紫外LED专利技术分析
2024年紫外线LED市场需求分析
紫外线LED市场需求分析引言紫外线LED（Ultraviolet LED，UV LED）是一种半导体光源，能够产生紫外光辐射。
随着对紫外线应用的增加，紫外线LED市场正迅速发展。
本文将对紫外线LED 市场需求进行分析，包括市场规模、主要应用领域和趋势。
市场规模根据市场研究报告，紫外线LED市场规模呈现稳定增长的趋势。
预计在未来几年内，这一市场将保持高速增长并达到相当规模。
以下是一些关键因素：1.应用扩大：紫外线LED在多个领域具有广泛应用，如医疗卫生、科学研究、工业生产等。
随着技术进步和应用需求的增加，紫外线LED的市场规模将会扩大。
2.政策支持：政府对环保和节能的要求推动了紫外线LED的发展。
各国政府鼓励和支持紫外线LED的应用，这对市场的增长起到了积极作用。
3.产品价格下降：随着技术成熟度的提高和生产规模的扩大，紫外线LED的生产成本逐渐下降，产品价格降低，进一步刺激了市场需求。
主要应用领域紫外线LED在很多领域都有广泛的应用，以下是一些主要领域：1.医疗卫生：紫外线LED在医疗卫生领域具有重要作用，可以用于医疗设备、消毒灯和光疗装置等。
紫外线LED可以有效杀灭细菌和病毒，有助于提高医疗设施的卫生标准。
2.科学研究：紫外线LED在科学研究中的应用越来越广泛。
它可以用于分子生物学实验、荧光显微镜和光谱分析等领域，为科学家提供更多的研究工具和实验条件。
3.工业生产：紫外线LED在工业生产中有许多应用，如固化、紫外线硬化漆、印刷等。
通过紫外线LED的使用，可以提高工业生产效率和质量，并减少能源消耗。
趋势紫外线LED市场有几个明显的趋势：1.技术创新：紫外线LED技术不断创新，包括提高光效、扩展波长范围和增加应用领域等。
技术创新将进一步推动市场需求。
2.健康与安全关注：随着人们对健康和安全的关注增加，紫外线LED在医疗和卫生领域的应用将继续扩大。
人们对紫外线的利用将更加理性，避免潜在的健康风险。
3.环保需求：紫外线LED具有低能耗、长寿命等优点，符合环保需求。
二、LED专利发展分析——LED专利发展分析
在美国、 欧盟、 德国、 英国、 法国、 韩国、 日本、 中国大陆、 中国台湾地区和 ｗＩＯ（ Ｐ 世界知识产杈组织 ） 所申请的专利。本
文 主要 以 Ｌ Ｄ专利 申请 时 间态 势分 析 、 Ｅ 地理 区域 分析 及 ＩＣ类 型 分析 为主 线 ， 全 球 、 国 、 东省 的 Ｌ Ｄ专 利 情 Ｐ 对 全 广 Ｅ
表 １１ 各年专利件数统计 ．
年份
２０ ０９
２ ００８
专 利数 （ 位 ： ） 单 件
２２３ ７ ２
２８２３ ８
年 份
１ ９ ９９
１ ９９８
专 利数 （ 单位 ： ） 件
８ ９ ４３
６ ３ ５９
２ ００７
２Ｏ０ ６
２ ８５７ ７
３１ ３ ０３
１ ９９７
图 １２ ９ ． ９ ０年至 ２ ０ １ ０ ９年 间每 年在 华 申请 和 公 开 的 Ｌ Ｄ专 利 数 Ｅ
【 Ｅ 在 华专 利 】Ｉ 体 趋 势 分 析 】 ＬＤ ． 总
。
况进 行纵 向的对 比分 析 ， 基于 专利 发展 的 视 角 ， 据广 东 省 Ｌ Ｄ产业 现状 ， 出若干 建议 。 并 根 Ｅ 给
一
、
Ｌ Ｄ专 利 时 间 态 势 分 析 Ｅ
１专利趋 势 概况 ．
上世 纪 ５ ０年代起 至 ２ ０ ０ ９年 ， 球共 申请 Ｌ Ｄ相 关 专利 ３ 全 Ｅ ０余万 件 ， 照公 开 日期统 计 如下 ： 按
１ ９９６
５３８１
４ ９ ７８
２ ５ ０Ｏ
２ ４ ＯＯ ２ ３ ００ ２ ２ ＯＯ
２４４４ ９
２２６ ０５ １ ７９４ ３ １ ０２ ４９
１ ５ ９９
紫外线LED灯对中药粉消毒灭菌的效果评价
紫外线LED灯对中药粉消毒灭菌的效果评价（2、南华大学药学院，湖南衡阳，421001）摘要：UVC属于广谱杀菌类，阐述了UV-LED紫外线灯对中药粉的消毒灭菌的原理，通过设置UVC-LED光源的辐射强度、辐射距离、辐射时间，并计算UV紫外光的辐射剂量，利用固有的UVC-LED光源对中药粉粒体进行表面消毒灭菌实验，依据常见细菌病毒、酵母的紫外线杀菌辐射剂量参考值，从而对中药粉消毒灭菌的实验效果进行评价。
结果表明：在常见的紫外光消毒灭菌模式中，可依据固有的UVC-LED光源的辐射强度，自由设定辐射距离、辐射时间，得到表面的光功率密度二维分布规律，从而调整紫外光的辐射剂量，进行有效的对中药粉粒体进行消毒灭菌。
该项研究成果已申请两个专利（申请号CN202220773231.6，CN202210343633.7）关键词：UVC紫外光、紫外光杀菌、非电离辐射、辐射强度、辐射距离、辐射时间、辐射剂量。
