三极管的特性曲线
三极管特性曲线和参数
2.4.2 三极管的特性曲线
IC ＋ mA －
Rc
Rb
IB A ＋
＋ V UCE －
UCC
UBB
uBE V
－
图 1 – 33 三极管共发射极特性曲线测试电路
1.
输入特性
IB / mA U CE＝0 V U CE＝2 V
当ＵＣＥ不变时, 输入回路中 的电流ＩＢ与电压ＵＢＥ之间的关 系曲线称为输入特性, 即
2.3.5 三极管的主要参数
(1) 共发射极交流电流放大系数β。β体现共射极接法之下的电流放大作用。
I C I B
U CE 常数
(2) 共基极交流电流放大系数α。α体现共基极接法下的电流放大作用。
I C I E
2. 极间反向电流
ICBO
A
A ICEO
(a ) ICBO
2 - 36 三极管极间反向电流的测量
(3) 饱和区。 曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。 在这个区域, 当
ＵＣＥ较小时, 管子的集电极电流ＩＣ基本上不随基极电流ＩＢ而变化, 这种现象称为
饱和。此时三极管失去了放大作用,
一般认为ＵCE＝ＵNE, 即ＵCB＝０时, 三极管处于临界饱和状态, 当ＵCE＜ＵBE时称 为过饱和。三极管饱和时的管压降用ＵCES表示。在深度饱和时, 小功率管管压降通 常小于０.３V。
过 压 区
UCE / V
2 - 38 三极管的安全工作区
4. 反向击穿电压
ＢＵCBO——发射极开路时, 集电极-基极间的反向击穿电压。 ＢＵCEO——基极开路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。
ＢＵEBO——集电极开路时, 发射极-基极间的反向击穿电压, 此
三极管的特性曲线
❖③反向击穿电压U(BR)CEO、U(BR)CBO、 U(BR)EBO
❖ U(BR)CEO：基极开路时集电结不致击穿，允许加在集 电极一发射极之间的最高电压；
❖ U(BR)CBO为发射极开路时集电结不致击穿，允许加在 集电极一基极之间的最高反向电压；
❖ U(BR)EBO为集电极开路时发射结不致击穿，允许加在 发射极一基极之间的最高反向电压。
1台
三、实训仪器设备使用方法
❖ 1. DA-16型毫伏表的使用 ❖ 2. 示波器的使用
1. DA-16型毫伏表的使用
❖ （1）DA-16型晶体管毫伏表简介 ❖ （2）DA-16型晶体管毫伏表的读数
（3）晶体管毫伏表使用注意事项
❖ ①毫伏表使用前应垂直放置以保证精度，且在不通电的情况 下先进行机械调零。
结的反向饱和电流。 ❖ ②集-射极反向漏电流ICEO ❖ 当基极开路时，集电极直通到发射极的反向电流，
又叫穿透电流，且有
（3）极限参数
①集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时，β将明显下降，当β下降到正常 值的2/3时所对应的集电极电流值称为最大允许集电极电流 ICM。
②集电极最大允许功率损耗 PCM
❖ （2）复习正弦交流信号的三要素。
❖ 一、实训目的
❖ （1）能正确使用示波器来观察电子信号的波形；
❖ （2）掌握用示波器测量交流电的频率、周期及信号的峰-峰 值的方法；
❖ （3）掌握函数信号发生器和晶体管毫伏表的使用方法。
❖ 二、实训仪器与器件
❖ （1）函数信号发生器
1台
❖ （2）示波器
1台
❖ （3）晶体管毫伏表
❖ IC= βIB（条件：满足发射结正偏，集电结反偏）
❖ ②截止区
三极管的特性曲线
特点：曲线簇靠近纵轴附近，各条曲线的 特点：曲线簇靠近纵轴附近， 上升部分十分密集，几乎重叠在一起， 上升部分十分密集，几乎重叠在一起，可以 看出： 看出： 改变时， 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改 变。
Ε 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同 晶体管饱和的程度将因I Ic的数值不同
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
此区域中 : 100µA µ IB=0,IC=ICEO 80µABE< 死区 µ ,U 电压， 电压 60µA ，称为 µ 截止区。 截止区。 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
输出特性曲线簇
