模电第一章课后习题答案

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模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全

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第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。

(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

(×)(3)线性电路一定是模拟电路。

(√)(4)模拟电路一定是线性电路。

(×)(5)放大器一定是线性电路。

(√)(6)线性电路一定是放大器。

(×)(7)放大器是有源的线性网络。

(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。

(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。

(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。

(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。

(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。

(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。

(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。

(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。

(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。

(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。

(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。

(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。

3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。

《模拟电子技术基础》习题答案

《模拟电子技术基础》习题答案

( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中,热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用?
第 1 章习题及答案 1.1.在图题 1.1 所示的各电路图中 E=5V,ui 10 sin t V,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 (1) T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路,起什么作用? (2) 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知;求静态工作点 IC、IB、UCB。

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

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第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

1、两个管子都正接。

(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。

模电答案第一章

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作业作业::1-9.各元件的情况如图所示各元件的情况如图所示。

(1)若元件A 吸收功率a 解:电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向,,吸收功率吸收功率::V AWI P U I U P a a 10110===→= (2)若元件B 吸收功率10W 10W,,求:I b =?=?解:电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向,,吸收功率吸收功率::A VWU P I UI P b b 11010−=−=−=→−= (3)若元件C 吸收功率吸收功率--10W 10W,,求:I c =?=? 解:电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向,,吸收功率吸收功率::A VW U P I UI P c c 11010−=−==→= (4)求元件D 吸收功率吸收功率::P=?P=?解:电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向,,吸收功率吸收功率::W mA mV UI P 61020210−×−=×−=−=(5)若元件E 输出的功率为10W 10W,,求:I e =?=? 解:电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向,,吸收功率吸收功率::A VWU P I UI P e e 11010−=−==→= (6)若元件F 输出功率为输出功率为--10W 10W,,求:U f =?=?解:电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向,,吸收功率吸收功率::V AWI P U I U P f f 10110−=−=−=→−= (7)若元件G 输出功率为10mW 10mW,,求:I g =?=? 解:电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向,,吸收功率吸收功率::mA VmW U P I UI P g g 11010−=−==→= (8)试求元件H 输出的功率输出的功率。

解:电压电流为非关联电压电流为非关联参考方向参考方向参考方向,,吸收功率吸收功率::mW mA V UI P 422−=×−=−=故输出功率为4mW 4mW。

《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白

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第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。

( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。

(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。

A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

模拟电子技术基础-第一章课后习题详解

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习题1.1选择合适答案填入空内。

(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将。

A.增大B.不变C.减小解:(1)A ,C (2)A (3)C (4)A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管子会因电流过大而烧坏。

1.3 电路如图P1.3所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3解图P1.3解:u i和u o的波形如解图P1.3所示。

1.4 电路如图P1.4所示,已知u i=5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i与u O的波形,并标出幅值。

图P1.4解图P1.4解:波形如解图P1.4所示。

1.5 电路如图P1.5(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。

试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。

图P1.5解:u O的波形如解图P1.5所示。

解图P1.51.6 电路如图P1.6所示,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;u i为正弦波,有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流有效值解:二极管的直流电流I D=(V-U D)/R=2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D=10Ω故动态电流有效值I d=U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。

模拟电路第一章课后习题答案

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第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?解:二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

本题的意图是掌握二极管的单向导电性。

◇ 习题 1-2假设一个二极管在500C 时的反向电流为10μA ,试问它在200C 和800C 时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高100C,反向电流大致增加一倍。

解:在20O C 时反向电流约为A A μμ25.11023=⨯-在80O C 时反向电流约为A A μμ801023=⨯ 本题的意图是通过估算,理解二极管的反向电流将随温度的升高而急剧增大。

◇ 习题 1-3某二极管的伏安特性如图P1-3(a)所示:① 如在二极管两端通过1k Ω的电阻加上1.5V 的电压,见图P1-3(b),此时二极管的电流I 和电压U 各为多少?② 如将图P1-3(b)中的1.5V 电压改为3V ,则二极管的电流和电压各为多少?提示:可用图解法。

解:① 电源电压为1.5V 时,I=0.8mA, U=0.7V ;② 电源电压为2.2V 时, I=2.2mA ,U=0.8V 。

图解结果见下图:经过观察可进一步得出结论:当二极管工作在正向特性区时,如电源电压增大,二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。

本题的主要意图是加深对二极管伏安特性的理解,并练习用图解法估算二极管的电流和电压。

◇题1-4已知在图P1-4中,u1=10sinωt(V),R L=1kΩ,试对应地画出二极管的电流i D、电压u0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解:波形见图。

