14级模拟电路第1-4单元复习自测题
模拟电路自测题
RB 51k
RC 2k VD
RB1 15k
RC 2k
RB1 60k
RC 2k
β=30 β=30
RB2 51k RB2 40k
UBE=0.75V
RE 3k
(a)
(b) 图4
(c)
2．图 5 所示电路，分别计算更换晶体管，β 值由 20 变至 100，静态工作点电流、 电压的绝对值及变化百分数。图中器件为硅管。 3．图 6 所示电路为一乙类推挽功率输出级简化电路，输入信号 ui 为正弦波，要
A 中，A、B 符号___________时为负反馈，当满足 1 + AB
___________时，为深负反馈。 12．采用 BJT 管的通用集成运算放大器的输入级一般是_____________电路，而 输出级一般是_____________电路。 13．本征半导体中掺入微量_________价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导 体称为________型半导体。 14．图(1)中 T1 不能工作在放大区的原因是_______________________；图(2)中 T2 不能工作在放大区的原因是_______________________。
I B ， I C 及 U CE 分别为多少。
2．图 4 所示是某绝缘栅场效应管的转移特性， 图中查得原始沟道漏极电流 I DSS = 7.7mA ，夹断 图3 电压 U GS ( off ) = -8V。试问： (1) 该场效应管是何种类型？画出其电路符号，标明漏极电流方向及各电极 电源极性。 (2) 试求 U GS = −2V 时工作点 Q 的漏极电流 ID 及跨导 gm。
模拟电子技术基础
练习一
模拟电路自测题4(反馈与负反馈)
反馈和负反馈放大电路1. 放大电路中有反馈的含义是___B____。
(a) 输出与输入之间有信号通路(b) 电路中存在反向传输的信号通路(c) 除放大电路以外还有信号通道2. 根据反馈的极性，反馈可分为___C____反馈。
(a) 直流和交流(b) 电压和电流(c) 正和负3. 根据反馈信号的频率，反馈可分为____A___反馈。
(a) 直流和交流(b) 电压和电流(c) 正和负4. 根据取样方式，反馈可分为_____B__反馈。
(a) 直流和交流(b) 电压和电流(c) 正和负5. 根据比较的方式，反馈可分为___C____反馈。
(a) 直流和交流(b) 电压和电流(c) 串联和并联6. 负反馈多用于____A___。
(a) 改善放大器的性能(b) 产生振荡(c) 提高输出电压7. 正反馈多用于____B___。
(a) 改善放大器的性能(b) 产生振荡(c) 提高输出电压8. 直流负反馈是指___B____。
(a) 只存在于直接耦合电路中的负反馈(b) 直流通路中的负反馈(c) 放大直流信号才有的负反馈9. 交流负反馈是指____B___。
(a) 只存在于阻容耦合电路中的负反馈(b) 交流通路中的负反馈(c) 变压器耦合电路中的反馈10.直流负反馈在电路中的主要作用是__C_____。
(a) 提高输入电阻(b) 增大电路增益(c) 稳定静态工作点11.若反馈信号正比于输出电压，该反馈为___C____反馈。
(a) 串联(b) 电流(c) 电压12.若反馈信号正比于输出电流，该反馈为____B___负反馈。
(a) 并联(b) 电流(c) 电压13.当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为___B____反馈。
(a) 并联(b) 串联(c) 电压14.当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为___A____反馈。
(a) 并联(b) 串联(c) 电压15.电压负反馈可以____A___。
模拟电路考试题及答案
10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是 6V、12V 和，则此三极管是（D）。
（发正偏集反偏）
A．PNP 型硅管 B．PNP 型锗管 C．NPN 型锗管 D．NPN 型硅管
11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。
A．非饱和区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区
12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极 g 与源极 s 之间电压为零时（B）。
u
i
o
15．已知某基本共射放大电路的 I 1mA ，U 6V ，管子的饱和压降
CQ
CEQ
U 1V ， R R 4k ，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（B）。
CES
C
L
A．1VB．2VC．5VD．6V
三、填空题
1．要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的静态工作点。
2．在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生饱和失真。
自测题五
一、判断题 1．只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。（F） 2．当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。（T） 3．在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。（T） 4．单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。 （F） 5．凡 是 运 算 电 路 都 可 利 用 “ 虚 短 ” 和 “ 虚 断 ” 的 概 念 求 解 运 算 关 系 。（T）
