01常用半导体器件练习题
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第1章常用半导体器件
一.选择题
1、半导体导电的载流子是____C____,金属导电的载流子是_____A__。
A.电子B.空穴C.电子和空穴D.原子核
2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。
A. P
B. N
C. PN
D. 电子导电
3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。
A. P
B. N
C. PN
D. 空穴导电
4、N型半导体多数载流子是B,少数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是
A ,少数载流子是
B 。
A.空穴B.电子C.原子核D.中子
5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ,少数载流子浓度取于 B 。
A.反向电压的大小B.环境温度C.制作时间D.掺入杂质的浓度
6、PN结正向导通时,需外加一定的电压U,此时,电压U的正端应接PN结的 A ,
负端应接PN结 B 。
A.P区B.N区
7、二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。(当温度一定时,少子浓度一定,反向电流几乎不
随外加电压而变化,故称为反向饱和电流。)
A.反向电压的大小B.环境温度C.制作时间D.掺入杂质的浓度
8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。
A.V D-I D B.V D-r D C.I D-r D D.f-I D
9、用万用表测量二极管的极性,将红、黑表笔分别接二极管的两个电极,若测得的电阻很
小(几千欧以下),则黑表笔所接电极为二极管的 C 。
A.正极B.负极C.无法确定
10、下列器件中, B 不属于特殊二极管。
A.稳压管B.整流管C.发光管D.光电管
11、稳压二极管稳压,利用的是稳压二极管的 C 。
A.正向特性B.反向特性C.反向击穿特性
12、稳压管的稳定电压V Z是指其 D 。
A .反向偏置电压
B .正向导通电压
C .死区电压
D .反向击穿电压
13、光电二极管有光线照射时,反向电阻 A 。(反压下,光照产生光电流)
A .减少
B .增大
C .基本不变
D .无法确定
14、三极管的主要特征是具有____C____作用。
A .电压放大
B .单向导电
C .电流放大
D .电流与电压放大
15、三极管处于放大状态时____A____。
A.发射结正偏,集电结反偏
B.发射结正偏,集电结正偏
C.发射结反偏,集电结反偏
D.发射结反偏,集电结正偏
16、NPN 三极管工作在放大状态时,其两个结的偏置为 A 。
A .U BE >0、 U BE
B . U BE <0、 U BE
C .U BE >0、 U BE >U CE
D . U B
E <0、 U CE >0
17、.对于PNP 型三极管,为实现电流放大,各极电位必须满足___B____。
A .U C >U
B >U E B .U
C U C >U E
D .U B
18、对于NPN 型三极管,为实现电流放大,各极电位必须满足____A____。
A .U C >U
B >U E B .U
C U C >U E
D .U B
19、输入特性曲线反映三极管___D_____关系的特性曲线。
A .u CE 与i
B B .u CE 与i
C C .u BE 与i C
D .u B
E 与i B
20、输出特性曲线反映三极管____B____关系的特性曲线。
A.u CE 与i B
B.u CE 与i C
C.u BE 与i C
D.u BE 与i B
21、场效应管三个电极中,用D 表示的电极称为_____D______,用S 表示的电极称为____B____,用G 表示的电极称为_____A__。
A .栅极
B .源极
C .基极
D .漏极
22、场效应管的转移特性曲线反映的是______D_____之间的关系。
A .
DS v 与D i B .BE v 与B i C .CE v 与C i D .GS v 与D i
23、场效应管的输出特性曲线反映的是_______B____之间的关系。
A .GS v 与D i
B 。DS v 与D i
C .DS v 与C i
D 。C
E v 与C i
24、图3.4(a )、(b )分别代表___D_______绝缘栅场效应管。
A .P 沟道增强型与N 沟道耗尽型
B .N 沟道增强型与N 沟道耗尽型
C .N 沟道耗尽型与P 沟道增强型
D .P 沟道耗尽型与N 沟道增强型
25、场效应管的低频跨导表征_____C_____的控制作用。
A .
ds v 对d i B 。gs v 对ds v C .gs v 对d i D 。g i 对ds
v 二. 填空题
1. 半导体具有 热敏特 性、 光敏特 性和 掺杂特 性。
2. 温度___升高_____将使半导体的导电能力大大增加。
3. 半导体材料中有两种载流子,即 自由电子 和 空穴 。
4. 杂质半导体按导电类型分为 P 型半导体 和 N 型半导体 。
5. N 型半导体多子是 自由电子 ;P 型半导体多子是 空穴 。
6. PN 结的基本特点是具有 单向导电 性,PN 结正向偏置时 导通 ,反向
偏置时 截止 。
7. 二极管的伏安特性有: 正向 、 反向 和 反向击穿 特
性。
8. 二极管的反向电流随外界温度的升高而 升高 ;反向电流越小,说明二极管的单向
导电性 越好 。一般硅二极管的反向电流比锗管 小 很多。
9. 二极管处于反偏时,呈现电阻__无限大______。
10. 二极管反向饱和电流I S 会随___温度_____升高而增大。
11. 二极管的最高反向工作电压U RM 的含义是 二级管工作时允许外加的最大反向电
压 。
12. 稳压二极管通常是工作在 反向击穿 状态下的特殊二极管,发光二极管的
PN 结工作在 正向 偏置状态时会发光。
13. 光电二极管又称 红远外线接收 二极管,其PN 结工作在 反向偏置 状态,它
的反向电流会随光照强度的增加而 增加 。