主板性能参数的指标

主板性能参数的指标
主板性能参数的指标

主板性能参数

主板

主板是一块连接电脑各部件的电路板,主板的好坏,直接影响着电脑的稳定性,

一主板的分类

1 架构

socket370 >>>pentium 3 celeron 2 celeron 3

socket478 >>>pentium 4 celeron 4

socket775 >>>p6X0---- celeron D (775)

socket462 >>>athlon xp sempron

socket754 >>>athlon 64 *sempron 64

socket939 >>>athlon 64

2 结构

1] AT 不支持高级电源管理

2] ATX 支持高级电源管理

目前,我们使用的大多是ATX架构主板.

3 芯片组

1]INTEL

I81X >>>pentium 3 celeron 2 celeron 3

I84X >>>pentium 4 celeron 4

I86X >>>pentium 4 C pentium 4E

I87X >>>pentium 4 C pentium 4E

I915 >>>P6X0 C D(775)

I945 >>>P8X0 (双核心)

2]VIA 威盛

pt系列: >>>>INTEL

KT系列: >>>>AMD

KT600 >>>athlon xp sempron

K8T800 >>>athlon 64 sempron 64

3]SIS

4]nVIDIA

nfore 2 >>>athlon xp sempron

nfore 3 >>>athlon 64 sempron 64

nfore 4 >>>athlon 64 sempron 64 二,主板的结构图

三主板厂商

◇Intel *

◇ASUS(华硕)*

◇Abit(升技)

◇Asrock(华擎)*

◇BIOSTAR(映泰)

◇ECS(精英)

◇EPoX(磐正)*

◇Foxconn(富士康)

◇GIGABYTE(技嘉)*

◇Gamen(冠盟)

◇HASEE(磐英)

◇Jetway(捷波)

◇LEMEL(联强)

◇MSI(微星)*

◇ONDA(昂达)

◇SOLTEK(硕泰克)

◇Seethru(七彩虹)*

◇Spark(斯巴达克)*

◇UNIKA(双敏)

◇soyo(梅捷)

◇Jwele(杰微)

◇PCCHIPS(精威)

◇QDI(科迪亚)

控制芯片组

1。I810芯片组

I810芯片组是intel1999年推出的新型整合主板芯片组,内置图形存储控制集线器,带有音频解码控制器,AC'97,支持有133MHZ总线速度和PC133内存。

2。I815芯片组

支持AGP4X、PC133内存及ATA66/100技术,整合了2D和3D加速芯片和支持AC'97的音频芯片,还支持额外的AGP接口。外带2个USB接口和4声道输出接口。

3。I815E/I815ep

i815E的ICH(输入输出控制器中心)为82801BA(ICH2),支持DMA/100硬盘传输技术。在主板AGP 插槽上还可以插上一根可以称为“扩展显存”的AIMM条,从而提高集成显示芯片的图形处理性能,i815EP 是intel推出的首款不带显示功能的芯片组,在功能与intel的前两款I815芯片组相同,

4。i820芯片组

主要是面向商业和e-home市场,针对高端用户而设计,其最大特点是支持Rambus内存,内存频率高达300-400MHZ,带宽可达S,支持标准的PC133规范,AGP 4X、dma/66。

5。i845芯片组

i845支持普通的SDRAM,还支持最大3GB的内存,i82801BA的南桥支持4个版的USB接口,两个A TA100 IDE接口,133MBPS的PCI总线,6声道AC'97声卡,

6。i845D

采用与i845完全相同的技术架构,惟一不同的是增加了对DDR SDRAM的支持,支持400MHZ的FSB,

7。i845E

真正的支持533MHZ的系统总线。南桥芯片是ICH4,其内部提供了对的支持,最多支持6个USB接口。还集成了10/100Mbps以太网网络功能、6声道音效等。

8。i845G/GL

intel填补了在P4整合型芯片组上的空白,支持533MHZ前端总线的,南桥芯片是ICH4,

i845GL和i845G最大的不同在于i845GL不支持外接AGP4X显卡,另外,i845GL也只支持400MHZ的前端总线,不支持533MHZ FSB。

9 i850

是第一款支持P4的芯片组,支持400MHZ的FSB,最大2G的双通道RAMBUS PC800内存提供高达的内存带宽,采用“四倍率传输技术”,可以在一个周期内传输4次数据。支持4个版的USB接口、两个AT A 100 IDE接口,6声道的AC'97声卡。

10 i850E

最大的特点就是支持533MHZ的FSB,

845pe技术规范

支持Intel Pentium4 处理

提供400/533MHz 系统前端总线

Intel 最新的Hyper-Threading Technology(超线程技术)

支持AGP 2X/4X

支持最多DDR200/266/333 SDRAM

支持网络唤醒功能

内建AC-97控制芯片

内建10/100M以太网络适配器

支持ATA 33/66/100/磁盘传输界面

支持6个USB 接口

865技术规范

芯片组Intel 865

支持CPU类型Celeron D/P4/PD

超线程技术支持

前端总线频率533/800MHz 挑错(30分)

板载音效ALC655 6声道声卡

网卡芯片RealTek RTL8100C 10/100Mbps

板载RAID 无

支持内存类型DDR PC2100/PC2700/PC3200 最大容量4GB

双通道内存支持

内存插槽4*DDR DIMM

显卡接口标准AGP 8X

硬盘接口标准ATA 66/100+2xSATA

芯片:架构内存FSB USB 硬盘集成声卡集成显卡集成网卡超线程双通道显卡总线磁盘阵列

845 478 SDRAM 400Mhz ATA 有无无不支持不支持AGP

845D 478 DDR 400Mhz ATA 有无无不支持不支持AGP

845E 478 DDR 533Mhz ATA 有无无不支持不支持AGP

845G 478 DDR 533Mhz ATA 有有无不支持不支持AGP

845PE 478 DDR 533Mhz ATA 有无有支持不支持AGP

848P 478 DDR 800Mhz ATA 有无有支持不支持AGP

865PE 478 DDR 800Mhz ATA/S_ATA 有无有支持支持AGP 支持915 775 DDR/DDRII 800Mhz ATA/S_ATA 有无有支持支持PCI_E

