光电耦合器ctr测试电路

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光耦电路详解

光耦电路详解

光耦电路详解
光耦电路也称为光隔离器、光耦合器或光电耦合器,是一种将发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内的电子元件。

它的发光源通常为发光二极管,而受光器则可以是光敏二极管、光敏三极管等。

以下是关于光耦电路的一些详解:
1. 隔离作用:在电路中,尤其是低电压或高噪声敏感电路中,光耦电路用于隔离电路以防止电气碰撞机会或排除不需要的噪声。

它的内部结构使得发光源和受光器之间的空间被透明的非导电材料隔离,这样,两个独立的电路就可以通过光耦电路进行控制。

2. 工作原理:当给发光源(如LED)供电时,它会发出红外光,这束光照射到受光器(如光电晶体管)的基极上。

被激活的受光器会控制与其相连的输出电路。

这就是光耦电路如何将电信号转换为光信号,然后再转换回电信号的过程。

3. 信号放大:光电耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。

输入的电信号驱动发光源,使之发光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。

4. 良好的电绝缘能力和抗干扰能力:由于光耦电路的输入输出间互相隔离,因此它具有良好的电绝缘能力和抗干
扰能力。

此外,由于光耦电路的输入端属于电流型工作的低阻元件,它具有很强的共模抑制能力。

所以,它在长线传输资讯中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。

光电耦合器(光耦)的应用电路集

光电耦合器(光耦)的应用电路集

光电耦合器(光耦)的应用电路集光电耦合器具有体积小、使用寿命长、工作温度范围宽、抗干扰性能强.无触点且输入与输出在电气上完全隔离等特点,因而在各种电子设备上得到广泛的应用.光电耦合器可用于隔离电路、负载接口及各种家用电器等电路中.下面介绍最常见的应用电路.1.光耦组成的开关电路图1电路中,当输入信号ui为低电平时,晶体管V1处于截止状态,光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零,输出端Q11、Q12间的电阻很大,相当于开关“断开”;当ui为高电平时,v1导通,B1中发光二极管发光,Q11、Q12间的电阻变小,相当于开关“接通”.该电路因Ui为低电平时,开关不通,故为高电平导通状态.同理,图2电路中,因无信号(Ui为低电平)时,开关导通,故为低电平导通状态.2.光耦组成的逻辑电路图3电路为“与门”逻辑电路。

其逻辑表达式为P=A.B.图中两只光敏管串联,只有当输入逻辑电平A=1、B=1时,输出P=1.同理,还可以组成“或门”、“与非门”、“或非门”等逻辑电路.3.光耦组成隔离耦合电路电路如图4所示.这是一个典型的交流耦合放大电路.适当选取发光回路限流电阻Rl,使B4的电流传输比为一常数,即可保证该电路的线性放大作用。

4.光耦组成高压稳压电路电略如图5所示.驱动管需采用耐压较高的晶体管(图中驱动管为3DG27)。

当输出电压增大时,V55的偏压增加,B5中发光二极管的正向电流增大,使光敏管极间电压减小,调整管be结偏压降低而内阻增大,使输出电压降低,而保持输出电压的稳定.5.光耦组成的门厅照明灯自动控制电路电路如图6所示。

A是四组模拟电子开关(S1~S4):S1,S2,S3并联(可增加驱动功率及抗干扰能力)用于延时电路,当其接通电源后经R4,B6驱动双向可控硅VT,VT直接控制门厅照明灯H;S4与外接光敏电阻Rl等构成环境光线检测电路。

当门关闭时,安装在门框上的常闭型干簧管KD受到门上磁铁作用,其触点断开,S1,S2,S3处于数据开状态。

光电耦合器pc817中文资料.(DOC)

光电耦合器pc817中文资料.(DOC)

光电耦合器pc817中文资料时间:2009-05-17 09:44:29 来源:资料室作者:PC817光电耦合器广泛用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。

特点:电流传输比(CTR: MIN. 50% at IF=5mA ,VCE=5V)高隔离电压:5000V有效值紧凑型双列直插封装公认的UL认证,档案编号E64380Absolute Maximum Ratings PC817光耦绝对最大额定值* 1 脉冲宽度<=100ms,占空比:0.001* 2 40至60%相对湿度,交流1分钟* 3 10秒Electro-optical Characteristics光电特性Terminal capacitance 终端电容Ct V = 0, f = 1kHz - 30 250 pF 输出侧Collector dark current 集电极暗电流ICEO VCE = 20V - - 10-7 A Transfer charac-teristics 传输特点*4Current transfer ratio 电流传输比CTRIF = 5mA, V CE = 5V50 -600 %Collector-emitter saturation voltage 集电极发射极饱和电压 VCE(sat) IF = 20mA, I C = 1mA -0.1 0.2 VIsolation resistance 隔离电阻 R ISODC500V, 40 to 60% RH5x1010 1011 -ΩFloating capacitance 浮动电容CfV = 0, f = 1MHz - 0.6 1.0 pFCut-off frequency 截止频率 fcVCE = 5V, I C = 2mA, R L = 100 W, -3dB- 80 - kHzResponse time 响应时间Rise time 上升时间tr VCE = 2V, I C =2mA, R L = 100 W- 4 18 μs Fall time 下降时间tf-318 μs* 4分类表电流传输比如下所示 Model No. 型号 Rank mark 等级标志 电流传输比CTR ( % ) PC817A A 80 to 160 PC817B B 130 to 260 PC817C C 200 to 400 PC817D D 300 to 600 PC8 * 7AB A 或 B 80 to 260 PC8 * 7BC B 或C 130 to 400 PC8 * 7CD C 或 D 200 to 600 PC8 * 7AC A, B 或 C 80 to 400 PC8 * 7BD B, C 或 D 130 to 600 PC8 * 7AD A, B, C 或 D80 to 600PC8 * 7A, B, C, D 或 无标记 50 to 600*:1或2或3或4图1测试电路的频率响应图2测试电路的响应时间特性曲线图正向电流比(常温) 集电极功耗比(常温)峰值正向电流与占空比电流传输比比正向电流正向电流与正向电压集电极电流比集电极发射极电压相对比率与电流传输比常温集电极发射极饱和电压与常温集电极暗电流比常温响应时间与负载电阻频率响应集电极发射极饱和电压与正向电流应用电路:图4 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图图5 与TL431配合的电源反馈电路封装尺寸及引脚功能图:译自sharp公司(注:素材和资料部分来自网络,供参考。