本题的意图是通过画波形图,理解二极管的单向导电性。

◇习题1-5欲使稳压管具有良好稳压特性,它的工作电流I Z、动态内阻r Z以及温度系数a u等各项参数,大一些好还是小一些好?解:动态内阻r Z愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,即稳压性能愈好。

模电课后答案

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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9解:如解图1.9。

解图1.9第2章 基本放大电路习题2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,ber =1kΩ,20iU mV = ,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。

判断下列结论是否正确,在括号内打“√”和“×”表示。

(1)342002010uA -=-=-⨯ (×) (2)4 5.710.7uA =-=- (×) (3)8054001u A ⨯=-=- (×) (4)80 2.52001uA ⨯=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5OR k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)(11)20S U mV ≈ (×) (12)60SU mV ≈ (√)2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bb r =Ω。

分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、uA 、i R 和o R 。

解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为:22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈; 308c ubeR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω; 93beusube sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为:(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+用基尔霍夫电流定律容易理解(//)115c L u be R R A r β=-≈- 34.7be us ube sr A A r R ≈⋅≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。

电路与模拟电子技术基础课后练习第一章答案

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第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率,并指出每个元件起电源作用还是负载作用。

图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=⨯=P (吸收);W 5.15.032=⨯=P (吸收) W 15353-=⨯-=P (产生);W 5154=⨯=P (吸收);W 4225=⨯=P (吸收);元件1、2、4和5起负载作用,元件3起电源作用。

1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ;V 13335=+-=I I U电流源功率:W 2621-=⋅-=U P (产生),即电流源产生功率6W 2。

电压源功率:W 632-=⋅-=I P (产生),即电压源产生功率W 6。

1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得:A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。

图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。

图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=⨯+-⨯+-=IV 221021425)32(22S =+-=⨯+-⨯+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。

图1.6 习题1.6电路图解 A 213=-=I ;A 31X -=--=I I ; V 155X -=⋅=I UV 253245X X -=⨯--⋅=I U1.7 电路如图1.7所示:(1)求图(a)中的ab 端等效电阻;(2)求图(b)中电阻R 。

图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++⨯+⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯+=1046418666661866666ab R (2) Ω=--=712432383R1.8 电路如图1.8所示:(1)求图(a)中的电压S U 和U ;(2)求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。

《模拟电子技术基础》习题答案

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模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。

oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。

(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。

(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。

(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。

画出o u 波形如图所示。

Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。

解:各电路图如图所示。

(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。

R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。

1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。

1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。

模电课后习题答案

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V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得:U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA,U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。

2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V,所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE,45.4小I B七、T1 :恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。

习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。

1.4 u i和U o的波形如图所示。

1.5 u o的波形如图所示。

1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。

1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。

1.9(1 )当U I = 10V时,若U O=U Z = 6V,则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

“模电”第1章习题答案

“模电”第1章习题答案

串联:
+
_ 15V
+
_ 1.4V
+
_ 6.7V
+
_ 9.7V
并ห้องสมุดไป่ตู้:
+ + + _ _
_
6V
(输出稳压值 为小的一个)
0.7V
0.7V
1-10
稳压管电路如图1-29所示。已知稳压管的 稳压值为6V,稳定电流为10mA,额定功耗为 200mW,限流电阻R=500Ω。 1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=? 2.当UI=20V,RL=100Ω 时,U0=?
UZ 6V I0 6mA RL 1k
I Z I I 0 22 mA
10mA 22mA 33mA
稳压管可以正常工作:
U 0 U Z 6V
2.当UI=20V,RL=100Ω 时,U0=? 假设稳压管正常工作,
则 U Z 6V
UZ 6V I0 60 mA RL 100
第1章 课后习题解答
0143
1-8
图1-28所示电路中,ui=10sin100t V, 二极管为理想的。分别画出他们的输出 波形和传输特性曲线,u0=f (ui)。
5
当ui处于正半周且ui<5V: 二极管导通, u0=ui 。 当ui处于正半周且ui>5V: 二极管截止, u0=5V。 当ui处于负半周: 二极管导通,u0=ui。 输出波形和传输特性曲
3.当UI=20V,RL开路时,电路的稳压性能如何?
4.当UI=7V,RL变化时,电路的稳压性能如何?
解:1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=? 稳压管的最大工作电流: PZM 200 mW I Z max 33mA UZ 6V

