石墨烯基气体传感器的应用前景及研究进展

石墨烯基气体传感器的应用前景及研究进展

石墨烯作为一种新兴材料，具有电阻率低，高机械强度，弹性好，透明度高，结构稳定，导热性好，电子传导速率最快等特点。以石墨烯为衬底制成的气体传感器在性能上优于很多其他传感器。本文主要介绍了几种石墨烯气体传感器：剥离石墨烯气体传感器、CVD生长石墨烯气体传感器、还原氧化石墨烯气体传感器等，除了描述了基本原理，材料类型外，还同时对石墨烯气体传感器的研究现状和进展进行评价，以及对其应用前景做出展望。

1.1 选题背景及意义

传感器作为收集、传送、检测和管理信息的功能器件，是信息产业链的源头，也是技术基础。其主要特点是能感应并检测到一种形态的信息，并转化成另一种形态的信息。随着信息时代的高速发展，传感器的研究进程蒸蒸日上，人们对于精度、灵敏度、使用便捷等需求越来越高，怎样提高生产效率和降低成本成为工业生产的重点研究目的，而对于科研方面，则更偏向于高灵敏度、高精确度等性能的研究。其中气体传感器与人们的生活息息相关，也在科研及工业生产中广泛应用。石墨烯作为新兴材料自发现以来就已应用在多个领域，在气体传感器中作为衬底也有着独到的优势。本课题将主要介绍几种现代常用的石墨烯基气体传感器，包括它们的基本原理、制备过程、应用领域、研究进展等。

1.2 国内外研究现状

现阶段石墨烯气体传感器的研究重点主要集中于怎样提高石墨烯材料的气敏性能，以及大批量生产的可行性。国内外研究人员通过各种方法均成功制备出了石墨烯，但质量良莠不齐，各有优势与缺点，有的精度高灵敏度高制备不方便，有的易制造但质量不高，还有的质量高面积大但使用受限。作为气体传感器的基体材料，有的可用于科学研究，有的可用于工业或环境检测。对于石墨烯基体与其他气体气敏材料相比，因其巨大比表面积和高电子迁移率，在灵敏度上有很大优势，但选择性差，只对少数气体保持较高灵敏度，这使得石墨烯基气体传感的应用受限制。在理论与实验相结合的研究方法下，探索如何提高石墨烯气体传感器灵敏度、气体选择性，实现室温环境下的商业化成为首要目标。

1.2.1石墨烯

石墨烯（Graphenes）是一种二维碳材料，理论上只有单层碳原子，实际中则包括了单层石墨烯、双层石墨烯和少层石墨烯。1985年发现的零维富勒烯【1】即由二维石墨烯翘曲而成，沿轴向卷曲则成为1991年发现的一维碳纳米管【2】（CNT）、多层平行则可以堆垛成三维的石墨和金刚石。

图1 单层石墨烯及其派生物示意图【3】

自2004年石墨烯作为新型材料被Geim为领导的小组【4】发现以来，其特殊结构决定的性质被广泛试验研究以及应用。备受瞩目下不负众望，其优良性质被不断发掘如下列：石墨烯的导电性能良好，不仅电阻率低，约10-8 Ω·m，且具有最快的电子迁移率，是锑化铟的两倍，在常温下达15000 cm²/V·s【5】；机械强度高，它的杨氏模量约为1.1TPa【6】，还拥有125GPa【7】的断裂强度，高达钢铁的数十倍，甚至高过金刚石，在纳米材料中是最坚硬的；弹性好；石墨烯的透光性高，它基本透明，吸光率为2.3%；结构稳定；导热性好，热导率为金刚石的三倍，达5000 W/m·K【8】；比表面积巨大，理论上达2600m²/g【9】；除此之外石墨烯中的电子，能快速移动。因为它不同于传统半导体与导体，在电子与原子碰撞过程中，无能量损耗。

石墨烯是已知的世界上最薄且最坚硬的纳米材料，也是世界上电阻率最小的材料，电阻率比铜和银更低，而且电子迁移的速度极快，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件或晶体管。石墨烯其实质是一种透明的良导体，也同样可以用来来制造透明可弯曲的触控屏幕、光板和太阳能电池等。二维平面石墨烯给工业加工带来的可操作性更大、更容易。石墨烯的优异特性还能让它在纳米电子器件、微电子器件、气体传感器、催化剂载体、能量采集存储、透明电极、基于石墨烯的复合材料、催化材料等方面都有应用，再加上成本低廉，易加工的优势，未来还必将进入更多领域。

