陶瓷基板的现状与发展分析

瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。本文简要介绍了目前瓷基板的现状与以后的发展。瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。本文简要介绍了目前瓷基板的现状与以后的发展。

1、塑料和瓷材料的比较

塑料尤其是环氧树脂由于比较好的经济性，至目前为止依然占据整个电子市场的统治地位，但是许多特殊领域比如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、机械性能等方面显然不适合，即使在环氧树脂中添加大量的有机溴化物也无济于事。

相对于塑料材料，瓷材料也在电子工业扮演者重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件。

2、各种瓷材料的比较

2.1 Al2O3

到目前为止，氧化铝基板是电子工业中最常用的基板材料，因为在机械、热、电性能上相对于大多数其他氧化物瓷，强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，适用于各种各样的技术制造以及不同的形状。

2.2 BeO

具有比金属铝还高的热导率，应用于需要高热导的场合，但温度超过300℃后迅速降低，最重要的是由于其毒性限制了自身的发展。

2.3 AlN

AlN有两个非常重要的性能值得注意：一个是高的热导率，一个是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生影响，只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的AlN基板。目前大规模的AlN生产技术国还是不成熟，相对于Al2O3，AlN价格相对偏高许多，这个也是制约其发展的瓶颈。综合以上原因，可以知道，氧化铝瓷由于比较优越的综合性能，在目前微电子、功率电子、混合微电子、功率模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。

3、瓷基板的制造

制造高纯度的瓷基板是很困难的，大部分瓷熔点和硬度都很高，这一点限制了瓷机械加工的可能性，因此瓷基板中常常掺杂熔点较低的玻璃用于助熔或者粘接，使最终产品易于机

械加工。Al2O3、BeO、AlN基板制备过程很相似，将基体材料研磨成粉直径在几微米左右，与不同的玻璃助熔剂和粘接剂（包括粉体的MgO、CaO）混合，此外还向混合物中加入一些有机粘接剂和不同的增塑剂再球磨防止团聚使成分均匀，成型生瓷片，最后高温烧结。目前瓷成型主要有如下几种方法：

●辊轴轧制将浆料喷涂到一个平坦的表面，部分干燥以形成黏度像油灰状的薄片，再将薄片送入一对大的平行辊轴中轧碾得到厚度均匀的生瓷片。

●流延浆料通过锋利的刀刃涂复在一个移动的带上形成薄片。与其他工艺相比这是一种低压的工艺。

●粉末压制粉末在硬模具腔并施加很大的压力（约138MPa）下烧结，尽管压力不均匀可能产生过度翘曲但这一工艺生产的烧结件非常致密，容差较小。

●等静压粉末压制这种工艺使用使用周围为水或者为甘油的模及使用高达69MPa的压力这种压力更为均匀所制成的部件翘曲更小。

●挤压浆料通过模具挤出这种工艺使用的浆料黏度较低，难以获得较小容差，但是这

种工艺非常经济，并且可以得到比其他方法更薄的部件。

4 、基板种类及其特性比较

现阶段较普遍的瓷散热基板种类共有HTCC、LTCC、DBC、DPC四种，其中HTCC 属于较早期发展的技术，但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限，且制作成本相对昂贵，这些因素促使LTCC的发展，LTCC虽然将共烧温度降至约850℃，但缺点是尺寸精确度、产品强度等不易控制。而DBC与DPC则为国近几年才开发成熟，且能量产化的专业技术，DBC是利用高温加热将Al2O3与Cu板结合，其技术瓶颈在于不易解决Al2O3与Cu板间微气孔产生之问题，这使得该产品的量产能量与良率受到较大的挑战，而DPC技术则是利用直接镀铜技术，将Cu沉积于Al2O3基板之上，其工艺结合材料与薄膜工艺技术，其产品为近年最普遍使用的瓷散热基板。然而其材料控制与工艺技术整合能力要求较高，这使得跨入DPC产业并能稳定生产的技术门槛相对较高。

4.1 LTCC （Low-Temperature Co-fired Ceramic）

LTCC 又称为低温共烧多层瓷基板，此技术须先将无机的氧化铝粉与约30%~50%的玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚，然后依各层的设计钻导通孔，作为各层讯号的传递，LTCC部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及印制线路，外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后将各层做叠层动作，放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型，即可完成。详细制造过程LTCC生产流程图4.1

图4.1LTCC生产流程图

4.2 HTCC （High-Temperature Co-fired Ceramic）

HTCC又称为高温共烧多层瓷，生产制造过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的瓷粉末并无加入玻璃材质，因此，HTCC的必须再高温1300~1600℃环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成型。

4.3 DBC （Direct Bonded Copper）‖

直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与瓷之间引入适量的氧元素，在1065℃~1083℃围，铜与氧形成Cu-O共晶液，DBC技术利用该共晶液一方面与瓷基板发生化学反应生成CuAlO2或CuAl2O4相，另一方面浸润铜箔实现瓷基板与铜板的结合。瓷基板直接敷铜板的制造流程图如下图4.2。