主要材料设备及关键部件主要技术性能

主要材料设备及关键部件主要技术性能、配置情况、 技术参数的详述细描述 一、光源及灯具 为保证灯具和光源的产品质量和原装性能,现场设备安装之前,向发包人和监理提供整套的生产厂家出厂证明等资料。 1、光源 采用高效、节能、长寿命直管形高压钠灯。色温2100K。光源的性能要求应满足GB/T13259《高压钠灯》的规定。 配套提供符合国家标准的优质镇流器和启动器。 配套提供符合国家标准的优质补偿电容器,单灯经补偿后其功率因素≥0.95。 供货商应提供通过质量体系认证、保险公司责任保险等有效证件。 投标光源品牌:飞利浦(招标文件约定),NG250W高压钠灯,含单灯补偿电容。 2、灯具 功率:250W,高压钠灯 灯体:采用重型高压合金铸铝,表面经静电喷塑处理。 反光器:宽幅度多面体组合式设计,材质采用进口高纯铝板,壁厚应大于1.2mm;表面经氧化处理后镀膜,膜厚应大于7mm。 透明罩:采用高强度钢化玻璃,厚度大于5mm。 灯具采用硅橡胶密封圈,防护等级IP65. 灯体应能有效阻止外部污染物进入灯具。 灯具为快开结构,坚固件防腐等级符合户外0类要求。 灯具效率>70%。 投标人应提供所采用灯具的技术参数、性能指标及配光曲线等作为投标文件的附件。 灯具应配套小电容补偿装置,补偿后灯具功率因素应不小于0.95。 投标灯具品牌:凌燕,长1308mm,宽375mm,高396mm。 二、灯杆 灯杆高度10m(主杆9.1m),悬挑长度1.0m。 灯杆技术条件符合行业标准CJ/T3076-1998《高杆照明设施技术

条件》,并符合工程设计文件要求。 灯杆供货商必须持有生产许可证,其设计与制造必须符合国家标准GB50135《高耸结构设计规范》及GB50017《钢结构设计规范》。 灯杆采用材质其技术参数、性能指标不低于Q235-A;灯杆壁厚应大于4.5mm;灯杆为多边形椎体,灯杆焊接成型后应整体热镀锌后喷塑。要求在灯杆内预穿好路线用BV-2.5电线。 杆体截面各内角偏差不超过+1.5℃,边长误差不超过2mm,每10m灯杆,其轴线测量的直线度误差不超过0.5‰,灯杆的全长直线被误差不超过1‰。 多边形杆体由高强度优质钢板压制而成,为8边行椎体。材质及焊接质量符合相关标准要求。 灯杆底部设有维护门,应反防盗防水,配挂专用耐蚀锁。 灯杆底座带有法兰盘,法兰盘厚度应大于20mm,通过地销螺栓安装在基础上。 灯杆杆座内应焊有接地排架、接地螺栓等。 所有螺栓、螺帽等紧固件应采用不锈钢材质。 承包人应提供整体路灯样品一套,安装到位接线亮灯,经发包人认可后方可批量生产。 三、照明控制 在照明控制柜内设有微电脑路灯控制装置,对照明实现自动和手动控制。 路灯控制装置应以高速微处理器为核心,大屏幕LCD显示屏,轻触按钮操作,并带有背光,方便夜间观察和操作。 控制装置具有断电数据保存,时钟不间断工作,无需更换电池,维持时钟行十年以上。 控制装置应能根据经纬度计算开关时间,随季节变化合理控制,最小步长1分钟。 控制装置应具备光强度控制开关功能。 控制装置应具有独立检修按钮。 控制装置抗干扰能力强,能抵御从电网输入的幅值达2000伏的干扰脉冲。 路灯维护门内设有照明分路开关。 四、照明控制柜 配电柜采用不锈钢板弯制焊接制成,板厚不小于2.0mm。门打

主要技术性能指标及参数

主要技术性能指标及参数 序号项目名称项目特征描述计量 单位 数量 1 水平输送机1.带宽550,长10m, 2.输送功率4kw,升降,线速度≤s, 3.处理能力:50t/h。 台 1 2 升降输送机1.带宽550,长15m 或18m, 2.输送功率,升降,线速度≤s, 3.处理能力:50-80t/h 台 1 3 卸粮机1.带宽550,8S+4D, 2.输送功率4kw,线速度≤s, 3.处理能力:50-100t/h 台 1 4 电动行走装仓 机 1.带宽550,12+6、含电动行走,新式方向盘, 2.输送,升降3kw,伸缩,行走 台 1 5 探粮器1.主机功率:1800w; 2.电源:220 50hz; 3.不锈钢管直径28mm。。 台 1 6 分样器适用于小麦、玉米、大豆等颗粒粮食样品的等量分样台 1 7 快速水分检测 仪 1.测量范围:3~35%(因样品种类而异) 2.显示分辨率:%, 3.测量精度:水分:干燥法的标准误差为%以下(水 分低于20%的全部样品), 4.测量品种:小麦、玉米等多个品种; 5.重复性误差:≤±%,重量:内置电子天平, 6.温度:自动温度补偿。 台 1 8 小麦容重器1.容重器大工作称重:1000±2g ; 2.容重器小工作称重:100g ; 3.容重器分辨力:1g ; 4.容重筒容积:1000± ; 5.供电电源:220v; 6.工作条件环境温度5℃-40℃ 7.相对湿度<90%RH ; 台 1

8.测量方式:组合式测量 9 玉米容重器1.容重器大工作称重:1000±2g ; 2.容重器小工作称重:100g ; 3.容重器分辨力:1g ; 4.容重筒容积:1000± ; 5.供电电源:220v; 6.工作条件环境温度5℃-40℃ 7.相对湿度<90%RH ; 8.测量方式:组合式测量 台 1 10 天平1.称量范围0-200g; 2.读取精度; 3.重复性±; 4.线性误差±; 5.称盘尺寸Ф80mm; 6.输出接口RS232C; 7.外型尺寸34cm××35cm(长*宽*高); 8.电源AC 110-240V; 台 1 11 害虫显微镜1.产品倍数:40-1600倍; 2.产品材质:全金属材质; 3.产品光源:LED上下电光源; 4.供电方式:电池; 5.产品配置:广角目镜、倍增镜、标本移动卡尺; 6.具有精细调节及微调功能 台 2 12 地磅1.称台规格:宽米、长16米、10mm-12mm(+, 2.称重量:100t; 3.数字高精度30吨桥式传感器; 4.不锈钢外壳数字仪表; 5.不锈钢防浪涌10线接线盒;衡器专用?4#主线;5H 防水外显屏; 6.称重管理软件一套; 7.附件含台式电脑、打印机; 8.含称台基础。 台 1