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦常用参数正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流.反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。

结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降.输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流.电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr.从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf.传输延迟时间tPHL、tPLH:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1。

5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。

从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1。

5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO:光耦合器件输入端和输出端之间的电容值.入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

-—----—---——-———————--—--—-—--———---————-——-————-—---—--—-—--———-———--—-———--—-——----——-常用的器件。

光耦常见电路

光耦常见电路

光耦常见电路
光耦合器(光耦)是一种常用的电子元件,用于电气信号和光信号之间的隔离和传递。

它由光发射器和光接收器组成,通过光信号的发射和接收,实现输入和输出电路之间的电气隔离。

以下是几种常见的光耦合器电路:
1.光电晶体管(Phototransistor)电路:该电路将光发射器
与晶体管连接,以实现电气信号的隔离和传递。

光发射器
发出的光可以激活光电晶体管,使其产生电流,从而实现
输入和输出电路之间的隔离。

2.光敏二极管(Photodiode)电路:光敏二极管是一种用于
检测光信号的光电探测器。

它可以将接收到的光信号转换
为电流或电压输出。

在电路中,光敏二极管通常与放大器
或其他电路元件结合使用,以实现隔离和信号放大的功能。

3.光耦合继电器电路:光耦合继电器是一种将光耦合器和继
电器相结合的装置。

它具有继电器的开关功能和光耦合器
的电气隔离功能。

通过控制光耦合器的光发射器,能够控
制继电器的开关状态,实现电气信号的隔离和传递。

4.光耦合隔离放大器电路:该电路将光耦合器与放大器相结
合,实现电气信号的隔离和放大。

通过光发射器将输入信
号转换为光信号,然后通过光接收器将光信号转换回电信
号,并经过放大器放大,实现输入和输出电路之间的电气
隔离和信号放大。

此外,还有其他类型的光耦合器电路,例如光耦合比较器、光耦合开关等,根据具体的应用需求选择适合的光耦合器电路。

光耦合器在工业控制、通信设备、医疗设备等领域具有广泛的应用。

光电耦合器的应用电路

光电耦合器的应用电路

光电耦合器的应用电路单片机mp430应用2光电耦合器具有体积小、使用寿命长、工作温度范围宽、抗干扰性能强.无触点且输入与输出在电气上完全隔离等特点,因而在各种电子设备上得到广泛的应用.光电耦合器可用于隔离电路、负载接口及各种家用电器等电路中.下面介绍最常见的应用电路.1.组成开关电路图1电路中,当输入信号ui为低电平时,晶体管V1处于截止状态,光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零,输出端Q11、Q12间的电阻很大,相当于开关“断开”;当ui为高电平时,v1导通,B1中发光二极管发光,Q11、Q12间的电阻变小,相当于开关“接通”.该电路因Ui为低电平时,开关不通,故为高电平导通状态.同理,图2电路中,因无信号(Ui为低电平)时,开关导通,故为低电平导通状态.2.组成逻辑电路单片机mp430应用2图3电路为“与门”逻辑电路。

其逻辑表达式为P=A.B.图中两只光敏管串联,只有当输入逻辑电平A=1、B=1时,输出P=1.同理,还可以组成“或门”、“与非门”、“或非门”等逻辑电路.3.组成隔离耦合电路电路如图4所示.这是一个典型的交流耦合放大电路.适当选取发光回路限流电阻Rl,使B4的电流传输比为一常数,即可保证该电路的线性放大作用。

4.组成高压稳压电路单片机mp430应用2电略如图5所示.驱动管需采用耐压较高的晶体管(图中驱动管为3DG27)。

当输出电压增大时,V55的偏压增加,B5中发光二极管的正向电流增大,使光敏管极间电压减小,调整管be结偏压降低而内阻增大,使输出电压降低,而保持输出电压的稳定.5.组成门厅照明灯自动控制电路单片机mp430应用2电路如图6所示。

A是四组模拟电子开关(S1~S4):S1,S2,S3并联(可增加驱动功率及抗干扰能力)用于延时电路,当其接通电源后经R4,B6驱动双向可控硅VT,VT直接控制门厅照明灯H;S4与外接光敏电阻Rl等构成环境光线检测电路。