强）
5． 集成运算放大器是一种直接耦合放大电路，因此低频性能好。（直接耦合没有电
容）
6． 集成运算放大器是一种直接耦合放大电路，因此最常见的问题是零点漂移。
7． 理想集成运放开环输入电阻为无穷大。
8． 差动放大电路两个输入端的信号 u 80mV ， u 60mV ，则一对差模输入信号
模拟电子技术复习试题和答案
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图示电路中，二极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管，当I B =20μA 时，I C =1mA ，当I B =60μA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
二：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（ ） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（ ） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ ） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体是（ ） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ）A ）放大状态B ）截止状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%，流过的电流增大量为（ ） A ）大于10% B ）小于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（）A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．无法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最小的电路是 ② ，输出电阻最小的电路是 ③ ，频带最宽的电路是 ② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ① ；只能放大电流，不能放大电压的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流的电路是 ② 。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B -E 间动态电阻为r be 。
填空：（1）静态时，I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ，I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=； ，U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=（2）电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ，输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ，输出电阻的表达式为 C R R =0；（3）若减小R B ，则I CQ 将 A ，r bc 将 C ，uA 将 C ，R i 将 C ，R o 将B 。
A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A = 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻u为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
14章自测题
一、填空题(每空1分，共22分)1．家庭电路的电压是，对人体安全的电压是．2．某导体两端的电压是10V于，通过它的电流是0．5A，则该导体的电阻是Ω；若切断电路，没有电流通过导体，则该导体的电阻为Ω．3．有三根材料相同的导线A、B、C，在相同的温度下，A比B长，粗细相同；B比C细，长度相同，则三根导线的阻值从大到小的排列顺序为(用字母表示)；若将其中一根对折使用，则它的阻值将(选填“变大”“变小”或“不变”)．4．电阻R1=10Ω，R2=30Ω．若将它们并联后接到电压为U的电源上，则通过R1和R2的电流之比I1：I2= ．若将它们串联后接到同一电源上，则R1和R2两端的电压之比U1：U2= ．5．某用电器的电阻为25Ω，允许通过的最大电流为4A，要把它接入220V的电路中，至少需联一只Ω的电阻．6．两个电阻的阻值分别是R1和R2，将它们并联后使用，相当于增大了导体的，所以导体并联后阻值会变．7．如图1所示，电源电压是6V，开关S闭合后，电流表A1和A2的示数分别是0．2A和0．4A，则电阻R1是Ω，R2是Ω，电路的总电阻是Ω．8．如图2所示，电源电压为3V，R1=30Ω，R2=60Ω．当开关S与a接触时，电流表的示数为；当开关S与b接触时，电压表的示数为．9．如图3所示，当开关S闭合，滑动变阻器的滑片P向下滑动时，A1表的示数为，A2表的示数为，V表的示数为(选填“变大”“变小”或“不变”)．10．如图4所示，R1：R2=2：3，若开关S断开，在甲、乙两处均接人电流表，则它们的示数之比I家：I乙= ．如若在甲、乙两处均改接人电压表，并闭合开关S，当甲表的示数为6V时，乙表的示数为V．二、选择题(每题3分，共33分．每小题中只有一个选项符合题意)11．下列说法中正确的是( )A．导体的电阻是导体本身的一种性质，它的大小决定于导体的材料、长度、横截面积以及温度B．欧姆定律公式中的U是电源电压，I是通过某一电阻R的电流C．在并联电路上，并联的电阻越多，电路的总电阻会越大D．