【VIP专享】电路与模拟电子技术基础课后练习第一章答案

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解 I1 3 2 1A ; I 2 2 3 1A 由 R1 、 R2 和 R3 构成的闭合面求得: I3 2 I 2 1A 1.4 试求图 1.4 所示电路的U ab 。

U ab
8 1 5
1.5 求图 1.5 中的 I 及U S 。
6 3 69
图 1.5 习题 1.5 电路图
图 1.3 习题 1.3 电路图 1
6.培养学生观察、思考、对比及分析综合的能力。过程与方法1.通过观察蚯蚓教的学实难验点,线培形养动观物察和能环力节和动实物验的能主力要;特2征.通。过教对学观方察法到与的教现学象手分段析观与察讨法论、,实对验线法形、动分物组和讨环论节法动教特学征准的备概多括媒,体继课续件培、养活分蚯析蚓、、归硬纳纸、板综、合平的面思玻维璃能、力镊。子情、感烧态杯度、价水值教观1和.通过学理解的蛔1虫.过观适1、察于程3观阅 六蛔寄.内列察读 、虫生出蚯材 让标容生3根常蚓料 学本教活.了 据见身: 生,师的2、解 问的体巩鸟 总看活形作 用蛔 题线的固类 结雌动态业 手虫 自形练与 本雄学、三: 摸对 学动状习人 节蛔生结4、、收 一人 后物和同类 课虫活构请一蚯集 摸体 回并颜步关 重的动、学、蚓鸟 蚯的 答归色学系 点形教生生让在类 蚓危 问纳。习从 并状学理列学平的害 题线蚯四线人 归、意特出四生面体以形蚓、形类 纳大图点常、五观玻存 表及动的鸟请动文 本小引以见引、察璃现 ,预物身类 3学物明 节有言及的、导巩蚯上状 是防的体之生和历 课什根蚯环怎学固蚓和, 干感主是所列环史 学么据蚓节二样生练引牛鸟 燥染要否以举节揭 到不上适动、区回习导皮类 还的特分分蚯动晓 的同节于物让分答。学纸减 是方征节布蚓物起 一,课穴并学蚯课生上少 湿法。?广的教, 些体所居归在生蚓前回运的 润;4泛益学鸟色生纳.靠物完的问答动原 的4蛔,处目类 习和活环.近在成前题蚯的因 ?了虫以。标就 生体的节身其实端并蚓快及 触解寄上知同 物表内特动体结验和总利的慢我 摸蚯生适识人 学有容点物前构并后结用生一国 蚯蚓在于与类 的什,的端中思端线问活样的 蚓人飞技有 基么引进主的的考?形题环吗十 体生行能着 本特出要几变以动,境?大 节活的1密 方征本“特节化下物.让并为珍 近习会形理切 法。课生征有以问的小学引什稀 腹性态解的 。2课物。什游题主.结生出么鸟 面和起结蛔关观题体么戏:要利明蚯?类 处适哪构虫系察:的特的特用确蚓等 ,于些特适。蛔章形殊形征板,这资 是穴疾点于可虫我态结式。书生种料 光居病是寄的们结构,五小物典, 滑生?重生鸟内学构,学、结的型以 还活5要生类部习与.其习巩鸟结的爱 是如原活生结了功颜消固类构线鸟 粗形何因的存构腔能色化练适特形护 糙态预之结的,肠相是系习于点动鸟 ?、防一构现你动适否统。飞都物为结蛔。和状认物应与的行是。主构虫课生却为和”其结的与题、病本理不蛔扁的他构特环以生?8特乐虫形观部特8征境小理三页点观的动位点梳相组等、这;,哪物教相,理适为方引些2鸟,育同师.知应单面导鸟掌类结了;?生识的位学你握日构解2互.。办特生认线益特了通动手征观识形减点它过,抄;察吗动少是们理生报5蛔?物,与的解.参一了虫它和有寄主蛔与份解结们环些生要虫其。蚯构都节已生特对中爱蚓。会动经活征人培鸟与飞物灭相。类养护人吗的绝适这造兴鸟类?主或应节成趣的为要濒的课情关什特临?就危感系么征灭来害教;?;绝学,育,习使。我比学们它生可们理以更解做高养些等成什的良么两好。类卫动生物习。惯根的据重学要生意回义答;的3.情通况过,了给解出蚯课蚓课与题人。类回的答关:系线,形进动行物生和命环科节学动价环值节观动的物教一育、。根教据学蛔重虫点病1.引蛔出虫蛔适虫于这寄种生典生型活的线结形构动和物生。理二特、点设;置2.问蚯题蚓让的学生生活思习考性预和习适。于穴居生活的形态、结构、生理等方面的特征;3.线形动物和环节动物的主要特征。