当门关闭时,安装在门框上的常闭型干簧管KD受到门上磁铁作用,其触点断开,S1,S2,S3处于数据开状态。

光耦合器测试方法

光耦合器测试方法

治肝病 ( 7 ) 防治血管疾病 ( 8 ) 防治血管 栓塞 ( 9 ) 防 治心与脑血管疾病 ( 10 )
抗肿瘤 ( 11 ) 抗化学毒物 等。天然来 源的生物黄酮分子量小,能被人体迅 速吸收,能通过血
脑屏障,能 时入脂肪组织,进而体现出 如下功能:消除疲劳、保护血管、防动脉硬化、扩张毛细血
管、疏通 微循环、活化大脑及 其他脏器细胞的功 能、抗脂肪氧化、抗 衰老。
LDL)受体数 量和活性 增加、 使血清胆 固醇清除 增加、水 平降低。 他汀类药 物还可抑 制肝脏 合成载
脂蛋白 B-100,从而减少富含甘油三酯 AV、脂蛋白的合成和分泌。
他汀类药物分 为天然化合
物(如洛伐 他丁、辛伐他汀、普伐他汀、美伐他汀)和完全人工合成化 合物(如氟伐他汀、阿托伐他汀 、
西立伐他汀、罗伐他汀、pitavastatin)是最为经典和有效 的降脂药物,广泛应用于高脂血症的治疗 。
电流,计算是否在规定范围。 2)最大正向二级管电压测试:
用电流源测试,电流设为 IF (一般为 20mA),正极接在 PIN1,负极接在 PIN2,测试输出电压 VF:范围(不能大于 1.4V) 3)输入端反向漏电流测试
用电压源在输入端(PIN1&2)加反向电压(按该器件的标准条件),测电流,电流小于最大反向漏 电流 IR:Reverse Leakage Current(10uA) 4)输出端击穿电压测试:
高速光耦合器
逻辑输出光电耦合器
光耦合器
MOSFET 输出光电耦合器 光隔离放大器
光电二极管输出光电耦合器
晶体管输出光电耦合器
三极与 SCR 输出光电耦合器
表一:光电耦合器的分类
输 最 大 最大集 绝 入 集 电 电极/发 缘 类 极 / 发 射极饱 电 型 射 极 和电压 压

详解光耦的重要参数—CTR值

详解光耦的重要参数—CTR值

详解光耦的重要参数——CTR值CTR电流传输比(currenttransferratio):描述光耦控制特性的参数,即副边的输出电流(IO)与原边输入电流(IF)的百分比,传输比CTR=IO÷IF×100%。

CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。

隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。

光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。

线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。

因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。

这是其重要特性。

电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。

当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。

采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而pc817则为80%~160%,台湾亿光(如EL817)可达50%~600%。

这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。

因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。

使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。

光电耦合器组成的开关电路及光电耦合器检测电路

光电耦合器组成的开关电路及光电耦合器检测电路

光电耦合器组成的开关电路及光电耦合器检测电路光电耦合器组成的开关电路光电耦合器检测电路光电耦合器 , 检测法XC2C64A-7VQ44I其电路符号如图1. 5.1所示。

光电耦合器是把发光二极管和光电三极管封装在一个管壳内构成的前面已介绍过,发光二极管是一种能将电能直接转换成光能的特殊二极管,加正向电压可发光;与发光二极管相反,光电管是一种能把光能转换成电能的半导体器件。

它包括光电二极管和光电三极管两大类。

光电二极管是由PN结和有聚光作用的透镜组成。

通常情况下,给PN结加反向偏置电压时,产生的反向饱和电流是很小的,但如果有光照射时,半导体电阻率会显著减小(光敏性),将激发产生光生载流子(电子空穴对),在反向电压作用下,光生载流子漂移通过PN结,使PN结由反向截止转换为反向导通。

光电三极管是具有两个PN结的光电器件。

它的工作原理与光咆二极管类似,只是它还利用了三极管的放大作用,因此灵敏度更高。

光电耦合器以发光二极管为输入端,光电三极管为输出端。

当输入端有电信号输入时(发光二极管加正向电压),发光二极管发光,光电三极管因受光照产生光电流,输出端就有电信号输出。

因此,光电耦合器是以光为媒介传输电信号的。

其特点是输入和输出之间实现了电绝缘。

使用光电耦合器时应注意以下几个参数:①隔离电阻:即发光二极管与光电三极管之间的绝缘电阻,一般在10~10Q之间。

②极间耐压:即发光二极管与光电三极管之间的耐压,一般在500V以上。

③最高工作频率:一般不超过lOOkHz。

光电耦合器主要用来实现微型计算机接口与各类控制对象之间的电气隔离,以增强抗干扰能力,提高系统工作的可靠性。

图1·5.2电路是用于耦合脉冲信号的应用电路。

当输入信号u,为低电平时,三极管VT截止,光电耦合器输入端的发光二极管无电流通过不发光,输出端光电三极管截止,输出电压口。

为低电平;当输入信号Vi为高电平时,三极管VT饱和导通,发光二极管发光,光电三极管产生光电流,输出电压u。

PC817光耦

PC817光耦
Terminal capacitance 终端电容
Ct
V = 0, f = 1kHz
-
30
250
pF
输出侧
Collector dark current 集电极暗电流
ICEO
VCE = 20V
-
-
10-7
A
Transfer charac-teristics 传输特点
*4Current transfer ratio 电流传输比
PC8 * 7AD
A, B, C 或 D
80 to 600
PC8 * 7
A, B, C, D 或 无标记
50 to 600
*:1或2或3或4
图1测试电路的频率响应 图2测试电路的响应时间
特性曲线图
正向电流比(常温) 集电极功耗比(常温)
峰值正向电流与占空比 电流传输比比正向电流
正向电流与正向电压 集电极电流比集电极发射极电压
Symbol 符号
Conditions 测试条件
数值
最小
典型
最大
典型
输入侧
Forward voltage正向电压
V F
IF = 20mA
-
1.2
1.4
V
Peak forward voltage
V FM
IFM = 0.5A
-
-
3.0
V
Reverse current 反向电流
IR
VR =4V
-
-
10
μA
CTR
IF = 5mA, V CE = 5V
50
-
600
%
Collector-emitter saturation voltage 集电极发射极饱和电压

