响应速度打破纪录的纳米线晶体管——可代替硅晶体管的砷化镓纳米
GaN半导体材料综述--功能纳米材料
GaN半导体材料综述课程名称:纳米功能材料与器件学生:XX学院:新材料技术研究院学号:XXXX班级:XXXX任课教师:顾有松评分:2021 -12目录1前言12GaN材料的性能研究12.1物理性质12.2化学性质22.3电学性质22.4光学性质33GaN材料的制备33.1金属有机化学气相外延技术(MOCVD)33.2分子束外延(MBE)43.3氢化物气相外延(HVPE)54GaN材料的器件构建与性能64.1GaN基发光二极管(LED)64.2GaN基激光二极管(LD)74.3GaN基电子器件84.4GaN基紫外光探测器85结论9参考文献91前言继硅〔Si〕引导的第一代半导体和砷化镓〔GaAs〕引导的第二代半导体后,以碳化硅〔SiC〕、氮化镓〔GaN〕、氧化锌〔ZnO〕、金刚石、氮化铝〔AlN〕为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步开展壮大。
作为第三代半导体的典型代表,GaN材料是一种直接带隙以及宽带隙半导体材料。
室温下其禁带宽度为3.4eV,具有高临界击穿电场、高电子漂移速度、高热导、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良特性,是制作短波长发光器件、光电探测器以及高温、高频、大功率电子器件的理想材料。
随着纳米技术的开展,III族氮化物一维纳米构造在发光二极管、场效应晶体管以及太阳能电池领域都具有极大的潜在应用。
进入20世纪90年代以后,由于一些关键技术获得突破以及材料生长和器件工艺水平的不断提高,使GaN材料研究空前活泼,GaN基器件开展十分迅速。
基于具有优异性质的纳米尺寸材料制造纳米器件是很有意义的,GaN纳米构造特别是纳米线是满足这种要求的一种很有希望的材料[1]。
本论文主要介绍了GaN材料的性能研究、制备方法研究、器件构建与性能三个方面的容,并最后进展了总结性阐述,全面概括了GaN材料的根本容。
2GaN材料的性能研究2.1物理性质GaN是一种宽带隙半导体材料,在室温下其禁带宽度约为3.4 eV;Ga和N原子之间很强的化学键,使其具有高达1700℃的熔点;电子漂移饱和速度高,且掺杂浓度对其影响不大;抗辐射、介电常数小、热产生率低和击穿电场高等特点。
艾默生UPS用户手册
微电子学基础考核试卷
B.高压测试
C.高速开关测试
D.热循环测试
10.以下哪些技术被用于微电子器件的互连技术?()
A.铝互连
B.铜互连
C.金互连
D.硅互连
11.下列哪些因素会影响集成电路的功耗?()
A.电压
B.频率
C.电路设计
D.制造工艺
12.以下哪些属于CMOS工艺的优点?()
A.低功耗
B.高集成度
C.宽工作电压范围
3. NMOS晶体管在_______电平下导通,而PMOS晶体管在_______电平下导通。
4.微电子器件的_______测试是用来检测器件在高温条件下的性能稳定性。
5.金属-氧化物-半导体(MOS)结构中,金属通常指的是_______。
6.在微电子器件设计中,_______是指电路中电流流动的路径。
D.硼磷硅玻璃
6.数字集成电路的逻辑功能测试主要包括()
A.功能测试
B.真值表测试
C.边沿测试
D.状态机测试
7.以下哪些是功率MOSFET的特点?()
A.高电压
B.高电流
C.低导通电阻
D.高开关频率
8.下列哪些是集成电路封装的作用?()
A.保护芯片
B.电气连接
C.散热
D.防止信号干扰
9.半导体器件的可靠性测试中,以下哪些测试方法可以用来评估器件的寿命?()
D.易于与BiCMOS工艺兼容
13.下列哪些是微电子器件设计中考虑的安全因素?()
A.电磁兼容性
B.静电放电
C.过压保护
D.短路保护
14.以下哪些技术被用于提高集成电路的散热性能?()
A.散热片
B.热管
C.热电冷却器
物理学在新技术中的应用
物理学在新技术中的应用物理学是一门研究自然界基本力和物质的基本结构的科学。
它在各个领域都有广泛的应用,特别是在新技术的发展中。
本文将探讨物理学在新技术中的应用,包括半导体技术、激光技术、纳米技术、光纤技术和量子计算等领域。
1. 半导体技术半导体技术是现代电子设备的基础。
它利用半导体的导电性能来制造各种电子元件,如晶体管、集成电路和太阳能电池等。
物理学在半导体技术中的应用主要体现在材料科学研究和器件物理研究方面。
1.1 材料科学研究半导体材料的性质取决于其电子结构和能带结构。
