第一章 常用半导体器件

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常用半导体器件

常用半导体器件
图1.5 P型半导体旳共价键构造
多数载流子(多子)参加导电,杂质原子成 为不可移动旳离子,半导体呈现电中性。
多子旳浓度与掺杂浓度有关,受温度影响很 小;
少数载流子(少子)是因本征激发产生,因 而其浓度与掺杂无关,对温度非常敏感,影响 半导体旳性能.
三、PN结及其单向导电性
1. PN结旳形成 PN结合 多子浓度差 多子扩散 产生空间 电荷区,形成内电场 阻止多子扩散, 促使少子漂移。
四 、半导体二极管旳应用
1、一般二极管
利用二极管旳单向导电性,可实现整流、限 幅及电平选择等功能。
(1)整流电路
利用单向导电性能旳整流元件,将正负交替 变化旳正弦交流电压变换成单方向旳脉动直流 电压。
在电压正半周(设a端为正,b端为负时为正 半周)电流通路如图(a)中实线箭头所示;电压 旳负半周,电流通路如图(b)中虚线箭头所示。 经过RL旳电流iL以及RL上旳电压uL旳波形如图 1.25所示。iL、uL都是单方向旳全波脉动波形。
图1.6 载流子分布浓度差引起扩散运动
扩散运动:多数载流子因浓度上旳差别而形 成旳运动。
漂移运动:少数载流子在内电场作用下有规 则旳运动。
漂移运动和扩散
运动旳方向相反。
无外加电场时,经过
PN结旳扩散电流等
于漂移电流,PN结
旳宽度处于稳定状态。
图1.7 PN结旳形成
2. PN结旳单向导电性
(1)PN结外加正电压
一 、三极管旳构造及符号
1.三极管旳基本构造
三极管旳构造特点: (1)基区做得很薄,
且掺杂浓度低; (2)发射区杂质浓度很高; (3)集电区面积较大.
NPN
PNP
图1.29 三极管构造与符号
2.三极管旳分类

第1章—02-半导体二极管-sw

第1章—02-半导体二极管-sw

六、发光二极管 发光二极管
将电能转换成光能的特殊半导体器件。 1.定义:将电能转换成光能的特殊半导体器件。 定义: 2.类型 类型 普通发光二极管 红外发光二极管 …… 直流驱动电路 交流驱动电路
3.常用驱动电路: 常用驱动电路:
4.工作原理: 管子加正向电压时 在正向电流激发下, 4.工作原理:当管子加正向电压时,在正向电流激发下, 工作原理 管子发光,属电致发光。 管子发光,属电致发光。 注意:发光二极管在加正向电压时才发光。 注意:发光二极管在加正向电压时才发光。
模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件
电子系 2010年9月 Electronic Department Sep. 2010
第一章 常用半导体器件
1.1、半导体的基础知识 1.1、 1.2、半导体二极管 1.2、 1.3、 1.3、晶体三极管 1.4、 1.4、场效应管
1.2 半导体二极管
一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 六、发光二极管 七、光电二极管 八、其他二极管 九、二极管的应用
ui=0时直流电源作用 时直流电源作用
∆u D U T 根据电流方程,rd = ≈ ∆iD ID
小信号作用 Q越高,rd越小。 越高, 越小。 越高 静态电流
四、二极管的主要参数
• • • • 最大整流电流I 最大整流电流 F:最大平均值 最大反向工作电压U 最大反向工作电压 R:最大瞬时值 反向电流 IR:即IS 最高工作频率f 最高工作频率 M:因PN结有电容效应 结有电容效应 结电容为扩散电容( 与势垒电容( 之和。 结电容为扩散电容(Cd)与势垒电容(Cb)之和。
uL
+