在一个电路中，通过两灯的电流相等，这两灯一定是串联的12．粗细相同、长短不等的两根镍铬电阻线并联在电路上．下列说法错误的是( ) A．长镍铬电阻线比短镍铬电阻线的电阻值大B．通过长镍铬电阻线的电流比通过短镍铬电阻线的电流小C．长镍铬电阻线两端的电压比短镍铬电阻线两端的电压大D．长镍铬电阻线两端的电压与短镍铬电阻线两端的电压一样大13．用如图5所示的电路来控制小灯泡的亮暗．要求滑动变阻器的滑片P向左滑动时灯泡变亮，变阻器接入电路的方式可以是( )A．C接M，D接N B．C接M，B接NC．A接M，D接N D．A接M，B接N14．如图6所示，甲、乙、丙是三根用同种材料制成的导体．若要研究导体的电阻跟导体横截面积的关系，则应选用( )A．甲和乙B．乙和丙C．甲和丙D．任意两根均可以15．由欧姆定律公式I=U/R变形得R=U/I．对此，下列说法正确的是( )A．导体的电阻与导体两端的电压成正比B．导体的电阻与导体中的电流成反比C．导体的电阻与它两端的电压成正比，与通过它的电流成反比D．以上说法都不对16．如图7所示，R1、R2并联，则甲、乙、丙三只电表分别是( )A．电流表、电流表、电压表B．电压表、电流表、电流表C．电流表、电压表、电流表D．电压表、电流表、电压表17．图8中，R1=4Ω，R2=6Ω，电压表示数为3V，则电源电压为( )A．3V B．5V C．1V D．2V18．如图9是一种自动测定油箱内油面高度的装置．R是滑动变阻器，它的金属片是杠杆的一端．关于这套装置，下列说法错误的是( )A．油量表是由电流表改装而成的B．浮标下降，电路中的总电阻增大C．油量表的正接线柱与R’相连D．R’在电路中是没有作用的，可以去掉19．如图10，当开关S接通后，两灯均不亮，用电压表测A、B两点时示数为零，测B、C两点时示数为3V，测CD两点时示数为零．出现此现象的原因是( )A．L1灯丝断了B．L2灯丝断了C．两灯灯丝都断了D．开关S接触不良20．如图11，已知电流表A1、A2的示数分别为0．3A和0．2A，电压表示数为2V，则R1和R2的阻值分别是( )A．10Ω，20ΩB．20Ω，10ΩC．8Ω，12ΩD．12Ω，8Ω21．如图12所示，电源是6V的电池组，R1=20Ω，R2=10Ω，I1=0．2A，求I2和I．对于此题，下列说法正确的是( )A．该题去掉“电源是6V”这一已知条件，题目也能解B．该题去掉“R1=20Ω”这一已知条件，题目也能解C．该题去掉“R2=10Ω"这一已知条件，题目也能解D．该题去掉任何一个已知条件，题目都不能解三、实验、作图题(填空题每空1分，作图每个2分，连图4分，24题5分，共21分) 22．实验室测电阻值最常用的方法是法，这种方法的根据是．(1)在虚线框内画出实验电路图．(2)若被测电阻R x的阻值约为10Ω左右，请将图13 中的实物元件连成实验电路．(3)连接电路时，应将开关．经检查电路连接无误，准备合上开关做实验时，别忘记应先将滑动变阻器的滑片移到位置，目的是．(4)当移动滑动变阻器，使两表指示如图14时，记下读数，即可求出被测电阻的阻值为Ω，该实验要求测3次并求平均值，其目的是．23．用如图15所示电路来测量一个未知电阻R x的值．电源电压保持不变，当把导线M的右端接到电流表“+”接线柱上，合上开关S后，电流表示数为I1；当把导线M的右端接到电流表“0．6”接线柱上，合上开关S后，电流表示数为I2．(1)当把导线M的右端接到电流表“0．6”接线柱上时，请在虚线框中画出相应电路图．(2)求未知电阻的表达式是：R x= ．24．如果在用伏安法测电阻的过程中电流表不灵了，再给你一只已知阻值的电阻R0，也可以测未知电阻R x．请画出实验电路图，写出实验步骤及求R x的表达式．四、计算题(每题8分，共24分)25．如图16所示，一只定值电阻R=30Ω，与一只未知电阻R x并联接人电路。
电路理论模拟考试题含参考答案
电路理论模拟考试题含参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.与理想电流源串联的元件称为虚元件，对外等效时，多余元件可以开路处理。
( )A、正确B、错误正确答案：B2.除了独立电源外，至少含有一个时变元件的电路称为时变电路。
( )A、正确B、错误正确答案：A3.回路电流法是网孔电流法的推广，适用于平面电路和非平面电路。
( )A、正确B、错误正确答案：A4.电阻和电感并联电路，Ig=3A,lz=4A,则总电流等于5A。
( )A、正确B、错误正确答案：A5.非关联参考方向下计算吸收的功率，则应采用p=-ui进行计算。
()A、正确B、错误正确答案：A6.列写网孔电流方程时，互电阻一定为负值( )A、正确B、错误正确答案：B7.电压和电流计算结果得负值，说明它们的实际方向与参考方向相反。
()A、正确B、错误正确答案：A8.用山-i平面的曲线表示其特征的二端元件称为电容元件。
( )A、正确B、错误正确答案：B9.一阶RC电路的零状态响应中电容电压和电流都是连续变化的( )A、正确B、错误正确答案：B10.电容上的电压和电流是同频率的正弦量，在相位上电压超前电流。
( )A、正确B、错误正确答案：B11.正弦电路中，复功率就是视在功率。
( )A、正确B、错误正确答案：B12.非线性时不变电容的库伏特性方程为q=C(t)u( )A、正确B、错误正确答案：B13.无伴电流源是指仅含有电流源而没有与之并联电阻的电流源( )A、正确B、错误正确答案：A14.稳恒直流电和正弦波，不含高次谐波( )A、正确B、错误正确答案：A15.动态元件初始能量为零，由外加激励作用在电路上所产生的响应称为零状态响应 ( )A、正确B、错误正确答案：A16.当耦合线圈全耦合时，耦合系数取得最大值1。
( )A、正确B、错误正确答案：A17.纯电抗发生串联谐振时相当于开路，发生并联谐振时相当于短路。
( )A、正确B、错误正确答案：B18.叠加定理只适用于线性电路的电压和电流的计算。
模拟电路基础测试题