输出特性三个区域的特点: 输出特性三个区域的特点
Ε （2）为了保证三极管工作在放大区，在组成放大 为了保证三极管工作在放大区，
电路时， 电路时，外加的电源的极性应使三有管的发射结 处于正向偏置状态，集电结则处于反向偏置状态。 处于正向偏置状态，集电结则处于反向偏置状态。
Ε （3）即使三极管工作在放大区，由于其输入，输 即使三极管工作在放大区，由于其输入，
结论： 结论： 在放大区，UBE> 0.7V，UBC< 0，Je正 在放大区， 0.7V， 0，Je正 偏，Jc反偏，Ic随IB变化而变化，但与 反偏， 变化而变化， 的大小基本无关。 UCE的大小基本无关。 ΔIc>>ΔIB，具有很强的电流放大作 用！
3、饱和区： 饱和区：
Ε Ε Ε
晶体管工作在饱和模式下： 晶体管工作在饱和模式下： >0.7V， >0， Je、Jc均正偏 均正偏。 UBE>0.7V，UBC>0，即：Je、Jc均正偏。
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=βIB , 且 ∆IC = β ∆ IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE<UBE ， βIB>IC，UCE≈0.3V (3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ≈0 截止区： 死区电压，
常用半导体器件_三极管的输出特性曲线
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
例4.3.1 在放大电路中测得4个三极管的各管脚对“地”电位如图所 示。试判断各三极管的类型（是NPN型还是PNP型，是硅管 还是锗管），并确定e、b、c三个电极。
3V
8V
−3V 2.3V
−5V
0V
−0.8V −1V
3.7V
2V
−0.6V
6V
（a）
0
U(BR)CEO uCE
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
2. 三极管型号的意义 国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
用字母表示同一型号中的不同规格
用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类
用字母表示材料
三极管 第二位：A 锗PNP管, B 锗NPN管, C 硅PNP管, D 硅NPN管 第三位：X 低频小功率管，D 低频大功率管，
B
ic
C
发射结正偏、集电结反偏，管子放大。
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
−1.4V 硅管
−2.8V −3.5V 1.1V
锗管
1.3V 1V
12V 硅管 2V
发射结正偏、集电结反偏，管子放大。
发射结偏、集电结均正偏，管子饱和。
UBE=2.7V，远大于发射结正偏时的电压， 故管子已损坏。
−0.7V
iC
iB
+
u+−BE
uCE −
当三极管饱和时，UCE 0，C-E iC/mA 饱和区
间如同一个开关的接通。
IB=40μA 4
当三极管截止时，IC 0 ， C-E 3
之间如同一个开关的断开。
三极管特性曲线参数及场效应管
图 02.07 在输出特性曲
线上决定
图02.08 值与IC的关系
2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE
显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/1+ IB= /1+
②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是
显。曲线的右移是三极
管内部反馈所致，右移
不明显说明内部反馈很
小。输入特性曲线的分
区：①死区
②非线性区 ③线性区
图02.05 共射接法输入特性曲线
(2)输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时， 发射结虽处于正向电压 之下，但集电结反偏电 压很小，如
的增加，特性曲线进
入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。（动画2-2）