中图分类号：R187+4 文献标识码：Ａ中药粉粒体在生产制作过程中、包装流通过程中由于病毒污染无法控制，给人体健康带来很大的影响，如中毒、副作用等。
中药原生药粉灭菌是指用适当的物理或化学手段将中药原生药粉中活的病菌、微生物杀灭或除去的方法[1]。
中药制剂中微生物限度指标的控制是保证含原生药粉制剂质量的关键之一[1]。
中药粉粒体已知用于灭菌的各种方法，这些方法包含化学方法、物理方法和热方法。
化学方法在中药粉等粉粒体进行消毒灭菌比较少用。
其中使用的物理方法消毒灭菌，特别是电离射线辐射Co-60、X射线和γ射线消毒灭菌，使中药粉等粉粒体消毒灭菌的过程，中药活性成分遭到不同程度的破坏，导致药性成分受到影响[2]；其中使用的热方法消毒灭菌，使用由于热湿的问题而导致生产流程的布局与操作不方便，药品质量难以得到保证，况且中药粉等粉粒体消毒灭菌的方法对于有效成分是热敏性、易氧化性强的物质的中药材，在高温下极易氧化破坏。
UVC-LED紫外线消毒技术是基于现代防疫学、医学和光动力学的研究基础，利用专门设计的高效率、高强度和长寿命的UVC波段紫外光灯具来实现中药粉的消毒灭菌。
《2024年通信用深紫外Micro-LED性能提升研究》范文
《通信用深紫外Micro-LED性能提升研究》篇一一、引言随着科技的不断发展，深紫外Micro-LED作为一种新型的光电器件，在通信领域的应用越来越广泛。
其具有高亮度、高分辨率、低功耗等优点，为通信技术的发展提供了新的可能性。
然而，当前深紫外Micro-LED的性能仍存在一些挑战，如亮度、稳定性及寿命等问题。
因此，本文旨在研究如何提升通信用深紫外Micro-LED的性能，为相关领域的研究和应用提供参考。
二、深紫外Micro-LED的基本原理与现状深紫外Micro-LED是一种利用微纳加工技术制备的LED器件，其发光波长在紫外波段。
该器件具有高亮度和高分辨率的特点，能够满足通信系统对高速、大容量数据传输的需求。
然而，当前深紫外Micro-LED的性能仍受到一些因素的限制，如发光效率低、稳定性差等。
因此，针对这些问题进行深入研究具有重要意义。
三、性能提升方法针对深紫外Micro-LED的性能问题，本文提出以下几种性能提升方法：1. 材料优化：通过改进制备工艺和材料选择，提高Micro-LED的发光效率和稳定性。
例如，采用高质量的衬底材料和掺杂技术，提高器件的电子传输能力和发光效率。
2. 结构设计：通过优化Micro-LED的微纳结构，提高其光提取效率和发光均匀性。
例如，采用倒装结构或光子晶体结构，减少光在器件内部的光损失和散射。
3. 驱动电路优化：针对Micro-LED的驱动电路进行优化设计，降低功耗和提高响应速度。
例如，采用低电压驱动技术或高效率的驱动芯片，提高通信系统的能效比和数据传输速率。
四、实验设计与结果分析为了验证上述性能提升方法的可行性，我们进行了实验设计与结果分析。
具体如下：1. 材料优化实验：通过改变衬底材料和掺杂技术，我们成功提高了Micro-LED的发光效率和稳定性。
在同等条件下，优化后的器件比传统器件的亮度提高了20%，同时寿命也得到了显著延长。
2. 结构设计实验：我们采用倒装结构和光子晶体结构对Micro-LED进行优化。
国内外深紫外LED的发展状况对比
国内外深紫外LED的发展状况对比深紫外LED（Deep Ultraviolet LED，简称DUV LED）是指发射波长在200纳米（nm）到400纳米（nm）范围内的LED。
由于其在杀菌、光解等领域具有广泛的应用前景，DUV LED的发展备受关注。
下面将对国内外深紫外LED的发展状况进行对比。
首先从技术上看，国内外的深紫外LED研发都取得了显著进展。
在发光材料方面，国内外的研究机构都在不断探索新的材料，例如国内的哈尔滨工业大学、清华大学等机构在氮化镓材料方面的研究取得了重要突破；国外的麻省理工学院、日本东京大学等也在研究针对DUVLED的新材料。
在器件结构方面，国内外研究也各有特色，国内着重于提高发光效率和稳定性，国外则注重在设计封装结构、光提取效率方面的优化。
其次，从市场应用上看，国内外在DUVLED的开发与应用方面有一定差距。
国外先进制造业发达，尤其在医疗、生物光源、半导体材料研究等领域，DUVLED得到广泛应用。
例如在空气净化方面，国外的一些厂商已经将DUVLED应用到空气净化器中，大范围杀灭细菌和病毒。
而国内在DUVLED的应用上相对较少，主要集中在一些小范围的实验室研究和少数企业的产品开发上。
最后，从产业链发展上看，国内外在深紫外LED领域的产业链发展也存在差距。