第1章常用半导体器件

第1章常用半导体器件

ui=0时直流电源作用
根据电流方程,rd

uD iD

UT ID
小信号作用
Q越高,rd越小。 静态电流
3. 二极管电路应用举例
(1)开关电路(掌握)
方法:假设法,将D管断开 原则一:单向导电性
阳极 a
k 阴极
D
V阳>V阴,D管正偏,导通 V阳< V阴,D管反偏,截止
原则二:优先导通原则(多二极管电路中)
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气 体、液体、固体均有之。
P区空穴 浓度远高 于N区。
N区自由电 子浓度远高
于P区。
扩散运动
扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N区的自由电子浓度降低,产生内电场。
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成 内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P 区、自由电子从P区向N 区运动。
2
98 0.98
100
综上所述,实现晶体三极管放大作用的 两个条件是:
(1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度,且基区很薄。
(2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反 向偏置。
正偏电压工作,通电流→发光,电信号→光信号 光颜色:红、橙、黄、绿(与材料磷、砷、镓、化有关)
3. 激光二极管
(a)物理结构 (b)符号
发光二极管
光电二极管
一、晶体管的结构及类型 二、晶体管的电流放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
三极管:电流放大(三个电极)
将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。
小功率 二极管
大功率 二极管
稳压 二极管

模电1常用半导体器件

模电1常用半导体器件

ICEO = (1+β) ICBO
三. 极限参数
1. 集电极最大允许电流ICM 2. 集电极最大允许功耗PCM 3. 反向击穿电压U(BR)CEO 、U(BR)CBO
α=β/(1+β)
三极管的安全工作区
1 .4 场效应管(Field Effect Transistor )
场效应管是单极性管子,其输入PN结处于反偏或 绝缘状态,具有很高的输入电阻(这一点与三极管相 反),同时,还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射性 强、便于集成等优点。
1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线
二. 输出特性曲线 IC=f ( IB ,UCE )
实际测试时如下进行:
IC= f ( UCE )|IB
发射结正偏、集电结反 偏时,三极管工作在放大 区(处于放大状态),有放 大作用:IC =βIB + ICEO
两结均反偏时,三极管 工作在截至区(处于截止状 态) ,无放大作用。 IE=IC=ICEO≈0
第五章 负反馈放大器
第六章 信号运算电路
第七章 波形发生电路
第八章 功率放大电路 第九章 直流电源
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第一章 常用半导体器件
本章主要内容:
半导体材料、由半导体构成的PN 结、二极管结构特性、三极管结构特性及 场效应管结构特性。
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1 .1 半导体(Semiconductor)基本知识
• 2、《电子技术实验》.石焕玉等编. • 3、《电子技术基础》(模拟部分).康华光
主编. 高等教育出版社 • 4、《模拟电子技术基础》华成英(第四
版)习题解答(因网络不通,暂时没法放 在系网页上,需要者来复制)
第一章 半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 放大电路的频率特性 第四章 集成运算放大器

第1章+常用半导体器件

第1章+常用半导体器件

第1章 常用半导体器件
《模拟电子技术基础》
三、本征半导体中的两种载流子
若 T ,将有少数价
T
电子克服共价键的束缚成
为自由电子,在原来的共 +4
+4
价键中留下一个空位——
空穴。
空穴
自由电子和空穴使本 +4
+4
征半导体具有导电能力,
但很微弱。
+4
+4
+4 自由电子
+4
+4
空穴可看成带正电的
载流子。
图 1.1.2 本征半导体中的 自由电子和空穴
《模拟电子技术基础》
三、 PN 结的电流方程
PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为
qu
i IS(ekT 1)
u
i IS(eUT 1)Fra bibliotekIS :反向饱和电流
UT =
kT q
:温度的电压当量
在常温(300 K)下,
UT 26 mV
第1章 常用半导体器件
《模拟电子技术基础》
四、PN结的伏安特性
u
i = f (u )之间的关系曲线。 i IS (eUT 1)
电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容
第1章 常用半导体器件
《模拟电子技术基础》
1. 势垒电容Cb 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。
空间
P
电荷区
N
I
V UR
+
(a) PN 结加反向电压
势垒电容与外加电压的关系
第1章 常用半导体器件
2. 扩散电容 Cd
《模拟电子技术基础》
扩散电容是由多子扩散后,在 PN结的另一侧面积累而形成的。 因PN结正偏时,由N区扩散到P区 的电子,与外电源提供的空穴相 复合,形成正向电流。刚扩散过 来的电子就堆积在P区内紧靠PN 结的附近,形成一定的多子浓度 梯度分布曲线。反之,由P区扩散 到N区的空穴,在N区内也形成类 似的浓度分布曲线,如右图所示。