输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的
数值较小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。
双极型半导体三极管的特性曲线
本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即
输入特性曲线—— iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE) iB=const 这里，B表示输入电极，C表示输出电极， E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极 接法的特性曲线。
iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E 两电极之间。
三极管的特性曲线
三极管的特性曲线
三极管外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式，有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示，共发射极特性曲线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线
在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时，
UBE和IB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线，如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为：
IB＝f（UBE）| UBE = 常数 GS0120
由图Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：。
三极管特性曲线
三极管特性曲线是衡量三极管工作性能的有效方法。
它由四种基本特性曲线构成，分别为正向电压降-电流特性曲线，反向电压降-电流特性曲线，正向电压降势垒曲线和反向电压降势垒曲线。
首先来看正向电压降-电流特性曲线，它会反映出三极管在正向电压降下的电流特性。
随着正向电压的增加，电流也会随之增加，当正向电压达到一定程度时，电流开始减少，而且最终会趋向于一个极限值。
接下来是反向电压降-电流特性曲线，它会反映出三极管在反向电压降下的电流特性。
当反向电压增加时，电流会随之减小，并最终趋向于一个极小值。
正向电压降势垒曲线反映了三极管在正向电压降下的势垒特性。
当正向电压增加时，势垒会随之增加，当正向电压达到一定程度时，势垒开始减少，最终会趋向于一个极限值。
最后是反向电压降势垒曲线，它反映了三极管在反向电压降下的势垒特性。
当反向电压增加时，势垒也会随之减少，最终会趋向于一个极小值。
以上就是三极管特性曲线的基本介绍，由四种基本特性曲线构成，反映了三极管在正反向电压降下的电流和势垒特性。
通过分析三极管特性曲线，可以更清楚地理解三极管的工作原理，并可以更好地掌握其工作性能。
晶体三极管的输入输出特性曲线
晶体三极管的输入、输出特性曲线三极管的特性曲线是指三极管各极上的电压和电流之间的关系曲线，是三极管内部性能的外部表现。
从使用三极管的角度来说，了解它的特性曲线是重要的。
由于三极管有两个PN结，因此它的特性曲线不像二极管那样简单。
最常用的有输入特性和输出特性曲线两种，在实际应用中，通常利用晶体管特性图示仪直接观察，也可用图1的电路开展测试逐点描绘。
（一）输入特性曲线输入特性是指，当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。
以3DG130C为例，按图1实验电路测试。
当UCE分别固定在O和1伏两种情况下，调整RPl测得的IB和UBE的值，列于表1。
它的输入特性曲线，如图2所示。
为了说明输入特性，图中画出两种曲线，表示UCE不同的两种情况。
但两条线不会同时存在。
图1晶体三极管输入、输出特性实验电路图2晶体三极管输入特性曲线表1三极管输入特性数据1.当UCE = O伏时，也就是将三极管的集电极与发射极短接，如图3所示，相当于正向接法的两个并联二极管。
图2中曲线A的形状跟二极管的正向伏安特性曲线非常相似，IB和UBE 也是非线性关系。
2.当UCE=I伏时，集电结反偏，产生集电极电流IC, 在一样的UBE条件下，基极电流IB就要减小。