模拟电路基础测试题(总9页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除模拟电路基础测试题一：填空题(每题1分，共15分)1.PN特性。
2.双极型晶体管(BJT)1时的频率。
3. 某放大器的电压增益A V =-70.7倍。
该增益换算成分贝应为4.当N沟道结型场效应管(JFET)内的沟道预夹断时，V GS 和V DS 。
5. 作负载。
6.7.率。
8. 。
9.10.11.12. 当放大器输出信号的频率分量与输入信号不完全相同时，放大器出现了失真。
13.乙类功放在小信号工作时，因失真使得输出波形畸变更严重。
14. 要使负载变化是放大器的输出电压的变化减小，可对放大器采用负反馈。
15. 当集成放大器内部需要微电流时，采用微电流恒流源要优于采用基本镜像恒流源。
原因之一是：三：单项选择题（每题1分，共10分）1. 图1所示硅二极管电路中的v i(t)是振幅等于2v的低频正弦电压。
该电路中，电阻R L上的电压v o(t)的波形应该为( )。
A. B.C. D.2. 测得某放大器中一支BJT的三个电极的直流电压为：-0.1v,+7.3v和-0.82v。
由此可以判断，该管是( )。
A. NPN硅管B. NPN锗管C. PNP硅管D. PNP锗管3. 在下面关于放大器的四钟说法中，只有( )是肯定正确的。
A. 放大器有功率放大功能B. 放大器有电压放大功能C. 放大器有电流放大功能D. 放大器的增益带宽积为常数4. FET共漏(CD)放大器与BJT放大器中的（）组态性能相似。
A. CCB.CEC. CBD.CE-CB5. 图2是OTL功放原理电路，该电路最大输出功率的理论值为（）W。
A.18B.9C. 4.5D. 2.256. 接上题。
在选择功率管T1和T2时，每管的集电极最大耗散功率P CM必须大于（）W。
A.3.6B. 1.8C. 0.9D. 0.457. 接5题。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
模拟电路习题解答1
解：
（a）饱和失真，增大Rb。 （b）截止失真，减小Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失 真，应增大VCC。
31
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝ 100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb 约为多少千欧； （2）若测得Ui和Uo的有效值分别为1mV和 100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
Ro Rc 3k
44
（2）设Us =10mV（有效值），则
Ri Ui U s 3.2mV Rs Ri U 304mV Uo A u i
45
若C3开路，则
Ri Rb ∥[rbe (1 ) Re ] 51.3k Rc ∥ RL Au 1.5 Re Ri Ui U s 9.6mV Rs Ri U 14.4mV Uo A u i
67
3.8 电路如图P3.8所示，T1和T2的低频跨导 gm均为10mS。试求解差模放大倍数和输 入电阻。
68
69
解：差模放大倍数和输入电阻分别为 Ad＝－gmRD＝－200 Ri＝∞
70
第四章 集成运算放大电路
71
自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。 A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路
模拟电子技术基础第4章集成运算放大电路题解（童诗白）（精）
第四章集成运算放大电路（童诗白）自测题一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。
( )（2）运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。
( )（3）运放的共模抑制比KCMR Ad ( ) Ac（4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( ) 解：（1）×（2）√（3）√ （4）√ （5）×第四章题解－1三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的UBE均为0.7V，求IC2的值。
图T4.3解：分析估算如下：IVCC-UBE2-UBE1R=R=100μA IC0=IC1=ICIE2=IE1IICR=IC0+IB2=IC0+IB1=IC+βIC=β1+β⋅IR≈IR=100μA四、电路如图T4.4所示。
图T4.4第四章题解－2 试（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻……）。
解：（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
2014-2015学年第一学期《模拟电子》(本)复习题.
2014-2015学年第一学期《模拟电子技术》期末考核参考复习题适用于2013级（本）自动化、电气自动化、电子信息工程专业一、填空题1、在本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（ N ）型半导体，其多数载流子是（自由电子 ）；若掺入微量的三价元素，则形成（ P ）型半导体，其多数载流子是（ 空穴 ）。
2、PN 结在（ 正偏 ）时导通，（ 反偏 ）时截止，这种特性称为（ 单向导电 ）性。