1.常用半导体器件

1.常用半导体器件
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第五节 场效应晶体管
N沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 MOS管的主要参数及使用注意事项
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场效应晶体管是用输入回路的电场效应来控 制半导体中的多数载流子,使流过半导体内的电 流大小随电场强弱而变化,形成电压控制其导电 的一种半导体器件。与晶体管相比场效应晶体管 更易于集成。
场效应晶体管有两种: 结型场效应晶体管 绝缘栅型场效应晶体管
发光二极管的发光颜色取决于使用的材料。
发光二极管只能工作在正向偏置状态,工 作 时电路中必须串接限流电阻。
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第四节 晶体管
晶体管的基本结构和类型 晶体管的电流分配和放大原理 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管特性和参数的影响
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一、晶体管的基本结构和类型
集电极
集电结
集电区
基极
基区
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例2、已知ui = 6sinωt,UZ =3V,画输出波形。
ui /V
6
ui
VS
3
uo O
ωt
uo
3
O
ωt
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例3、图示电路中,稳压管VS1、VS2的稳压值分
别为UZ1=5V,UZ2=7V,正向压降为0.7V,若
输入电压Ui波形如图所示,试画出输出电压波
形。
Ui
R
12V
Ui R
Uo 6V VS1 VS2 -2V
( NPN: VBC. > VNBP>NVE V C V B V E
PNP: VC<PUNB <PVE)V C V B V E
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例2:有三只晶体管,分别为 锗管β=150, ICBO=2μA; 硅管β=100,ICBO=1μA; 硅管β=40,ICEO=41μA;试从β和温度稳定 性选择一只最佳的管子。 解: β 值大,但ICBO也大,温度稳定性较差; β 值较大,ICBO=1μA,ICEO=101 μA ; β 值较小,ICEO=41μA, ICBO=1μA。 、 ICBO相等,但 的β 较大,故 较好。

第1章 常用半导体器件 91页

第1章 常用半导体器件 91页

P IF 外电场

+N +
内电场
E
R
2024年10月8日星期二
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11
② 外加反向电压(也叫反向偏置)
第1章 常用半导体器件
外加电场与内电场方向相同,增强了内电场,多子扩散难
以进行,少子在电场作用下形成反向电流I,因为是少子漂移 运动产生的,I很小,这时称PN结处于截止状态。
空间电荷区
变宽
P 区 空间电荷区 N 区
5)最高工作频率fm:主要取决于PN结结电容的大小。
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18
1.1.3 稳压管及其它类型二极管
第1章 常用半导体器件
稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管,稳压管 的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于: 电流增量很大,只引起很小的电压变化。
阳极
阴极
(b)
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Vo
Vi
V
o
(b)
解 当Vi=+20V,V1反向击穿稳压VZ1=6.3V,V2 正向导通,VD2=0.7V,则VD=6.3+0.7=7V;
同理Vi=-20V,VO=-7V。
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第1章 常用半导体器件
光电二极管——远红外线接收管,太阳能光电池
反向电流随光照强度的增加而上升。 I U
+++
++ +
P
+++ N
+++
++ + ++ +
内电场
外电场 I
E
R


内电场方向 PN 结及其内电场
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12
1.1.2 半导体二极管

1章 常用半导体器件图

1章 常用半导体器件图

ΔI 0
0
ui
U
ΔU
例4.Dio -
E
5.稳压管的参数及应用
• ⑴.稳压管的(应用电路)工作原理:
IR +
R
Ui
Z
IZ
IL RL

┗┓ D

IR=IZ + IL IR =(Ui –UZ)/R
稳压管的伏安特性和等效电路
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⑴.稳压管稳压电路
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⑵.稳压管的参数
• • • • • ①.稳定电压UZ ②.稳定电流IZ ③.额定功耗PZ ④.稳压管的温度系数 ⑤.动态电阻rZ
(1).PN结内部载流子 的运动:
①.多子的扩散运动: ②.自建电㘯和 耗尽层的形成: 载流子复合
③.少数载流子的 漂移运动:
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2. PN结的单向导电性:
(1). PN结加正向电压时导通
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(2).PN结加反向电压时截止
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3.PN结的伏安特性
• ⑴. PN结的电流方程:
i Is(
qu kT
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图1.5.1 单结晶体管的结构示意图和等效电路
返回
图1.5.2 单结晶体管特性曲线的测试
返回
图1.5.3 单结晶体管组成的振荡电路
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图1.5.4 晶闸管的外形
返回
图1.5.5 晶闸管的结构、等效电路和符号
返回
图1.5.6 晶闸管的工作原理
返回
图1.5.7 晶闸管的伏安特性曲线
返回
返回
图1.6.1 基片与管芯图
返回
图1.6.2 集成电路的剖面图及外形
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图1.6.3 PN结隔离的制造工艺
Pi=Ni
P = Pa + Pi N = Ni (多子)P>n(少子)

