光电倍增管原理、特性与应用

光电倍增管原理、特性与应用
光电倍增管原理、特性与应用

光电倍增管原理、特性与应用

光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成可测电信号的光电转换器件。文中以北京滨松光子技术有限公司生产的R/CR系列产品为代表,介绍光电倍增管的一般原理、使用特性及其应用。并特别给出了在各种领域所适用的光电倍增管的型号。

关键词:光子技术光电倍增管使用特性

1 概述

光电子应用技术是一门新兴的高新技术,当前还处于发展阶段。相信它在21

世纪必将有重大创新并迅速崛起。光电子技术产业也必将发展成为一种新兴的知识经济,从而在新兴技术领域形成巨大的生产力。

光电倍增管(PMT)是光子技术器件中的一个重要产品,它是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。可广泛应用于光子计数、极微弱光探测、化学发光、生物发光研究、极低能量射线探测、分光光度计、旋光仪、色度计、照度计、尘埃计、浊度计、光密度计、热释光量仪、辐射量热计、扫描电镜、生化分析仪等仪器设备中。

2 光电倍增管的一般结构

光电倍增管是一种真空器件。它由光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极(阳极)等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。图1所示为端窗型光电倍增管的剖面结构图。其主要工作过程如下:

当光照射到光阴极时,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。

因为采用了二次发射倍增系统,所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中,具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外,光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。

3 光电倍增管的类型

3.1 按接收入射光方式分类

光电倍增管按其接收入射光的方式一般可分成端窗型(Head-on)和侧窗型(side-on)两大类。

侧窗型光电倍增管(R系列)是从玻璃壳的侧面接收入射光,两端窗型光电倍增管(CR系列)则从玻璃壳的顶部接收射光。图2和图3分别是侧窗式光电倍增管和端窗式光电倍过管的外形图。

在通常情况下,侧窗型光电倍增管(R系列)的单价比较便宜(一般数百元/只),在分光光度计、旋光仪和常规光度测定方面具有广泛的应用。大部分的侧窗型光电倍增管使用不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这种结构能够使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。

端窗型光电倍增管(CR系列)也称顶窗型光电倍增管。其价格一般在千元以上,它是在其入射窗的内表面上沉积了半透明的光阴极(透过式光阴极),这使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点是拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极,另外,现在还出现了针对高能物理实验用的可以广角度捕获入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。

3.2 按电子倍增系统分类

光电倍增管之所以具有优异的灵敏度(高电流放大和高信噪比),主要得益于基于多个排列的二次电子发射系统的使用。它可使电子在低噪声条件下得到倍增。电子倍增系统,包括8,19极的叫做打拿极或倍增极的电极。

现在使用的光电倍增管的电子倍增系统有以下8类:

a.环形聚焦型

环型聚焦型结构主要应用于侧窗型光电倍增管中,其主要特点是结构紧凑和响应快速。

b.盒栅型

这种结构包括一系列的1/4圆柱形的倍增极,并因其具有相对简单的倍增极结构和良好的一致性而被广泛应用于端窗型光电倍增管中,但在某些应用场合,它的时间响应略显缓慢。

c.直线聚焦型

直线聚焦型光电倍增管以其极快的时间响应而被广泛应用于对时间分辨率和线性脉冲要求较高的研究领域以及端窗型光电倍增管中。

d.百叶窗型

百叶窗型结构的倍增极可以较大,能够应用于大阴极的光电倍增管中。这种结构的一致性比较好,有大的脉冲输出电流。多应用于对时间响应要求不高的场合。

e.细网型

该结构有封闭的精密组合网状倍增级,因而具有极强的抗磁性、一致性和脉冲线性输出特性。另外,在使用交叠阳极或多极结构输出的情况下,还具有位置灵敏的特性。

f.微通道板(MCP)型

MCP

微通道板型光电倍增管是将上百万的微小玻璃管(通道)彼此平行地集成为薄形盘片状而形成的。这种结构的每个通道都是一个独立的电子倍增器。MCP比任何分离电极的倍增极结构都具有超快的时间响应,并且当采用多阳极输出结构时,这种结构的光电倍增管在磁场中仍具有良好的一致性和极强的二维探测能力。

g.金属通道型

金属通道型是滨松公司采用独有的机械加工技术所创造的紧凑型阳极结构,其各个倍增极之间的狭窄通道空间特性使其比任何常规结构的光电倍增管都具有更快的时间响应速度。金属通道型光电倍增管适用于位置灵敏度要求比较高的探测方面。

h.混合型

混合型是将上述结构中的两种结构相互混合而形成的复合型结构。混合结构的倍增极一般都可以发挥各自的优势。

4 使用特性

4.1 光谱响应

光电倍增管由阴极收入射光子的能量并将其转换为光子,其转换效率(阴极灵敏度)随入射光的波长而变。这种光阴极灵敏度与入射光波长之间的关系叫做光谱响应特性。

图4给出了双碱光电倍增管(其光阴极材料为Sb-Rb-Cs和Sb-K-Cs)的典型光谱响应曲线。

一般情况下,光谱响应特性的长波段取决于光阴极材料,短波段则取决于入射窗材料。

光电倍增管的阴极一般都采用具有低逸出功能的碱金属材料所形成的光电发射面。

光电倍增管的窗材料通常由硼硅玻璃、透紫玻璃(UV玻璃)、合成石英玻璃和氟化镁(或镁氟化物)玻璃制成。硼硅玻璃窗材料可以透过近红外至300nm垢可见入射光,而其它3种玻璃材料则可用于对紫外区不可见光的探测。

