电容式触屏传感器原理

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Sub Title
一维电容触摸屏
二维电容触摸屏
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一维电容触摸屏
一维电容触摸屏等 效电路的小单元
Sub Title
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一维电容触摸屏
Sub Title
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二维电容触摸屏
这个方程与式(2.5)的 二维电容触摸稳定 时的形式是一致的。 式(3.1)和式(3.5)都是分析触摸稳定的
情况的特S解u。b Title
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六、电容触摸屏传感器的应用
Sub Title 1997年,摩托罗拉推出PalmPilot掌上电脑
--电阻式触摸屏,触摸笔输入,需要压力 --有事不能正确识别触摸位置,需要重新校准
2003年,LG退出Prada(KE850)多点触摸手机 --电容式触摸屏,无需压力 --精度好,无需校准 --屏幕强度高,不易损坏 2007年,苹果公司推出iPhone电容式全屏多点触摸手机 --免触笔无按键全屏触摸开创触屏手机新纪元 --进入从单点到多点触摸的新时代
标的过程,而不同的电容触摸屏结构,对应着不同的触摸电 流的输出模式,因此,不同的电容触摸屏具有不同的坐标定 位算法,不同的计算方法引起的触摸位置误差不一样,这就 影响着电容触摸屏线性度。本节分析电容触摸的坐标定位原 理。
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一维电容触摸屏的坐标定位原理
Sub Title
根据这个理论计算模型,式(2.5)可以写成:
一、电容传感器触摸屏原理
Sub Title
触摸屏有两种状态,第一个状态是无触摸动作,即手指与触摸面没有 接触,电容触摸屏的所有电极是同样的电势,触摸面是等势面,电极没有 触摸电流;第二个状态是有触摸动作,即手指与触摸面接触,人体与触摸 面形成一个耦合电容。在高频信号作用下,该耦合电容器相当于导体,此 时手指吸走小部分电荷,形成一个微小的触摸电流,通过检测器检测电极 输出的触摸电流,并根据电容触摸屏坐标定位算。
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Thank You!
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触摸屏的线性度分析
Sub Title
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六、电容触摸屏传感器的应用
研制背景:
Sub Title
在 20 世纪 70 年代,美国科学家研制了一种方便控制的
智能化瞄准调节器,该调节器能够通过手指触摸调节显示器
屏幕来控制其视野中的十字坐标位置。其采用电阻触控技术
,标志着最早的电阻触控技术的诞生,主要应用于军事和高
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三、电容触摸屏的等效电路
研究电容触摸屏的工作过程,实质上就是研究电子在ITO导电膜内的分配和传输的过程,在上 节中我们从微观角度分析了。理想的电容触摸屏可以看成一个电阻均匀分布的网络屏,从宏观角 度分析,电容触摸屏可以等效为一个由电阻组成的电路,根据等效电路可以对电容触摸屏的电压 分布进行分析。
新技术领域。
直到 20 世纪 80 年代,该技术开始转移到民用方面,其
应用的领域得到迅速发展。
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六、电容触摸屏传感器的应用
Sub Title
现在主要应用的领域有: 房地产信息查询系统、车辆管理系统和交通信息查询系统
等信息产业方面;电视电话会议控制系统、酒店管理查询系统 和会议日程安排等商务管理方面;银行自动存取款机、股票信 息查询平台等金融行业方面;工业生产车间控制平台、物流管 理控制系统等工业生产方面;图书检索平台、旅游信息查询、 游戏机控制平台、移动通信设备等公共信息方面。

和工作边界的格林函数:
当t趋于无穷时,可得:
可得 y 方向的坐标定位方程:
百度文库 ,
二维电容触摸屏的坐标定位算法
Sub Title
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二维电容触摸屏的坐标定位算法
Sub Title
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五、线性度的计算方法
响应评时价间触、摸使屏用的寿性命能、好线坏性的度指。标对参于量电有容S:触u光摸b透屏T过来it率l说e、,分存辨在率的、
一种透明的导电体。 薄的ITO材料透明性好 ,但是阻抗高;厚的 ITO材料阻抗低,但是 透明性会变差。
电容触摸面板的结构: 由上至下排列,上PET保护层,膜厚约 175µm~188µm,防止刮擦ITO导电膜; Ag电极层,厚度约 0.1mm~0.5mm,引出触摸电流;上表面ITO导电膜层,膜 厚约 1µm~1.5µm,产生工作电场;glass玻璃层,厚度约 0.7mm~1.5mm,作 为ITO导电膜的衬垫;下表面ITO导电膜层,膜厚约 1µm~1.5µm,屏蔽显示器 的电场干扰;下PET绝缘层,膜厚约 175µm~188µm,防止刮擦ITO导电膜。
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四、电容触摸屏的定位原理
不同的输入设备具有不同的坐标定位原理,坐标定位原 理是输入信号与输出信号之间的一种对应关系,直接影响着 输入设备的坐标定位精度。常见的坐标定位方法有极坐标和
直电角容坐触标摸两屏种的,坐触标摸 定屏 位应 就是用用的输是出静的态信的号直S来角u表坐b 示标Ti触定tl摸位e点方的法坐。
电容式触屏传感器原理
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目录
1.电容触摸原理 2.电容触摸屏的电场计算 3.电容触摸屏的等效电路 4.电容触摸屏的定位原理 5.线性度的计算方法 6.电容触摸屏传感器的应用
一、电容传感器触摸屏原理
ITO:ITO 是铟锡氧化
Sub Ti物tl的e英文缩写,它是
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二、电容触摸屏的电场计算
等效微元模型
分别是x正方向、x负方向、y正
方 位向 时、 间y单负位方面S向积u、的bz方电向T子的数it电目le流,q是面电密子度的,电n是量触摸点单
根据总的电荷守恒建立方程:
对上式求微商: 由电容触摸面板的结构及 工作条件可知:
联立以上关系式可得: 求解这个方程,我们就知道电容触摸屏的电场分布规律.
最大问题就是触摸的位置误差较大。因此,线性度是电容触摸 屏的一项重要的性能指标。
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位置误差
Sub Title
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线性度
线性度:是一个衡量触摸屏检测输出位置Su与b实际Ti触tl摸e位置的线性
关系的性能指标,通常用均方根非线性位置误差来计算线性度
式中
表示x方向上的均方根非线性位置误差, 分别表示第i个触摸点的实际位置坐标值、触摸屏检测输出坐标值。
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