第一章常用半导体器件 (2)

第一章常用半导体器件 (2)

Cb
• d
S
式中ε是介质常数,S是PN结的面积,d是PN结的宽度。
❖ 扩散电容Cd
Cd是PN结正向电压变化时, 多数载流子在扩散过程中积累 引起的。反向偏置时,以扩散 电容Cd为主。
PN结正偏时,多数载流子扩 散到对方成为对方区域中的“少 子” (称为“非平衡少子”)这 些少子在正偏电压变化时,也有 堆积与泄放的过程。
+4
+4
+4
电流是电子电流和空穴电流之和,
(而导体只有自由电子导电)。
图 1.1.2 电子-空穴对的产生和空穴的移动
在本征半导体中不断地进行着激发与复合 两种相反的过程, 当温度一定时, 两种状态 达到动态平衡,即本征激发产生的电子-空穴对, 与复合的电子-空穴对数目相等,这种状态称为 动态平衡状态(热平衡)。 半导体中自由 电子和空穴的多少分别用浓度(单位体积中载 流子的数目)ni和pi来表示。处于热平衡状态 下的本征半导体,其载流子的浓度是一定的, 并且自由电子的浓度和空穴的浓度相等。
第一章 常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管
有关半导体的基本概念
• 本征半导体、杂质半导体 • 施主杂质、受主杂质 • N型半导体、P型半导体 • 自由电子、空穴 • 多数载流子、少数载流子
§ 1.1 半导体基础知识
自然界的物质按其导电能力可分为导体、半导 体和绝缘体三类。常用的半导体材料有硅(Si)和 锗(Ge)。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。
1.2.4. 二极管的等效电路
(a)理想二极管
(b)正向导通时端电压为常量 (c)正向导通时端电压与电流成线性关系
图1.2.4由伏安特性折线化得到的等效电路

《电子技术基础》第1章

《电子技术基础》第1章

集电结 集电极c
发射结
Collector
基极b Base 发射极e Emitter NPN型
PNP型
晶体管的分类
材料
用途

硅管
锗管 放大管 开关管 低频管
结构
PNP
NPN
不论是硅管还是锗管 都有NPN型和PNP型
频率
高频管
功率

小功率管 中功率管 大功率管
2.晶体三极管的放大原理
晶体三极管具有放大作用,因此常 用它组成放大电路。放大电路框图如图 1-6所示。在输入端加上一个小信号ui, 在输出端可以得到比较大的信号uo。
图1-6 放大电路框图
三极管的三种连接方法
晶体三极管只有三个电极,用它组成放大电路时,一 个电极作为输入端,一个电极作为输出端,剩下的一个 电极作为输入、输出的公共端,所以用三极管组成放大 器时就有三种接法。如图1-7所示。
图1-7 三极管的三种连接方法
(1)晶体三极管具有放大作用的条件
要使三极管能够放大,必须满足一定的外部条件 : 发射结加一个正向电压,习惯上称为正向偏置。 P端电位大于N端电位。 给集电结加一个反向电压,习惯上称为反向偏置 。 P端电位小于N端电位。
晶体二极管特性曲线
击穿电压 门限电压
图1-4 晶体二极管伏安特性曲线
曲线分析
(1)正向特性
① 只有当正向电压超过某一数值 时,才有明显的正向电流,这个电压 数值称为“门限电压”或“死区电压 ”用UT 表示。对于硅管UT 为0.6~0.8 伏; 对于锗管UT 为0.2~0.3伏。一般情 况下,从曲线近似直线部分作切线, 切线与横坐标的交点即为UT。 ② 随着电压u的增加,电流i按照 指数的规律增加,当电流较大时,电 流随着电压的增加几乎直线上升。 ③ 不论硅管还是锗管,即使工作 在最大允许电流,管子两端的电压降 一般也不会超过1.5伏,这是晶体二极 管的特殊结构所决定的。

第一章半导体器件基础知识

第一章半导体器件基础知识

江西应用技术职业学院
16
本章概述
第一节 第二节 第三节 第四节 第五节
第一章 半导体器件基础知识
2. 最高反向工作电压 UR
工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电
压 UBR 的一半定义为 UR 。


