三极管的特性曲线ppt课件
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三极管的特性曲线
❖③反向击穿电压U(BR)CEO、U(BR)CBO、 U(BR)EBO
❖ U(BR)CEO：基极开路时集电结不致击穿，允许加在集 电极一发射极之间的最高电压；
❖ U(BR)CBO为发射极开路时集电结不致击穿，允许加在 集电极一基极之间的最高反向电压；
❖ U(BR)EBO为集电极开路时发射结不致击穿，允许加在 发射极一基极之间的最高反向电压。
1台
三、实训仪器设备使用方法
❖ 1. DA-16型毫伏表的使用 ❖ 2. 示波器的使用
1. DA-16型毫伏表的使用
❖ （1）DA-16型晶体管毫伏表简介 ❖ （2）DA-16型晶体管毫伏表的读数
（3）晶体管毫伏表使用注意事项
❖ ①毫伏表使用前应垂直放置以保证精度，且在不通电的情况 下先进行机械调零。
结的反向饱和电流。 ❖ ②集-射极反向漏电流ICEO ❖ 当基极开路时，集电极直通到发射极的反向电流，
又叫穿透电流，且有
（3）极限参数
①集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时，β将明显下降，当β下降到正常 值的2/3时所对应的集电极电流值称为最大允许集电极电流 ICM。
②集电极最大允许功率损耗 PCM
❖ （2）复习正弦交流信号的三要素。
❖ 一、实训目的
❖ （1）能正确使用示波器来观察电子信号的波形；
❖ （2）掌握用示波器测量交流电的频率、周期及信号的峰-峰 值的方法；
❖ （3）掌握函数信号发生器和晶体管毫伏表的使用方法。
❖ 二、实训仪器与器件
❖ （1）函数信号发生器
1台
❖ （2）示波器
1台
❖ （3）晶体管毫伏表
❖ IC= βIB（条件：满足发射结正偏，集电结反偏）
❖ ②截止区
三极管特性曲线PPT课件
此时，IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个 正向二极管并联的伏安特性。
因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电
区分别向基区扩散的电子电流之和。
2
输入特性 曲线簇
3
（2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定的反向
电压，集电结的吸引力加强！使得从发射区进入 基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。
IC(mA ) 4 3
2
100此A区域中 :
IB=0,IC=ICEO 80,AUBE< 死区 60电 截A 压止，区。称为 40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V) 10
输出特性曲线簇
11
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改变。
晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同而改变，
16
一般规定：
当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和（VCB=0） 当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和；
饱和时的UCE用UCES表示，三极管深度饱和时
UCES很小，一般小功率管的UCES＜ 0.3V，而锗管的 UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。
IB(A)
UCE 1V
60
死区电 压，硅管
40
0.5V，锗 20
管0.2V。
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗 管UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8 UBE(V)
6
二、输出特性曲线
输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制
下，三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同 集电极电流Ic的关系。
因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电
区分别向基区扩散的电子电流之和。
2
输入特性 曲线簇
3
（2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定的反向
电压，集电结的吸引力加强！使得从发射区进入 基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。
IC(mA ) 4 3
2
100此A区域中 :
IB=0,IC=ICEO 80,AUBE< 死区 60电 截A 压止，区。称为 40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V) 10
输出特性曲线簇
11
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改变。
晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同而改变，
16
一般规定：
当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和（VCB=0） 当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和；
饱和时的UCE用UCES表示，三极管深度饱和时