机械剥离法：用摩擦力或拉力等作用于石墨晶体上，使单层石墨脱离开来，这种方法可以获得100μm厚度的石墨。2004年曼彻斯特大学的安德烈·海姆等人【4】用一种不同的机械剥离法（微机械法）发现了石墨烯，即单原子厚度的石墨层。此方法是从高定向热解石墨（HOPG）上刻蚀出深5μm，20μm×20μm 大小的凹槽，然后压制在硅基底上，经炙烤后5微米厚的石墨片从HOPG上脱离，再用透明胶带反复剥离，将余下的附着在基底上的石墨连同基底溶解在丙酮中，然后用大量的水和乙醇进行超声清洗，此时附着在基底上的石墨层厚度小于10纳米，经显微镜可挑选出更薄的石墨烯片层。要想找到单层石墨烯并且测得精确的厚度，还可以借助于原子力显微镜（AFM）。机械剥离法能获得目前为止质量最好精度最高的石墨烯，但它是先获得薄片再挑出石墨烯，这样获得的石墨烯大小不定且不独立，无法大批量生产规格相同的石墨薄片样本。因此用机械磨代替手工剥离的方式出现在人们视线里，代表仪器有臼式研磨仪（Mortar Grinder）、搅拌球磨（Attritor Mill）、行星球磨(Planetary Mill)等【10】，此类机械磨虽提高了效率和产量，但仍然存在能量低、厚度不均匀等问题。尽管如此，持续的开创性研究也让大量制备石墨烯及其相关材料不再遥不可及。

图2 石墨烯薄膜【11】(A)白光下多层石墨烯片的显微镜图(B)剥离石墨烯边缘AFM图像(C)单

层石墨烯的AFM图像(D)从FLG设备组装的电子器件的扫描电镜显微照片(E)电子器件原理图

化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD)：是在高温环境下，以CH4或其他含碳化合物等为碳源，在金属基体表面分解长出石墨烯的方法。根据金属的容碳量分为渗碳析碳与表面生长两种机制如图3所示：有着比较高的容碳量的金属比如Ni，高温时含碳化合物分裂解离成碳原子进入金属基体，通过

降温，内部碳原子慢慢渗出后再生长成石墨烯，这是渗碳析碳机制；另一种表面生长机制则是以低容碳量的金属比如Cu作为金属基体，高温环境下气态含碳化合物裂解成的碳原子附着在铜表面，然后生长成岛屿状石墨烯，可通过生长归并到一起成大面积石墨烯薄膜。因为化学气相沉积法操作简单、可行性高，并且可以获得大面积高质量的石墨烯薄膜，还能在其他金属基体上转嫁使用，所以CVD 方法正渐渐成为制造石墨烯的重要方法，并普遍用来制造晶体管和透明导电薄膜。

图3 CVD渗碳析碳与表面生长两种机制【12】

碳化硅高温退火法：该方法由克莱尔伯杰等人【13】首创，是在单晶的碳化硅表面以热解的方式去掉硅。具体操作过程为在样品表面氧化或是蚀刻后，放在高真空环境下再升温至1000摄氏度多次去掉表面氧化硅直到去除干净以提高石墨烯质量，可用俄歇电子能谱来检验是否去除干净，之后加热到1250-1450℃保持1至20分钟，石墨烯薄膜厚度可由升温温度决定。希尔和伯杰等人【14】将以上方法简化，将碳化硅基底至于高真空环境下直接升温，以此获得的碳化硅表面生长的石墨烯拥有较高的电子迁移率，不足之处在于受到碳化硅基底的影响较大，两者的界面结构以及其对石墨烯的电子与电学性能的影响成为研究重点。

化学分散法：将含碳氧化物与水以一定比例进行混合，用超声波对溶液进行震荡知道其中没有颗粒状物质，添加少量肼（Hydrazine）在100摄氏度环境下回流24h，将其中的黑色颗粒物质经过沉积、过滤、干燥等步骤可获得石墨烯。此种方法可获得的石墨烯厚度约为1nm【15】。

取向附生法（epitaxial growth）：Peter W. Sutter等人【16】是采用以稀有金属钌（Ru）为生长基质的原子结构长出石墨烯的方式，但此种方法制备的石墨烯经常厚度不一，而且界面间的连接对石墨烯层的性能有影响。具体过程是在1150摄氏度环境下碳原子渗入Ru，再降温至850摄氏度，单层碳原子析出Ru表面后连