物理学家通过研究材料的电子性质,可以确定其是否适合用于特定的电子器件。
例如,硅是一种常用的半导体材料,因为它具有良好的电导性和稳定性。
物理学家还研究了其他材料,如锗、砷化镓和氮化镓等,以寻找更适合特定应用的材料。
1.2 器件物理研究半导体的器件物理研究涉及 understanding the behavior of semiconductor devices and their components, such as transistors and diodes. Physicists study the flow of electrons and holes (positive charge carriers) in these devices and how they interact with each other. This research helps in designing and manufacturing more efficient and smaller electronic devices.2. 激光技术激光技术是利用激光的特性来解决各种问题的技术。
物理学在激光技术中的应用主要体现在激光的产生、传输和应用方面。
2.1 激光的产生激光的产生涉及到光学物理学的知识。
物理学家通过研究物质的能级结构和电子跃迁过程,可以设计和制造出各种激光器。
2023年继续教育未来产业作业(三)
2023年继续教育未来产业作业(三)一、单选题(共3题,每题20分)1、氮化镓是拥有稳定(B、六边形)晶体结构的宽禁带半导体材料。
2、我国光纤预制棒自给率达到(D、84%),LED发光效率全球领先。
3、戈登·摩尔(Gordon Moore)大胆预测集成电路技术和产业将以“每个芯片上集成的元件数平均每(C、18)个月将翻一番”的规律发展。
4、(D、材料)领域是高端机器人基础性产业需要突破的。
5、在20世纪的中后期,(A、美国)为代表的发达国家,纷纷出台相关的政策去服务于扶持干细胞产业的发展。
二、多选题(共5题,每题8分)1、对于大多数化合物半导体器件而言,其产业链各个环节与硅基半导体器件相似,具体包括()几大部分。
A、单晶衬底材料制造B、外延生长C、设计D、芯片加工E、封装测试2、氮化镓外延材料可以生长在蓝宝石上,其主要应用领域包括()。
A、红光-蓝光的LED芯片B、高亮度车灯D、高亮度背投电视E、高亮度影院3、AI Day上“擎天往”演示了浇花、搬运纸箱、金属块等工作,能够很好地完成()等动作,研发团队也在不断更新优化,有望在未来解锁更多应用场景。
B、视觉识别C、抓握D、下蹲E、直立行走4、下列关于各储能技术的说法中,错误的是()。
D、压缩空气储能优点在转换率较高,响应速度较快E、超导储能优点在于容量大、便于长时间储存5、显示领域的发展趋势有()。
C、新兴技术量产进程不断加快D、知识产权成为竞争新高地E、产业链上下游合作进一步加强三、判断题(共5题,每题6分)1、电子信息产业发展要转变观念,推动价值链式招商布局。
错误2、硅光器件虽然产业标准已经统一,但参数优化仍然有大量的工作要做。
错误3、集成电路=半导体=芯片。
错误4、全球二氧化碳排放量与全球温度变化呈现负相关态势,随着工业化、城镇化进程的推进,全球碳排放量正急剧增长。
错误5、电子信息产业指为了实现制作、加工、处理、传播或接收信息等功能或目的,利用电子技术和信息技术所从事的与电子信息产品相关的设备生产、硬件制造、系统集成、软件开发以及应用服务等软硬件的集合。
集成电路科学与工程导论 第三章 集成电路晶体管器件
发展趋势-摩尔定律
「按比例缩小定律」(英文:Scaling down)“比例缩小”是指,在电场 强度和电流密度保持不变的前提下,如果MOS-FET的面积和电压缩小到 1/2,那么晶体管的延迟时间将缩短为原来的1/2,功耗降低为原来的1/2。 晶体管的面积一般为栅长(L)乘以栅宽(W),即尺寸缩小为原来的0.7倍:
仅变得越来越小,在器件结构和材料体系上也经过了多次重大变革
集成电路器件发展趋势
国际半导体技术蓝图(International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)
目录
一.晶体管器件概述 二.金属-氧化物-半导体场效应晶
体管技术 三.绝缘体上晶体管技术 四.三维晶体管技术 五.其他类型晶体管器件
环栅场效应晶体管
