工艺整合工程师个问答题(ppt)

6.0.35um→0.25um→0.18um→0.15um→0.13um
的technology改变又代表的是什么意义？
l 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代 表半导体工艺水平的高低）做的越 小时，工艺的难度便相对提高。从
0.35um→0.25um→0.18um→0.15um → 0.13um 代表着每一个阶段工艺能 力的提升。
7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可 区分为N,P两种类型（type）,何谓 N,
P-type wafer?
l 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素， 例如：P、As)的硅片, Ptype 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
10.Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的 是为何？
l 答：①不希望有机成分的 光刻胶直接碰触Si 表面。
l ②在laser刻号过程wenku.baidu.com,亦 可避免被产生的粉尘污染。
11.为何需要zero layer?
l 答：芯片的工艺由许多不同 层次堆栈而成的, 各层次之间 以zero layer当做对准的基准。
12.Laser mark是什么用途? Wafer ID 又代表什么意义?
l 答：Laser mark 是用来刻wafer ID（ID是英文IDentity的缩写,ID 是身份标识号码的意思. ）, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个 ID代表一片硅片的身份。
13.一般硅片的制造(wafer process) 过程包含哪些主要部分？
18.在STI 的形成步骤中有一道liner oxide（线 形氧化层）, liner oxide 的特性功能为何？
4.我们为何需要300mm?
l 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成 本降低200→300 面积增加2.25倍, 芯片数目约增加2.5倍
8〞
12〞
200mm
300mm
Increase in Number of Chips on Larger Wafer Diameter
l ③栅极(poly gate)的形成
④源/漏极（source/drain）的形成 ⑤硅化物(salicide)的形成
15.STI 是什么的缩写? 为何需要STI?
l 答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)， STI可以当做两个组件 （device）间的阻隔, 避免 两个组件间的短路.
l 答：8吋硅片(wafer)直 径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋。
3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm 的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)
采用多少mm的wafer工艺？
l 答：当前1~3厂为200mm(8英寸) 的wafer, 工艺水平已达0.13um 工艺。未来北京厂工艺wafer将 使用300mm(12英寸)。
l 答：①前段（frontend）-元器 件(device)的制造过程。②后段 （backend）-金属导线的连接 及护层（passivation）
14.前段（frontend）的工艺大致 可区分为那些部份?
l 答：①STI的形成(定义AA区域及 器件间的隔离)②阱区离子注入 （well implant）用以调整电性
光刻概念
Wafer start
Unpatterned wafer
Completed wafer
Wafer fabrication (front-end)
Thin Films
Polish
Diffusion
Photo
Etch
Test/Sort
Implant
光刻占成本１／３
9.一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数 (mask layer)来代表硅片工艺的时间长短， 请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表 什么意义？ l 答：几P几M代表硅片的制造有几层的 Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线). 一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的 Poly和6层的metal)。而光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的 PHOTO（光刻）
16.AA 是哪两个字的缩写? 简单说明 AA 的用途?
l 答：Active Area, 即有源区， 是用来建立晶体管主体的位 置所在，在其上形成源、漏 和栅极。两个AA区之间便是 以STI来做隔离的。
17.在STI的刻蚀工艺过程中， 要注意哪些工艺参数？
l 答：①STI etch（刻蚀）的角 度；②STI etch 的深度；③ STI etch 后的CD尺寸大小控 制。(CD control, CD=critical dimension)
8.工厂中硅片（wafer）的制造过 程可分哪几个工艺过程(module)？
l 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、 PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF 又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离 子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理 气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机 械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断 的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产 过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。
88 die 200-mm wafer
232 die 300-mm wafer
目的：降低成本
5.所谓的0.13 um 的工艺能力 (technology)代表的是什么意义？
l 答：是指工厂的工艺能力 可以达到0.13 um的栅极线 宽。当栅极的线宽做的越 小时，整个器件就可以变 的越小，工作速度也越快。
工艺整合工程师个问答题(ppt)
1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什么?
l 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的 资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield） 稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?