用材料的性能参数

用材料的性能参数(硬铝、铸铁、Q235、不锈钢.....) ①YL108(YZAlSi12Cu2) 化学成分(质量分数)(%): 硅(11.0~13.0)、铜(1.0~2.0)、锰(0.3~0.9)、镁(0.4~1.0)、铁(≤1.0)、镍(≤0.05)、锌(≤1.0)、铅(≤0.05)、锡(≤0.01)、铝(余量) 抗拉强度 σb≥240 MPa 、伸长率δ(L0=50)≥1% 、布氏硬度HBS5/250/3≥ 90 ②YL112(YZAlSi9Cu4)化学成分(质量分数)(%): 硅(7.5~9.5)、铜(3.0~4.0)、锰(≤0.5)、镁(≤0.3)、铁(≤1.2)、镍(≤0.5)、锌(≤1.2)、铅(≤0.1)、锡(≤0.1)、铝(余量) 抗拉强度 σb≥240 MPa 、伸长率δ(L0=50)≥1% 、布氏硬度HBS5/250/3≥85 压铸铝合金主要特性:压铸的铁点是生产率高、铸件的精度高和合金的强度、硬度高,是少、无切削加工的重要工艺;发展压铸是降低生产成本的重要途径。③T7化学成分(质量分数)(%): C(0.65~0.75)、Si(≤0.35)、Mn(≤0.4)、S(≤0.030)、P(≤0.035) 主要特性:经热处理(淬火、回火)之后,可得到较高的强度和韧性以及相当的硬度,但淬透性低,淬火变形,而且热硬性低。 试样淬火:淬火温度(800~820℃)冷却介质(水)硬度值HRC≥62 ④T8化学成分(质量分数)(%): C(0.75~0.84)、Si(≤0.35)、Mn(≤0.4)、S(≤0.030)、P(≤0.035) 主要特性:经淬火回火处理后,可得到较高的硬度和良好的耐磨性,但强度和塑

主要性能参数

智能辅助驾驶(ADAS)测试能力构建申请 1 背景 JT/T 1094-2016营运客车安全技术条件要求,9米以上营运车应安装车道偏离预警系统和自动紧急制动系统。GB7258-2016送审稿中要求11米以上公路客车和旅游车客车应装备车道保持系统和自动紧急制动系统。为了满足法规需求和智能汽车未来发展趋势,我司汽车电子课也立项进行自动驾驶技术研究(QC201701030006),第一阶段预计17年底开发完成。 智能辅助驾驶是自动驾驶的低级阶段也是必经之路。现阶段,智能辅助驾驶主要包含FCW(前撞预警)、LDW(车道偏离报警)、AEB (自动紧急制动)LKA(车道保持)ACC (自适应巡航)。从功能的实现到批量商用需要经过软件仿真→硬件在环(HiL)→室内试验室→受控场地测试→开放公路测试这一历程。ADAS技术涉及主动安全,目前还不完全成熟,需要大量测试以提高产品精度和可靠性,为了降低委外测试费用,提高我司ADAS配置装车性能,道路试验课申请分阶段构建ADAS测试能力,包含人员培训和设备采购,本次申请主要是测试设备购买。 2 ADAS测试能力构建计划(2017-2020) 智能辅助驾驶测试设备要求精度高,价格昂贵,考虑到成本因素,建议分阶段构建测试能力,构建计划见表1 表1 ADAS能力构建计划 201 7 年 AD AS 测 试能构建计划 设备测试功能仅满足现阶段法规和研发需求,并考虑未来功能拓展性,能力构建见表2。试验用假车和假人采用自制方式,暂不购买;与汽车电子课协商,目前满足2车测试需求即可,暂不购买第三车设备;用于开放道路测试的移动基站暂不购买。 数据采集与分析用笔记本电脑建议单独购买,要求性能稳定,坚固耐用,抗震防水性好。配置要求:15寸屏幕,酷睿i7处理器,128G以上固态硬盘,500G以上机械硬盘。推 荐型号:tkinkpadT570,Dell的Latitude系列。

永磁材料基本知识

永磁材料基本知识 2006年08月26日星期六 08:56 1、什么是永磁材料的磁性能,它包括哪些指标? 永磁材料的主要磁性能指标是:剩磁(Jr, Br)、矫顽力(bHc)、内禀矫顽力(jHc)、磁能积(BH)m。我们通常所说的永磁材料的磁性能,指的就是这四项。永磁材料的其它磁性能指标还有:居里温度(Tc)、可工作温度(Tw)、剩磁及内禀矫顽力的温度系数(Brθ, jHcθ)、回复导磁率(μrec.)、退磁曲线方形度( Hk/ jHc)、高温减磁性能以及磁性能的均一性等。 除磁性能外,永磁材料的物理性能还包括密度、电导率、热导率、热膨胀系数等;机械性能则包括维氏硬度、抗压(拉)强度、冲击韧性等。此外,永磁材料的性能指标中还有重要的一项,就是表面状态及其耐腐蚀性能。 2、什么叫磁场强度(H)? 1820年,丹麦科学家奥斯特(H. C. Oersted)发现通有电流的导线可以使其附近的磁针发生偏转,从而揭示了电与磁的基本关系,诞生了电磁学。实践表明:通有电流的无限长导线在其周围所产生的磁场强弱与电流的大小成正比,与离开导线的距离成反比。定义载有1安培电流的无限长导线在距离导线1/2π米远处的磁场强度为1A/m(安/米,国际单位制SI);在CGS单位制(厘米-克-秒)中,为纪念奥斯特对电磁学的贡献,定义载有1安培电流的无限长导线在距离导线0.2厘米远处磁场强度为1Oe(奥斯特),1Oe=1/(4π×103) A/m。磁场强度通常用H表示。 3、什么叫磁极化强度(J),什么叫磁化强度(M),二者有何区别? 现代磁学研究表明:一切磁现象都起源于电流。磁性材料也不例外,其铁磁现象是起源于材料内部原子的核外电子运动形成的微电流,亦称分子电流。这些微电流的集合效应使得材料对外呈现各种各样的宏观磁特性。因为每一个微电流都产生磁效应,所以把一个单位微电流称为一个磁偶极子。定义在真空中每单位外磁场对一个磁偶极子产生的最大力矩为磁偶极矩pm,每单位材料体积内磁偶极矩的矢量和为磁极化强度J,其单位为T(特斯拉,在CGS单位制中,J的单位为Gs,1T=10000Gs)。 定义一个磁偶极子的磁矩为pm/μ0,μ0为真空磁导率,每单位材料体积内磁矩的矢量和为磁化强度M,其SI单位为A/m,CGS单位为Gs(高斯)。 M与J的关系为:J=μ0 M,在CGS单位制中,μ0=1,故磁极化强度与磁化强度的值相等;在SI单位制中,μ0=4π×10-7 H/m (亨/米)。 4、什么叫磁感应强度(B),什么叫磁通密度(B),B与H,J,M之间存在什么样的关系? 理论与实践均表明,对任何介质施加一磁场H时(该磁场可由外部电流或外部永磁体提供,亦可由永磁体对永磁介质本身提供,由永磁体对永磁介质本身提供的磁场又称退磁场---关于退磁场的概念,见9 Q),介质内部的磁场强度并不等于H,而是表现为H与介质的磁极化强度J之和。由于介质内部的磁场强度是由磁场H通过介质的感应而表现出来的,为与H区别,称之为介质的磁感应强度,记为B: B=μ0 H+J (SI单位制)(1-1) B=H+4πM (CGS单位制) 磁感应强度B的单位为T,CGS单位为Gs(1T=104Gs)。