3、晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结（ 正偏导通 ），集电结（ 反偏 ）4、某晶体管工作在放大区，如果基极电流从uA 10变化到uA 20，集电极电流从mA 1变化到mA 99.1，则交流电流放大系数=β（ 99 ）5、如图：，它是（ NPN ）（填NPN 还是PNP)，其电流放大系数β=（ 49）6、场效应管从结构上可分为（MOS ）和（ 结型 ）；根据导电沟道的不同又可分为（ P 沟道）和（ N 沟道）；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为（耗尽型 ）和（ 增强型 ）7、场效应管的转移特性曲线如图：，画出该场效应管的符号：（ MOS ，N 沟道,耗尽型 ）8、共集电极放大电路的特点是输出电压与输入电压（ 同 ）相，电压放大倍数近似为（ 1 ），输入电阻（ 大 ），输出电阻 （ 小）9、差分放大电路对（ 差模 ）输入信号具有良好的放大作用，对（ 共模 ）输入信号具有很强的抑制作用。
10、在单管共射放大电路中，如果静态工作点设置过高，则容易出现（ 饱和）失真。
（填截止或饱和）11、在晶体管乙类互补对称功率放大电路中，采用双电源供电的电路称为（ OCL ）电路，采用单电源供电的电路称为（ OTL ）电路。
12、两级放大电路中，第一级的电压增益为40dB ，第二级的电压放大倍数为10倍，则两级总电压的放大倍数为（1000 ）13、反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则为（电压 ）反馈。
模拟电路考试试题套和答案
试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是_将交流电变成直流电_；滤波电路的任务是__滤除脉动直流电中的交流部分。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于_载流子浓度差__而产生的，漂移运动是____电场力___作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__线性__失真和___非线性__失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__耦合电容和旁路电容___的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的极间电容__的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__稳定静态工作点___；引入交流负反馈的作用是稳定增益，改变输出电阻，减小非线性失真，展宽频带，抑制干扰和噪声__。
6．正弦波振荡电路一般由_选频网络__、_放大电路__、__正反馈网络___、__稳幅电路__这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级15dB、第三级60dB，放大器的总增益为___100___，总的放大倍数为_105__。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入__信号的放大无影响，对_共模输入__信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__差模增益与共模增益__之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__37__dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（√）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（√）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（√）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（×）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
14级 模拟电路第5-9单元 复习自测题
14级 《模拟电路》第5-9单元 复习自测题第五单元 集成运算放大电路5.1 理想运放的开环差模增益A Od 为 [ D ] A. 0 B. 1 C. 105D. ∞5.2对于理想运算放大器，在两种可能的答案（A.∞；A.0）中选择正确的填空： （1）开环差模电压放大倍数A od =_∞______；(2) 共模抑制比K CMR =___∞___; （3）差模输入电阻R id =_____∞________； (4) 差模输出电阻R od =___0______； 5.3理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念，“虚短” 指 ，虚断是指 。
5.4 判断下列说法是否正确（在括号内画√或×）。
1．反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
（× ） 2．反相比例放大电路的输入电阻较低 ，同相比例放大电路的输入电阻较高。
（√ ） 5.5 工作在线性区的运算放大器应置于[ A ]状态。
A. 深度负反馈B. 开环C. 正反馈D. 无反馈 5.6分析下图所示的电路，回答下列问题：1） A 1、A 2、A 3与相应的元件各组成何种电路？2） 设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，输出电压u O 与u I1、u I2有何种运算关系（写出表达式）？ 解：（1）A 1差分输入比例运算电路；A 2积分运算电路；A 3与电压跟随器。
（2）)(I1I21f O1u u R R u -=；dt u u R R C R u u o )(1I1I21f2O2--==⎰ 5.7用单运放设计一个比例运算电路， 要求运算关系u o =-(2u i 1+5u i 2+10u i 3)，画出电路图，确定各个电阻值。
设R F ＝100k Ω。