国外的一些公司在DUVLED领域的投资较多，形成了较为完整的产业链条，包括研发、生产、销售等环节；而国内的厂商大多处于研发阶段，对于大规模生产和商业化应用还存在一定难度。
但是，随着国内对DUVLED技术的重视和投入不断增加，国内的产业链发展也将迎来新的机遇。
综上所述，国内外在深紫外LED的发展状况上存在一定的差距。
国内在材料研发、器件结构等方面取得了一定突破，但在应用和产业链发展上仍有待加强。
未来，希望国内外在深紫外LED的研发与应用领域加强合作，形成良性互动的局面，共同推进DUVLED的发展，促进产业的进一步繁荣。
高气密性的深紫外LED_半无机封装技术
第 44 卷第 10 期2023年 10 月Vol.44 No.10Oct., 2023发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE高气密性的深紫外LED半无机封装技术万垂铭1，2，曾照明2，肖国伟2，蓝义安2，谢子敬3，王洪1，3*（1. 华南理工大学电子与信息学院，广东广州 510640；2. 广东晶科电子股份有限公司，广东广州 511458；3. 中山市华南理工大学现代产业技术研究院，广东中山 528437）摘要：深紫外LED可通过物理方式破坏病毒和细菌的结构，从而获得高效消毒的效果。
相比于工艺成熟的蓝光LED，如何提高深紫外LED的封装可靠性和出光率仍是关键问题。
本文采用基底预热方式微固化封装胶，结合阵列点胶方式将石英玻璃固定在镀铜围坝，制备了半无机封装的深紫外LED。
该器件的输出波长为275 nm，半峰宽约为11 nm。
对比传统类透明材料封装的器件，石英封装的深紫外LED有更高的出光率。
在真空红墨水和氦气漏率实验中，采用本文提出的半无机封装技术的深紫外LED器件表现出高密封性。
此外，在加速老化测试中，该封装器件的光衰速率在20%以内。
实验结果表明，对比有机封装的深紫外LED器件，在基底预热条件下，采用阵列点胶固定石英玻璃是现阶段提高深紫外LED可靠性的一种封装方法。
关键词：深紫外LED；可靠性；出光率；基底预热；阵列点胶中图分类号：TN383.1 文献标识码：A DOI： 10.37188/CJL.20230156Semi-inorganic Packaging Technology ofDUV-LEDs with High-vapor TightnessWAN Chuiming1，2， ZENG Zhaoming2， XIAO Guowei2， LAN Yian2， XIE Zijing3， WANG Hong1，3*（1. School of Electronics and Information Engineering， South China University of Technology， Guangzhou 510640， China；2. APt Electronics Co. Ltd.， Guangzhou 511458， China；3. Zhongshan Institute of Modern Industrial Technology, South China University of Technology, Zhongshan 528437，China）* Corresponding Author， E-mail： pphwang@Abstract：Deep ultraviolet light-emitting diodes （DUV-LEDs） can physically destroy the structure of viruses and bacteria，thus achieving efficient pared with the mature blue LED process，how to improve the packaging reliability and light output efficiency of DUV-LEDs is still a key problem. In this paper， a semi-inorganic packaging DUV-LED was prepared by using substrate preheating method of micro-cured encapsulation adhesive and combining with array dispensation method to bond quartz glass in plated dam copper. The output wavelength of the device is 275 nm and its half-peak