工程师必备 光耦的转换效率CTR

工程师必备 光耦的转换效率CTR

工程师必备光耦的转换效率CTR什么是转换效率CTR?CTR电流传输比(currenttransferratio):描述光耦控制特性的参数,即副边的输出电流(IO)与原边输入电流(IF)的百分比,传输比CTR=IO÷IF×100%。

下图显示一个使用晶体管耦合器的普通线路。

如果LED电流IF运行至输入端,集电器电流IC将运行至输出端。

该电流传输比称为转换效率(CTR:电流传输比)通过(IC/IF)× 100(%)表示。

与晶体管的hFE一样,转换效率是晶体管耦合器一个重要的参数。

1、CTR:电流传输比,是指发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值2、Isolation Voltage:隔离电压,是指发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值3、Collector-Emitter Voltage:集电极-发射极电压,是指集电极-发射极之间的耐压值的最小值驱动电流一般在2~20mA对普通光耦来说,一般不提输入电阻。

因为光耦的输入端实际上就是一个发光二极管,当给此二极管加上正向3V~24V的直流电压后(当然千万不能忘了串入一只合适的限流电阻),输出端的导通电阻就会从无穷大变到只有几十欧姆。

可以这么说,输入端的驱动电流决定输出端的导通电阻。

但一般当驱动电流大于5mA后输出端的导通电阻基本上已经达到饱和,所以一般都是根据不同的驱动电压通过调整限流电阻的阻值将驱动电流控制在5mA左右。

普通光耦输出端的带负载能力一般在100mA左右。

1、要是发光管没有电流,那么光敏三极管处于截至状态;2、要是发光管有电流,那么根据电流传输比计算,三极管会流过一个电流;3、假设Ic=1mA;那么如果Vc/Rc=1mA,那么三极管基本上进入饱和导通状态;如果Vc/Rc=0.5mA,那么三极管肯定进入了饱和导通状态;如果Vc/Rc=2mA,那么三极管进入了放大状态;当然这是一个大体上的计算方法;还要考虑到Vce的值;但是因为同样的一种型号一个批次的光耦,它们的电流传输比离散性很大,所以大体上推算一下即可;实际上的光耦的上拉电阻的选值,要根据Ib、电流传输比、Vcc来大体上推算一下,然后根据工程情况而定;如果是传递开关量信号,那么,进入深度饱和就可以了;如果是要传送频率的信号,那么,要仔细的选择Ib和Rc,找到一个最合适的参数;光耦的电流传输比CTR,是指光耦输出电流与输入电流之比,也可以叫作光耦的放大倍数、或增益、或传输斜率。

光电耦器CRT的简易测试及应用

光电耦器CRT的简易测试及应用

光电耦器CRT的简易测试及应用光电耦器CRT的简易测试及应用光电耦合器具有体积小、使用寿命长、工作温度范围宽、抗干扰性能强.无触点且输入与输出在电气上完全隔离等特点,因而在各种电子设备上得到广泛的应用.光电耦合器可用于隔离电路、负载接口及各种家用电器等电路中.下面介绍最常见的应用电路.1.组成开关电路图1电路中,当输入信号ui为低电平时,晶体管V1处于截止状态,光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零,输出端Q11、Q12间的电阻很大,相当于开关“断开”;当ui为高电平时,v1导通,B1中发光二极管发光,Q11、Q12间的电阻变小,相当于开关“接通”.该电路因Ui为低电平时,开关不通,故为高电平导通状态.同理,图2电路中,因无信号(Ui为低电平)时,开关导通,故为低电平导通状态.2.组成逻辑电路图3电路为“与门”逻辑电路。

其逻辑表达式为P=A.B.图中两只光敏管串联,只有当输入逻辑电平A=1、B=1时,输出P=1.同理,还可以组成“或门”、“与非门”、“或非门”等逻辑电路.3.组成隔离耦合电路电路如图4所示.这是一个典型的交流耦合放大电路.适当选取发光回路限流电阻Rl,使B4的电流传输比为一常数,即可保证该电路的线性放大作用。

4.组成高压稳压电路电略如图5所示.驱动管需采用耐压较高的晶体管(图中驱动管为3DG27)。

当输出电压增大时,V55的偏压增加,B5中发光二极管的正向电流增大,使光敏管极间电压减小,调整管be结偏压降低而内阻增大,使输出电压降低,而保持输出电压的稳定.5.组成门厅照明灯自动控制电路电路如图6所示。

A是四组模拟电子开关(S1~S4):S1,S2,S3并联(可增加驱动功率及抗干扰能力)用于延时电路,当其接通电源后经R4,B6驱动双向可控硅VT,VT直接控制门厅照明灯H;S4与外接光敏电阻Rl等构成环境光线检测电路。

当门关闭时,安装在门框上的常闭型干簧管KD受到门上磁铁作用,其触点断开,S1,S2,S3处于数据开状态。

光电耦合器的测试

光电耦合器的测试

光电耦合器的测试一:教学目的:掌握光电耦合器的测试方法。

二:教学重点:1、光电耦合器好坏的判加别。

2、光电耦合器性能的判别。

三:教学难点:光电耦合器性能的判别。

四:教学方法:讲授、现场。

五:教学过程:(一)导入1、据光耦内部电路图分析,它内部是由哪能两个元件构成的。

2、光电耦合器是一种电——光——电转换器件。

它是怎样实现转换的?(二)光耦内部的组成:光耦是一种电——光——电转换器件,它由发光源和受光器两部份组成,把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内、发光源的引脚为输入端、受光器的引脚为输出端、在输入端加上电信号,发光源发光,受光器在光照产生电流,电输出端引出。