UCES很小，一般小功率管的UCES＜ 0.3V，而锗管的 UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。
IB(A)
UCE 1V
60
死区电 压，硅管
40
0.5V，锗 20
管0.2V。
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗 管UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8 UBE(V)
6
二、输出特性曲线
输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制
下，三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同 集电极电流Ic的关系。
三极管的特性曲线
三极管的特性曲线
20/131
3.1.3 三极管的特性曲线
三极管的特性 指管子各电极的电压与电流的关系曲线。
共发射极接法三极管的特性曲线
Ib是输入电流，Ube是输入电压，加在B、E两电极之间。 Ic是输出电流，Uce是输出电压，从C、E两电极取出。
Ic
输入特性曲线:Ib=f (Ube) Uce=C
输出特性曲线:Ic=f (Uce) Ib=C
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
③ ①②
载流子，且基区复合减少， 特性曲
线将向右稍微移动一些, IC / IB 增 大。但UCE再增加时，曲线右移很不 明显。通常只画一条。
输入特性曲线分三个区 ① 死区
IB Rb
+ Ui-
IC
Uo
IE
Rc
EB EC
② 非线性区 ③ 线性区
发射极正偏 时： NPN Si管: Ube= 0.6~0.7V PNP Ge管: Ube= 0.2~0.3V
+ U-i
Rb Ib c
be
Ie
Uo Rc
说明：符号Ube表示矢量信号。
EB
EC
21/13•1 三极管输入特性曲线 IB=f(UBE) U CE=常数
1. UCE=0V时，发射极与集电极短路，
发射结与集Байду номын сангаас结均正偏，实际上
是 两个二极管并联的正向特性曲线
。 2. 当UCE ≥1V时,UCB= UCE - UBE >0， 集电结已进入反偏状态，开始收集
特点：发射结反偏，集电结反偏。 IB=0 曲线的下方的区域 当IB=0 时，IC=ICEO NPN管，UBE< 0.7V(硅管）时管 子就处于截止态。
20/131
3.1.3 三极管的特性曲线
三极管的特性 指管子各电极的电压与电流的关系曲线。
共发射极接法三极管的特性曲线
Ib是输入电流，Ube是输入电压，加在B、E两电极之间。 Ic是输出电流，Uce是输出电压，从C、E两电极取出。
Ic
输入特性曲线:Ib=f (Ube) Uce=C
输出特性曲线:Ic=f (Uce) Ib=C
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
③ ①②
载流子，且基区复合减少， 特性曲
线将向右稍微移动一些, IC / IB 增 大。但UCE再增加时，曲线右移很不 明显。通常只画一条。
输入特性曲线分三个区 ① 死区
IB Rb
+ Ui-
IC
Uo
IE
Rc
EB EC
② 非线性区 ③ 线性区
发射极正偏 时： NPN Si管: Ube= 0.6~0.7V PNP Ge管: Ube= 0.2~0.3V
+ U-i
Rb Ib c
be
Ie
Uo Rc
说明：符号Ube表示矢量信号。
EB
EC
21/13•1 三极管输入特性曲线 IB=f(UBE) U CE=常数
1. UCE=0V时，发射极与集电极短路，
发射结与集Байду номын сангаас结均正偏，实际上
是 两个二极管并联的正向特性曲线
。 2. 当UCE ≥1V时,UCB= UCE - UBE >0， 集电结已进入反偏状态，开始收集
特点：发射结反偏，集电结反偏。 IB=0 曲线的下方的区域 当IB=0 时，IC=ICEO NPN管，UBE< 0.7V(硅管）时管 子就处于截止态。
三极管的特性曲线
三极管的特性曲线
三极管外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式，有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示，共发射极特性曲线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线
在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时，
UBE和IB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线，如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为：
IB＝f（UBE）| UBE = 常数 GS0120
由图Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：。
三极管特性曲线
三极管特性曲线是衡量三极管工作性能的有效方法。
它由四种基本特性曲线构成，分别为正向电压降-电流特性曲线，反向电压降-电流特性曲线，正向电压降势垒曲线和反向电压降势垒曲线。
首先来看正向电压降-电流特性曲线，它会反映出三极管在正向电压降下的电流特性。
随着正向电压的增加，电流也会随之增加，当正向电压达到一定程度时，电流开始减少，而且最终会趋向于一个极限值。
接下来是反向电压降-电流特性曲线，它会反映出三极管在反向电压降下的电流特性。
当反向电压增加时，电流会随之减小，并最终趋向于一个极小值。
正向电压降势垒曲线反映了三极管在正向电压降下的势垒特性。