4.2 光照灵敏度

由于测量光电倍增管的光谱响应特性需要精密的测试系统和很长的时间,因此,要为用户提供每一支光电倍增管的光谱响应特性曲线是不现实的,所以,一般是为用户提供阴极和阳极的光照灵敏度。

阴极光照灵敏度,是指使用钨灯产生的2856K色温光测试的每单位通量入射光产生的阴极光电子电流。阳极光照灵敏度是每单位阴极上的入射光能量产生的阳极输出电流(即经过二次发射极倍增的输出电流)。

4.3 电流放大(增益)

光阴极发射出来的光电子被电场加速后撞击到第一倍增极上将产生二次电子发射,以便产生多于光电子数目的电子流,这些二次发射的电子流又被加速撞击到下一个倍增极,以产生又一次的二次电子发射,连续地重复这一过程,直到最末倍增极的二次电子发射被阳极收集,

这样就达到了电流放大的目的。这时光电倍增管阴极产生的很小的光电子电流即被放大成较大的阳极输出电流。

一般的光电倍增管有9,12个倍增极。

4.4 阳极暗电流

光电倍增管在完全黑暗的环境下仍有微小的电流输出。这个微小的电流叫做阳极暗电流。它是决定光电倍增管对微弱光信号的检出能力的重要因素之一。

光电倍增管简介及使用特性

我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号,我在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数,仅供大家参考。 介绍 今天我们使用的光电器件中,光电倍增管(PMT)是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示,在真空管中,包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。 当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。 因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。 下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。 结构 一般,端窗型(Head-on)和侧窗型(Side-on)结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。 端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。

APD光电二极管特性测试实验

APD光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用 二、实验内容 1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台 四、实验原理 雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器,它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时,耗尽层的电场很强,光生载流子经过时就会被电场加速,当电场强度足够高(约3x105V/cm)时,光生载流子获得很大的动能,它们在高速运动中与半导体晶格碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发出新的电子一空穴对,这种现象称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速,重复前一过程,这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加,电流也迅速增大,这个物理过程称为雪崩倍增效应。 图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂,分别以P+和N+表示;在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。APD工作在大的反偏压下,当反偏压加大到某一值后,耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区,包括了中间的P层区和I区。图4的结构为拉通型APD的结构。从图中可以看到,电场在I区分布较弱,而在N+-P区分布较强,碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。尽管I区的电场比N+-P区低得多,但也足够高(可达2x104V/cm),可以保证载流子达到饱和漂移速度。当入射光照射时,由于雪

光电倍增管综述

光电倍增管综述

光电倍增管综述 摘要:光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成可测电信号的光电转换器件。本文将从结构,特性,应用及发展前景几方面做阐述。 一结构 光电倍增管是一种真空器件。它由光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极(阳极)等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。下图所示为端窗型光电倍增管的剖面结构图。 其主要工作过程如下:当光照射到光阴极时,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统,所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中,具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外,光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。 二特性 一光谱响应 光电倍增管由阴极收入射光子的能量并将其转换为光子,其转换效率(阴极灵敏度)随入射光的波长而变。这种光阴极灵敏度与入射光波长之间的关系叫做光谱响应特性。 一般情况下,光谱响应特性的长波段取决于光阴极材料,短波段则取决于入射窗材料。光电倍增管的阴极一般都采用具有低逸出功能的碱金属材料所形成的光电发射面。光电倍增管的窗材料通常由硼硅玻璃、透紫玻璃(UV玻璃)、合成石英玻璃和氟化镁(或镁氟化物)玻璃制成。硼硅玻璃窗材料可以透过近红外至300nm垢可见入射光,而其它3种玻璃材料则可用于对紫外区不可见光的探测。