(三)性能检测:1、静态检测:由于光耦中的发光管与光敏管是互相独立的,可用不同表单儿检测这两部份、测量分三步进行。

○1用万用表R×100或R×1K挡测量发光管的正反向阻值,正常正向阻值为几百欧、反向阻值为无穷大,测正反向阻值相近、表测发光二极管已坏。

注意,不能使用R×10K挡因为发光二极管工作电压为1.5V-2.3V,会导致发光二极管击穿。

○2检测穿透电流Iceo:应用R×10K挡、黑毛接集电极,红笔接发射极,表针应微动,对调两表笔再测,表针应不动,即测量其阻值均为无穷大。

否则光敏三极管已坏。

○3用万用表R×10K挡检测发光管与光敏管之间的绝缘电阻应为无穷大。

上述发光管与光敏管只要有一个损坏或它们之间绝缘不良,则光耦就不能正常工作。

2、检测:用两只万用表测动态特性:两只表均置二R×1挡,一只表测输入端正向电阻,加一只表测输出端正向电阻Rce,Rce的阻值为+n欧。

如测量的阻值符合上述数值,表明光耦是好的,如阻值偏差太大,说明该器件已损坏或性能欠佳,不能使用。

六、板书设计:一、(1)R×100测发光管的正反向电阻。

(2)检测穿透电流Iceo,用R×10K挡黑笔接c笔接e,表针微动,对调列针应为无穷大。

光电耦合器的检测方法

光电耦合器的检测方法

光电耦合器的检测方法光电耦合器——又称光耦合器或光耦,它属于较新型的电子产品,现在它广泛应用于计算机、音视频……各种控制电路中。

由于光耦内部的发光二极管和光敏三极管只是把电路前后级的电压或电流变化,转化为光的变化,二者之间没有电气连接,因此能有效隔断电路间的电位联系,实现电路之间的可靠隔离。

一、光电耦合器的检测判断光耦的好坏,可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。

更可靠的检测方法是以下三种。

1.比较法拆下怀疑有问题的光耦,用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值,用其与好的光耦对应脚的测量值进行比较,若阻值相差较大,则说明光耦已损坏。

2.数字万用表检测法下面以PC111光耦检测为例来说明数字万用表检测的方法,检测电路如图1所示。

检测时将光耦内接二极管的+端{1}脚和-端{2}脚分别插入数字万用表的Hfe的c、e插孔内,此时数字万用表应置于NPN挡;然后将光耦内接光电三极管c极{5}脚接指针式万用表的黑表笔,e极{4}脚接红表笔,并将指针式万用表拨在R×1k挡。

这样就能通过指针式万用表指针的偏转角度——实际上是光电流的变化,来判断光耦的情况。

指针向右偏转角度越大,说明光耦的光电转换效率越高,即传输比越高,反之越低;若表针不动,则说明光耦已损坏。

3.光电效应判断法仍以PC111光耦合器的检测为例,检测电路如图2所示。

将万用表置于R×1k电阻挡,两表笔分别接在光耦的输出端{4}、{5}脚;然后用一节1.5V的电池与一只50~100Ω的电阻串接后,电池的正极端接PC111的{1}脚,负极端碰接{2}脚,或者正极端碰接{1}脚,负极端接{2}脚,这时观察接在输出端万用表的指针偏转情况。

如果指针摆动,说明光耦是好的,如果不摆动,则说明光耦已损坏。

万用表指针摆动偏转角度越大,表明光电转换灵敏度越高。

光电耦合器工作原理光电耦合器件简介光电偶合器件(简称光耦)是把发光器件(如发光二极体)和光敏器件(如光敏三极管)组装在一起,通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。

光电耦合器的检测方法

光电耦合器的检测方法

光电耦合器的检测方法光电耦合器 2008-09-09 22:08 阅读601 评论0字号:大中小光电耦合器——又称光耦合器或光耦,它属于较新型的电子产品,现在它广泛应用于计算机、音视频……各种控制电路中。

由于光耦内部的发光二极管和光敏三极管只是把电路前后级的电压或电流变化,转化为光的变化,二者之间没有电气连接,因此能有效隔断电路间的电位联系,实现电路之间的可靠隔离。

一、光电耦合器的检测判断光耦的好坏,可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。

更可靠的检测方法是以下三种。

1.比较法拆下怀疑有问题的光耦,用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值,用其与好的光耦对应脚的测量值进行比较,若阻值相差较大,则说明光耦已损坏。

2.数字万用表检测法下面以PC111光耦检测为例来说明数字万用表检测的方法,检测电路如图1所示。

检测时将光耦内接二极管的+端{1}脚和-端{2}脚分别插入数字万用表的Hfe的c、e插孔内,此时数字万用表应置于NPN挡;然后将光耦内接光电三极管c极{5}脚接指针式万用表的黑表笔,e极{4}脚接红表笔,并将指针式万用表拨在R×1k挡。

这样就能通过指针式万用表指针的偏转角度——实际上是光电流的变化,来判断光耦的情况。

指针向右偏转角度越大,说明光耦的光电转换效率越高,即传输比越高,反之越低;若表针不动,则说明光耦已损坏。

3.光电效应判断法仍以PC111光耦合器的检测为例,检测电路如图2所示。

将万用表置于R×1k电阻挡,两表笔分别接在光耦的输出端{4}、{5}脚;然后用一节1.5V的电池与一只50~100Ω的电阻串接后,电池的正极端接PC111的{1}脚,负极端碰接{2}脚,或者正极端碰接{1}脚,负极端接{2}脚,这时观察接在输出端万用表的指针偏转情况。

