V B>V E10.发出提供电源11.6 24 12.电源(信号源)负载电源与负载之间的连接部分13.有关无关 14.通路开路短路15.参考方向关联参考
二.选择题
16.D 17.C 18.D 19.D 20.B 21.C 22.C 23.C 24.B
三.简答题
25.答:当元件的电压和电流参考方向为关联参考方向时,若P>0,元件吸收功率,在电路中消耗能量,相当于负载;若P<0,元件发出功率,在电路中相当于电源,向外提供能量。当元件的电压和电流参考方向为非关联参考方向时,若P>0,元件发出功率,向电路提供能量,相当于电源;若P<0,元件吸收功率,在电路中相当于负载,在电路中消耗能量。
26.答:(1)电压源两端的电压不随外接电路的变化而变化;
(2)流过电压源的电流取决于电压源外接的电路。
27.答:(1)对于PNP型晶体管来说,集电极C、基极B、发射级E的电压关系满足V E>V B>V C,对于NPN型晶体管来说,集电极C、基极B、发射级E的电压关系满足V C>V B>V E;
(2)I C=βI B,I E=I B+I C=(1+β)I B,I C≈I E≫I B
28.三极管工作在放大工作状态时,集电结反偏,发射结正偏。
三极管工作在饱和工作状态时,发射线和集电结均正偏。
三极管工作在截止工作状态时,发射线和集电结均反偏。
四.判断题
29-33 ×××√×
五.计算题
34.