width is approximately 11 nm. Quartz-packaged DUV-LEDs have higher light out⁃put than traditional devices packaged with transparent materials. DUV-LED devices using the packaging technique presented herein exhibit high air hermeticity in vacuum red ink and helium environments. Moreover， in the accelerat⁃ed aging test， the light decay rate of this packaged device is less than 20%. Experimental results show that using ar⁃ray dispensing to bond quartz glass under substrate preheating is a packaging method to improve the reliability of DUV-LEDs compared with organic packaging.Key words：DUV-LEDs； reliability； light output efficiency； substrate preheating； array dispensing文章编号： 1000-7032（2023）10-1842-07收稿日期：2023⁃06⁃29；修订日期：2023⁃07⁃17基金项目：广州市科技计划项目（202103030002）；广州南沙区重点领域科技项目（2021ZD001）；广东省科技计划项目（2020B010171001）Guangzhou Municipal Science and Technology Plan Project（202103030002）； Nansha District Science and Technology Develop⁃ment Project of Guangzhou（2021ZD001）； Science and Technology Plan Project of Guangdong Province(2020B010171001)第 10 期万垂铭，等：高气密性的深紫外LED半无机封装技术1 引 言基于Ⅲ族氮化物材料的深紫外LED（200～280 nm）具有体积小、功耗低和绿色环保等优点，在光通信、生物检测、杀菌消毒等领域具有重要的应用价值[1-5]。
紫外LED高反电极、紫外LED及其制备方法[发明专利]
![紫外LED高反电极、紫外LED及其制备方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/95af6cdfee06eff9aff80754.png)
专利名称：紫外LED高反电极、紫外LED及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：郭炜,叶继春,李亮,陈荔,戴贻钧,崔梅
申请号：CN201910963547.4
申请日：20191011
公开号：CN111864027A
公开日：
20201030
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供紫外LED高反电极，包括依次层叠在p型半导体层表面的欧姆接触层、反射金属层、扩散阻挡层、倒装焊接层，其中欧姆接触层主要由金属氧化物形成，该金属氧化物禁带宽度大于3eV、功函数大于6eV且形成的薄膜方阻小于500Ω/□；本发明还提供包含上述紫外LED高反电极的紫外LED。
本发明采用金属氧化物取代传统高反电极Ni/Al中的Ni，避免了Ni层对于紫外光的强烈吸收，且该金属氧化物属于宽禁带半导体材料，与高紫外反射的反射金属层相结合，能够有效反射紫外光，提高紫外LED芯片的光子提取效率；而且金属氧化物与p型半导体层的功函数相匹配，能够形成较好的欧姆接触和获得较低的接触电阻。
申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
地址：315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
国籍：CN
代理机构：宁波甬致专利代理有限公司
代理人：周民乐
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一种紫外LED芯片激发白光发射单颗粒荧光粉的制备方法[发明专利]