3. 反向电流 IR

通常希望 IR 值愈小愈好。
半 导
4. 最高工作频率 fM
体 二
如果给PN外加反向电压,即P区接电源的负极,N区接电源的
正极,称为PN结反偏,如图所示。
外加电压在PN结上所形成的外电场与PN结内电场的方向相同, 第
增强了内电场的作用,破坏了原有的动态平衡,使PN结变厚,加 强了少数载流子的漂移运动,由于少数载流子的数量很少,所以 只有很小的反向电流,一般情况下可以忽略不计。这时称PN结为
江西应用技术职业学院
22
本章概述
第一节 第二节 第三节 第四节 第五节
第一章 半导体器件基础知识
2.光电二极管 光电二极管又称光敏二极管,是一种将光信号转换为电信号的 特殊二极管(受光器件)。光电二极管的符号如图所示。
受光面
受光面




光电二极管工作在反向偏置下,无光照时,流过光电二极管的电 导

第五节
击穿并不意味管子损坏,若控制击穿电流,电
压降低后,还可恢复正常。
江西应用技术职业学院
15
第一章 半导体器件基础知识
三、温度对二级管特性的影响
本章概述
1.温度升高1℃,硅和锗二极管导通时的正向压降UF将
减小2.5mv左右。
第一节
2.温度每升高10℃,反向电流增加约一倍。

模电第1章 常用半导体器件

模电第1章 常用半导体器件
1、工程性
实际工程需要证明其可行性。
强调定性分析。
实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存
在一定的误差范围的。 电子电路的定量分析称为“估算”。 近似分析要“合理”。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。
电子电路归根结底是电路。
估算不同的参数需采用不同的模型,可用电路的
基本理论分析电子电路。
安徽工程科技学院电工电子技术教研室--模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
+4
+4
+4 自由电子
+4
+5 +4
+4 施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3
N 型半导体
安徽工程科技学院电工电子技术教研室--模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
二、 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如 硼、镓、铟等,即构成 P 型半导体。
安徽工程科技学院电工电子技术教研室--模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件


本课程成绩评定标准
作业
考勤
10 %
10 %
实验报告
考试
10 %
70 %
安徽工程科技学院电工电子技术教研室--模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件