「环栅场效应晶体管」(英文:GAAFET) 技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包 裹,源极和漏极不再和基底接触,而是利 用线状或者片状(平板状)的多个源极和 漏极垂直于栅极横向放置,实现MOSFET 的基本结构和功能
栅极G
栅极G
硅
硅 (a)
纳米线
硅 (b)
纳米片
平面型 垂直型
互补场效应管
栅极G
n+
e-
n+
p-衬底 (a)
栅极G
n+
e-
n+
氧化物埋层(BOX)
p-衬底 (b)
优势:氧化物埋层降低了源极和漏极之间的寄生电容,大幅降低了会影响器件 性能的漏电流;具有背面偏置能力和极好的晶体管匹配特性,没有闩锁效应, 对外部辐射不敏感,还具有非常高的晶体管本征工作速度等;
挑战:存在一定的负面浮体效应;二氧化硅的热传导率远远低于硅的热传导率 使它成为一个天然“热障” ,引起自加热效应;成本高昂。
非硅基全门三维晶体管
非硅 基全 门三维 晶体 管
据美国物理学家组织网报道 , 美国普渡 合物砷化镓铟代替硅 , 研制出全球首款全 门 大学和哈佛 大学 的科学家使用 Ⅲ 一V族化 三维晶体管 , 可用于开发 3
光 学精 密 机 械
21 0 第 4期 ( 第 1 3期 ) 1年 总 2
捕 获纳 米 离子 的分 子 笼
据美 国物理学 家组织 网报道 , 最近 , 制作的纳米管笼能从水溶 液中提取直径仅 美 国纽约大学布法 罗分 校化学家合成 出一种 28纳米 、 . 带正 电的树状 聚合物分子 , 而将 能捕获纳米离子的微小分子笼 , 可用于提纯 43纳 米 的树 状 聚合物 分子 留在 溶 液 中。要 . 纳米 材料 。相关 论 文发表 在 《 国化学 协 会 想从纳米管中释放 出捕获的粒子 , 美 只需 简单 会 刊》 。 上 地降低氯仿溶液的 p H值 , 就会关闭笼子 内 分 子 笼 由 微 小 的 有 机 分 子 管 道 组 成 。 部 的负 电荷 , 释放 出其 中的粒 子 。 这种名为“ 瓶刷分子” 的有机分子 内部用特 研究人员指出, 这些笼子能使单调乏味 殊方法做成中空 , 并使其 内壁带上负电荷 以 的工作加快速度 , 比如把大量子点从小量子 选择性地吞掉那些带正 电的粒子。分子笼 点 中分离, 或按尺寸和电荷分离不同的蛋 白 还能做成不同大小 , 以捕捉不同大小 的分子 质 。 猎 物。 该研究领导人、 纽约大学布法罗分校化 瑞耶夫说 : 分子及纳米 “ 瓶刷分子就像一个 圆形的发刷 , 主干 学副教授加维德 ・ 沿 周围伸出许多毛发似 的分子 。研究 人员把 材 料 的形 状 和大小 与 它 们 的用 途 密切 相 关 , 这些“ 瓶刷” 缝在一起 , 再把分子浸入水 中使 我们的分子笼能按 事先确定 的规格尺寸把 能 其变成中空 , 围绕核心黏附上一层带负 电的 这 些粒 子分离 开 , 为那 些先 进 材 料生 产 统 羧酸基 , 就成了陷阱式的笼子结构—— 内壁 的原材料 , 就像为建筑商生产 同样 大小 的 带有 负 电的纳 米管 。 瓷砖或砖块。科学家也需 要同样 规格 的纳 他 们 还 设 计 了一 系 列 实 验来 测 试 这种 米粒子 , 但在纳米尺度上要生产 出完全一样 笼子 的 捕 获 能力 。其 中一 种 双 层 笼 被 称 为 的性能 良好的材料 , 还有很长的路要走。 ” 鸡尾酒瓶 , 底层 由含 纳米管 的氯 仿溶 液构 此外 , 瑞耶夫小组还在研究瓶刷分子 的 成 , 层 由含 带 正 电荷 染 料 的水 基 溶 液构 更 多应 用 , 顶 如以瓶刷 分子为基 材 的纳 米薄 成。将这种鸡尾酒摇 5 分钟 , 纳米管互相碰 膜 , 可用于滤水 ; 多层组装 的瓶刷 聚合物 , 能 撞 陷落在染料中, 从而将染料带人氯仿溶液 像蝴蝶翅膀那样反射可见光 。 中( 料 不 会 溶 解 在氯 仿 中 ) 染 。另 一 种 精 心
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、半导体器件中,以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择?A、硅(Si)B、锗(Ge)C、砷化镓(GaAs)D、碳化硅(SiC)2、在半导体工艺中,以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区?A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干:在半导体制造过程中,下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层?A