二光照灵敏度 由于测量光电倍增管的光谱响应特性需要精密的测试系统和很长的时间,因此,要为用户提 供每一支光电倍增管的光谱响应特性曲线是不现实的,所以,一般是为用户提供阴极和阳极 的光照灵敏度。 阴极光照灵敏度,是指使用钨灯产生的2856K色温光测试的每单位通量入射光产生的阴极光 电子电流。阳极光照灵敏度是每单位阴极上的入射光能量产生的阳极输出电流(即经过二次 发射极倍增的输出电流)。 三增益 光阴极发射出来的光电子被电场加速后撞击到第一倍增极上将产生二次电子发射,以便产生 多于光电子数目的电子流,这些二次发射的电子流又被加速撞击到下一个倍增极,以产生又 一次的二次电子发射,连续地重复这一过程,直到最末倍增极的二次电子发射被阳极收集, 这样就达到了电流放大的目的。这时光电倍增管阴极产生的很小的光电子电流即被放大成较 大的阳极输出电流。一般的光电倍增管有9~12个倍增极。 三应用 光电倍增管应用用下表简单表示。 光电倍增管的应用领域 光谱学----- 利用光吸收原理 应用领域光电倍增管特性适用管紫外/可见/近红外分光光度计 光通过物质时使物质的电子状态发生变化,而失去部分能量,叫做吸收。利用吸收进行定量分析。为确定样品物质的量,采用连续的光谱对物质进行扫描,并利用光电倍增管检测光通过被测物质前后的强度,即可得到被测物质程度,计算出物质的量。1.宽光谱响应 2.高稳定性 3.低暗电流 4.高量子效率 5.低滞后效应 6.较好偏光特性 R212 R6356,R6 R928,R955,R14 R1463 R374,R3 CR114,CR131 原子吸收分光光度计 广泛地应用于微量金属元素的分析。对应于分析的各种元素,需要专用 的元素灯,照射燃烧并雾化分离成原子状态的被测物质上,用光电倍增 管检测光被吸收的强度,并与预先得到的标准样品比较。 R928,R955 CR1 生物技术 应用领域光电倍增管特性适用管 细胞分类 细胞分类仪是利用荧光物质对细胞标定后,用激光照射,细胞的荧光、散乱光用光电倍增管进行观察,对特定的细胞进行选别的装置。1.高量子效率 2.高稳定性 3.低暗电流 4.高电流增益 5.好的偏振特性 R6353,R6357,R R928,R1477,R3 R2368 CR131 荧光计 细胞分类的最终目的是分离细胞,为此,有一种用于对细胞、化学物质进行解析的装置,它称为荧光计。它对细胞、染色体发出的荧光、散乱

光电倍增管简介

光电倍增管简介 1. 光电倍增管的结构和工作原理 由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成;次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的,次阴极多的可达30级;阳极是最后用来收集电子 的,收集到的电子数是阴极发射电子数的105~106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时,它就能产生很大的光电流。 2. 光电倍增管的主要参数 (1)倍增系数M 倍增系数M等于n个倍增电极的二次电子发射系数δ的乘积。如果n个倍增电极的δ都相同,则M=1因此,阳极电流I 为 i —光电阴极的光电流 光电倍增管的电流放大倍数β为 M与所加电压有关,M在105~108之间,稳定性为1%左右,加速电压稳定性要在0.1%以内。如果有波动,倍增系数也要波动,因此M具有一定的统计涨落。一般阳极和阴极之间的电压为1000~2500V,两个相邻的倍增电极的电位差为50~100V。对所加电压越稳越好,这样可以减小统计涨落,从而减小测量误差。

光电倍增管的特性曲线 (2)光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度 一个光子在阴极上能够打出的平均电子数叫做光电倍增管的阴极灵敏度。而一个光子在阳极上产生的平均电子数叫做光电倍增管的总灵敏度。 光电倍增管的最大灵敏度可达10A/lm,极间电压越高,灵敏度越高;但极间电压也不能太高,太高反而会使阳极电流不稳。 另外,由于光电倍增管的灵敏度很高,所以不能受强光照射,否则将会损坏。 (3)暗电流和本底脉冲 一般在使用光电倍增管时,必须把管子放在暗室里避光使用,使其只对入射光起作用;但是由于环境温度、热辐射和其它因素的影响,即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流,这种电流称为暗电流,这是热发射所致或场致发射造成的,这种暗电流通常可以用补偿电路消除。 如果光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全蔽光情况下,出现的电流称为本底电流,其值大于暗电流。增加的部分是宇宙射线对闪烁体的照射而使其激发,被激发的闪烁体照射在光电倍增管上而造成的,本底电流具有脉冲形式。 (4)光电倍增管的光谱特性 光谱特性反应了光电倍增管的阳极输出电流与照射在光电阴极上的光通量之间的函数关系。对于较好的管子,在很宽的光通量范围之内,这个关系是线性的,即入射光通量小于10-4lm时,有较好的线性关系。光通量大,开始出现非线性,如图所示。