一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、“模拟电子技术基础”课程的特 点 四、如何学习这门课程 五、课程的目的 六、考查方法
安徽工程科技学院电工电子技术教研室--模拟电路多媒体课件
第一章 常用半导体器件
本征半导体掺入 5 价元素后,原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子,其中 4 个与硅构成共价键,多余一个电子只受 自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度,即 n >> p 。 电子称为多数载流子(简称多子), 空穴称为少数载流子(简称少子)。 5 价杂质原子称为施主原子。
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4
学时) 了解) 第十一章 模拟电子电路读图 (2学时) (了解) 学时
参考书目
1.
《模拟电子技术基础》(第四版)清华大学电子学教研组编, 模拟电子技术基础》 第四版)清华大学电子学教研组编, 童诗白、华成英主编,高等教育出版社, 童诗白、华成英主编,高等教育出版社,2001 《模拟电子技术基础》典型例题及习题解答 王正奎编著 聊大 模拟电子技术基础》 《模拟电子技术简明教程》华成英主编,清华大学出版社2006 模拟电子技术简明教程》华成英主编,清华大学出版社 《模拟电子技术简明教程》(第二版)清华大学电子学教研组 模拟电子技术简明教程》 第二版) 杨素行主编,高等教育出版社,1998 编,杨素行主编,高等教育出版社 《模拟电子技术基础》,华中理工大学电子学教研室编,陈大 模拟电子技术基础》 华中理工大学电子学教研室编, 钦主编,高等教育出版社, 钦主编,高等教育出版社,2000 《电子技术基础》(模拟部分)第四版,华中理工大学电子学 电子技术基础》 模拟部分)第四版, 教研室编,康华光主编:高等教育出版社, 教研室编,康华光主编:高等教育出版社,1999 主编, 《模拟电子技术常见题型解析及模拟题》张畴先 主编,西北工 模拟电子技术常见题型解析及模拟题》 业大学出版社
Si
Ge
通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。 通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。 晶体
10
在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵, 在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个原 子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶点, 子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶点, 每个原子与其相临的原子之间形成共价键 共用一对价电子。 共价键, 每个原子与其相临的原子之间形成共价键,共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构: 硅和锗的晶体结构:
5
2. 3. 4.
5.
6.
7.
第0章导言 章导言
《模拟电子技术基础》是电子信息科学与技术专业、通信 模拟电子技术基础》是电子信息科学与技术专业、 工程专业、电子信息工程专业以及物理学专业本、 工程专业、电子信息工程专业以及物理学专业本、专科的一 门重要的专业核心课,具有很强的综合性、技术性和实用性。 门重要的专业核心课,具有很强的综合性、技术性和实用性。 该课程的研究对象是电子元器件及其组成的电路(包括分立、 该课程的研究对象是电子元器件及其组成的电路(包括分立、 放大电路、 集成电路)。主要研究常用半导体器件、基本放大电路 )。主要研究常用半导体器件 集成电路)。主要研究常用半导体器件、基本放大电路、多 放大电路、集成运算放大电路 放大电路的频率响应 放大电路、 的频率响应、 级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放 大电路中的反馈 信号的运算和处理、 中的反馈、 大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的 变换、功率放大电路 直流电源和模拟电子电路读图等内容。 放大电路、 变换、功率放大电路、直流电源和模拟电子电路读图等内容。 模拟电路已经广泛地应用于国防和国民经济的各个领域并极 大地促进了相关领域的迅速发展, 大地促进了相关领域的迅速发展,特别是模拟电路中的新器 新技术、新方法的广泛应用, 件、新技术、新方法的广泛应用,使得电子测量和探索自然 规律的实验方法进入了一个新阶段,因此《 规律的实验方法进入了一个新阶段,因此《模拟电子技术基 具有重要的地位和作用。 础》具有重要的地位和作用。 6
模拟电子技术基础
龙岩学院 物理与机电工程学院 张卫平
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模拟电子技术基础》与其他课程的联系: 《模拟电子技术基础》与其他课程的联系:
本课程的先修课程是普通物理、电路分析基础等。 本课程的先修课程是普通物理、电路分析基础等。 原子物理部分中的核外电子运动的规律、原子的能级、 原子物理部分中的核外电子运动的规律、原子的能级、 壳层结构、能带理论由普通物理讲授, 壳层结构、能带理论由普通物理讲授,本课程在此基础上进 一步研究半导体器件的原理和性能。 一步研究半导体器件的原理和性能。 电压源、电流源、受控源等概念,基尔霍夫定律、叠加 电压源、电流源、受控源等概念,基尔霍夫定律、 定理,戴维南定理和诺顿定理,以及 电路时间常数等概念 定理,戴维南定理和诺顿定理,以及RC电路时间常数等概念 由电路分析基础(电工学)讲授, 由电路分析基础(电工学)讲授,本课程应用上述内容分析 讨论具体的电子电路等内容。 讨论具体的电子电路等内容。 同步课程:数字电子技术(数字电路与逻辑设计) 同步课程:数字电子技术(数字电路与逻辑设计) 后续课程:微机原理、高频电路等。 后续课程:微机原理、高频电路等。
0.1.1信号 信号 0.1电信号 电信号 0.1.2模拟信号与数字信号 模拟信号与数字信号 0.2电子信号系统 电子信号系统 0.2.1电子系统的组成 电子系统的组成 0.2.2电子系统中的模拟电路 电子系统中的模拟电路 0.2.3电子信息系统的组成原则 电子信息系统的组成原则 0.3模拟电子技术基础课程 模拟电子技术基础课程
