【CN110003514A】一种高介电复合膜的制备方法和应用【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910305291.8

(22)申请日 2019.04.16

(71)申请人 电子科技大学

地址 610000 四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人 周榆久　徐建华　王婷　陈富佳　

(74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务

所(特殊普通合伙) 11463

代理人 李双艳

(51)Int.Cl.

C08J 7/04(2006.01)

C08J 5/18(2006.01)

C08L 27/16(2006.01)

(54)发明名称

一种高介电复合膜的制备方法和应用

(57)摘要

本发明提供了一种高介电复合膜的制备方

法和应用。本发明制备方法包括：在基板上形成

第一聚合物膜；然后，在第一聚合物膜上形成金

属层；最后，在金属层上通过流延形成第二聚合

物膜；其中，所述流延优选为溶液流延；更优选

为，溶液流延所用涂料的溶剂，能够将第一聚合

物膜溶解和/或溶胀。本发明制备方法中，以聚合

物薄膜为基底，并通过将真空金属镀膜与溶液流

延工艺结合，得到了一种具有聚合物/金属-聚合

物复合层/聚合物的三层立体结构复合膜，不仅

能够实现导电材料与聚合物的复合，同时也能够

避免导电通道的产生，提高了高介电复合膜的可

靠性，

同时也有利于复合膜的介电常数的提高。权利要求书1页 说明书5页 附图1页CN 110003514 A 2019.07.12

C N 110003514

A

权　利　要　求　书1/1页CN 110003514 A

1.一种高介电复合膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成第一聚合物膜；然后，在第一聚合物膜上形成金属层；最后，在金属层上通过流延形成第二聚合物膜；

优选的，所述流延为溶液流延；

更优选的，溶液流延所用涂料的溶剂，能够将第一聚合物膜溶解和/或溶胀。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一聚合物膜包括：聚偏氟乙烯基聚合物膜，聚脲基聚合物膜，聚酰亚胺基聚合物膜，聚氨酯膜以及聚乙烯醇膜中的至少一种；

优选的，所述第一聚合物膜包括：聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯膜，聚偏氟乙烯-三氟乙烯膜，聚偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯膜，聚酰亚胺膜以及氟化聚酰亚胺膜中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一聚合物膜的厚度为0.1～100μm；

优选的，所述第一聚合物膜的厚度为0.5～50μm；

更优选的，所述第一聚合物膜的厚度为1～20μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属层包括：选自金，铂，铜，锌，以及铝的单一金属层或合金层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的厚度为5～200nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二聚合物膜层包括：聚偏氟乙烯基聚合物膜，聚脲基聚合物膜，聚酰亚胺基聚合物膜，聚氨酯膜，聚乙烯醇膜中的至少一种；

优选的，所述第二聚合物膜包括：聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯膜，聚偏氟乙烯-三氟乙烯膜，聚偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯膜，聚酰亚胺膜，以及氟化聚酰亚胺膜中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二聚合物膜的厚度为0.5～100μm；

优选的，所述第二聚合物膜的厚度为0.5～50μm；

更优选的，所述第二聚合物膜的厚度为1～20μm。

8.由权利要求1-7中任一项所述的制备方法得到的高介电复合膜。

9.权利要求8所述的高介电复合膜在电容储能，有机压电，以及电能转换中的应用。

10.包含权利要求8所述高介电复合膜的器件或装置。

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