实验七 光电倍增管的特性与特性参数测试

实验七光电倍增管的特性与特性参数测试 1. 实验目的: 光电倍增管是最灵敏的光电器件。它的暗电流、噪声、灵敏度大范围可调和时间响应等特性都具有独特的特点,因此,光电倍增管是非常优秀的光电器件。掌握光电倍增管的主要特性参数,及其它的供电电路对于正确应用光电倍增管解决微弱辐射的测量技术是非常重要的。 2. 实验仪器: 1)GDS-Ⅱ型光电综合实验平台主机; 1)GDBS-Ⅰ型光电倍增管实验装置; 3. 实验内容: 1、光电倍增管阳极暗电流I D的测量; 2、光电倍增管阳极光照灵敏度S a的测量;光电倍增管的灵敏度S a与电源电压U bb 的关系; 3、测量光电倍增管的增益G; 4. 实验原理 1)光电倍增管工作原理 光电倍增管是真空光电器件,它主要由光入射窗、光电阴极面、电子聚焦系统、倍增电极和阳极等5部分构成。其工作原理如“光电技术”教材第4章所讲述,分下面5部分: (1)光子透过入射窗口玻璃入射到玻璃内层光电阴极上,窗口玻璃的透过 率满足光电倍增管的光谱响应特性; (2)进入到光电阴极上的光子使光电阴极材料产生外光电效应,激发出电 子,并飞离表面到真空中,称其为光电子; (3)光电子通过电场加速,并在电子聚焦系统的作用下射入到第一倍增极 D1上,倍增极D1将发射出比入射光电子数目增多δ倍,这些二次电子又在电场 作用下射入到下一增极; (4)入射电子经N级倍增后,电子数就被放大δN倍; (5)经过电子倍增后的二次电子由阳极收集起来,形成阳极电流,在负载上产生压降,输出电压信号U o。 2)光电倍增管的基本特性参数 光电倍增管的特性参数包括光电灵敏度、电流增益、光电特性、阳极特性、暗电流特性与时间响应等特性。 ①光电灵敏度 光电灵敏度是光电倍增管探测光信号能力的一个重要标致,光电灵敏度通常分为阴极灵

光电二三极管特性测试实验报告分解

光敏二极管特性测试实验 一、实验目的 1.学习光电器件的光电特性、伏安特性的测试方法; 2.掌握光电器件的工作原理、适用范围和应用基础。 二、实验内容 1、光电二极管暗电流测试实验 2、光电二极管光电流测试实验 3、光电二极管伏安特性测试实验 4、光电二极管光电特性测试实验 5、光电二极管时间特性测试实验 6、光电二极管光谱特性测试实验 7、光电三极管光电流测试实验 8、光电三极管伏安特性测试实验 9、光电三极管光电特性测试实验 10、光电三极管时间特性测试实验 11、光电三极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电二三极管综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1个 4、电源线 1根 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1、概述

随着光电子技术的发发展,光电检测在灵敏度、光谱响应范围及频率我等技术方面要求越来越高,为此,近年来出现了许多性能优良的光伏检测器,如硅锗光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)等。光敏晶体管通常指光电二极管和光电三极管,通常又称光敏二极管和三敏三极管。 光敏二极管的种类很多,就材料来分,有锗、硅制作的光敏二极管,也有III-V族化合物及其他化合物制作的二极管。从结构我来分,有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点接触型等。从对光的响应来分,有用于紫外光、红外光等种类。不同种类的光敏二极管,具胡不同的光电特性和检测性能。例如,锗光敏二极管与硅光敏二极管相比,它在红外光区域有很大的灵敏度,如图所示。这是由于锗材料的禁带宽度较硅小,它的本征吸收限处于红外区域,因此在近红外光区域应用;再一方面,锗光敏二极管有较大的电流输出,但它比硅光敏二极管有较大的反向暗电流,因此,它的噪声较大。又如,PIN型或雪崩型光敏二极管与扩散型PN结光敏二极管相比具有很短的时间响应。因此,在使用光敏二极管进要了解其类型及性能是非常重要的。 光敏二极管和光电池一样,其基本结构也是一个PN结。与光电池相比,它的突出特点是结面积小,因此它的频率特性非常好。光生电动势与光电池相同,但输出电流普遍比光电池小,一般为数微安到数十微安。按材料分,光敏二极管有硅、砷化铅光敏二极管等许多种,由于硅材料的暗电流温度系数较小,工艺较成熟,因此在实验际中使用最为广泛。 光敏三极管与光敏二极管的工作原理基本相同,工作原理都是基于内光电效应,和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上,PN结参与了光电转换过程。 2、光电二三极管的工作原理 光生伏特效应:光生伏特效应是一种内光电效应。光生伏特效应是光照使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象。对于不均匀半导体,由于同质的半导体不同的掺杂形成的PN结、不同质的半导体组成的异质结或金属与半导体接触形成的肖特基势垒都存在内建电场,当光照射这种半导体时,由于半导体对光的吸收而产生了光生电子和空穴,它们在内建电场的作用下就会向相反的方向移动和聚集而产生电位差。这种现象是最重要的一类光生伏特效应。均匀半导体体内没有内建电场,当光照射时,因眼光生载流子浓度梯度不同而引起载流子的扩散运动,且电子和空穴的迁移率不相等,使两种载流

光电倍增管原理简介

光电倍增管原理简介 我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号,在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数,仅供大家参考。 介绍 今天我们使用的光电器件中,光电倍增管(PMT)是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示,在真空管中,包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。 当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。 因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。

下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。 结构 一般,端窗型(Head-on)和侧窗型(Side-on)结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。