（图2中a点降到b 点），因此曲线B相对曲线A右移一段距离。
可见，UCE 对IB有一定影响。
当UCE>1伏以后，IB与UCE几乎无关，其特性曲线和UCE = I优那条曲线非常接近，通常按UCE = I 伏的输出特性曲线分析。
图3 UCE=O时的等效电路图4 3AX52B的输入特性曲线图4是3AX52B错三极管的输入特性，注意横坐标是一UBE,这是指PNP型错管的基极电位低于发射极电位。
可见，错管和硅管它们的输入特性曲线都是非线性的，都有“死区”, 错管和硅管相比，错管在较小的UBE值下，就可使发射结正偏导通。
三极管特性曲线测量
实验报告课程名称： 电路与电子实验Ⅱ 指导老师： yyy 成绩：__________________ 实验名称： 三极管特性曲线测量 实验类型： 模电 同组学生姓名： 一、实验目的 二、实验原理 三、实验接线图 四、实验设备 五、实验步骤 六、实验数据记录 七、实验数据分析 八、实验结果或结论一、实验目的1.理解二极管的单向导通性2.理解三极管直流偏置电路的结构和工作原理3.理解三极管的输入、输出伏安特性4.学习三极管伏安特性的手工测试方法5.了解二极管、三极管特性的自动测量6.通过整流电路的实验，加深理解二极管单向导电特性,学习二极管在整流电路中的工作特性二、实验内容1．测量二极管的伏安特性 2. 测量三极管的输入伏安特性 3．测量三极管的输出伏安特性 4. 二极管三极管特性的自动化测量5.全波整流电路，输出分别接电阻、电容以及电阻电容并联时，测量输入输出；验证滤波效果。
三、实验原理1. 二极管伏安特性：(1) 单向导电性（2）伏安特性受温度影响 二极管重要参数：(1) 最大整流电流IF(2)反向击穿电压V(BR) (2) 反向电流IR二极管PN 结特性决定了二极管的单向导电性 2. 三极管伏安特性：E 、B 、C---发射极，基极，集电极● 共射极输入特性：()|CE B BE v C i f v == ● 共射极输出特性: ()|B C CE i C i f v ==饱和区、放大区、截止区A.输入特性曲线输入特性曲线是指在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压CE v 维持固定值时，基极、发射极之间的电压BE v 和基极电流B i 之间的关系曲线。
当CE v =0V 时，类似于发射结的正向伏安特性曲线。
随着CE v 增大，特性曲线右移。
B.输出特性曲线输出特性曲线是指在三极管共射极连接的情况下，当三极管的基极电流B i 维持固定值时，集电极、发射极之间的电压CE v 和集电极电流C i 之间的关系曲线。
实验一三极管特性曲线
表1NPN型三极管输入特性曲线测量，保持UcIN=0V
UbIN设置值（mV）
（参考值）
UbIN实测值（mV）
Ube实测值（mV）
Ib计算值（uA）
0
0
0
0
200
注意：接线时首先将电压源的参考级与测量电路的地相连接，用万用表检测输出电压极性。调节电压源使输出为正电压后再接入电路！
图5 NPN型三极管特性曲线测试电路
（2）保持UcIN=0V，将UbIN从0V增大，使用万用表测量UbIN和Ube电压值填入表1，利用采样电阻Rb计算出基极电流Ib，绘制输入特性曲线图。与测量二极管I-V特性曲线类似，在PN结导通前后应适当增加测量点数，方便作图。
672
18.0
900
901
679
22.2
【作图：NPN管的输入特性曲线Ib-Ube，分析曲线形状是否与PN结I-V曲线相类似】
UcIN=0V时，NPN管的输入特性曲线如图6所示.
图6 UcIN=0V时, NPN管输入特性曲线
分析：当UcIN=0V时，三极管的集电极和发射极之间短路，发射结和集电结并联，此时三极管输入特性曲线形状与PN结I-V曲线形状类似。
《电子技术实验》课程实验报告
实验一三极管特性曲线的测量
一、实验目的
1.熟练掌握三极管、场效应管的输入特性和输出特性，分析不同工作区的特点与应用，了解三极管、场效应管的关键参数及其测量方法，为后续搭建单级放大电路和负反馈放大电路提供基础。
2.学习电子电路静态工作点的确定和调节，掌握节点电压和支路电流的测量方法。
三极管的特性曲线