解：可采用单运放反相求和运算电路，电路形式如（课堂例题）图所示。
据运放工作在线性区的虚短和 虚断两条分析依据，可以推出对比 u o =-（2u i 1+5u i 2+10u i 3）)(321I3F I2F I1F O u R R u R R u R R u ++-=10,5,2321===R R R R R R FF F得：R 1= 50K R 2= 20K R 3= 10K 平衡电阻 R 4= R 1// R 2//R 3// R f = 5.56K5.8 试求如图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
(完整版)14级模拟电路第1-4单元复习自测题
14级 《模拟电路》第1-4单元 复习自测题第一单元 半导体器件1.1 在P 型半导体中，多数载流子是 [ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.2 在N 型半导体中，多数载流子是 [ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.3 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.4下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.5二极管的主要特性是 [ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.6. 左下图，设二极管导通压降为0.7V ，判断二极管是否导通，并求输出电压 U O 。
1.7 二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为0.7V ，判断二极管是否导通，求输出电压U o （D1导通，D2截止。
U O = -0.7V ）1.8左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止B. VD2导通， VD1 、 VD3截止C. VD3导通， VD1 、 VD2截止D. VD1， VD2 、 VD3均导通1.9. 判断右上图电路中二极管的工作状态。
[ A ]A. VD1导通， VD2截止B. VD2导通， VD1 截止C. VD1 、 VD2均导通D. VD1， VD2均 截止1.10 如左下图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
（当u i >0,D 通，u 0=u i ;当u i <0,D 截止，u 0=0）VD VD 21 3.5 导通截止，O V U1.11在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1(左图)所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.1 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V1.12测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是[ D ]A. NPN型硅管；B. PNP型硅管；C. NPN型锗管；D. PNP型锗管1.13 某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏1.14双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ B ]A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏1.15当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿1.16当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。
模拟电路复习资料Ⅰ
模拟电路复习资料Ⅰ一、填空题1. P型半导体的多子是，N型半导体的少子是，PN结具有特性。
2. 在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。
3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于，少子的浓度受的影响很大。
4. 当PN 结正向偏置时，耗尽层将，反向偏置时空间电荷区将。
5. 引起PN结击穿的机理一般认为有两种，即击穿和击穿。
6. PN结之间存在着两种电容，分别叫作电容和电容。
7．在PN结形成过程中，载流子扩散运动是由于作用下产生的，漂移运动是由于作用下产生的。
8．当环境温度升高时，二极管的死区电压将，二极管的反向饱和电流将。
9．稳压二极管有作用，在电路中是将其阳极接于电源的极，阴极接于电源的极。
10．利用二极管的特性可以制成稳压管。
利用二极管在反向偏置时的电容效应可制成。
11. 晶体管三极管在作正常放大运用时,必须使处于正向偏置, 处于反向偏置。
12. NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中极电位最高，极电位最低。
13. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是失真，失真的主要原因是。
14．若三级放大电路中A u1= A u2=30dB，A u3==30dB ，则其总电压增益为dB，折合为倍。
15．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态电压增益最小，组态输入电阻最小。
16．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态输入电阻最大，组态放大倍数最大且为正。
