第四章第三节半导体二极管和稳压管
【精品】稳压管的介绍
稳压管稳压二极管（又叫齐纳二极管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。
此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
其伏安特性见图1，稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
主要参数稳压管的主要参数：稳定电压Vz稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值.这个数值随工作电流和温度的不同略有改稳压管变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。
耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时,要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。
根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。
通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。
最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件.反向工作时,PN结的功率损耗为:PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax.稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。
动态电阻rZ其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
rz=△VZ/△IZ稳定电压温度系数温度的变化将使VZ改变,在稳压管中，当|VZ｜＞7V时,VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
当｜VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数,反向击穿是齐纳击穿。
当4V＜｜VZ｜＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数.这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用稳压管。
半导体二极管及其应用课件
最大反向电压(VR)
可以承受的最大反向电压。
二极管广泛应用于整流、电源、通信、显示器等各种电子设备中。
最大正向电流(IF)
可以承受的最大正向电流。
二极管的温度特性
二极管的电特性与温度密切相关，温度越高，正向电压降越大，反向电流越 大。
二极管的选择和使用
1
温度环境
2
根据工作环境的温度要求选择适合的二
二极管的电视和视频应用
二极管整流器
用于电视和视频中的电力供应。
隧道二极管
用于高频接收器中的信号放大。
雪崩二极管
用于电视和视频设备的保护。
二极管的高频应用
变频器
将信号频率从一个范围转换到 另一个范围。
混频器
将不同频率的信号混合在一起。
调谐器
调节电路的频率。
反向击穿
当电压达到一定值时，电流快 速增加。
二极管的特殊性质
稳压二极管
可以保持稳定的电压输出，被广 泛应用于电源和稳压电路。
发光二极管(LED)
当电流通过时，可以发出光，被 广泛应用于指示和照明。
光电二极管
通过光信号产生电流，用于光电 转换和光传感器。
二极管的参数及应用
正向电压降(VF)
工作时的电压降。
二极管的工作原理及基本特性
1
正向偏置
电流能够顺利通过。
2
反向偏置
电流被阻止，形成高电阻。
3
导通电压
正向偏置时需要达到的最小电压。
PN结的电容特性
PN结具有电容特性，具有推迟响应的特性。这在实际应用中需要考虑，特别是在高频电路中。
PN结的整流特性
正向整流
允许电流通过，电压降低。
反向截止
电路课件第4章半导体二极管、三极管和场效应管
Part
04
场效应管
场效应管的结构与工作原理
结构
场效应管主要由源极、栅极和漏极三个电极组成，其中源极和漏极通常由N型或P型半导 体材料制成，而栅极则由绝缘材料制成。
工作原理
场效应管通过在栅极上施加电压来控制源极和漏极之间的电流，从而实现放大或开关功 能。
场效应管的类型与特性
类型
场效应管有多种类型，如NMOS、PMOS、CMOS等，每种类型具有不同的特性 和应用场景。
三极管的类型与特性
类型
根据材料和结构，三极管可分为 NPN、PNP和硅平面管等类型。
温度特性
三极管的工作受温度影响较大， 温度升高会导致三极管的性能下 降。
特性
不同类型三极管具有不同的特性， 如电流放大倍数、频率响应、功 耗等。
参数
三极管的主要参数包括电流放大 倍数、频率响应、功耗等，这些 参数决定了三极管的应用范围。
特性
场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大等特性，使其在模拟电路和数字 电路中都有广泛的应用。
场效应管的应用
01
02
03
放大器
场效应管可作为放大器使 用，用于放大微弱信号。
开关电路
由于场效应管具有开关特 性，因此可用于开关电路 中实现高速切换。
集成电路
在现代集成电路中，场效 应管已成为主要的元件之 一，用于实现各种逻辑功 能和信号处理。
二极管的类型与特性
类型
硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、PIN二极管等。
特性
正向导通压降、反向击穿电压、温度系数等。
二极管的应用
整流
将交流电转换为直流电，如家用 电器中的电源整流器。
稳压
通过串联或并联方式稳定电路中 的电压，如稳压二极管。
如何区分二极管和稳压管
如何区分二极管和稳压管方法一半导体稳压二极管亦纳二极管（Zener Diode）或电压调整二极，简称稳压管。
稳压管和半导体二极管都具有单向导电性质，仅仅靠观察外形，有时很难加以区别。
例如，2CW7的外形很象小功率二极管，而2DW7的外形又与晶体管相似。
但是稳压管和二极管也有重要区别。
第一，二极管一般在正向电压下人作，稳压管则在反向击穿状态下工作，二者用法不同；第二，普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上，高的可达几百伏至上千伏，而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡，即反向击穿电压的范围较大，动态电阻也比较大。