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干:下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板?B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干:在半导体制造过程中,以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域?A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积(CVD)C. 光刻D. 离子注入6、题干:以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素?A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术?A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中,以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的?A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中,下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂?A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节?A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤?()A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素?()A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤?A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素?A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤?A. 光刻B. 化学气相沉积(CVD)C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中,以下哪些工具或方法有助于提高设计效率?A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤?()A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能?()A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤?()A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数?()A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、半导体制造过程中,光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
电力电子器件的材料选择考核试卷
A.使用高热导率材料
B.减小器件尺寸
C.提高开关频率
D. A和B
13.以下哪些是电力电子器件在电动汽车中应用的优点?()
A.提高能效
B.减少重量
C.减少体积
D.所有上述优点
14.以下哪些材料适用于制造高频开关电源中的电力电子器件?()
A.硅(Si)
1.以下哪些因素在选择电力电子器件材料时需要考虑?()
A.击穿电压
B.热导率
C.成本
D.所有上述因素
2.以下哪些材料被广泛用于制作电力电子器件?()
A.硅(Si)
B.碳化硅(SiC)
C.铜铝(CuAl)
D.砷化镓(GaAs)
3.碳化硅(SiC)电力电子器件相对于硅(Si)器件有哪些优势?()
A.更高的热导率
D.硫化镉(CdS)
4.通常用于制作高频电力电子器件的材料是?()
A.硅(Si)
B.碳化硅(SiC)
C.硅控整流(SCR)
D.砷化镓(GaAs)
5.以下哪种材料具有最高的热导率,适用于散热要求高的电力电子器件?()
A.铜(Cu)
B.铝(Al)
C.碳化硅(SiC)
D.硅(Si)
6.在电力电子器件中,以下哪种材料具有最低的开关损耗?()
A.硅(Si)
B.碳化硅(SiC)