![一种紫外LED芯片激发白光发射单颗粒荧光粉的制备方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/3c4b78f459eef8c75ebfb314.png)
专利名称：一种紫外LED芯片激发白光发射单颗粒荧光粉的制备方法
专利类型：发明专利
发明人：陈岩,兰月梅,何福明,卢锦潼,彭益富,王艺萍,谢栋樑,曾庆光,杨为家
申请号：CN201910896242.6
申请日：20190922
公开号：CN110591708A
公开日：
20191220
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及荧光粉技术领域，涉及一种紫外LED芯片激发白光发射单颗粒荧光粉的制备方法，包括以下步骤：S1、将去离子水、乙醇、十六烷基三甲基溴化铵加入到至烧瓶内并磁力搅拌；S2、向烧瓶内逐滴加入浓氨水；S3、再向烧瓶内加入正硅酸乙酯后持续搅拌冷却至室温后进行离心分离得到初产物；S4、对初产物清洗、烘干并研磨均匀后灼烧冷却得到前驱体多孔二氧化硅；S5、将前驱体多孔二氧化硅超声分散在去离子水中；S6、然后依次加入CaCl2、NHHPO以及Ce(NO)溶液，搅拌离心后，放入烘箱烘干得到次产物；将次产物灼烧、冷却及研磨均匀后得样品A。
本发明克服了现有荧光粉因制备能耗高分散性差而导致发光效率低的缺陷，达到高效制备荧光粉并提高荧光粉发光效率的目的。
申请人：五邑大学
地址：529020 广东省江门市蓬江区东成村22号
国籍：CN
代理机构：广州市红荔专利代理有限公司
代理人：李彦孚
更多信息请下载全文后查看。
LED专利分析
LED行业专利策略分析
3、相互授权将进一步增加 Nichia的技术垄断能力在不断降低，其对我国台湾、韩国等芯片生产商 提出诉讼的能力逐步减弱。另外，随着这些生产商逐步研发出独特的专利 技术，部分独有专利也会为Nichia等专利垄断企业带来较大产品品质提升， 这些企业与Nichia等企业之间相互授权的可能性逐步加强。 目前，Nichia面临的主要技术威胁主要来自我国台湾。如：台湾晶电公司的 ITO技术可在芯片制造工艺上做太大调整，而在量产成品率及成本控制上 具有相当大地优势。若将其应用在Nichia的芯片生产上，可马上提升其产 品30%~50%,在相关材料技术尚无法有效突破之际，对Nichia在提升产品 亮度上可望具相当之吸引力。所以这类技术即可以降低侵权诉讼纠纷，还 可以作为与Nichia交互授权的谈判筹码。 4、国内企业面临专利纠纷可能，但仍有机会突破 我国LED技术起步较晚，在led专利方面处于比较被动的局面，发展情况 不容乐观。随着企业规模的不断扩展，有可能受到国际大公司的关注而卷 入专纠纷中。
LED专利分析
LED专利壁垒形成分析
一、 LED专利壁垒形成 二、行业垄断寡头 三、中村修二（日亚化学）“诺贝尔奖级别”的发 明 四、白光LED官司与合作 五、契机：专利到期格局生变 六、LED行业专利策略分析 七、美国“337调查”两次“吸髓”我国LED企业 八、专专利荧光粉材料分析 九、专利交叉授权图 十、晶片厂专利状况分析
二、行业垄断巨头
全球LED产业格局为美国、亚洲、欧洲三足鼎立，世界主厂商分布在美国、日韩、 欧盟等地。他们拥有核心技术和专利，在GaN基蓝光LED、白光LED等技术 上处于领先地位。由此造成全球LED高端产品市场集中度高，目前全球LED 市场由行业前5大厂商掌控，即： 日本日亚化学（Nichia) 日本丰田合成（ToyodaGosei) 美国的cree公司 欧洲的飞利浦(Philips Lumileds) 欧洲的欧司朗(Osram) 这五家厂商为了维持竞争优势、保持自身市场份额申请了多项专利，几乎覆盖了 原材料、设备、封装、应用在内的整个产业链。LED厂商间通过专利授权和 交叉授权来进行研发和生产，不仅阻碍了新进入者的产生，某种程度上也增 加了企业的生产成本。
深紫外led的研究与应用
深紫外led的研究与应用深紫外（DUV）LED是一种波长在280-350nm之间的LED，它具有广泛的应用前景，如消毒、空气净化、固态照明等。
在过去的几年里，随着技术的不断发展，深紫外LED的性能不断提升，并且广泛被应用于各种场合，特别是在病毒和细菌的消毒方面，深紫外LED展现出了很强的优势。
发光机制深紫外LED的发光机制与其他LED的机制略有不同。
传统的GaN LED是由氮掺杂的GaN材料制成的，在通电时，电子与空穴在pn结处复合时，可以发出紫外光。