端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。 电子倍增系统 光电倍增管的优异的灵敏度(高电流放大和高信噪比)得益于基于多个排列的二次电子发射系统的使用,它使电子低噪声的条件下得到倍增。电子倍增系统包括从8至19极的被叫做打拿极或倍增极的电极。 现在使用的电子倍增系统主要有以下几类: 1)环形聚焦型 环形聚焦型结构主要应用于侧窗型光电倍增管。其主要特点为紧凑的结构和快速时间响应特性。

光敏二极管的检测方法

1.电阻测量法用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口,然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值在10~20kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则是该光敏二极管漏电或开路损坏。 再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源,然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时,正、反向电阻值均应变小,阻值变化越大,说明该光敏二极管的灵敏度越高。 2.电压测量法将万用表置于1V直流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有0.2~0.4V电压(其电压与光照强度成正比)。 3.电流测量法将万用表置于50μA或500μA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,正常的光敏二极管在白炽灯光下,随着光照强度的增加,其电流从几微安增大至几百微安。 1.光敏二极管的简易判别方法 (1)电阻测量法 用万用表1k档,测正向电阻约10kΩ左右。在无光照情况下,反向电阻应为∞,反向电阻不是∞,说明漏电流大;有光照时,反向电阻应随光照增强而减小,阻值小至几kΩ或1kΩ以下。 (2)电压测量法 用万用表1V档(无1V档可用1.5V或3V档),红表笔接光敏二极管的“十”极,黑表笔接“-”极,在光照情况下,其电压应与光照度成比例,一般可达0.2~0.4V。 (3)短路电流测量法 用万用表50mA或500mA电流档,红表笔接光敏二极管的“十”极,黑表笔接“-”极,在白炽灯下(不能用日光灯),应随光照的增强,其电流随之增加。短路电流,可达数十mA~数百mA。 光敏二极管的主要特性参数 ①最高反向工作电压VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下,反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值。 ②暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小,光

光电倍增管使用特性

页眉内容 光电倍增管简介及使用特性 我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号,我在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数,仅供大家参考。 介绍 今天我们使用的光电器件中,光电倍增管(PMT )是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示,在真空管中,包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。 当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。 因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。 下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。

结构 一般,端窗型(Head-on)和侧窗型(Side-on)结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。 端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。 电子倍增系统 光电倍增管的优异的灵敏度(高电流放大和高信噪比)得益于基于多个排列的二次电子发射系统的使用,它使电子低噪声的条件下得

光电倍增管原理、特性与应用

光电倍增管原理、特性与应用 摘要:光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成可测电信号的光电转换器件。文中以北京滨松光子技术有限公司生产的R/CR系列产品为代表,介绍光电倍增管的一般原理、使用特性及其应用。并特别给出了在各种领域所适用的光电倍增管的型号。 关键词:光子技术光电倍增管使用特性 1 概述 光电子应用技术是一门新兴的高新技术,当前还处于发展阶段。相信它在21世纪必将有重大创新并迅速崛起。光电子技术产业也必将发展成为一种新兴的知识经济,从而在新兴技术领域形成巨大的生产力。 光电倍增管(PMT)是光子技术器件中的一个重要产品,它是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。可广泛应用于光子计数、极微弱光探测、化学发光、生物发光研究、极低能量射线探测、分光光度计、旋光仪、色度计、照度计、尘埃计、浊度计、光密度计、热释光量仪、辐射量热计、扫描电镜、生化分析仪等仪器设备中。 2 光电倍增管的一般结构 光电倍增管是一种真空器件。它由光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极(阳极)等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。图1所示为端窗型光电倍增管的剖面结构图。其主要 工作过程如下: 摘要:光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成可测电信号的光电转换器件。文中以北京滨松光子技术有限公司生产的R/CR系列产品为代表,介绍光电倍增

管的一般原理、使用特性及其应用。并特别给出了在各种领域所适用的光电倍增管的型号。 关键词:光子技术光电倍增管使用特性 1 概述 光电子应用技术是一门新兴的高新技术,当前还处于发展阶段。相信它在21世纪必将有重大创新并迅速崛起。光电子技术产业也必将发展成为一种新兴的知识经济,从而在新兴技术领域形成巨大的生产力。 光电倍增管(PMT)是光子技术器件中的一个重要产品,它是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。可广泛应用于光子计数、极微弱光探测、化学发光、生物发光研究、极低能量射线探测、分光光度计、旋光仪、色度计、照度计、尘埃计、浊度计、光密度计、热释光量仪、辐射量热计、扫描电镜、生化分析仪等仪器设备中。 2 光电倍增管的一般结构 光电倍增管是一种真空器件。它由光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极(阳极)等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。图1所示为端窗型光电倍增管的剖面结构图。其主要工作过程如下: 当光照射到光阴极时,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。 因为采用了二次发射倍增系统,所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中,具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外,光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。 3 光电倍增管的类型

光敏电阻伏安特性光敏二极管光照特性

光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性(FB815型光敏传感器光电特性实验仪 ) 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量,如光强、光照度等;也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,通常分为外光电效应和内光电效应两大类,在光辐射作用下电子逸出材料的表面,产生光电子发射现象,则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的,则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于内光电效应范畴,本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。 通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池与光学纤维的光电传感特性及在某些领域中的应用。 【实验原理】 1(光电效应: (1)光电导效应: 当光照射到某些半导体材料上时,透过到材料内部的光子能量足够大,某些电子吸收光子的能量,从原来的束缚态变成导电的自由态,这时在外电场的作用下,流过半导体的电流会增大,即半导体的电导会增大,这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。