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示,设二极管为理想的,试判断下列情况下,电路中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端的电压AO U 。

(1)V V DD 61=,V V DD 122=;(2)V V DD 61=、V V DD 122-=;(3)V V DD 61-=、V V DD 122-=。

解:1、当V V DD 61=、V V DD 122=时,假设二极管是截止的,则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压,所以二极管截止假设成立。

V V U DD AO 122==。

2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U DD AO 61==。

3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的,则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U U DD BO AO 61-===。

1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压VU D 7.0)on (=,试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时,电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。

解:1、当Ω=k R 1时,假设二极管是截止的,则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知,二极管承受正偏电压导通(假设不成立)故可得其等效电路如图P1.2b所示:根据KCL 、 KVL :⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O 222197.039 解之:mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时,假设二极管是截止的,则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知,二极管承受反偏电压截止(假设成立)01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的,试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压AO U解:(a )假设21V V 、均截止,则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=, 21V V 、均承受正偏电压,但2V 管的正向偏值电压更大,故它首先导通。

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

第一章 半导体器件1.1 电路如图P1.1所示,设二极管为理想的,试判断下列情况下,电路中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端的电压AO U 。

(1)V V DD 61=,V V DD 122=;(2)V V DD 61=、V V DD 122-=;(3)V V DD 61-=、V V DD 122-=。

解:1、当V V DD 61=、V V DD 122=时,假设二极管是截止的,则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压,所以二极管截止假设成立。

V V U DD AO 122==。

2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U DD AO 61==。

3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时,假设二极管是截止的,则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压,所以二极管截止假设不成立,二极管导通。

V V U U DD BO AO 61-===。

1.2 二极管电路如图P1.2所示,二极管的导通电压VU D 7.0)on (=,试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时,电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。

解:1、当Ω=k R 1时,假设二极管是截止的,则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知,二极管承受正偏电压导通(假设不成立)故可得其等效电路如图P1.2b 所示:根据KCL 、 KVL :⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O222197.039 解之:mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时,假设二极管是截止的,则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知,二极管承受反偏电压截止(假设成立)01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的,试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压AO U解:(a )假设21V V 、均截止,则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=, 21V V 、均承受正偏电压,但2V 管的正向偏值电压更大,故它首先导通。

大学模拟电路答案第一章

大学模拟电路答案第一章

第一章半导体材料及二极管习题类型1.1半导体材料的导电特性;1.2~1.9简单二极管电路的分析、计算;1.10、1.11二极管限幅电路的分析、计算;1.12~1.16稳压二极管电路的分析、计算;1.17、1.18稳压管稳压电路的设计。

1.1 某N型Si材料的施主密度/cm3。

在T=300K和T=550K时Si的本征浓度分别为/cm3和1015/cm3。

计算在这两种温度下的自由电子浓度和空穴浓度,并说明材料导电特性的变化。

解:(1)T=300K,肯定成立/cm3,/cm3。

(2)T=550K,应联立求解和。

将,代入上二方程可得:由上式解出/cm3/cm3。

结论:在T=300K时,,材料呈现杂质导电特性。

在T=550K时,,材料已呈现本征导电特性。

1.2当T=300K时,Ge和Si二极管的反向饱和电流分别为1μA和0.5pA。

如果将此两个二极管串联连接,有1mA的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少?解:,两管已充分导通,故伏安关系近似为,由此,取mV(T=300K)VV。

题图1.21.3 在T=300K时,利用PN结伏安方程作以下估算:(1)若反向饱和电流A,求正向电压为0.1V,0.2V和0.3V时的电流。

(2)当反向电流达到反向饱和电流的90%时,反向电压为多少?(3)若正、反向电压均为0.05V,求正向电流与反向电流比值的绝对值。

解:(1)V=0.1V时,A;V=0.2V时,mA;V=0.3V时,A;(2)按题意由上式解出V(3)1.4二极管的伏安特性可用来表示,设。

如果用一个的干电池正向接在该二极管的两端,试计算将有多大电流通过?电流值是否与实际情况相符?解:计算值,实际上,电流一旦超过允许的最大整流电流,管子就因过热而烧毁。

1.5题图1.5中所有二极管的反向饱和电流均为,求输出电压时相应的输入电压。

题图1.5解:1.6二极管电路如题图1.6所示,判断各图中的二极管是导通还是截止,并求出A、O两端电压。

模拟电子技术基础 第1章习题解答 (高吉祥 电子工业出版社)