如果指针摆动,说明光耦是好的,如果不摆动,则说明光耦已损坏。

万用表指针摆动偏转角度越大,表明光电转换灵敏度越高。

光耦电流转换比

光耦电流转换比

光耦电流转换比光耦电流转换比是指输入端电流与输出端电流之间的比值,是评估光耦合器性能的一个重要指标。

光耦合器是一种能够实现电-光-电转换的器件,它由光电二极管和光敏三极管组成。

光耦合器的输入端和输出端通过光线耦合而相互连接,实现电信号的隔离传输。

在实际应用中,光耦合器经常被用于隔离控制电路、信号传输和电力控制等领域。

光耦电流转换比是指输入端电流与输出端电流之间的比值,通常用CTR(Current Transfer Ratio)来表示。

CTR是一个无量纲的指标,它可以通过以下公式计算得到:CTR = (输出端电流 / 输入端电流) × 100%光耦电流转换比的数值通常在0.1%到200%之间,不同的光耦合器具有不同的转换比。

CTR越高,表示输入端电流能够更有效地转换成输出端电流,光耦合器的性能越好。

光耦合器的转换比受到多种因素的影响,其中包括光二极管的发光效率、光敏三极管的接收灵敏度以及输入端电流的大小等。

在设计和选择光耦合器时,需要根据实际需求来确定所需的转换比。

如果要求输入端电流和输出端电流之间的转换比较高,可以选择具有较高发光效率和接收灵敏度的光耦合器。

在实际应用中,光耦电流转换比的准确性和稳定性对于保证系统的正常运行至关重要。

如果光耦合器的转换比不稳定或者与设计要求不符,会导致系统传输信号的失真或丢失。

因此,在使用光耦合器时,需要选择质量可靠、性能稳定的产品,并在使用过程中进行必要的测试和调试,以确保其转换比满足设计要求。

光耦合器的转换比还可以通过调整输入端电流的大小来实现。

一般来说,输入端电流越大,输出端电流也会相应增大,从而提高转换比。

但是,需要注意的是,输入端电流不能超过光耦合器的额定值,否则会损坏光耦合器或导致输出端电流不稳定。

因此,在调整输入端电流时,需要根据光耦合器的额定值来确定合适的范围。

光耦电流转换比是评估光耦合器性能的一个重要指标,它反映了输入端电流与输出端电流之间的转换效率。

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当电源接通后,LED 不发光。

按下S2,LED 会发光。

调RP ,LED 的发光强度会发生变化,说明光电耦合器是好的。

印刷电路板图如下图,电池采用3V 纽扣电池,电池安装在印刷板的铜箔面,用铜片扣住并焊稳即可。

光电耦合器测试电路光电耦合器运用广泛,笔者依据光电耦合器特性,设计一个方便的测试光电耦合器电路,该电路简单、准确,使用方便。

本印刷板适合用于TLP621、TLP521、TLP321、TLP124、TLP121、PC817、PC713、PC617、ON3111、ON3131以及TLP332、TLP532、TLP632、TLP634、TLP732、CNX82A 、FX0012CE ,在使用4个脚的光电耦合器器时把S3的1、2脚短路;在使用6个脚的光电耦合器时请把S3的2、3脚短路。