C.砷化镓(GaAs)
D.硫化镉(CdS)
10.以下哪些因素与电力电子器件的效率有关?()
A.开关损耗
B.导通损耗
C.绝缘损耗
D. A和B
11.以下哪些材料适用于超高压电力电子器件?()
A.硅(Si)
B.碳化硅(SiC)
晶体管技术综述
晶体管技术综述作者:叶剑来源:《中国新通信》 2018年第4期晶体管的发明奠定了现代电子技术的基础,由晶体管引领的信息技术掀起了近代社会的第三次科技革命。
一、晶体管技术的快速发展1947 年美国贝尔实验室的三位科学家肖克利博士、布拉顿博士和巴丁博士,在导体电路中进行半导体锗晶体把声音信号放大的实验时惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流竟然可控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。
这个器件就是——晶体管。
三位科学家因此共同荣获1956 年诺贝尔物理学奖。
1949 年肖克利博士研究成功了面结型晶体管,并于1951 年获得了美国第2569347 号专利“使用半导体材料的电路元件”。
其他改进还包括用硅代替锗,现在的晶体管大部分仍是这种面结型晶体管。
为避免遭受美国司法部的反垄断指控,贝尔实验室于1952 年向其他同行开放了该专利授权许可。
1960 年,贝尔实验室的Kahng 和Atalla 构造了第一个金属- 氧化物- 半导体晶体管(简称MOS 管),绝缘栅极场效应晶体管的一种。
1962 年,在RCA 器件集成研究组工作的Stanley,Heiman 和Hofstein 等人发现,可以通过扩散与热氧化在硅基板上形成导电带、高阻沟道区以及氧化层绝缘层来构筑晶体管,于是他们发明了第一个商业MOS 管,并获得了美国第3296508 号专利。
Hofstein 等在 1 平方英寸的单晶硅基板上制作了2000 个器件,发现95% 以上的器件工作良好。
MOS 管的出现简化了晶体管的制作工艺,提高了器件的稳定性和集成度,降低了制作成本。
因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势,MOS 管在大型、超大型集成电路的领域里得到广泛应用。
二、晶体管技术的重要革新随着1965 年摩尔定律的提出,虽然MOS 晶体管的集成度和性能得到了快速提高,但也遇到了不少问题。
MOS 晶体管的硅材料中,空穴迁移率仅是电子迁移率的1/3 左右,为了使NMOS 和PMOS 的驱动电流基本一致,必须增大PMOS器件的宽长比,这样会影响电路的速度和集成度,降低电路的整体性能。
新型纳米晶体管
新 型 纳米 晶体 管
据美 国物理 学 家组 织 网、英 国 《 自 然》杂志网站报道 ,美国哈佛大学化学家 和工程 师 共 同制 造 了一种 最 新 的 V形纳 米 晶体管 ,外膜 覆 有 一层 磷 脂 双 分 子层 ,能 非常 容易 地进 人 细 胞 内部 进行 检 测 ,而 不 会对细胞造成任何可见伤害。 这种新设备称 为纳米级场效应传感器 或纳 米 F T ,在 本 周 出版 的 《 学 》 杂 Es 科 志上也有详 细描述。它 比许多病毒更小 。 人 体 细胞 直 径 范 围 大 约 为 从 l 0微 米 左 右 的神经 细 胞 到 5 0微 米 的 心 脏 细 胞 ,而 新 型传感 器 能测 量 5微 米直 径 的细 胞 。纳 米 F T 有几种系列 ,整体小于 5 Es O纳米 的型
时一次 只 能产 生 一 个 正 负 电子 对 。现 在 , 科 学家通 过计 算 表 明 ,下 一 代 功 能更 强 大
麻省理工学院的研究小组合作 ,研究和纳 米线连 结在 一起 的组织 的生 长情 况 。 列 勃表 示 ,他们 的长 期 目标 是 将 数 字 化 和生物研 究结 合 在 一起 ,培养 出人 造 组 织 ,植 入纳米 线 以加 强医疗 监测 效果 。
激 光 器可 让 “ 灵粒子 ’ 形 幽 ’显
・
当前用于记录神经细胞及其他 细胞 内
l ・ 5
光学 精 密 机 械
顶 端 ,与 主体部 分 成 10度 角 连接 ,工作 2 时有 电流通 过 纳米 晶体 管 。其可 用 于 检测 细胞 内 的离 子 变 化和 电 子信 号 ,尤 其 是 神 经 细胞 ;还 可 固定 在 受体 或 配 体 上 ,探 测 单 细胞 内部 的 生 化过 程 。研 究小 组 演 示 了 纳米 F T E s的使 用 ,用 它 刺 人 一 个单 个 培 养 的胚 胎 鸡 心脏 细 胞 ,以 2 .3赫 兹 的 频 率记 录下 一 系列 电压 峰 值 ,和 细胞 跳 动 节 律相 一致 。