光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带,价带中由于电子离开而产生空穴,在外电场作用下,电子和空穴参与电导,使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带,从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 (2)光生伏特效应: 在无光照时,半导体结内部有自建电场。当光照射在结及其附近时,在能量PNPN 足够大的光子作用下,在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。载流子在结区外时,靠扩散进入结区;在结区中时,则因电场的作用,电子漂移到区,空穴漂移EN到区。结果使区带负电荷,区带正电荷,产生附加电动势,此电动势称为光生电动PPN 势,此现象称为光生伏特效应。 2(光敏传感器的基本特性: 光敏传感器的基本特性则包括:伏安特性、光照特性等。 伏安特性: 光敏传感器在一定的入射光照度下,光敏元件的电流与所加电压之间的关系称为IU光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一族伏安特性曲线。它是传感器应用设计时的重要依据。 光照特性: 光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性,有时光敏传感器的输出电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性,它也是光敏传感器应用设计时选择参数的重要依据之一。

光电倍增管使用特性

- -- - . -考试文档- 光电倍增管简介及使用特性 我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号,我 在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数,仅供大家参考。 介绍 今天我们使用的光电器件中,光电倍增管(PMT)是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示,在真空管中,包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。 当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。 因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。

下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。 结构 一般,端窗型(Head-on)和侧窗型(Side-on)结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射 光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度 测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在 较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。端 窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。 端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。 - . -考试文档-

光电倍增管原理特性及其应用

目录 1.概述 (1) 2.结构 (1) 3.电子倍增系统 (2) 4. 光谱响应 (2) 5.使用材料 (3) 5.1光阴极材料 (3) 5.2窗材料 (3) 6.使用特性 (4) 6.1. 辐射灵敏度 (4) 6.2.光照灵敏度 (4) 6.3.电流放大(增益) (4) 6.4.阳极暗电流 (5) 6.5 温度特性 (5) 6.6.滞后特性 (5) 6.7.均匀性 (5) 6.8.时间特性 (5) 7.应用举例 (5) 结束语 (7) 参考文献 (7)

光电倍增管原理特性及其应用 摘要:光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成可测电信号的光电转换器件。本文首先介绍光电倍增管的一般原理,对它的工作原理进行较详细的描述,然后介绍其组成结构,使用特性及其应用,并归纳总结了几种常用的光电倍增管光电阴极材料及窗材料,最后介绍了光电倍增管在一些领域的应用,如光电测光等。关键词:光电倍增管;端窗型;侧窗型;光谱响应;材料;特性,光电测光。 1.概述 光电倍增管(PMT)是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。当光照射到光阴极时,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统,所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中,具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外,光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。基于外光电效应和二次电子发射效应的电子真空器件。它利用二次电子发射使逸出的光电子倍增,获得远高于光电管的灵敏度,能测量微弱的光信号。光电倍增管包括阴极室和由若干打拿极组成的二次发射倍增系统两部分(见图)。 图1 光电倍增管工作原理图 阴极室的结构与光阴极K的尺寸和形状有关,它的作用是把阴极在光照下由外光电效应产生的电子聚焦在面积比光阴极小的第一打拿极D1的表面上。二次发射倍增系统是最复杂的部分。打拿极主要选择那些能在较小入射电子能量下有较高的灵敏度和二次发射系数的材料制成。在各打拿极 D1、D2、D3…和阳极A 上依次加有逐渐增高的正电压,而且相邻两极之间的电压差应使二次发射系数大于1。这样,光阴极发射的电子在D1电场的作用下以高速射向打拿极D1,产生更多的二次发射电子,于是这些电子又在D2电场的作用下向D2飞去。如此继续下去,每个光电子将激发成倍增加的二次发射电子,最后被阳极收集。输出电流和入射光子数成正比。整个过程时间约 10-8秒。 2.结构 光电倍增管按其接收入射光的方式一般可分成端窗型和侧窗型两大类。一般,端窗型和侧窗型结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。

光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性

光敏传感器的光电特性研究 (FB815型光敏传感器光电特性实验仪) 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量,如光强、光照度等;也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,通常分为外光电效应和内光电效应两大类,在光辐射作用下电子逸出材料的表面,产生光电子发射现象,则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的,则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于内光电效应范畴,本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。 通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管的光电传感特性及在某些领域中的应用。 【实验原理】 1.光电效应: (1)光电导效应: 当光照射到某些半导体材料上时,透过到材料内部的光子能量足够大,某些电子吸收光子的能量,从原来的束缚态变成导电的自由态,这时在外电场的作用下,流过半导体的电流会增大,即半导体的电导会增大,这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带,价带中由于电子离开而产生空穴,在外电场作用下,电子和空穴参与电导,使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带,从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 (2)光生伏特效应: 在无光照时,半导体PN结内部有自建电场。当光照射在PN结及其附近时,在能量足够大的光子作用下,在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。载流子在结区外时,靠扩散进入结区;在结区中时,则因电场E的作用,电子漂移到N区,空穴漂移到P 区。结果使N区带负电荷,P区带正电荷,产生附加电动势,此电动势称为光生电动势,此现象称为光生伏特效应。 2.光敏传感器的基本特性: 光敏传感器的基本特性则包括:伏安特性、光照特性等。