小4 脚,光电耦合器 (4 Pin Optocouplers)----GaAs 输入,光电晶体管输出CTR @ 10 mA IF(%) 型号(规格)厂牌min maxBVCEO(V)minBVCBO(V)maxVCE (sat) (V)maxtON/tOFF(uS)maxVISOAC[RMS]TLP521-1 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP521-2 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP521-3 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP521-4 TOSHIBA 100 600 55 7 0.4 2/3 2.5kV TLP621-1 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 2/3 10kV TLP721 TOSHIBA 50 600 55 7 0.4 3/3 4.0kV PS2501 NEC 80 600 80 7 0.3 3/5 5.0kV PS2561 NEC 80 400 80 7 0.3 3/5 5.0kV 817(KP1010) COSMO 50 60035 6 0.2 18/18 5.0kVKPC817D COSMO 50 600 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817 SHARP 50 600 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817A SHARP 80 160 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817B SHARP 130 260 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817C SHARP 200 400 35 6 0.2 18/18 5.0kV PC817D SHARP 300 600 35 6 0.2 18/18 5.0kV H11A817 FSC 50 600 35 6 0.2 18/18 5.3 kV H11A817A FSC 80 160 35 6 0.2 18/18 5.3 kV H11A817B FSC 130 260 35 6 0.2 18/18 5.3 kV H11A817C FSC 200 400 35 6 0.2 18/18 5.3 kV H11A817D FSC 300 600 35 6 0.2 18/18 5.3kV4 脚,光电耦合器 (4 Pin Optocouplers)----GaAs 输入,光电晶体管输出CTR @10mA IF(%)PartNumber厂牌min maxBVCEO(V)minBVCBO(V)minVCE (sat) (V)maxtON/tOFF(uS)maxVISOAC[RMS]TLP320 TOSHIBA 20 8055 7 0.4 3/3 5.0KV TLP620 TOSHIBA 50 60055 7 0.4 3/3 5.0kV PC814 SHARP 20 30035 6 0.2 4/18 5.0kV PC814A SHARP 50 15035 6 0.2 4/18 5.0kV H11AA814 Fairchild 20 30035 6 0.2 -- 5.3 kV H11AA814A FAIRCHILD 50 15035 6 0.2 -- 5.3 kV LTV814A LITEON 50 15035 6 0.1 -- 5.0kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 输入,光电晶体管输出CTR @>10mA IF(%) Part Numbermin maxBVCEO(V)minBVCBO(V)minVCE(sat) (V)maxtON/tOFF(uS)maxVISO AC[RMS] 1min 4N25 20 -- 30 70 0.5 -- 5.3 kV 4N26 20 -- 30 70 0.5 -- 5.3 kV 4N27 10 -- 30 70 0.5 -- 5.3 kV 4N28 10 -- 30 70 0.5 -- 5.3 kV4N35 100-- 30 70 0.3 10/10 5.3 kV 4N36 100-- 30 70 0.3 10/10 5.3 kV 4N37 100-- 30 70 0.3 10/10 5.3 kV CNW11AV-1 10030070 70 0.4 15/15 4.0 kV CNW11AV-2 50 -- 70 70 0.4 15/15 4.0 kV CNW11AV-3 20 --7070 0.4 15/15 4.0 kV CNW83 40 -- 50700.4-- 5.9 kV CNW85 63 320 80 120 0.4 --5.9 kV CNX35U 40 160 30 70 0.4 20/20 5.3 kV CNX36U 80 200 30 70 0.4 20/20 5.3 kV CNX38U 70 210 80 120 0.4 20/20 5.3 kV CNX83A.W 40 --5070 0.4--5.3 kV CNY17-1 40 80 70 70 0.4 10/10 5.3 kV CNY17-2 63 125 70 70 0.4 10/10 5.3 kV CNY17-3 100200 70700.410/105.3 kVCNY17-4 160320 70 70 0.4 10/10 5.3 kV H11A1 50 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11A2 20 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11A3 20 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11A4 10 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11A5 30 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV MCT2 20 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV MCT210 150-- 3030 0.4 -- 5.3 kV MCT2200 20 -- 30 70 0.4 10/10 5.3 kV MCT2201 100--3070 0.4 10/10 5.3 kV MCT2202 63 -- 30 70 0.4 10/10 5.3 kV MCT271 45 90 30 70 0.4 7/7 5.3 kV MCT2E 20 -- 30 70 0.4--5.3 kVSL5500 50 300 30 30 0.4 20/50 5.3 kV SL5501 25 400 30300.4 20/50 5.3 kVSL5504 25 400 80 120 0.4 50/150 5.3 kV SL5511 25 -- 30 30 0.4 20/50 5.3 kV SL5583.W 40 320 50 70 0.4 20/50 5.3 kV TIL111 12.5-- 30700.4 10/105.3kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---ALGAAs 输入,光电晶体管输出CTR @<10mA IF(%)Part Numbermin maxBVCEO(V)minBVECO(V)min tON/tOFF(us)max VISO AC[RMS] 1 min CNW82 40 -- 50 7 -- 5.9 kV CNW84 63 320 80 7 -- 5.9 kV CNX82A.W 40 250 50 7 -- 3.75 kV CNY17F-1 40 80 70 7 10/10 5.3 kV CNY17F-2 63 125 70 7 10/10 5.3 kV CNY17F-3 100 200 70 7 10/10 5.3 kV CNY17F-4 160 320 70 7 10/10 5.3 kV MOC8101 50 80 30 7 20/20 5.3 kV MOC8102 73 117 30 7 20/20 5.3 kV MOC8103 108 173 30720/205.3 kVMOC8104 160 256 30 7 20/20 5.3kV MOC8105 65 133 30 7 20/20 5.3kV MOC8106 50 150 70 -- -- 5.3kV MOC8107 100 300 70 -- -- 5.3kV MOC8108 250 600 70 -- -- 5.3kV MOC8111 20 -- 30 7 20/20 5.3kV MOC8112 50 -- 30 7 20/20 5.3kV MOC8113 100 -- 30 7 20/20 5.3kV SL5582.W 40 320 50 7 20/50 3.75kV 6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 输入,高电压光电晶体管输出CTR @<10 mAI F(%) PartNumber min