当正向电压增加时，势垒会随之增加，当正向电压达到一定程度时，势垒开始减少，最终会趋向于一个极限值。
最后是反向电压降势垒曲线，它反映了三极管在反向电压降下的势垒特性。
当反向电压增加时，势垒也会随之减少，最终会趋向于一个极小值。
以上就是三极管特性曲线的基本介绍，由四种基本特性曲线构成，反映了三极管在正反向电压降下的电流和势垒特性。
通过分析三极管特性曲线，可以更清楚地理解三极管的工作原理，并可以更好地掌握其工作性能。
《三极管特性曲线》课件
极电压不得超过0.3V。
在选择三极管时，需要根据电路 需求和安全使用范围进行选择， 以确保电路的正常运行和安全。
THANKS
感谢观看
详细描述
三极管的工作原理是通过在基极输入微弱的电流信号，控制集电极和发射极之间 的电流放大。这种放大作用使得三极管在电子线路中成为一个重要的信号放大元 件。
02
CATALOGUE
三极管特性曲线
输入特性曲线
总结词
描述三极管输入端电压与电流的关系
详细描述
输入特性曲线表示三极管输入端电压 与电流之间的关系。在不同的基极电 流下，曲线表现出非线性特征，反映 了三极管的非线性特性。
在开关电路中的应用
01
02
03
高速开关
利用三极管的高速开关特 性，可以实现高速的脉冲 信号传输和控制。
逻辑门电路
三极管可以组成基本的逻 辑门电路，如与门、或门 、非门等，用于实现数字 逻辑运算。
电机控制
在电机驱动电路中，可以 利用三极管的开关特性来 实现电机的启动、停止和 调速控制。
在振荡电路中的应用
温度对三极管特性曲线的影响
温度升高，三极管的电流放大倍数β 值增大，集电极-基极反向电流Iceo 增大，集电极-发射极反向电流Icbo 减小。
温度对三极管特性曲线的影响是显著 的，因此在分析三极管电路时，需要 考虑温度对三极管参数的影响。
不同类型三极管特性曲线的差异
NPN型和PNP型三极管在特性曲线方 面存在明显的差异。
CATALOGUE
三极管特性曲线的应用
在放大电路中的应用
信号放大
三极管特性曲线可以用来分析信号在 放大电路中的放大效果。通过选择适 当的静态工作点，可以实现对信号的 线性放大和非线性失真。
在选择三极管时，需要根据电路 需求和安全使用范围进行选择， 以确保电路的正常运行和安全。
THANKS
感谢观看
详细描述
三极管的工作原理是通过在基极输入微弱的电流信号，控制集电极和发射极之间 的电流放大。这种放大作用使得三极管在电子线路中成为一个重要的信号放大元 件。
02
CATALOGUE
三极管特性曲线
输入特性曲线
总结词
描述三极管输入端电压与电流的关系
详细描述
输入特性曲线表示三极管输入端电压 与电流之间的关系。在不同的基极电 流下，曲线表现出非线性特征，反映 了三极管的非线性特性。
在开关电路中的应用
01
02
03
高速开关
利用三极管的高速开关特 性，可以实现高速的脉冲 信号传输和控制。
逻辑门电路
三极管可以组成基本的逻 辑门电路，如与门、或门 、非门等，用于实现数字 逻辑运算。
电机控制
在电机驱动电路中，可以 利用三极管的开关特性来 实现电机的启动、停止和 调速控制。
在振荡电路中的应用
温度对三极管特性曲线的影响
温度升高，三极管的电流放大倍数β 值增大，集电极-基极反向电流Iceo 增大，集电极-发射极反向电流Icbo 减小。
温度对三极管特性曲线的影响是显著 的，因此在分析三极管电路时，需要 考虑温度对三极管参数的影响。
不同类型三极管特性曲线的差异
NPN型和PNP型三极管在特性曲线方 面存在明显的差异。
CATALOGUE
三极管特性曲线的应用
在放大电路中的应用
信号放大
三极管特性曲线可以用来分析信号在 放大电路中的放大效果。通过选择适 当的静态工作点，可以实现对信号的 线性放大和非线性失真。
三极管的特性曲线
三极管的特性曲线三极管外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式，有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示，共发射极特性曲线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时，UBE和IB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线，如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为：IB＝f（UBE）| UBE = 常数GS0120由图Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：（1）UBE = 0的一条曲线与二极管的正向特性相似。
这是因为UCE = 0时，集电极与发射极短路，相当于两个二极管并联，这样IB与UCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。
（2）UCE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移，而且当UCE的数值增至较大时（如UCE＞1V），各曲线几乎重合。
这是因为UCE由零逐渐增大时，使集电结宽度逐渐增大，基区宽度相应地减小，使存贮于基区的注入载流子的数量减小，复合减小，因而IB减小。
如保持IB为定值，就必须加大UBE ，故使曲线右移。
当UCE 较大时（如UCE ＞1V），集电结所加反向电压，已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去，以致UCE再增加，IB 也不再明显地减小，这样，就形成了各曲线几乎重合的现象。
（3）和二极管一样，三极管也有一个门限电压Vγ，通常硅管约为0.5～0. 6V，锗管约为0.1～0.2V。
二、输出特性曲线输出特性曲线如图Z0120所示。
测试电路如图Z0117。
输出特性曲线的数学表达式为：由图还可以看出，输出特性曲线可分为三个区域：（1）截止区：指IB=0的那条特性曲线以下的区域。