纳米材料简介ppt课件
The end
18
纳米粒子表面积大、表面活性中心多,为催化剂提供了必要条件。 目前纳米粉材如铂黑、银、氧化铝和氧化铁等广泛用于高分子聚合 物氧化、还原及合成反应的催化剂。如用纳米镍粉作为火箭固体燃 料反应催化剂,燃烧效率提高100倍;以粒度小于100nm的镍和铜锌合金的纳米材料为主要成分制成加氢催化剂,可使有机物的氢化 率达到传统镍催化剂的10倍;用纳米TiO2制成光催化剂具有很强的 氧化还原能力,可分解废水中的卤代烃、有机酸、酚、硝基芳烃、 取代苯胺及空气中的甲醇、甲醛、丙酮等污染物。
12
C 5 hapter 纳米材料的应用
1、在半导体中的应用
当前微处理器已达到550万个晶体管的集成度、600MHZ的频率和 0.18的线宽,仍满足不了技术发展的需要。根据Intel公司预测,到 2011年微处理器将达到10亿个晶体管的集成度、10GHz 的频率和0.07的线宽,这使以硅为主要材料的超大规模集成电路(VLSI) 的工艺和原理达到极限要继续发展必须寻求工艺和技术突破。“光电 集成”就是其中一个途径,在硅电路中用光连接取 代电连接。然而大块的硅或锗的发光效率很低,且发光波段在近红外, 不适合“光电集成”。寻求一种有效产生光发射的硅基材料已成为材 料科学的一个热点。半导体纳米材料在可见光区具有较高的发光效, 发光波段与发光效率可由纳米材料的尺寸得以控制。此,多孔硅中的 量子点结构、二元半导体化合物中的嵌埋结构及半导体超晶格材料, 在光纤通讯和光探测器方面有广泛的应用。
4
C 3 hapter 纳米材料的纳米效应
1、量子尺寸效应
2、小尺寸效应 3、表面效应 4、宏观量子隧道效应 5、库仑阻塞和量子隧穿 6、介电陷域效应
5
表面效应
6
布朗运动
固态电子学的研究进展及其在信息产业中的应用
固态电子学的研究进展及其在信息产业中的应用固态电子学(Solid State Electronics)是一门研究固体物质中电子行为和电子器件应用的学科。
自20世纪50年代开始研究以来,固态电子学已经经历了从单晶管、集成电路到纳米、量子电子学等多个阶段的发展,成为现代电子技术的基础,在信息产业中扮演着重要角色。
一、固态电子学的发展历程固态电子学的起源可以追溯到20世纪初,但在20世纪50年代才获得迅速发展。
当时的研究主要是关于半导体器件的性能和应用方面。
1951年,Bell实验室的Bardeen、Brattain、Shockley三位研究人员共同发明了第一个晶体管,引领了电子器件领域的一个新时代。
1960年左右,集成电路的概念被提出,意味着将几个或几十个晶体管组合在一起制成一个微小的电路,从而大大提高了电路的集成度和可靠性。
80年代后,随着纳米技术和量子理论的发展,研究重点转向了纳米器件和量子电子学,取得了一系列重要进展。
二、固态电子学的研究内容固态电子学主要研究固态物质中的电子行为和电子器件应用,包括半导体物理,微电子器件、集成电路设计和制造、半导体材料、纳米电子物理和技术等多个领域。
1.半导体物理半导体物理是固态电子学的基础。
半导体材料有很好的导电性和隔离性,是微电子器件的主要制造材料。
半导体物理研究主要包括晶体结构和缺陷、杂质、载流子输运、能量带结构等方面。
2.微电子器件微电子器件是固态电子学的核心,主要包括:二极管、场效应管、双极性晶体管、光电器件等。
微电子器件的研究包括器件结构、工艺流程、器件性能、可靠性等方面。
3.集成电路集成电路是固态电子学的重要应用,它将若干晶体管、电容、电感等元器件组合在一起,形成一个完整的电路系统。
集成电路包括数字电路和模拟电路两种类型。
数字电路主要处理数字信号,并具有高速度、复杂性和稳定性等特点;模拟电路用于处理连续变化的模拟信号,例如声音、电视信号等。
4.半导体材料半导体材料是微电子器件的制造基础。
砷化镓晶体管
砷化镓晶体管砷化镓晶体管(Gallium Arsenide Transistor)是一种基于砷化镓(GaAs)材料制造的晶体管。
与传统的硅基晶体管相比,砷化镓晶体管具有更高的电流驱动能力、更高的频率响应和更低的噪声水平。
它被广泛应用于高频、高速、高功率的电子设备中,如无线通信、雷达、卫星通信等领域。
砷化镓晶体管具有许多优点。
首先,它具有较高的电子迁移率,这意味着电子在材料中移动的速度更快。
其次,砷化镓晶体管的噪声水平较低,可以提供更清晰、更稳定的信号传输。
此外,砷化镓晶体管的电流驱动能力更强,可以承受更大的电流,从而实现更高的功率输出。