而深紫外LED与之不同，它们通常由AlGaN材料制成，p区和n区中都嵌入了稀土元素氧化物，从而形成了氧化物与AlGaN之间的强分离层。
在通电时，电子通过分离层与离子复合，形成欧姆电路，从而发出深紫外光。
性能特点深紫外LED的性能特点主要包括以下几个方面。
1、波长短：深紫外LED波长非常短，其波长通常在280-350nm之间。
2、发光强度高：深紫外LED的发光强度比传统的氮掺杂GaN LED高。
3、稳定性好：深紫外LED的稳定性非常好，通常会使用高品质的材料来制造。
4、长寿命：深紫外LED的寿命很长，通常可以使用10000小时以上。
应用领域随着深紫外LED的技术不断提升，其应用范围也越来越广泛。
其主要应用领域包括以下几个方面。
1、消毒：深紫外LED具有很强的消毒能力，可以有效去除细菌、病毒等有害物质。
2、空气净化：深紫外LED可以用于空气净化器中，可以有效去除空气中的有害物质。
4、光谱分析：深紫外LED可以用于光谱分析领域中，具有很好的测量性能。
总之，深紫外LED具有很多独特的性能特点和广泛的应用领域，可以为我们的生活带来更多的便利和安全性。
随着技术的不断发展，相信深紫外LED会有更广阔的未来。
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紫外LED专利技术分析
一、紫外LED概述
根据波长划分，紫外发光二极管被分成UV-A LED（320-410nm波长），UV-B LED （275-320nm）和UV-C LED（200-275nm）。
UV-A LED主要用在干燥和固化，UV-B用于生物传感，UV-C用于杀菌和净化。
由于其一系列广泛的应用，具有巨大的市场前景，近年来成为半导体照明行业关注的热点，国内外已有不少照明企业进入该领域，如鸿利光电在5月份刚刚公布了其利用深紫外(UVC)LED有效抑制静态水中细菌的滋生的解决方案。
二、紫外LED专利在华布局分析
笔者以”紫外发光二极管or 紫外LED or UV LED”为关键词在中文专利数据库中对涉及紫外LED的在华专利申请进行了检索，共检索到5342件发明和实用新型专利申请，检索日期截至2015年6月。
由于专利申请公开滞后的原因，2014年至2015年的专利申请量为不完全统计。
涉及紫外LED的申请主要包括两大类，一类申请涉及紫外LED芯片，包括芯片的制备及封装；一类涉及紫外LED的各种应用形式申请。
图1 紫外LED专利申请量趋势
经过检索发现，专利申请数量逐年增加，紫外LED在华专利申请发展趋势可大致分为3个阶段。
第一阶段为1996-2000年，此阶段专利申请量不多，每年专利申请量不超过10件，第二阶段为2000-2008年，开始增长，速度相对较慢，第三阶段2008年至今，以每年
围绕传统应用领域布局专利，高端领域研究较少
从专利申请的技术分布看，近年来，以对紫外LED芯片、封装技术的研发，逐渐转向各种应用形式及其制备方法的申请。
紫外LED的应用形式涉及到照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域。
目前国内的应用申请还主要在照明、杀菌、医疗领域及油墨印刷领域，而对于生化检测、高密度信息存储和保密通讯领域研究较少，鲜见申请。
技术集中在研究院，缺乏产业化应用
从专利申请人的类型和国别分布看，申请人以国内科研院所为主，涉及了芯片、封装和各种应用形式。
国外其台湾企业对芯片及封装、应用都涉及，而且近年来逐步注重应用形式的申请。
中国企业在紫外LED方面的专利申请起步较晚却增长迅速，主要涉及各种应用形式申请，而对紫外LED芯片及其封装的申请不多，主要有青岛德生电器，其他照明企业虽然也有相关申请，但主要是紫外LED在杀菌消毒方面的应用形式申请。
三、紫外LED发展建议
关于紫外LED的应用方面，国外企业走的比较领先，涉及领域较广泛，但是国内企业目前还主要是局限于传统的照明、医疗和杀菌领域。
国内的高校及科研院所对紫外LED应用研究较少，同时由于紫外LED封装寿命及效率提高问题，目前还没有最优的方案，依旧是国内外申请的一个热点，鉴于此，笔者认为，国内科研院所在继续开展对紫外LED芯片、封装等研究工作的同时，还应该进一步加强与企业的合作，开发紫外LED的应用，拓宽应用领域；同时将专利技术转化为生产力，提高研究成果产业化水平。
紫外LED的市场是广阔的，前景也是诱人的，但在开发技术，抢占市场前，国内各个企业也需要做好相应的知识产权工作，筑好根基。
LED专利产业联盟与中科院、北京大学展开深入合作，积极推动科研机构紫外LED技术的产业化转移，并可以协助企业展开相关的专利布局、专利预警等服务。
LED产业专利联盟贺珂
2015-06-01。