三极管的特性曲线
③
2. 当UCE ≥1V时,UCB= UCE - UBE >0， 集电结已进入反偏状态，开始收集 ①②
载流子，且基区复合减少， 特性曲
线将向右稍微移动一些, IC / IB 增 大。但UCE再增加时，曲线右移很不 明显。通常只画一条。
输入特性曲线分三个区 ① 死区
Rb IB
+ Ui-
IC
IE
Uo Rc
(2) IC=.IB，IC主要受IB的控制。
24/131
三极管的四种工作状态：
重要！
放大工作状态: 发射结正偏，集电结反偏
饱和工作状态: 发射结正偏，集电结正偏 截止工作状态：发射结反偏，集电结反偏
反向工作状态：发射结反偏，集电结正偏
Rc
VCC
发射结反偏判断方法：
UBE<0.7V（Si) UBE<0.3V（Ge)
IB=
IB= IB=0
截止区： 特点：发射结反偏，集电结反偏。 IB=0 曲线的下方的区域 当IB=0 时，IC=ICEO NPN管，UBE< 0.7V(硅管）时管 子就处于截止态。
Rc
EC
NP N
E IEn
ICn
IC
C
IE
IEp
IBn ICBO
EB Rb B IB
23/131
说明：符号UCE表示直流信号。
输出特性曲线:Ic=f (Uce) Ib=C
+ U-i
Rb Ib c
be
Ie
Uo Rc
说明：符号Ube表示矢量信号。
EB
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
EC
21/131 三极管输入特性曲线 IB=f(UBE) U CE =常数
双极型半导体三极管的特性曲线课件
输入电容的大小也取决于三极 管的材料、结构以及工作状态 ，通常在皮法拉级。
输入电容越大，信号的频率特 性越差，即高频信号的衰减越 大。
输入电流与电压的关系
当三极管处于放大状态时，其输 入电流与输入电压之间存在一定
的关系。
在共基极电路中，输入电流与输 入电压成线性关系；在共发射极 电路中，输入电流与输入电压成
输出电流与电压的关系
定义
影响因素
输出电流与电压的关系是指在特定工 作点上，三极管的输出电流与输出电 压之间的关系。
输出电流与电压的关系受到温度、工 作点、偏置条件等多种因素的影响。
特性曲线
输出电流与电压的关系通常用特性曲 线表示，曲线形状反映了三极管的工 作状态和性能。
04
频率特性曲线
截止频率
02
输入特性曲线
输入电阻
输入电阻是指三极管输入端的等效电阻，它反映了三极管输入端对信号的阻碍作用 。
输入电阻的大小取决于三极管的材料、结构以及工作状态，通常在兆欧级。
输入电阻越大，信号源的信号越不容易被三极管吸收，即信号源的信号衰减越小。
输入电容
输入电容是指三极管输入端的 等效电容，它反映了三极管输 入端对信号的存储能力。
作用
输出电阻的大小决定了三 极管在工作点附近的电压 放大倍数和输出信号的稳 定性。
输出电容
定义
输出电容是指三极管在特 定工作点上的等效电容， 通常表示为Cout。
影响因素
输出电容的大小与三极管 的材料、结构、工作状态 等因素有关。
作用
输出电容对三极管的频率 响应和稳定性有较大影响 ，是三极管的重要参数之 一。
指数关系。
了解输入电流与电压的关系有助 于理解三极管的工作原理和特性
半导体三极管PPT课件
2、输出特性曲线
（4）关于输出特性曲线的结论：
偏置 条件
（NPN）
①三极管各工作状态下，三个电极的电位关系
截止状态 发射结反偏 集电结反偏
VB≤VE
放大状态
发射结正偏 集电结反偏 VC＞VB＞VE
饱和状态
发射结正偏 集电结正偏 VB＞VE，VB＞Vc
（PVE
VB＜VE，VB＜VC
NO.1 三极管的特性曲线
2、输出特性曲线
（2）输出特性曲线测试电路： ①测试步骤： 每一个IB对应一条IC-VCE曲线，通过调节RP1可以得 到很多个IB 的值，相应地得到很多条IC-VCE曲线。 所以，三极管的输出特性曲线是一族曲线。
NO.1 三极管的特性曲线
2、输出特性曲线
（3）输出特性曲线测试结果： ①截止区。（非线性区） 偏置条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。 特点：三极管处于截止状态。IB=0，IC=ICEO≠0， ICEO为穿透电流。截止区越小，管子性能越好
NO.1 三极管的特性曲线
2、输出特性曲线
（2）输出特性曲线测试电路： ①测试步骤：
比如：滑动RP1,使IB 固定为0 ，再调节RP2让VCE从0开始增 加，记下相应的IC值。得到IB =0A这一条输出特性曲线。
再比如：滑动RP1,使IB固定为40uA，再调节RP2让VCE从0开 始增加，记下相应的IC值。得到IB =40uA这一条输出特性曲线。
NO.1 三极管的特性曲线
1、输入特性曲线
（2）输入特性曲线测试电路： ①测试步骤：
比如：滑动RP2,使VCE固定为1V，再调节RP1让VBE从0开始增加， 记下相应的IB值，得到VCE=1V这一条输入特性曲线。
再比如：滑动RP2,使VCE固定为3V，再调节RP1让VBE从0开始增 加，记下相应的IB值，得到VCE=3V这一条输入特性曲线。
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5.晶体管共发射级输出特性常用一族曲线表示 , 其中每一族曲线对应一 个特定的（ ）
• A、ic
B、uCE
C、iB
D、iE
iB
• 6.放大电路中，测得三极管三个电极为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V， 则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。该管是 ________材料管子。
3 69
输出特性曲线放大区
当UCE大于一
定的1数00值时A ，IC
只与IB有关，
IC=I8B0。A
60A
40A