模拟电子技术基础 第1章习题解答 (高吉祥 电子工业出版社)

iC/mA
iB=100μA 80μA 60μA 40μA 20μA 0μA
i 9400 3600 145 解: C iB 60 20
145 0.99 1 1 145
16 12 8 4 0

145
0.99
5
10 15 uCE/V
第7页
1.17
已知一个 N 沟道增强型 MOS 场效应管的漏极特性曲线如图示,试作出 UDS
=15V 的转移特性曲线,并由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UT 和 IDO 值,以 及 UDS =15V, U GS =4V 时的跨导 gm。
4 ID/mA 4 3 2 1 1 2 3 4 5 UGS/V 0 5 10 3.5V 3V 2V 15 20 UDS/V ID/mA UGS=4.5V 4V
状态。 (a2.正偏,b2.反偏,c2.击穿) a ,b-c 间为 b ,工作在饱和区
(7) 晶体管工作在放大区时,b-e 间为 时 b-e 间为 a ,b-c 间为 a
。 (a.正向偏置,b.反向偏置,c.零偏置)
(8) 工作在放大区的某晶体管, 当 IB 从 20μA 增大到 40μA 时, IC 从 1mA 变成 2mA。 它们的β约为 b 。 (a.10,b.50,c.100) b1 (a1.栅极电压,b1. 栅源电压,c1. 漏源 a3
3 2 1 0
I/mA
Q2 Q1
0.5
1 1.5 (a)
2
U/V
1.4
假设用万用表的 R×10 档测得某二极管的正向电阻为 200Ω , 若改用 R×100
档测量同一个二极管,则测得的结果将比 200Ω 大还是小,还是正好相等?为什 么? 答:用 R×100 档测量二极管的正向电阻比用 R×10 档测的电阻大。 设万用表 R×10 档的内阻为 R1 ,R×100 档的内阻为 R2 ,则 R1 <R2 ;测量时二极 管的外特性方程分别为:uD=E-IDR1 ,uD=E-IDR2 ,所以 IDQ1 > IDQ2 。 故用 R×100 档测量二极管的正向电阻比用 R×10 档测的电阻大。
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第一章 半导体基础知识
自测题
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6
≈-2V
四、U O1=6V U O2=5V
五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C
≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、
V
2V mA
6.2 μA
26V C C CC CE B C b
BE
BB B =-====-=
R I U I I R U I β
U O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以
Ω
≈-=
==
=-=
k 4.45V μA
6.28mA
86.2V B
BE
BB b C
B c
CES
CC C I U R I I R U I β
七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题
1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

t
t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =
2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故 V 33.3I L
L O ≈⋅+=
U R R R U
当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。

当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。

(2)=-=R U U I )(Z I D Z
29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大
t
t
而损坏。

1.10 (1)S 闭合。


2
)。

,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R
1.11 波形如图所示。

1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。

1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。

1.14
1.16 当V BB =0时,T 截止,u O =12V 。

当V BB =1V 时,T 处于放大状态。

因为
V
9u mA 3 μA 60C CQ O BQ CQ b
BEQ
BB BQ =-====-=
R I V I I R U V I CC ,,β
当V BB =3V 时,T 处于饱和状态。

因为
BE
C CQ O BQ CQ b
BEQ
BB BQ mA 8 A μ160U R I V u I I R U V I CC <,,-====-=
β
1.17 取U CES =U BE ,若管子饱和,则
管子饱和。

,所以,100 C
b C b C
BE
CC b
BE
CC =≥
=-=
-⋅R R R R R U V R U V βββ
1.18 当u I =0时,晶体管截止,稳压管击穿,u O =-U Z =-5V 。

当u I =-5V 时,晶体管饱和,u O =0.1V 。

因为
mA
24μA
480B C b
BE
I B ===-=
I I R U u I β
CC C C CC EC V R I V U <-=
1.19(a )可能 (b )可能 (c )不能 (d )不能,T 会损坏。

(e )可能
1.20 根据方程
2G S
(t h )
GS DSS D )1(U u I i -
= 逐点求出确定的u GS 下的i D ,可近似画出转移特性和输出特性。

在输出特性中,将各条曲线上u GD =U GS (off )的点连接起来,便为予夹断线。

1.21
1.22 过u DS 为某一确定值(如15V )作垂线,读出它与各条输出特性的交点的i D 值;建立i D =f (u GS )坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。

1.23 u I =4V 时T 夹断,u I =8V 时T 工作在恒流区,u I =12V 时T 工作在可变电阻区。

1.24 (a )可能 (b )不能 (c )不能 (d )可能。

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