17．实验中用直流电流表测量三极管的静态电流,其中流进电极的电流为3.66mA,流出电极的电流分别为0.06mA和3.6mA。
则该管是型三极管，其β值为。
18．场效应管属于____控制型器件，它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
19．耗尽型N沟道FET的导电载流子是，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压U GS 叫做。
20. 结型场效应管利用栅源极间所加的(反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压U GS为(正值、负值、零) 。
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14级《模拟电路》第1-4单元复习自测题第一单元半导体器件在P型半导体中，多数载流子是[ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质在N型半导体中，多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ C ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性. 左下图，设二极管导通压降为，判断二极管是否导通，并求输出电压 UO。
二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为，判断二极管是否导通，求输出电压U o（D1导通，D2截止。
UO= ）左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止B. VD2导通， VD1 、 VD3截止C. VD3导通， VD1 、 VD2截止D. VD1， VD2 、 VD3均导通. 判断右上图电路中二极管的工作状态。
[ A ]A. VD1导通， VD2截止B. VD2导通， VD1 截止C. VD1 、 VD2均导通D. VD1， VD2均截止如左下图所示电路中D为理想元件，已知u i = 5sinωt V ，试对应u i画出u o的波形图。
（当ui >0,D通，u=ui;当ui<0,D截止，u=0）VDVD213.5导通截止，O VU在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图(左图)所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图 2V 6VD.PNP型锗管测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是[ D ]A. NPN型硅管；B. PNP型硅管；C. NPN型锗管；D. PNP型锗管某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ B ]A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。
A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和-6V，则该三极管的类型为[ A ]A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、和2V，则该三极管的类型为[ D ]。
A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和12V，则该三极管的类型为[ B ]A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和-6V，则该三极管的类型为[ C ]。
A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=，V3=-5V，则三个电极为[ C ]。
为e；2为b；3为c 为e；2为c；3为b为b；2为e；3为c 为b；2为c；3为e处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是[ C ]。
A. V B＞V C＞V EB. V E＞V B＞V CC. V C＞V B＞V ED. V C＞V E＞V B处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是[ B ]。
A. V B＞V C＞V EB. V E＞V B＞V CC. V C＞V B＞V ED. V C＞V E＞V B判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（×）2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（×）3、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（√）填空题：半导体材料有三个特性，它们是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。
半导体具有三敏特性，它们分别是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。
在本征半导体中加入（5价）元素可形成N型半导体，加入（3价）元素可形成P型半导体。
N型半导体可通过在纯净半导体中掺入（5价）元素而获得，而P型半导体可通过在纯净半导体中掺入（3价）元素而获得。
在P型半导体中，多数载流子是（空穴），而在N型半导体中，多数载流子是（电子）。
P型半导体中（空穴）是多数载流子，（电子）是少数载流子。
在N型半导体中，多数载流子是（电子），而在P型半导体中，多数载流子是（空穴）。
N型半导体中（电子）是多数载流子，（空穴）是少数载流子。
二极管的主要特性是（单向导电特性）。