20A IB=0 12 UCE(V)
输出特性曲线
4
IC(mA
) 此区域中UC1E00UBAE,
集电结正偏，
3
IB>IC，UCE800.3VA 称为饱和区。
60A
2
40A
• 用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. • （1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 • （2）判断是PNP还是NPN管? • （3）图上标出管子的E.B.C.极 • （4）估算管子的ß值.
一、三极管的特性曲线
• 用来表示该管各极电压和电流之间相互关 系的曲线。
可分为
输入特性 输出特性
三极管的特性曲线、主要参数
1
复习回顾
• 三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN结，即______ 和______。
• 三极管的内部结构是有 、 区、
____区及
结和 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 极、 极、
______极。
• 二极管有 个PN结，二极管的主要特性是 PN结，三极管的主要作用是 。
A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-
6.7V
C VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V
4.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（ ）
• A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发 射结反偏，集电结正偏
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
输出特性曲线饱和区
输出特性曲线
IC(mA ) 4 3
2
100此A区域中 : IB=0,IC=ICEO
80,UABE< 死区 60电 截A止压区，称。为 40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V) 输出特性曲线截止区
输出特性曲线
输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，整 个曲线可划分为三个区： 放大区、截止区、饱和区
6V 2V
3V
3.3V
3.7V 3V
总结与练习
1、三极管特性曲线主要有
和
？
2、输出特性曲线分为哪三个区，对应三极管哪三种状态，及 其特点？
3、三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件（ ）。 A、发射结正偏、集电结正偏 B、发射结反偏、集电结反偏 C、发射结正偏、集电结反偏 D、发射结反偏、集电 当IB从20增大到40时, Ic从1mA变为2mA, 则它的值约为( )
• A、10
B、50
C、100
• 某晶体管的发射极电流等于 1mA , 基极电流等于20, 则它的集电极电 流等于( )mA.
• A、0.98 B、1.02 C、0.8
D、1.2
复习回顾
输出特性三个区域的特点
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
练一练
• 请判断下题目中三极管的状态。
• 7.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上正 向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
• 8.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ） • A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V • B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7V • C VC=6V， VE=0V， VB=-3V • D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V • 9.书上75页2-2
1、输入特性
输入特性通常是指当UCE为某一值时，三极管的基极与发射极之间
的电压UBE同集电极电流IB的关系。
IB
A
RB
V UBE
V UCE
EB 实验线路
UCE=0V
80
UCE =0.5V
IB(A)
UCE 1V
60
死区电 压，硅管
40
0.5V，锗 20
管0.2V。
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗 管UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8
输入特性曲线
UBE(V)
二、输出特性
输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制下，三极管的集电极与
发射极之间的电压UCE同集电极电流Ic的关系。
IB
mA IC
A
RB EB
EC V UCE
二、输出特性曲线
此区域满4 足IC=IB 称为线性3 区（放大 区）。 2
1
IC(mA )
课后作业
1.已知三极管的基极电压Vb=1.2V,发射极电压Ve=0.3V,集电极电压 Vc=3V,判断三极管的工作状态。
2.一NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该 管工作在（ ）
• A．饱和区
B．截止区
• C．放大区
D．击穿区
3.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）