光电二极管特性测试及其变换电路

光电二极管特性测试及其变换电路 1实验目的 (1)学习掌握光电二极管的工作原理 (2)学习掌握光电二极管的基本特性 (3)掌握光电二极管特性测试的方法 (4)了解光电二极管的基本应用 2实验内容 (1)光电二极管暗电流测试实验 (2)光电二极管光电流测试实验 (3)光电二极管伏安特性测试实验 (4)光电二极管光电特性测试实验 (5)光电二极管时间特性测试实验 (6)光电二极管光谱特性测试实验 3实验仪器 (1)光电器件实验仪1台 (2)示波器1台 (3)万用表1个 (4)计算机1套 4实验原理 光电二极管又称光敏二极管。制造一般光电二极管的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。由于硅器件较锗器件暗电流、温度系数都小得多,加之制作硅器件采用的平面工艺使其管芯结构很容易精确控制,因此,硅光电二极管得到了广泛应用。 光电二极管的结构和普通二极管相似,只是它的PN结装在管壳顶部,光线通过透镜制成的窗口,可以集中照射在PN结上,图1(a)是其结构示意图。光敏二极管在电路中通常处于反向偏置状态,如图1(b)所示。

(a)结构示意图(b)基本电路 图1 光电二极管结构图 PN结加反向电压时,反向电流的大小取决于P区和N区中少数载流子的浓度,无光照时P区中少数载流子(电子)和N区中的少数载流子(空穴)都很少,因此反向电流很小。但是当光照射PN结时,只要光子能量hv大于材料的禁带宽度,就会在PN结及其附近产生光生电子—空穴对,从而使P区和N区少数载流子浓度大大增加。这些载流子的数目,对于多数载流子影响不大,但对P区和N 区的少数载流子来说,则会使少数载流子的浓度大大提高,在反向电压(P区接负,N区接正)作用下,反向饱和漏电流大大增加,形成光电流,该光电流随入射光照度的变化而相应变化。光电流通过负载R L时,在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号如果入射光的照度改变,光生电子—空穴对的浓度将相应变动,通过外电路的光电流强度也会随之变动,光敏二极管就把光信号转换成了电信号。 5注意事项 1、实验之前,请仔细阅读光电探测综合实验仪说明,弄清实验箱各部分的功能及拨位开关的意义; 2、当电压表和电流表显示为“1_”是说明超过量程,应更换为合适量程; 3、连线之前保证电源关闭。 4、实验过程中,请勿同时拨开两种或两种以上的光源开关,这样会造成实验所测试的数据不准确。 6实验步骤 6.1光电二极管暗电流测试 实验装置原理框图如图2所示,但是在实际操作过程中,光电二极管和光电三极管的暗电流非常小,只有nA数量级。这样,实验操作过程中,对电流表的要求较高,本实验中,采用电路中串联大电阻的方法,将图2中的RL改为20M,

PMT基础知识之一(A)光电倍增管的工作原理、特点及应用)解析

光电倍增管基础知识之一 (光电倍增管的工作原理、特点及应用) 一光电倍增管的工作原理 光电倍增管是一种真空光电器件(真空管)。它的工作原理是建立在光电效应(光电发射)、二次电子发射、电子光学理论基础上的。它昀工作过程是:光子通过光窗入射到光电阴极L产生光电子,光电子通过电子光学输入系统进入倍增系统,电子得到倍增,最后阳极把电子收集起来,形成阳极电流或电压。因此一个光电倍增管可以分为几个部分: (1)入射光窗、 (2)光电阴极、 (3)电子光学输入系统、 (4)二次倍增系统、 (5)阳极。

光电倍增管结构如图(1)所示。 图(1)光电倍增管结构示意图 1入射光窗: 让光通过的光窗一般有 (1) 硼硅玻璃(300nm)、 (2) 透紫玻璃(185nm)、 (3) 合成(熔融)石英(160nm)、 (4) 蓝宝石(Al2O3)150nm、 (5) MgF2(115nm)。 光电倍增管光谱短波阈由入射 光窗决定。

2光电阴极 光电阴极是接收光子而放出光电子的电极。一般分为半透明(入射光和光电子同一方问)的端面或四面窗阴极和不透明(入射光的方向与光电子方向相反)。见图(2)电子轨迹图。 图(2)电子轨迹图