材料性能参数

材料物理性能参数 表征材料在力、热、光、电等物理作用下所反映的各种特性。常用的材料物理性能参数有内耗、热膨胀系数、热导率、比热容、电阻率和弹性模量等。 内耗材料本身的机械振动能量在机械振动时逐渐消耗的现象。其基本度量是振动一个周期所消耗的能量与原来振动能量之比。测量内耗的常用方法有低频扭摆法和高频共振法。内耗测量多用于研究合金中相的析出和溶解。 热膨胀系数材料受热温度上升1℃时尺寸的变化量与原尺寸之比。常用的有线膨胀系数和体膨胀系数两种。热膨胀系数的测量方法主要有:①机械记录法;②光学记录法;③干涉仪法;④X射线法。材料热膨胀系数的测定除用于机械设计外,还可用于研究合金中的相变。 热导率单位时间内垂直地流过材料单位截面积的热量与沿热流方向上温度梯度的负值之比。热导率的测量,一般可按热流状态分为稳态法和非稳态法两类。热导率对于热机,例如锅炉、冷冻机等用的材料是一个重要的参数。 比热容使单位质量的材料温度升高1℃时所需要的热量。比热容可分为定压比热容cp 和定容比热容cV。对固体而言,cp和cV的差别很小。固体比热容的测量方法常用的有比较法、下落铜卡计法和下落冰卡计法等。比热容可用于研究合金的相变和析出过程。 电阻率具有单位截面积的材料在单位长度上的电阻。它与电导率互为倒数,通常用单电桥或双电桥测出电阻值来进行计算。电阻率除用于仪器、仪表、电炉设计等外,其分析方法还可用于研究合金在时效初期的变化、固溶体的溶解度、相的析出和再结晶等问题。 弹性模量又称杨氏模量,为材料在弹性变形范围内的正应力与相应的正应变之比(见拉伸试验)。弹性模量的测量有静态法(拉伸或压缩)和动态法(振动)两种。它是机械零部件设计中的重要参数之一。

手把手教你识别显卡主要性能参数

手把手教你识别显卡主要性能参数 手把手教你识别显卡主要性能参数 初识显卡的玩家朋友估计在选购显卡的时候对显卡的各项性能参数有点摸不着头脑,不知道谁对显卡的性能影响最大、哪些参数并非越大越好以及同是等价位的显卡但在某些单项上A 卡或者是N卡其中的一家要比对手强悍等等。这些问题想必是每个刚刚接触显卡的朋友所最想了解的信息,可以说不少卖场的销售员也正是利用这些用户对显卡基本性能参数的不了解来欺骗和蒙蔽消费者。今天显卡帝就来为入门级的显卡用户来详细解读显卡的主要性能参数的意义。 手把手教你识别显卡主要性能参数 关于显卡的性能参数,有许多硬件检测软件可以对显卡的硬件信息进行详细的检测,比如:Everest,GPU-Z,GPU-Shark等。这里我们以玩家最常用的GPU-Z软件来作为本文解析显卡性能参数的示例软件。

GTX590的GPU-Z截图 首先我们对GPU-Z这款软件的界面进行一个大致分区的解读,从上至下共8个分区,其中每个分区的具体含义是: ①.显卡名称部分: 名称/Name:此处显示的是显卡的名称,也就是显卡型号。 ②.显示芯片型号部分: 核心代号/GPU:此处显示GPU芯片的代号,如上图所示的:GF110、Antilles等。 修订版本/Revision:此处显示GPU芯片的步进制程编号。 制造工艺/Technology:此处显示GPU芯片的制程工艺,如55nm、40nm等。 核心面积/Die Size:此处显示GPU芯片的核心尺寸。 ③.显卡的硬件信息部分: BIOS版本/BIOS Version:此处显示显卡BIOS的版本号。 设备ID/Device ID:此处显示设备的ID码。 制造厂商/Subvendor:此处显示该显卡OEM制造厂商的名称。

各类永磁体综合性能比较

各类永磁体综合性能比较 根据各类永磁材料的特点,采用不同生产工艺可以得到不同种类的永磁体。目前常用的永磁体主要有铝镍钴(AlNiCo)、永磁铁氧体、钐钴1:5型(SmCo5)、钐钴2:17型(Sm2Co17)、烧结钕铁硼(NdFeB)、粘结钕铁硼(NdFeB)和橡胶磁等几类。不同类型的永磁体,其磁性能及其它各参数均有所不同。下面将这几类永磁体的特点及性能参数作简单介绍: (1)铝镍钴(AlNiCo) AlNiCo的磁性能属于中等偏低水平,目前生产的AlNiCo的最大磁能积可达到8~103 kJ/m3,即1~13 MGOe。由于其居里温度为Tc=890 ℃,其最高使用温度可高达600 ℃,同时其温度系数很低,为-0.02%/℃。铝镍钴磁体具有较好的抗氧化和腐蚀性能。AlNiCo的可加工性是永磁材料中的佼佼者,因为永磁铁氧体和稀土永磁的硬度和脆性远比AlNiCo大。以HPMG的AlNiCo产品为例,其几何尺寸的可加工精度可达0.02mm,最小的Alnico 元件为Φ2mm×2mm 和Φ5mm×Φ2mm×8mm,这对烧结SmCo、NdFeB 和铁氧体永磁来说是难以实现的。此外在一些场合采用Alnico 制成小型化和微型化的复杂形状的永磁元件,其成本几乎是最低的。由于Alnico 优良的机械性能,所以它可以作为复杂磁路的结构零件,而稀土永磁和铁氧体永磁一般只能作为功能材料使用。此外,Alnico 还可以直接与塑料、尼龙及粉末冶金零件等实现一体化高温(600℃)加工与组合,显示了Alnico良好的可加工性。由于AlNiCo中含有战略金属Ni和Co,使其价格要高于铁氧体,处于中等水平。AlNiCo磁体的缺点是矫顽力非常低(通常小于160kA/m),因此铝镍钴磁铁虽然容易被磁化,同样也容易退磁。 (2)永磁铁氧体 永磁铁氧体的综合磁性能较低,其最大磁能积约为0.8~5.2 MGOe。但其具有原材料丰富,平均售价低,性价比高,抗退磁性能优良,不存在氧化问题等优点。永磁铁氧体局里温度约为450 ℃,其最高使用温度为300 ℃。由于其脆性比较大,使得其机械加工性能一般。 (3)钐钴1:5型(SmCo5)和钐钴2:17型(Sm2Co17) 钐钴磁体的磁性能属于中等偏上水平,其中1:5型磁体磁性能要低于2:17型磁体。目前生产的两种磁体的磁能积分别为15~24 MGOe和22~32 MGOe。二者居里温度分别为740 ℃和926 ℃,最高使用温度分别为250 ℃和550 ℃,2:17型磁体要远高于1:5型磁体。近年来钐钴磁体发展的主要是2:17型磁体,由于其居里温度高,矫顽力温度系数小,因此在高温环境能够保持足够高的定磁性能,是高温应用的最佳选择。钐钴磁体具有很强的抗氧化和腐蚀性,因此不需要镀层