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§1.1 半导体的基本知识
导体、 导体、半导体和绝缘体
导体:容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体。 导体:容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体。 绝缘体:几乎不导电的物质称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、 绝缘体:几乎不导电的物质称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑 料和石英等。 料和石英等。 半导体:导电特性介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体, 半导体:导电特性介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体, 如锗、 砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质, 半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于 其它物质的特点。例如: 其它物质的特点。例如: 当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。 当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质, 往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力明显 改变。例如:室温下,在纯硅中参入百万分之一的硼, 改变。例如:室温下,在纯硅中参入百万分之一的硼,可以使 硅的导电能力提高50万倍。 50万倍 硅的导电能力提高50万倍。 9
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硅和锗的共价键结构
形成共价键后, 形成共价键后,每个原子的 最外层电子是八个, 最外层电子是八个,构成稳 定结构。 定结构。 共价键有很强的结合力, 共价键有很强的结合力,使 原子规则排列,形成晶体。 原子规则排列,形成晶体。 共价键中的两个电子被紧紧 束缚在共价键中,称为束缚 束缚在共价键中,称为束缚 电子, 电子,常温下束缚电子很难 脱离共价键成为自由电子 自由电子, 脱离共价键成为自由电子, 因此本征半导体中的自由电 子很少, 子很少,所以本征半导体的 导电能力很弱。 导电能力很弱。
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+4
+4
+4
+4
共价键 共用电子对
+4表示除去 +4表示除去 价电子后的 正离子
二、本征半导体的导电机理 1.载流子、 1.载流子、自由电子和空穴 空穴 载流子
在绝对0度 在绝对 度(T=0K)和没 ) 有外界激发时, 有外界激发时,价电子完全被 共价键束缚着, 共价键束缚着,本征半导体中 没有可以运动的带电粒子( 没有可以运动的带电粒子(即 载流子), ),它的导电能力为 , 载流子),它的导电能力为 0, 相当于绝缘体。 相当于绝缘体。 在常温下,由于热激发, 在常温下,由于热激发, 使一些价电子获得足够的能量 而脱离共价键的束缚,成为自 而脱离共价键的束缚,成为自 由电子, 由电子,同时共价键上留下一 空穴。 个空位,称为空穴 个空位,称为空穴。
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第一章 常用半导体器件
§ 1.1 半导体的基础知识 § 1.2 半导体二极管 § 1.3 双极型晶体管 § 1.4 场效应管 单结晶体管和晶闸管( § 1.5单结晶体管和晶闸管(了解) 单结晶体管和晶闸管 了解) 集成电路中的元件( § 1.6集成电路中的元件(了解) 集成电路中的元件 了解) 重点掌握:基本概念, 重点掌握:基本概念,晶体二极管的伏安特性 及主要参数、晶体三极管和场效应管输入、 及主要参数、晶体三极管和场效应管输入、输 出特性及主要参数。 出特性及主要参数。 不要将注意力过多放在管子内部, 不要将注意力过多放在管子内部,而以理解外 特性为主。 特性为主。
1.1.1 本征半导体
一、本征半导体的结构特点
本征半导体: 本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体 现代电子学中,用的最多的半导体是硅 和锗(32), 现代电子学中,用的最多的半导体是硅(14)和锗 和锗 , 它们的最外层电子(价电子)都是四个。 它们的最外层电子(价电子)都是四个。
பைடு நூலகம்
+4
+4
+4
+4
在电场力的作用下, 在电场力的作用下,自由电 子作定向移动, 子作定向移动,空穴也会吸 引附近的价电子来依次填补, 引附近的价电子来依次填补 结果相当于空穴也作定向移 动,而空穴的移动相当于正 电荷的移动, 电荷的移动,因此也可以认 为空穴是载流子 载流子。 为空穴是载流子。
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课程教学目标: 课程教学目标:
1、掌握模拟电路中的基本概念,电子元器件的功能和使用。 、掌握模拟电路中的基本概念,电子元器件的功能和使用。 2、掌握组成模拟电路的各种单元电路(放大、振荡等)的工作 、掌握组成模拟电路的各种单元电路(放大、振荡等) 原理、性能和特点。 原理、性能和特点。 3、掌握模拟电路的基本原理、基本分析方法和计算方法,例如 、掌握模拟电路的基本原理、基本分析方法和计算方法, 放大电路、反馈电路等基本分析方法, 放大电路、反馈电路等基本分析方法,使学生具有一定的电 路分析、计算的能力。 路分析、计算的能力。 4、在实验技能方面,能比较熟练地掌握模拟电子电路常用测试 、在实验技能方面, 仪器的使用方法与基本测试技术, 仪器的使用方法与基本测试技术,对电子线路的基本单元电 路具有初步设计、安装和调试的能力。 路具有初步设计、安装和调试的能力。 5、适当引入近些年来电子技术的新器件、新技术、新方法,以 、适当引入近些年来电子技术的新器件、新技术、新方法, 利于学生了解电子技术的新发展,扩展知识面,开阔视野。 利于学生了解电子技术的新发展,扩展知识面,开阔视野。
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