光电阴极的材料多用低逸出功的碱金属为主的半导体化合物,到目前为止,实用的先电阴极材料达十种之多: (1) Sb-Cs 特点是: 阴极电阻低,允许强光下有大电流流过阴极的场合下工作) (2) 双碱(Sb-RbCs、Sb-K-Cs) 特点是: 灵敏度较高 暗电流小-热电子发射小) (3) 高温双碱(Sb-K-Na) 特点是: 耐高温-200℃ (4) 多碱(Sb-K-Na-Cs). 特点是: 宽光谱 灵敏度高 (5) Ag-O-Cs多碱 特点是: 光谱可到近红外 灵敏度低)

光电倍增管原理

由于ICP光源的广泛使用,现在商品ICP光谱仪中光电直读光谱仪已占主要地位。光电倍增管是光电直读光谱仪器中应用的检测元件。光电倍增管由两部分组成:将入射光子转化为电子的光阴极,增大电子数目的倍增极。光电倍增管的外壳由玻璃或石英制成,内部抽成真空。光阴极上涂有能发射电子的光敏物质,在阴极和阳极之间联有一系列次级电子发射极,即电子倍增极。阳极和阴极之间加以约1000V的直流电压。在每两个相邻电极之间,都有50-100V的电位差。当光照射在阴极上时,光敏物质发射的电子,首先被电场加速,落在第一个倍增极上,并击出二次电子。这些二次电子又被电场加速,落在第二个倍增极上,击出更多的二次电子,依此类推。由此可见,光电倍增管不仅起了光电转换作用,而且还起着电流放大作用。光电倍增管具有波长区域宽(常用160~900nm)、线性范围大、放电增益高及噪声低等很多优点。 红外热成像 由于黑体辐射的存在,任何物体都依据温度的不同对外进行电磁波辐射。波长为2.0~1000微米的部分称为热红外线。热红外成像通过对热红外敏感CCD对物体进行成像,能反映出物体表面的温度场。热红外在军事、工业、汽车辅助驾驶、医学领域都有广泛的应用。 红外窗口水汽分子是红外辐射的主要吸收体。较强的水汽吸收带位于0.71~0.735μ(微米),0.81~0.84μ,0.89~0.99μ,1.07~1.20μ,1.3~1.5μ,1.7~2.0μ,2.4~3.3μ,4.8~8.0μ。在13.5~17μ处出现二氧化碳的吸收带。这些吸收带间的空隙形成一些红外窗口。其中最宽的红外窗口在8~13μ处(9.5μ附近有臭氧的吸收带)。17~22μ是半透明窗口。22μ以后直到1毫米波长处,由于水汽的严重吸收,对地面的观测者来说完全不透明。但在海拔高、空气干燥的地方,24.5~42μ的辐射透过率达30~60%。在海拔3.5公里高度处,能观测到330~380μ、420~490μ、580~670μ(透过率约30%)的辐射,也能观测到670~780μ(约70%)和800~910μ(约85%)的辐射。根据维恩位移定律,物体所发出的红外线的峰值波长为λ(m)=b/T b=0.002897mK T=测量温度 T=100度或者说273.16K时,红外线的峰值波长为7.8微米。该物体在2微米的波长段,能量几乎衰减到了0。 以2微米以下的红外探测器根本无法测量到0-200度。 见过的除了8-14微米的红外测温仪可以测量0-200度之外,6.8微米的也最多可以测量到50度左右的温度。

光敏二极管特性实验

光敏二极管特性实验 一、实验目的 通过实验掌握光敏二极管的工作原理及相关特性,了解光敏二极管特性曲线及其测试电路的设计。 二、基本原理 1、光敏二极管工作原理(详见红外功率可调光源曲线标定实验)。 2、光敏二极管特性实验原理 光敏二极管在应用中一般加反向偏压,使得其产生的光电流只与光照度有关。图1-9中,当光照为零时,光敏二极管不会产生广生载流子,也没有其他电流流过,整个电路处于截止状态;当有光照时,光敏二极管产生光电流,由于放大器的正负输入端虚短,放大器输出负电压。再二级放大,然后用跟随器输出。并且光照越强,输出电压越大。 R2680 总线模块 光电检测综合试验台的总 线模块 +5V -5V AGND +12V -12V 222426 40 PIN1 光敏二极管 PIN2 电流流向 A V GND VCC Vin ADJ R11K LED C9013R2680 +5V 0~5V GND 实验台 R V A AGND

2_+ 3+5V -5V 74 2_+ 3+5V -5V 74 2_+ 3+5V -5V 74 -5V +5V 2224AGND 40 图1-9 光敏二极管特性测试图 三、实验仪器 1、光电检测与信息处理实验台(一套) 2、红外功率可调光源探头 3、红外接收探头 4、光电信息转换器件参数测试实验板 5、万用表 6、光学支架 7、导线若干 四、实验步骤 1、按图1-9连接实验线路。 (1)把光电信息转换器件参数测试实验板插在光电检测综合试验台的总线模块PLUG64-1、PLUG64-2、PLUG64-3的任意位置上; (2)由光敏二极管探头的两个输出接线端PIN1、PIN2分别引出导线连接到试验台的总线模块的22(负极)和24

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