超高速永磁直流无刷电机的特点

超高速永磁直流无刷电机的特点 永磁无刷直流电机由于气隙大,效率高,转子结构简单,适合于超高速运行,是特种电机领域研究的热点,也是超高速精密电主轴理想的驱动部件之一。 永磁无刷直流电机的转子常采用高性能永磁铁,设计成磁环或者扇形块粘贴在转子上,强度低;另外电机高频引起的损耗大,转子散热困难等特有的问题,使得高速永磁无刷直流电机转子温升过大,永磁体易于退磁,制约了电机转速的进一步提高。 在掌握高速永磁无刷直流电机设计理论的基础上,通过电主轴用永磁直流无刷电机的主要问题进行深入的分析,从电机本体结构设计、电磁设计、超高速转子设计等方面对超高速电主轴用电机进行设计,并对开发的超高速永磁直流无刷电机的性能进行了分析。 主要的研究内容包括:首先,阐述了课题的背景及意义,国内外的研究现状,研究内容及结构安排,接着对永磁无刷直流电机的结构组成和工作原理进行了分析。采用传统的磁路计算和电磁场有限元相结合的方法,进行了高速永磁电机的电磁计算。 针对超高速电机的损耗过大等关键问题,结合永磁无刷直流电机的电磁计算方法,给出了一套比较完整的电主轴用内装式超高速永磁无刷直流电机本体设计方案。 其次,研究了力辉电机转子机械强度,转子采用的是整体磁环式结构,为了防止永磁体在高速旋转时产生的巨大拉应力作用下而破

坏,利用非导磁合金钢护套对永磁体进行了保护,保护套与永磁体之间采用过盈配合。基于弹性力学理论和有限元接触理论建立了高速永磁转子应力计算模型,计算了永磁体和护套的接触应力,确定了护套和永磁体之间的过盈量。 根据电主轴实际运行时的温升现象,校核了不同温度下的永磁体和护套的强度,从而保证永磁转子的安全运行。 第三,对高速永磁无刷直流电机内的损耗进行了分析计算,采用有限元法研究了槽开口和气隙长度对转子涡流损耗的影响,在空,负载状态下的研究结果均表明:随着槽开口的增加或者气隙长度的减小,转子损耗都会增加。由于定转子损耗与磁场波形密切相关,对比分析了平行充磁和径向充磁对高速永磁无刷直流电机气隙磁场和电机损耗的影响,结果表明:平行充磁优于径向充磁。 最后,在电机设计的基础上,利用软件搭建了永磁无刷直流电机有限元模型,分析了电磁转矩脉动的抑制方法,并对磁路方案进行了校正,仿真分析了电机性能,完善了电机的结构设计。

永磁直流电机性能参数

ZYT直流永磁电机 概述 ZYT直流永磁电机采用铁氧体永磁磁铁作为激磁,系封闭自冷式。作为小功 率直流马达可以用在各种驱动装置中做驱动元件。 产品说明 (1)产品特点:直流电动机的调速范围宽广,调速特性平滑;直流电动机 过载能力较强,热动和制动转矩较大;由于存在换向器,其制造复杂,价格较高。 (2)使用条件:海拔w 4000m环境温度:-25 C —+40C ;相对湿度w 90%(+25C时);允许温升,不超过75K。 型号说明 90ZYT08/H1 1.90位置表示机座号。用55、70、90、110和130表示。其相应机座号外径为 55mm 70mm 90mm 110mn和130mm 2. ZYT表示直流永磁马达。 3.08位置表示铁芯长度。其中01-49为短铁芯,51-99为长铁芯和101-149为超长铁芯。 4.H1位置为派生结构。其代号用H1、H2 H3??…。 安装形式 1. A1表示单轴伸底脚安装,AA1表示双轴伸底脚安装。 2. A3表示单轴伸法兰安装,AA3表示双轴伸法兰安装。 3. A5表示单轴伸机壳外圆安装,AA5表示双轴伸机壳外圆安装。 使用条件 1. 海拔不超过4000米。 2. 环境温度:-25度到40度。 3. 相对温度:小于等于95度。 4. 在海拔不超过1000米时,不超过75K. 技术参数 以下数值为参考使用,在实际生产时可以根据客户要求调整。 1. 型号55ZYZT01-55ZYZ10转矩55.7-63.7(毫牛米),速度3000-6000(r/min), 功率20-35(W),电压24-110(V),电流1.5-3.2 (A)和允许逆转速度差

磁性材料的基本特性及分类参数

一. 磁性材料的基本特性 1. 磁性材料的磁化曲线 磁性材料是由铁磁性物质或亚铁磁性物质组成的,在外加磁场H 作用下,必有相应的磁化强度M 或磁感应强度B,它们随磁场强度H 的变化曲线称为磁化曲线(M~H或B~H曲线)。磁化曲线一般来说是非线性的,具有2个特点:磁饱和现象及磁滞现象。即当磁场强度H足够大时,磁化强度M达到一个确定的饱和值Ms,继续增大H,Ms保持不变;以及当材料的M值达到饱和后,外磁场H降低为零时,M并不恢复为零,而是沿MsMr曲线变化。材料的工作状态相当于M~H曲线或B~H曲线上的某一点,该点常称为工作点。 2. 软磁材料的常用磁性能参数 饱和磁感应强度Bs:其大小取决于材料的成分,它所对应的物理状态是材料内部的磁化矢量整齐排列。 剩余磁感应强度Br:是磁滞回线上的特征参数,H回到0时的B值。 矩形比:Br∕Bs 矫顽力Hc:是表示材料磁化难易程度的量,取决于材料的成分及缺陷(杂质、应力等)。 磁导率μ:是磁滞回线上任何点所对应的B与H的比值,与器件工作状态密切相关。 初始磁导率μi、最大磁导率μm、微分磁导率μd、振幅磁导率μa、有效磁导率μe、脉冲磁导率μp。 居里温度Tc:铁磁物质的磁化强度随温度升高而下降,达到某一温度时,自发磁化消失,转变为顺磁性,该临界温度为居里温度。它确定了磁性器件工作的上限温度。 损耗P:磁滞损耗Ph及涡流损耗Pe P = Ph + Pe = af + bf2+ c Pe ∝ f2 t2 / ,ρ降低,磁滞损耗Ph的方法是降低矫顽力Hc;降低涡流损耗Pe 的方法是减薄磁性材料的厚度t 及提高材料的电阻率ρ。在自由静止空气中磁芯的损耗与磁芯的温升关系为: 总功率耗散(mW)/表面积(cm2)

