电子变压器有介绍 文档
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
摘要:简单介绍了低压卤素灯电子变压器的...基于IR2161的低压卤素灯电子变压器
907
作者:临沂市电子研究所毛兴武来源:电源技术应用发布时间:2007-10-8 17:06:00
摘要:简单介绍了低压卤素灯电子变压器的特点,详细介绍了基于lR216l控制IC的基本电子变压器电路原理与设计,同时给出了带附加功能的电子变压器电路。
关键词:IR216控制器;低压照明;电子变压器
0 引言
卤素灯也称为卤钨灯。卤素灯灯丝为钨丝,灯管内除充有适量的氩气,还充人了溴或碘微量卤素,故因此而得其名。卤素灯与白炽灯一样,属于热辐射光源。卤素灯的光效、寿命和显色指数均优于普通白炽灯,故在展示厅、商业厨窗、摄影、摄像、剧院、城市亮化等照明场合,有着广泛的应用,其作用是其它光源不可替代的。在全球电子镇流器市场,低压照明电子变压器占有10%的份额。
低压卤素灯额定工作电压大多仅为12V。若采用220V的工频市电供电,需使用笨重的铁芯(降压)变压器。采用电子变压器替代老式铁芯变压器,具有尺寸小、重量轻、节材、节电等优点。
低压卤素灯电子变压器与荧光灯电子镇流器一样,都是将工频转换为几十kHz的高频。在电路结构上二者十分相似,大多都采用半桥逆变拓扑。但是,由于卤素灯是一种电阻性负载,故卤素灯电子变压器与荧光灯电子镇流器比较,存在一些不同点,具体表现在以下几个方面。
1)卤素灯电子变压器不需要预热和触发启动时序;
2)卤素灯电子变压器DD总线电压是全波整流的AC线路电压,无需大容量滤波电容器;
3)卤素灯电子变压器的线路功率因数接近1,并且无需采用功率因数校正(PFC);
4)输出是经隔离的高频低压,安全性好。
采用分立元器件设计和制作电子变压器,若使其具有保护功能和调光功能,需要增加很多元器件。基于IR公司生产的智能半桥驱动器芯片IR216l的电子变压器,无需可饱和磁环变压器,仅需用少量元器件,则可实现高性能和高可靠及调光功能。
l 基于IR2161的基本低压照明电子变压器电路
图1所示为基于IR216l的100W/12 V卤素灯电子变压器基本电路。
在接通工频市电电源后,桥式整流器通过Rs的电流除流入IC脚VCC上的启动电流外,其余的大部分电流对电容CVCC1充电。当IC脚VCC上的电压达到启动阈值(11.8 V)后,IC开始工作。一旦IC启动,由CSNUB、DCP1和DCP2组成的电荷泵电路为IC脚VCC馈送电流。自举二极管DB和电容CB为IC高侧驱动器电路供电。齐纳二极管DZ用作分流IC过剩电流,以防止IC损坏。
卤素灯灯丝电阻为带正温度系数,在室温下的“冷电阻”远小于灯工作时的“热电阻”。在灯启动时,会产生较大的浪涌电流,影响灯寿命。但IR2161提供软启动操作,可以避免浪涌电流产生。在灯启动期间,IR2161输出125 kHz的高频。由于系统中输出高频变压器T1初级漏感是固定的,在较高的频率下呈现较高的阻抗,初级绕组上的电压较低.致使变压器输出电压较低,灯电流较小,同时也避免了保护电路被触发。约经1 s的时间,电路以较低频率运行。在此过程中,IC脚3外部电容CSD上的电压从OV增加到5V。
当空载时,VCSD=OV,振荡器频率约60kHz。在最大负载下,VCSD=5V,振荡器频率约
30kHz。当输出短路时,大电流流过半桥,被RCS感测。只要IC脚4(CS)上电压超过1V的门限电平持续50ms以上的时间,系统将关闭。如果负载超过最大负载的50%,IC脚4上的电压将超过O 5 V较低的门坎电压,在经0.5S之后,系统将关闭。不论是短路保护还是过载保护,都能自动复位。IR2161还提供过热关闭功能。当芯片结温超过135℃的过温度限制值时,半桥开关将停止工作,以避免MOSFET烧坏。
图2所示为计算RCS的输出级电路。在半桥中间点上的电压为DC总线电压的1/2。DC总
线RMS电压与AC线路RMS电压相同,负载上的RMS电压为AC线路RMS电压的50%,通过RCS 的电流为负载电流的一半。由于负载呈电阻性,电流波形为正弦包迹,半桥输出占空比为50%,在最大负载上RCS上的峰值电压VCS(PK)=O.4 V,通过RCS的RMS电流为
对于工作在VAC(RMS)=220 V交流线路电压下的PLOAD=100W的电子变压器,电流感测电阻RCS值为
关于输出变压器T1的选择程序如下。
1)在30 kHz和最大负载下,选择正确的磁芯尺寸,根据制造者提供的磁芯数据,确定最大容许功率。
2)计算初级绕组匝数。初级绕组最少匝数Np(min)可根据式(5)计算
式中:VPK为最高峰值总线电压,可取其为400 V;
Ton(amx)为最大导通时间,其值可选取18μs;
Bmax为最大磁通密度,单位为T,其值可从制造者提供的铁氧体材料工作在1 00℃时的曲线获得;
Ae为磁芯有效截面积,单位为m2。
3)计算次级需要的匝数。次级绕组匝数NS可按式(6)计算。
式中:VO(RMS)=12V,VAC(RMS)=220 V。
IR公司在参考设计中采用Vogt或Kaschke公司环形磁芯,初级绕组78匝,次级绕
组8匝,初级与次级绕组之间利用压塑分离器隔离。
2 增强功能的电子变压器电路
2.l 带开路保护的卤素灯电子变压器电路
在空载条件下,IC脚VS上的高dv/dt将引起MOSFET发生硬开关,导致MOSFFT过热,直至其损坏。为此,可以设置如图3所示的开路保护电路。在开路情况下,ROC上的峰值电压足以使二极管Doc导通,并对电容CF充电。只要CF上的电压超过IC脚VS上的短路保护门限电平,短路保护电路则被触发,IR2161则关闭。为防止MOSFET过热,IC将进入50ms导通和1 s关断的自动重新启动模式。