max BV CEO(V)minBV CBO(V)minV CE(sat)(V)maxt ON/t OFF(us)maxV ISOAC[RMS]1 min4N3820--8080 1.0-- 5.3 kVH11D120--3003000.4-- 5.3 kVH11D220--3003000.4-- 5.3 kVH11D320--2002000.4-- 5.3 kVH11D410--2002000.4-- 5.3 kV MOC820420--4004000.4-- 5.3 kV MOC820510--4004000.4-- 5.3 kV MOC82065--4004000.4-- 5.3 kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 输入,光电复合>晶体管输出(达林顿管输出)CTR @<10 mA I F(%) Part Numbermin max BV CEO(V)minBV CBO(V)maxV CE(sat)(V)maxt ON/t OFF(us)maxV ISOAC[RMS]1 min4N29100--3030 1.05/40 5.3 kV 4N30100--3030 1.05/40 5.3 kV 4N3150--3030 1.25/40 5.3 kV 4N32500--3030 1.05/100 5.3 kV 4N33500--3030 1.05/100 5.3 kV CNX48U600--3030 1.0-- 5.3 kV H11B1500--2530 1.0-- 5.3 kV H11B2200--2530 1.0-- 5.3 kVH11B255 100 -- 55 55 1.0 -- 5.3 kV H11B3 100 -- 25 30 1.0 -- 5.3 kV MOC8080-M500--55551.0--7.5 kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 交流输入(双向输入),光电晶体管输出 CTR @ 10 mA I F (%) Part Number min max BV CEO (V) min BV CBO (V) min V CE (sat)(V) max t ON /t OFF (us) max V ISO AC[RMS] H11AA1 20 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11AA2 10 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11AA3 50 -- 30 70 0.4 -- 5.3 kV H11AA4100--30700.4--5.3 kV6 脚,光电耦合器 (6 Pin Optocouplers)---GaAs 输入,光电可控硅输出 Part Number I FT (mA)max V TM (V) max V DM (V) max I DM (uA) max I H (mA) max t ON /t OFF (us) max V ISO AC[RMS] 4N39 14 1.3 200 50 1 50/- 5.3 kV 4N40 14 1.3 400 150 1 50/- 5.3 kV H11C1 20 1.3 200 50 -- -- 5.3 kV H11C2 20 1.3 200 50 -- -- 5.3 kV H11C3 30 1.3 200 50 -- -- 5.3 kV H11C4 20 1.3 400 150 -- -- 5.3 kV H11C5 20 1.3 400 150 -- -- 5.3 kV H11C6301.3400150----5.3 kV6 脚,光电耦合器 施密特触发输出I FT(OFF)/I FT(ON)(mA) Part Numbermin max V CC (V) max t ON /t OFF (uS) max V OL (V) max I CCL (mA)max V ISO AC[RMS] 1 min H11L1 0.3 1.6 15 -- 0.4 5 5.3 kV H11L1 0.3 1.6 15 -- 0.4 5 5.3 kV H11L2 0.3 10 15 -- 0.4 5 5.3 kV H11L2 0.3 10 15 -- 0.4 5 5.3 kV H11L3 0.3 5 15 -- 0.4 5 5.3 kV MOC5007 0.3 1.6 15 4/4 0.4 5 5.3 kV MOC50080.34154/40.455.3 kVMOC50090.310154/40.45 5.3 kV6 脚,光电耦合器高耐压、非过零检测可控硅触发输出Part NumberI FT(mA)maxV TM(V)maxV DM(V)minI H(uA)typI RM(nA)maxV ISOAC[RMS]1 minMOC3010153250100100 5.3 kV MOC3011103250100100 5.3 kV MOC301253250100100 5.3 kV MOC3020303400100100 5.3 kV MOC3021153400100100 5.3 kV MOC3022103400100100 5.3 kV MOC302353400100100 5.3 kV MOC305115 2.5600280100 5.3 kV MOC305210 2.5600280100 5.3 kV6-Pin GaAs 输入,高耐压、过零检测可控硅触发输出(Zero-Crossing TRIAC Output)Part NumberI FT(mA)maxV TM(V)maxV DM(V)mindv/dt(V/us)minI DRM 1(nA)maxV ISOAC[RMS]MOC30311532501000100 5.3 kV MOC30321032501000100 5.3 kV MOC3033532501000100 5.3 kV MOC30411534001000100 5.3 kV MOC30421034001000100 5.3 kV MOC3043534001000100 5.3 kV MOC3061153600600500 5.3 kV MOC3062103600600500 5.3 kV MOC306353600600500 5.3 kV MOC3081153800600500 5.3 kV MOC3082103800600500 5.3 kV MOC308353800600500 5.3 kV MOC31621036001000100 5.3 kV MOC3163536001000100 5.3 kV8 脚,光电耦合器 1 Mbit/s 高速线性输出型号厂牌I F V OL V CC I OH I CCL t PLH/t PHL V ISO(规格) (mA) max (V)max (V)max (uA)max (uA)max (us) max AC[RMS] 6N135 FSC 16 0.415 0.5 40 1.5/1.5 2.5 kV 6N136 FSC 16 0.415 0.5 40 0.8/0.8 2.5 kV 6N136 TOSHIBA16 0.415 0.5 40 0.8/0.8 2.5kV CNW135 16 0.430 0.5 200 1.5/1.5 5.0 kV CNW136 16 0.430 0.5 2000.8/0.8 5.0 kV CNW4502 16 0.430 0.5 2000.8/0.8 5.0 kV HCPL-2503 16 0.415 0.5 40 0.8/0.8 2.5 kV HCPL-4502160.4150.5400.8/0.82.5 kV8 脚,光电耦合器 (8 Pin Optocouplers)--GaAsP 输入,双通道光电晶体管输出 CTR @ >10 mA I F (%) Part Number min max BV CEO (V) min BV ECO (V) min V CE (sat)(V) max t ON /t OFF (us) max V ISO AC[RMS] MCT6 20 -- 30 6 0.4 -- 2.5 kV MCT61 50 -- 30 6 0.4 -- 2.5 kV MCT62 100 -- 30 6 0.4 -- 2.5 kV MCT9001506005570.4--2.5 kV8 脚,光电耦合器 (8 Pin Optocouplers)--GaAsP 输入,10 Mbit/s 高速数字式输出8-脚封装 10 Mbit/s 高速数字式输出; GaAsP Input型号 (规格)厂牌I F(mA)V OL (V) max V (V)max t PLH /t PHL (us) max I OH(uA)max CM H /CM L(kV/us)V ISO AC[RMS] 6N137 TOSHIBA 5 0.6 7 0.075/0.075250-- 2.5kV 6N137 FSC 5 0.6 7 0.075/0.075250-- 2.5 kV HCPL-2601 FSC 5 0.6 7 0.075/0.0752501/1 2.5 kV HCPL-2611FSC50.670.075/0.0752503.5/3.52.5kV评论• 网易首页 • 网易博客搜索首页日志相册音乐收藏博友关于我公司简介- 联系方法- 招聘信息- 客户服务- 相关法律- 互动营销- 网易公司版权所有 ©1997-2009。

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