永磁材料基本性能术语解析

永磁材料基本性能解析 1、什么是永磁材料的磁性能,它包括哪些指标? 永磁材料的主要磁性能指标是:剩磁(Jr, Br)、矫顽力(bHc)、内禀矫顽力(jHc)、磁能积(BH)m。我们通常所说的永磁材料的磁性能,指的就是这四项。永磁材料的其它磁性能指标还有:居里温度(Tc)、可工作温度(Tw)、剩磁及内禀矫顽力的温度系数(Brθ, jHcθ)、回复导磁率(μrec.)、退磁曲线方形度( Hk/ jHc)、高温减磁性能以及磁性能的均一性等。 除磁性能外,永磁材料的物理性能还包括密度、电导率、热导率、热膨胀系数等;机械性能则包括维氏硬度、抗压(拉)强度、冲击韧性等。此外,永磁材料的性能指标中还有重要的一项,就是表面状态及其耐腐蚀性能。 2、什么叫磁场强度(H)? 1820年,丹麦科学家奥斯特(H. C. Oersted)发现通有电流的导线可以使其附近的磁针发生偏转,从而揭示了电与磁的基本关系,诞生了电磁学。实践表明:通有电流的无限长导线在其周围所产生的磁场强弱与电流的大小成正比,与离开导线的距离成反比。定义载有1安培电流的无限长导线在距离导线1/2π米远处的磁场强度为1A/m(安/米,国际单位制SI);在CGS单位制(厘米-克-秒)中,为纪念奥斯特对电磁学的贡献,定义载有1安培电流的无限长导线在距离导线0.2厘米远处磁场强度为1Oe(奥斯特),1Oe=1/(4π×103) A/m。磁场强度通常用H表示。 3、什么叫磁极化强度(J),什么叫磁化强度(M),二者有何区别? 现代磁学研究表明:一切磁现象都起源于电流。磁性材料也不例外,其铁磁现象是起源于材料内部原子的核外电子运动形成的微电流,亦称分子电流。这些微电流的集合效应使得材料对外呈现各种各样的宏观磁特性。因为每一个微电流都产生磁效应,所以把一个单位微电流称为一个磁偶极子。定义在真空中每单位外磁场对一个磁偶极子产生的最大力矩为磁偶极矩pm,每单位材料体积内磁偶极矩的矢量和为磁极化强度J,其单位为T(特斯拉,在CGS单位制中,J的单位为Gs,1T=10000Gs)。 定义一个磁偶极子的磁矩为pm/μ0,μ0为真空磁导率,每单位材料体积内磁矩的矢量和为磁化强度M,其SI单位为A/m,CGS单位为Gs(高斯)。 M与J的关系为:J=μ0 M,在CGS单位制中,μ0=1,故磁极化强度与磁化强度的值相等;在SI单位制中,μ0=4π×10-7 H/m (亨/米)。 4、什么叫磁感应强度(B),什么叫磁通密度(B),B与H,J,M之间存在什么样的关系? 理论与实践均表明,对任何介质施加一磁场H时(该磁场可由外部电流或外部永磁体提供,亦可由永磁体对永磁介质本身提供,由永磁体对永磁介质本身提供的磁场又称退磁场---关于退磁场的概念,见9 Q),介质内部的磁场强度并不等于H,而是表现为H与介质的磁极化强度J之和。由于介质内部的磁场强度是由磁场H通过介质的感应而表现出来的,为与H区别,称之为介质的磁感应强度,记为B: B=μ0 H+J (SI单位制)(1-1) B=H+4πM (CGS单位制) 磁感应强度B的单位为T,CGS单位为Gs(1T=104Gs)。 对于非铁磁性介质如空气、水、铜、铝等,其磁极化强度J、磁化强度M几乎等于0,故在这些介质中磁场强度H与磁感应强度B相等。

判断显卡性能的主要参数有哪些

判断显卡性能的主要参数有哪些? 2008-09-09 18:04:17| 分类:科技博览|字号订阅 显示芯片 显示芯片,又称图型处理器- GPU,它在显卡中的作用,就如同CPU在电脑中的作用一样。更直接的比喻就是大脑在人身体里的作用。 先简要介绍一下常见的生产显示芯片的厂商:Intel、ATI、nVidia、VIA(S3)、SIS、Matrox、3D Labs。 Intel、VIA(S3)、SIS 主要生产集成芯片; ATI、nVidia 以独立芯片为主,是目前市场上的主流,但由于ATi现在已经被AMD收购,以后是否会继续出独立显示芯片很难说了; Matrox、3D Labs 则主要面向专业图形市场。 由于ATI和nVidia基本占据了主流显卡市场,下面主要将主要针对这两家公司的产品做介绍。 型号 ATi公司的主要品牌Radeon(镭) 系列,其型号由早其的Radeon Xpress 200 到Radeon (X300、X550、X600、X700、X800、X850) 到近期的 Radeon (X1300、X1600、X1800、X1900、X1950) 性能依次由低到高。 nVIDIA公司的主要品牌GeForce 系列,其型号由早其的GeForce 256、GeForce2 (100/200/400)、GeForce3(200/500)、GeForce4 (420/440/460/4000/4200/4400/4600/4800) 到GeForce FX(5200/5500/5600/5700/5800/5900/5950)、GeForce (6100/6150/6200/6400/6500/6600/6800/) 再到近其的GeForce (7300/7600/7800/7900/7950) 性能依次由低到高。 版本级别 除了上述标准版本之外,还有些特殊版,特殊版一般会在标准版的型号后面加个后缀,常见的有: ATi: SE (Simplify Edition 简化版) 通常只有64bit内存界面,或者是像素流水线数量减少。 Pro (Professional Edition 专业版) 高频版,一般比标版在管线数量/顶点数量还有频率这些方面都要稍微高一点。 XT (eXTreme 高端版) 是ATi系列中高端的,而nVIDIA用作低端型号。 XT PE (eXTreme Premium Edition XT白金版) 高端的型号。 XL (eXtreme Limited 高端系列中的较低端型号)ATI最新推出的R430中的高频版 XTX (XT eXtreme 高端版) X1000系列发布之后的新的命名规则。 CE (Crossfire Edition 交叉火力版) 交叉火力。 VIVO (VIDEO IN and VIDEO OUT) 指显卡同时具备视频输入与视频捕捉两大功能。 HM (Hyper Memory)可以占用内存的显卡