这些优点使得砷化镓晶体管成为高性能电子设备的理想选择。
砷化镓晶体管的制造过程相对复杂。
首先,需要选择高纯度的砷化镓材料,并通过化学气相沉积(CVD)或分子束外延(MBE)等技术将其生长在衬底上。
然后,在晶体管的结构中形成源极、漏极和栅极等区域。
这些区域通常通过离子注入或金属有机化学气相沉积(MOCVD)等技术实现。
最后,通过制造工艺,如光刻、腐蚀和金属沉积,形成晶体管的电极和互连结构。
砷化镓晶体管的工作原理与传统的硅基晶体管类似。
当栅极施加一定的电压时,形成栅极电场,控制源极和漏极之间的电流。
通过调节栅极电压,可以控制晶体管的导通和截止状态。
砷化镓晶体管的电流驱动能力较强,可以实现高功率输出。
此外,由于砷化镓材料的特性,砷化镓晶体管在高频应用中表现出较低的电容和电感,可以实现更高的频率响应。
砷化镓晶体管在无线通信领域有着广泛的应用。
例如,在手机和基站中,砷化镓晶体管可以实现高频信号的放大和传输,保证通信的稳定性和可靠性。
此外,砷化镓晶体管还用于雷达系统和卫星通信等高性能电子设备中,以实现更高的工作频率和更大的功率输出。
尽管砷化镓晶体管具有许多优点,但也存在一些局限性。
首先,砷化镓晶体管的制造成本较高,制造工艺相对复杂。
其次,由于砷化镓材料的毒性,对环境和人体健康有一定的风险。
柔性电子——转印技术
柔性电⼦——转印技术I 概述1.1 柔性电⼦1.1.1 概述 柔性电⼦(Flexible Electronics),⼜称为塑料电⼦(PlasticElectronics)、印刷电⼦(Printed Electronics)、有机电⼦(Organic Electronics)、聚合体电⼦(Polymer Electronics)等,是将⽆机/有机材料电⼦器件制作在柔性/可延性塑料或薄⾦属基板上的新型电⼦技术[1]。
柔性电⼦制造的关键包括制造⼯艺、基板和材料等,其核⼼是微纳⽶图案化制造,涉及机械、材料、物理、化学、电⼦等多学科交叉研究。
柔性电⼦以其独特的柔性/延展性以及⾼效、低成本制造⼯艺,在信息、能源、医疗、国防等领域具有⼴泛应⽤背景,如柔性电⼦显⽰器、有机发光⼆极管、印刷RFID、薄膜太阳能电池板、电⼦报纸、电⼦⽪肤等。
1.1.2柔性电⼦系统结构(1)电⼦元器件 电⼦元器件是柔性电⼦产品的基本组成部分,包括电⼦技术中常⽤的薄膜晶体管、传感器等,这些电⼦元器件与传统电⼦技术的元器件没有本质差别,部分元器件采⽤⽆机半导体材料,由于其材质较脆,在变形过程中容易发⽣折断,所以通常不直接分布在电路板上,⽽是先安放在刚性微胞元上,然后承载元器件的微结构再分布在柔性基板上,这样做的好处是有利于保护电⼦元器件,避免在弯曲过程中损坏。
其中有机电⼦元器件的优点是OTFT为减⼩元器件重量和厚度、提⾼其柔韧性和延展性创造了条件。
(2)柔性基板 柔性基板区别于传统刚性基板的特点是:绝缘性(不允许漏电,要保证其上电⼦设备的正常⼯作和安全性)、廉价性、柔韧性、薄膜型。
故⽽基于上述特性,通常采⽤⾼分⼦聚合物,⽬前常⽤作柔性基板材料的是杜邦公司的聚酰亚胺薄膜材料、聚⼆甲基硅氧烷、PET等。
(3)交联导电体 电⼦元器件分布在刚性的微胞元上,许多这样的微结构分布于基板上,由交联导电体(类似于电线)将其连接成⼀个完整的柔性电路。
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拉伸 、 弯 曲和扭 曲 , 它可 以提高假 皮 。 表 皮与 真皮 相接 触 的微尺度 凸 向前 或 向后 的法 向应 力 、剪 切 应 肢器 官 装置 和机 器人 的功能 。 点 将 皮 肤 表 层 的 机 械 应 力 放 大 并 力 、 拉 伸应 力 或 弯 曲应力 — —导 致
第4 O 卷 第 3期
2 0 1 5年 3月
上 海 化 工
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可检 测弯 曲、 拉 伸和扭 曲的触摸传感器
模 拟 人 体 皮 肤 而 设 计 的 弹 性 为 了 使 人 造 传 感 器 拥 有 方 向 用 , 从 而 影 响导 电性 。研究 人 员通 接 触 传 感 器 不 仅 可 以检 测 到 机 械 感知 功能 , K o 对人 体皮肤 的结构 过 传 感 器 随着 时 间 推 移 而 产 生 的 应 力 的 强 度 ,而 且 可 以检 测 其 方 进 行 了研 究 。人 体 皮 肤 为 双 层 结 电阻变 化 图案 来 评价 其 导 电性 能 。 向。 由于该 传 感 器 可 以 区分剪 切 、 构 ,包 括 外 面 的 表 皮 和 里 面 的真 “ 不 同方 向 、不 同类 型 的应 力— —