（单向导电特性）是二极管的主要特性。
在常温下，硅二极管的门限电压约为（）V，导通后的正向压降约为（~工程中取）V；锗二极管的门限电压约为（）V，导通后的正向压降约为（~工程中取）V。
.在常温下，发光二极管的正向导通电压约为（1~）V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在（10~20）mA。
晶体管按结构分有（NPN）和（PNP）两种类型。
晶体管按材料分有（锗管）和（硅管）两种类型。
晶体管实现放大作用的外部条件是发射结（正偏）、集电结（反偏）。
三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在饱和区时，发射结（正偏）），集电结（正偏））。
三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在截止区时，发射结（反偏）），集电结（反偏））。
第二单元放大电路基本原理和分析方法在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益（放大倍数）最小的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ A ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ A ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压u i和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位[ B ]。
A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压u i和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位[ A ]。
A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定以下电路中，可用作电压跟随器的是[ D ] A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路固定偏置共射极放大电路，已知VCC ＝12V，RC=3KΩ，β＝40,忽略U BE,若要使静态时U CE＝9V，则R B应取[ C ]。
A. 600KΩB. 240KΩC. 480KΩD. 360KΩ固定偏置共射放大电路,VCC ＝10V，硅晶体管的β＝100, RB=100KΩ， RC=5KΩ，则该电路中三极管工作在[ B ]。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定.固定偏置共射极放大电路,VCC ＝10V，硅晶体管的β＝100, RB=680KΩ， RC=5KΩ，则该电路中三极管工作在[ A ]。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定多级放大电路A u1=20dB, A u2=40dB,则电路总的电压放大倍数A u为[ C ]dB。
A．80 B．800 C．60在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|=100000。
在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：Au1是CB放大器，A u2是CE放大器，A u3是CC放大器。
在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。
判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。
1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（×）2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。
（×）3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1。
（√）4、阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
（√）5、直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。
（×）在多级放大电路常见的三种耦合方式(a.阻容耦合，b.直接耦合，c.变压器耦合)中选择合适者（可不止一种）填空。
1、要求各级静态工作点互相不影响，可选用 a,c 。
2、要求能放大直流信号，可选用 b 。
3、要求能放大交流信号，可选用 a,b,c 。
晶体管放大电路有三种组态，分别是（共射）、（共集电极）和（共基）。
共集电极放大电路的输入电阻很（大），输出电阻很（小）。
在NPN共射放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为（饱和）失真，原因是Q 点（过高）；若输出电压的波形顶部被削掉，称为（截止）失真，原因是Q点（过低）；若其输出电压的波形底部和顶部都被削掉，原因是（输入信号幅度过大）。
截止失真是由于放大电路的静态工作点接近或达到了三极管的（截止区）而引起的非线性失真，饱和失真则是由于工作点接近或达到了三极管的（饱和区）而引起的非线性失真，这两种失真统称为（非线性）失真。
在如图所示电路中，某一元件参数变化时，将UCEQ的变化情况（增加；减小；不变）填入相应的括号内。
（1）R b 增加时，U CEQ 将（增加）； （2）R c 减小时，U CEQ 将（增加）； （3）R c 增加时，U CEQ 将（减小）； （4）R s 增加时，U CEQ 将（不变）；（5）β增加时（换管子），U CEQ 将（减小）。