磁铁牌号及性能参数

能积和矫顽力,可吸起相当于自身重量的640倍的重物。高能量密度的优点使钕铁硼永磁材料在现代工业和电子技术中获得了广泛应用,从而使仪器仪表、电声电机、磁选磁化等设备的小型化、轻量化、薄型化成为可能。 钕铁硼的优点是性能价格比高,具良好的机械特性,易于切削加工;不足之处在于居里温度点低,温度特性差,且易于粉化腐蚀,必须通过调整其化学成分和采取表面处理方法使之得以改进,从而达到实际应用的要求。 钕铁硼的制造采用粉末冶金工艺,将含有一定配比的原材料如:钕、镝、铁、钴、铌、镨、铝、硼铁等通过中频感应熔炼炉冶炼成合金钢锭,然后破碎制成3~5μm 的粉料,并在磁场中压制成型,成型后的生坯在真空烧结炉中烧结致密并回火时效,这样就得到了具有一定磁性能的永磁体毛坯。毛坯经过磨削、钻孔、切片等加工工序后,再经表面处理就得到了用户所需的钕铁硼成品。 表征磁性材料参数分别是: 1、磁能积(BH): 定义:在永磁体的退磁曲线的任意点上磁通密度(B)与对应的磁场强度(H)的乘积。它是表征永 磁材料单位体积对外产生的磁场中总储存能量的一个参数。 单位:兆高·奥(MGOe)或焦/米3(J/m3) 简要说明:退磁曲线上任何一点的B和H的乘积即BH我们称为磁能积,而B×H的最大值称之为最大磁能积,为退磁曲线上的D点。磁能积是衡量磁体所储存能量大小的重要参数之一。在磁体使用时对应于一定能量的磁体,要求磁体的体积尽可能小。 2、剩磁Br: 定义:将铁磁性材料磁化后去除磁场,被磁化的铁磁体上所剩余的磁化强度。 3、矫顽力(Hcb、Hcj) Hcj(内禀矫顽力)使磁体的磁化强度降为零所需施加的反向磁场强度,我们称之为内禀矫顽力。内禀矫顽力是衡量磁体抗退磁能力的一个物理量,是表示材料中的磁化强度M退到零的矫顽力。在磁体使用中,磁体矫顽力越高,温度稳定性越好。 Hcb(磁感矫顽力)给磁性材料加反向磁场时,使磁感应强度降为零所需反向磁场强度的值称之为磁感矫顽力(Hcb)。但此时磁体的磁化强度并不为零,只是所加的反向磁场与磁体的磁化强度作用相互抵消。(对外磁感应强度表现为零)此时若撤消外磁场,磁体仍具有一定的磁性能。 4、温度系数 剩磁可逆温度系数αBr:当工作环境温度自室温T0升至温度T1时,钕铁硼的剩磁Br也从B0降至B1;当环境温度恢复至室温时,Br并不能恢复到B0,而只能到B0'。此后当环境温度在

直流永磁电机基本知识

直流永磁电机基本知识 一.直流电机的工作原理 1.直流电机的工作原理 这是分析直流电机的物理模型图。 其中,固定部分有磁铁,这里称作主磁极;固定部分还有电刷。转动部分有环形铁心和绕在环形铁心上的绕组。(其中2个小圆圈是为了方便表示该位置上的导体电势或电流的方向而设置的) 上图表示一台最简单的两极直流电机模型,它的固定部分(定子)上,装设了一对直流励磁的静止的主磁极N和S,在旋转部分(转子)上装设电枢铁心。定子与转子之间有一气隙。在电枢铁心上放置了由A和X两根导体连成的电枢线圈,线圈的首端和末端分别连到两个圆弧形的铜片上,此铜片称为换向片。换向片之间互相绝缘,由换向片构成的整体称为换向器。换向器固定在转轴上,换向片与转轴之间亦互相绝缘。在换向片上放置着一对固定不动的电刷B1和B2,当电枢旋转时,电枢线圈通过换向片和电刷与外电路接通。

直流电机的原理图 对上上图所示的直流电机,如果去掉原动机,并给两个电刷加上直流电源,如上图(a)所示,则有直流电流从电刷A 流入,经过线圈,从电刷B 流出,根据电磁力定律,载流导体和收到电磁力的作用,其方向可由左手定则判定,两段导体受到的力形成了一个转矩,使得转子逆时针转动。如果转子转到如上图(b)所示的位置,电刷A 和换向片2接触,电刷B 和换向片1接触,直流电流从电刷A 流入,在线圈中的流动方向是,从电刷B 流出。 此时载流导体和受到电磁力的作用方向同样可由左手定则判定,它们产生的转矩仍然使得转子逆时针转动。这就是直流电机的工作原理。外加的电源是直流的,但由于电刷和换向片的作用,在线圈中流过的电流是交流的,其产生的转矩的方向却是不变的。 实用中的直流电机转子上的绕组也不是由一个线圈构成,同样是由多个线圈连接而成,以减少电动机电磁转矩的波动,绕组形式同发电机。 将直流电机的工作原理归结如下

传感器的主要参数特性

传感器的主要参数特性 传感器的种类繁多,测量参数、用途各异.共性能参数也各不相同。一般产品给出的性能参数主要是静态特性利动态特性。所谓静态特性,是指被测量不随时间变化或变化缓慢情况下,传感器输出值与输入值之间的犬系.一般用数学表达式、特性曲线或表格来表示。动态特性足反映传感器随时间变化的响应特性。红外碳硫仪动恋特性好的传感器,其输出量随时间变化的曲线与被测量随时间变化的曲线相近。一般产品只给出响应时间。 传感器的主要特性参数有: (1)测量范围(量程) 量程是指在正常工种:条件下传感器能够测星的被测量的总范同,通常为上限值与F 限位之差。如某温度传感器的测员范围为零下50度到+300度之间。则该传感器的量程为350摄氏度。 (2)灵敏度 传感器的灵敏度是指佑感器在稳态时输出量的变化量与输入量的变化量的比值。通常/d久表示。对于线性传感器,传感器的校准且线的斜率就是只敏度,是一个常量。而非线性传感器的灵敏度则随输入星的不同而变化,在实际应用巾.非线性传感器的灵敏度都是指输入量在一定范围内的近似值。传感器的足敏度越高.俏号处理就越简单。 (3)线性度(非线性误差) 在稳态条件下,传感器的实际输入、输出持件曲线勺理想直线之日的不吻合程度,称为线性度或非线性误差,通常用实际特性曲线与邵想直线之司的最大偏关凸h m2与满量程输出仪2M之比的百分数来表示。该系统的线性度X为 (4)不重复性 z;重复性是指在相同条件下。传感器的输人员技同——方向作全量程多次重复测量,输出曲线的不一致程度。通常用红外碳硫仪3次测量输11j的线之间的最大偏差丛m x与满量程输出值ym之比的百分数表示,1、2、3分别表示3次所得到的输出曲线.它是传感器总误差中的——项。 (5)滞后(迟滞误差) 迟滞现象是传感器正向特性曲线(输入量增大)和反向特性曲线(输入量减小)的不重合程度,通常用yH表示。