三极管的特性曲线三极管外部各极电压和电流的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性，还能用来定量地估算出三极管的某些参数，是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式，有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路，其基本测试电路如图Z0118所示，共发射极特性曲线可以用描点法绘出，也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线在三极管共射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时，UBE和IB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线，如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为：IB＝f（UBE）| UBE = 常数GS0120由图Z0119 可以看出这簇曲线，有下面几个特点：（1）UBE = 0的一条曲线与二极管的正向特性相似。
这是因为UCE = 0时，集电极与发射极短路，相当于两个二极管并联，这样IB与UCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。
（2）UCE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移，而且当UCE的数值增至较大时（如UCE＞1V），各曲线几乎重合。
这是因为UCE由零逐渐增大时，使集电结宽度逐渐增大，基区宽度相应地减小，使存贮于基区的注入载流子的数量减小，复合减小，因而IB减小。
如保持IB为定值，就必须加大UBE ，故使曲线右移。
当UCE 较大时（如UCE ＞1V），集电结所加反向电压，已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去，以致UCE再增加，IB 也不再明显地减小，这样，就形成了各曲线几乎重合的现象。
（3）和二极管一样，三极管也有一个门限电压Vγ，通常硅管约为0.5～0. 6V，锗管约为0.1～0.2V。
二、输出特性曲线输出特性曲线如图Z0120所示。
测试电路如图Z0117。
输出特性曲线的数学表达式为：由图还可以看出，输出特性曲线可分为三个区域：（1）截止区：指IB=0的那条特性曲线以下的区域。
晶体三极管的输入、输出特性曲线
晶体三极管的输入、输出特性曲线三极管的特性曲线是指三极管各极上的电压和电流之间的联络曲线，是三极管内部功用的外部体现。
从运用三极管的视点来说，了解它的特性曲线是首要的。
因为三极管有两个PN结，因而它的特性曲线不像二极管那样简略。
最常用的有输入特性和输出特性曲线两种，在实习运用中，通常运用晶体管特性图示仪直接查询，也可用图1的电路进行查验逐点描写。
（一）输入特性曲线输入特性是指，当三极管的集电极与发射极之间电压UCE坚持为某一固定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的联络。
以3DG130C为例，按图1试验电路查验。
当UCE别离固定在0和1伏两种状况下，调整RP1测得的IB和UBE的值，列于表1。
它的输入特性曲线，如图2所示。
为了阐明输入特性，图中画出两种曲线，标明UCE纷歧样的两种状况。
但两条线不会一起存在。
图1晶体三极管输入、输出特性试验电路图2晶体三极管输入特性曲线表1三极管输入特性数据1.当UCE＝0伏时，也即是将三极管的集电极与发射极短接，如图3所示，恰当于正向接法的两个并联二极管。
图2中曲线A的形状跟二极管的正向伏安特性曲线非常类似，IB和UBE也对错线性联络。
2.当UCE＝1伏时，集电结反偏，发作集电极电流IC，在相同的UBE条件下，基极电流IB就要减小。
（图2中a点降到b点），因而曲线B相对曲线A右移一段间隔。
可见，UCE对IB 有必定影响。
当UCE＞1伏往后，IB与UCE几乎无关，其特性曲线和UCE＝1伏那条曲线非常挨近，通常按UCE＝1伏的输出特性曲线剖析。
图3UCE＝0时的等效电路图43AX52B的输入特性曲线图4是3AX52B锗三极管的输入特性，留神横坐标是－UBE，这是指PNP型锗管的基极电位低于发射极电位。
可见，锗管和硅管它们的输入特性曲线都对错线性的，都有“死区”，锗管和硅管比照，锗管在较小的UBE值下，就可使发射结正偏导通。
当三极管在正常拓宽状况时，以发射极作为公共端，则NPN型硅管UBE约为0.7伏，PNP锗管UBE约为－0.3伏。