以提高芯片的计算能力 。目前 , 最 比硅高 ,这使得 I I I / V族晶体管能 长 , 超 出 了基 板 的范 围 , 使得在其
小 硅 晶体 管 的 宽度 只有 1 4 n m, 但 够 以 比硅 基 设 备 更 快 的 速度 进 行 上布 局 电触 点非 常 棘手 , 这对 伊利 是, 晶体管 小 型 化 的步 伐 有可 能会 启 停 操作 。
体 皮肤是一个难 以模 拟 的触摸传 氧烷 ( P D Ms ) 与 导 电碳 纳米 管 模 仿 3的传感器阵列进行了测量 , 显示
感器 , 其 弹 性 和高 敏感 度 赋 予 其感 皮肤中的连锁凸点。 将P D MS 单体 它们 可 以区分 不 同类 型 的应力 。 他 知 外 部动 态 的 能力 , 从 一 个 微小 昆 和碳 纳米 管的混合物浇注 到模 具 们 还 用 带 子 将 传 感 器 绑 到 自己 的 虫 的 触 碰 到 一 击 重 拍 都 能 准 确 地 中并 固化 它 , 就 得到 了具有 双 层 结 手肘 、 手腕和身体其他部位 , 以证 感 知 。此 外 , 皮 肤 感知 力 的 方 向 的 构 的材 料 。 该 材料 每一层 上都 有 高 明 它们 可 以对 关 节 不 同 的运 动 形 能 力使 得 它能 够 区分力 的类 型 。 这 为 3 m、 直径 为 4 m 的微 凸 , 可 式 进行 监控 。 种 能 力 可 以 帮 助 我 们 的 大 脑 做 出 以与另外 一 层上 面 的凸点互 锁 。 各 种无 意识 的决 定 。例 如 , 感 觉 到
正 在 研 究 利 用 电 性 能 高 于硅 的材 硅晶片 ,但是价格也昂贵得多 , L i 看 这 米线 在 晶元 表 面水平 生 长 时 ,
料设计 晶体管 。最近 , 研究人员利 意 味 着 生 产 商 不 能 采 取 生 产 硅 片 到 了机会 。 用 最 有 希 望 的候 选 材 料 —— 砷 化 的方 式 ( 提 高 单 次 产 量 以 降低 成 她和 她 的 团 队于 2 0 0 8年首 次
一
成 均 馆 大 学 同样 致 力 于 触 觉
K o的研 究 小 组 将 这种 双 层 材 传 感 器 研 究 的 化 学 工 程 师
件物 品滑到手 中以后 , 我们可 以 料 片 组 合 在 一 起 并 在 它 们 之 间施 C h a n g h y u n P a n g认 为 互 锁 的 凸 点
在 未来 l 0年 内结 束 。
诺 伊 大 学 香 槟 分 校 的 电气 工 程 师
在应 用 方 面 , 成 本 是一 个 巨大 Xi u l i n g L i 来说 是 一 道难 题 。因此
为 突破 硅 材 的 限制 , 研 究 人员 的挑 战 。G a A s晶片 的尺寸 远 小 于 当她 的一个 学 生发 现部 分 G a A s 纳
响应 速度 打破 纪 录 的纳 米 线 晶体 管
— —
可代替硅 晶体管 的砷化镓 纳米线 晶体管
G a A s是 I I I / 、 , 族 半 导 体 材 料 所需使用的材料更少 。 然 而 ,纳 米 线 倾 向于 垂 直 生
几十年来 , 计算机芯片制造商
一
直 致 力 于减 小 硅 晶 体 管 的 尺 寸 中的一员 , 该类 材料 的 电荷迁 移 率
位置和运动。 如果触觉传感器可以 互 锁 微 凸 的 接 触 点 , 进 而 使 得 力 、 扭 曲应力和剪切应力 , 该 设 备
实 现上 述 功能 , 就能 够 提 高机 器人 P D MS能够 导 电 。施加 不 同类 型 的 还 可 以测 量 不 同强 度 的 气 流 或 震 的协 调性 和 假肢 的灵 敏度 。 力 可 以改 变 层 与 层 之 间 施 加 的压力 来 抓住 它 。 感 加 电压 即制 得 了传 感 器 。 碳纳 米管 赋 予 了 K o的设 备 检测 不 同类 型应 知 拉 伸 可 以 帮 助 我 们 跟 踪 关 节 的 具有 导 电性 能 , 由于 电流 可 以通 过 力 的灵敏 度 。 不仅 可 以 区分 弯 曲应
据 韩 国蔚 山 科 学 技 术 大 学 的 传导 至真 皮 的神经 末梢 。 在 传感 器 电信 号产 生不 同 的图案 。 ” K o 说。
化学 工程 师 H y u n h y u b K o介绍 , 人 设 计 中 , K o利 用 弹性 聚 二 甲基 硅
在 演示 环 节 , 研 究人 员 对 3×