磁铁的基本特性

永磁体基本性能参数 永磁材料:永磁材料被外加磁场磁化后磁性不消失,可对外部空间提供稳定磁场。钕铁硼永磁体常用的衡量指标有以下四种: 剩磁(Br)单位为特斯拉(T)和高斯(Gs)1Gs=0.0001T将一个磁体在闭路环境下被外磁场充磁到技术饱和后撤消外磁场,此时磁体表现的磁感应强度我们称之为剩磁。它表示磁体所能提供的最大的磁通值。从退磁曲线上可见,它对应于气隙为零时的情况,故在实际磁路中磁体的磁感应强度都小于剩磁。钕铁硼是现今发现的Br最高的实用永磁材料。磁感矫顽力(Hcb)单位是安/米(A/m)和奥斯特(Oe)或1Oe≈79.6A/m处于技术饱和磁化后的磁体在被反向充磁时,使磁感应强度降为零所需反向磁场强度的值称之为磁感矫顽力(Hcb)。但此时磁体的磁化强度并不为零,只是所加的反向磁场与磁体的磁化强度作用相互抵消。(对外磁感应强度表现为零)此时若撤消外磁场,磁体仍具有一定的磁性能。钕铁硼的矫顽力一般是11000Oe以上。 内禀矫顽力(Hcj)单位是安/米(A/m)和奥斯特(Oe)1Oe ≈79.6A/m使磁体的磁化强度降为零所需施加的反向磁场强度,我们称之为内禀矫顽力。内禀矫顽力是衡量磁体抗退磁能力的一个物理量,如果外加的磁场等于磁体的内禀矫顽力,磁体的磁性将会基本消除。钕铁硼的Hcj会随着温度的

升高而降低所以需要工作在高温环境下时应该选择高Hcj的牌号。 磁能积(BH)单位为焦/米3(J/m3)或高?奥(GOe)1MGOe ≈7.96k J/m3 退磁曲线上任何一点的B和H的乘积既BH我们称为磁能积,而B×H的最大值称之为最大磁能积(BH)max。磁能积是恒量磁体所储存能量大小的重要参数之一,(BH)max越大说明磁体蕴含的磁能量越大。设计磁路时要尽可能使磁体的工作点处在最大磁能积所对应的B和H附近。 各向同性磁体:任何方向磁性能都相同的磁体。 各向异性磁体:不同方向上磁性能会有不同;且存在一个方向,在该方向取向时所得磁性能最高的磁体。烧结钕铁硼永磁体是各向异性磁体。 取向方向:各向异性的磁体能获得最佳磁性能的方向称为磁体的取向方向。也称作“取向轴”,“易磁化轴”。 磁场强度:指空间某处磁场的大小,用H表示,它的单位是安/米(A/m),也有用奥斯特(Oe)作单位的。 磁感应强度:磁感应强度B的定义是:B=μ0(H+M),其中H 和M分别是磁化强度和磁场强度,而μ0是真空导磁率。磁感应强度又称为磁通密度,即单位面积内的磁通量。单位是特斯拉(T)。磁化强度:指材料内部单位体积的磁矩矢量和,用M表示,单位是安/米(A/m)。它与磁感应强度和

磁性材料的基本特性及分类参数

一.磁性材料的基本特性 1.磁性材料的磁化曲线 磁性材料是由铁磁性物质或亚铁磁性物质组成的,在外加磁场H作用下,必有相应的磁化强度M或磁感应强度B,它们随磁场强度H的变化曲线称为磁化曲线(M~H或B~H曲线)。磁化曲线一般来说是非线性的,具有2个特点:磁饱和现象及磁滞现象。即当磁场强度H足够大时,磁化强度M达到一个确定的饱和值Ms,继续增大H,Ms保持不变;以及当材料的M值达到饱和后,外磁场H降低为零时,M并不恢复为零,而是沿MsMr曲线变化。材料的工作状态相当于M~H曲线或B~H曲线上的某一点,该点常称为工作点。 2.软磁材料的常用磁性能参数 饱和磁感应强度Bs:其大小取决于材料的成分,它所对应的物理状态是材料内部的磁化矢量整齐排列。 剩余磁感应强度Br:是磁滞回线上的特征参数,H回到0时的B值。 矩形比:Br∕Bs 矫顽力Hc:是表示材料磁化难易程度的量,取决于材料的成分及缺陷(杂质、应力等)。 磁导率μ:是磁滞回线上任何点所对应的B与H的比值,与器件工作状态密切相关。 初始磁导率μi、最大磁导率μm、微分磁导率μd、振幅磁导率μa、有效磁导率μe、脉冲磁导率μp。 居里温度Tc:铁磁物质的磁化强度随温度升高而下降,达到某一温度时,自发磁化消失,转变为顺磁性,该临界温度为居里温度。它确定了磁性器件工作的上限温度。 损耗P:磁滞损耗Ph及涡流损耗Pe P = Ph + Pe = af + bf2+ c Pe ∝ f2 t2 / ,ρ降低,磁滞损耗Ph的方法是降低矫顽力Hc;降低涡流损耗Pe的方法是减薄磁

性材料的厚度t及提高材料的电阻率ρ。在自由静止空气中磁芯的损耗与磁芯的温升关系为: 总功率耗散(mW)/表面积(cm2) 3.软磁材料的磁性参数与器件的电气参数之间的转换 在设计软磁器件时,首先要根据电路的要求确定器件的电压~电流特性。器件的电压~电流特性与磁芯的几何形状及磁化状态密切相关。设计者必须熟悉材料的磁化过程并拿握材料的磁性参数与器件电气参数的转换关系。设计软磁器件通常包括三个步骤:正确选用磁性材料;合理确定磁芯的几何形状及尺寸;根据磁性参数要求,模拟磁芯的工作状态得到相应的电气参数。 二、软磁材料的发展及种类 1.软磁材料的发展 软磁材料在工业中的应用始于19世纪末。随着电力工及电讯技术的兴起,开始使用低碳钢制造电机和变压器,在电话线路中的电感线圈的磁芯中使用了细小的铁粉、氧化铁、细铁丝等。 到20世纪初,研制出了硅钢片代替低碳钢,提高了变压器的效率,降低了损耗。直至现在硅钢片在电力工业用软磁材料中仍居首位。到20年代,无线电技术的兴起,促进了高导磁材料的发展,出现了坡莫合金及坡莫合金磁粉芯等。从40年代到60年代,是科学技术飞速发展的时期,雷达、电视广播、集成电路的发明等,对软磁材料的要求也更高,生产出了软磁合金薄带及软磁铁氧体材料。进入70年代,随着电讯、自动控制、计算机等行业的发展,研制出了磁头用软磁合金,除了传统的晶态软磁合金外,又兴起了另一类材料—非晶态软磁合金。 2.常用软磁磁芯的种类 铁、钴、镍三种铁磁性元素是构成磁性材料的基本组元。 按(主要成分、磁性特点、结构特点)制品形态分类:

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