三极管的特性曲线
③
2. 当UCE ≥1V时,UCB= UCE - UBE >0， 集电结已进入反偏状态，开始收集 ①②
载流子，且基区复合减少， 特性曲
线将向右稍微移动一些, IC / IB 增 大。但UCE再增加时，曲线右移很不 明显。通常只画一条。
输入特性曲线分三个区 ① 死区
Rb IB
+ Ui-
IC
IE
Uo Rc
(2) IC=.IB，IC主要受IB的控制。
24/131
三极管的四种工作状态：
重要！
放大工作状态: 发射结正偏，集电结反偏
饱和工作状态: 发射结正偏，集电结正偏 截止工作状态：发射结反偏，集电结反偏
反向工作状态：发射结反偏，集电结正偏
Rc
VCC
发射结反偏判断方法：
UBE<0.7V（Si) UBE<0.3V（Ge)
IB=
IB= IB=0
截止区： 特点：发射结反偏，集电结反偏。 IB=0 曲线的下方的区域 当IB=0 时，IC=ICEO NPN管，UBE< 0.7V(硅管）时管 子就处于截止态。
Rc
EC
NP N
E IEn
ICn
IC
C
IE
IEp
IBn ICBO
EB Rb B IB
23/131
说明：符号UCE表示直流信号。
输出特性曲线:Ic=f (Uce) Ib=C
+ U-i
Rb Ib c
be
Ie
Uo Rc
说明：符号Ube表示矢量信号。
EB
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
EC
21/131 三极管输入特性曲线 IB=f(UBE) U CE =常数
三极管输入特性曲线
三极管输入特性曲线。
三极管输入特性曲线是表示三极管的一种特性，曲线的面积代表了三极管的电流之间的增幅或承受压力的能力。
曲线的形状取决于电器的结构特性和导通条件。
一般来说，三极管输入特性曲线由三段组成：反向增益段，正向增益段和转换段。
反向增益段是介于0V到-0.7V之间的电压，在这一段中，绝对增益是台指数衰减，只有在电压接近-0.7V时才会有极大增益。
正向增益段介于-0.7V到0.6V之间，这一段中绝对增益是指数增加，增益越接近直立段，则增益越大。
最后一段是转换段，它介于0.6V到正无穷大之间，绝对增益是静态的，增益通常都是较小的。
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），集电结反偏
（或零偏）
特征 IB=0，IC=ICEO≈0
工作 状态
截止状态
（1）当 IB一定时， IC的大
小与UCE基本无关（但UCE的大 各电极电流都很大，IC
小随IC的大小而变化），具 不受IB控制，三极管失去
有恒流特性；
放大作用
（2）IB不同，曲线也不同， IC受IB控制，具有电流放大 特性，IC=hFEIB，△IC=β △IB
三极管的特性曲线
学 校：长治市高级技工学校 授课人：刘新梅 时 间：2013.12
三极管的特性曲线
三极管特性曲线测试电路
三极管的特性曲线
1、输入特性
三极管的输入特性曲线 与二极管的正向特性曲线 相似，只有当发射结的正 向电压UBE大于死区电压 （硅管0.5V，锗管0.2V）时 才产生基极电流IB，这时三 极管处于正常放大状态,发 射结两端电压为UBE（硅管 为0.7三极管的输入特性曲线
三极管的特性曲线
2、 输出特性
每条曲线可分为 线性上升、弯曲、平 坦三部分。
对应不同IB值得 不同的曲线，从而形 成曲线簇。各条曲线 上升部分很陡，几乎 重合,平坦部分则按IB 值从下往上排列，IB 的取值间隔均匀，相 应的特性曲线在平坦 部分也均匀分布，且 与横轴平行。
放大状态
饱和状态
三极管的特性曲线
提示： 对于NPN型三极管：工作于放大区时，
UC﹥UB﹥UE；工作于截止区时， UB≤UE；工作于 饱和区时，UC≤UB。PNP型三极管与之相反。
在模拟电子电路中三极管大多工作在 放大状态，作为放大管使用；在数字电子 电路中三极管工作在饱和或截止状态，作 为开关管使用。
在放大区内，有一 个特定的基极电流， 就有一个特定的集 电极电流，实现基 极对集电极电流的 控制。
三极管的输出特性曲线
三极管的特性曲线
输出特性曲线的三个区域
名称
截止区
放大区
饱和区
范围 IB=0曲线以下区域，几 平坦部分线性区，几乎 曲线上升和弯曲部分
乎与横轴重合
与横轴平行
条件 发射结反偏（或零偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结正偏，集电结正偏