对于稳压管，当反向电压超过其工作电压Vz（亦称齐纳电压或稳定电压）时，反向电流将突然增大，而器件两端的电压基本保持恒定。
对应的反向伏安特性曲线非常陡，动态电阻很小。
稳压管可用作稳压器、电压基准、过压保护、电平转换器等。
本书用Dz符号表示稳压管。
稳压管分低压、高压两种。
低压稳压管的Vz值一般在40V以下，高压稳压管最高可达200V。
过去国产稳压管均采用金属壳封装，不仅体积大，而且价格高。
近年来来全系列玻封存稳压管大量问世，其优点是规格齐全（Vz=2.4～200V）、稳压特性好、体积小巧（采用DO-35封装，管径φ2.0mm，长4mm）、价格低廉。
国产稳压二极管产品的分类见表1。
根据二者反向击穿电压在数值上的差异及稳定性，可以区分标记不清楚的稳压管和普通二极管，电路见图1。
利用兆欧表提供合适的反向击穿电压，将被测管反向击穿。
选择万用表的10VDC档或50VDV档测出反向击穿电压值，数值在40V以上的是二极管，低于40V 的稳压管。
注意，这也有例外情况。
例如2AP21的反向击穿电压低于15V，2AP8的反向击穿电压最小值为20V。
此外，2DW130～2DW143型稳压管的Vz值为50～200V，2CW362～2CW378的Vz值是43～200V（以上均为标称值）。
遇到这类情况也不难区分。
同样都按额定转速摇兆欧表，由于二极管反向击穿区域的动态电阻较大，曲线不陡，因此电压表指针的摆动幅度就比较大。
电路课件第4章 半导体二极管、三极管和场效应管
在 室 温 下 就可以激发 成自由电子
+4
+4
+4
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4.1 PN结
2）多子与少子
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
电子空穴对
自由电子
多数载流子——自由电子， 主要由掺杂产生。
N型半导体 + + + + + + + + + + +
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4.1 PN结
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体。 1、N型半导体 1） 构成
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N 型半导体。
+4 +4 +4
+4
+4
+4
掺入五价 原子占据Si 原子位置
空穴
+4
硼原子
+3
+4
－ －
+4
+4
+4
－
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子
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4.1 PN结
杂质半导体的示意图
多子—空穴
长 沙 理 工 大 学 计 算 机 通 信 工 程 学 院 制 作
多子—电子
P型半导体 － － － 少子—电子
N型半导体
－ － －
i IS (e
u 为PN结两端的电压降 IS 为反向饱和电流
第04章 半导体分立器件
串联限幅器的输出电压波形是输入电压波形中高于 稳压二极管击穿电压的部分，它可以用来抑制干扰 脉冲，提高电路的抗干扰能力。 并联限幅器的输出电压波形是输入电压波形中低于 稳压二极管击穿电压的部分，它可以用来整形和稳 定输出波形的幅值，还可以将输入的正弦波电压整 形为方波电压。
（3）稳压二极管的主要参数
a．稳定电压UZ
– 稳定电压UZ是指稳压二极管反向击穿后的稳定工 作电压值。
b．稳定电流IZ
– 稳定电流IZ是指工作电压等于稳定电压时的工作 电流。
（4）稳压二极管的应用
a．基准电压源
U0 R
UL
C
DZ
RL
– 所示，为利用稳压二极管提供基准电压源的电路。 交流电压经过变压器降压，桥式整流电路整流和电 容器滤波后，得到直流电压U0，再经过电阻R和稳 压管DZ组成的稳压电路接到负载上，便可得到一个 比较稳定的电压。
的电场与阻挡层原来的电场方向相同，使得阻挡层内总的电
场增强，阻挡层变宽。外加反向电压破坏了原来阻挡层内扩 散和漂移的平衡，使电场的漂移作用占了优势。因而，P区 和N区中的多数载流子的扩散运动被阻止。由于本征激发， P区中的少数载流子电子一旦运动到PN结的边界处，在电场
的作用下被拉到N区，形成电子电流。同样，N区的少数载
第4章 半导体分立器件
4.1 概 述 半导体分立器件种类繁多，通常可分为半导体 二极管、晶体三极管、功率整流器件和场效应 晶体管等。
半导体二极管又可分为普通二极管和特殊二极 管两种。普通二极管包括整流二极管、稳压二 极管、恒流二极管、开关二极管等。特殊二极 管包括肖特基势垒管（SBD）、隧道二极管 （TD）、位置显示管（PIN）、变容二极管、 雪崩二极管等。
第四部分：用多位数字表示器件在日本电子工业协 会（JEIA）的注册登记号，它不反映器件的任何特 征，但登记号数越大，表示越是近期产品。 第五部分：用字母A、B、C、D等表示这一器件是 原型号产品的改进产品。
电路与电子学第四章
二极管例题
5K
1V
D1
Ua
D1截止， D2导通， Ua= -5V
求电路中的UO:
D3导通，UO=6V D2导通，UO= -6V, D3截止。 D1截止，UO= 6V
D2
D1 UO
D1截止， D2导通， D3截止， UO= - 6V
复习
+ ui (a) u01 t D R + u01 +
如图已知输入电压 ui=30sinωt ,
二极管的应用 t
输入电压小于5V:
+ ui D 5V
输入电压大于5V: + D 5V +
t
小于5V后
ui
-
u02
-
演示二极管2
●二极管整流电路 整流
半波整流电路
利用二极管的单向导电性，将双向变化的交流电转换为 单向脉动的直流电。 ui ①半波整流电路 D t + + ui RL u0 -
-
u0
t 脉动直流电
ui<0：上负下正，D2D4导通D1D3截止 。
0
π
2π
3π
全波整流电路输出电压平均值：
单向桥式整流电路
U0
1
o
( U m sin t )d ( t )
2 2
U 0.9U
i i t π 2π 3π
U U 负载中通过电流的平均值：I 0 0 0.9 RL RL
截止时二极管所承受的最大反向电压为峰值Um。 承担全波整流电路中二极管的参数为： 最大整流电流： I I 0.45 U F D + ui -
零偏，不通，ID=0 反偏，不通，ID=0
半导体二极管及其应用课件
电子设备中的保护二极管
总结词
电子设备中的保护二极管主要用于防止设备过电压或过电流损坏，提高设备的安全性和 稳定性。
详细描述
在许多电子设备中，为了防止过电压或过电流对设备造成损坏，通常会使用保护二极管 。当设备受到过电压或过电流的冲击时，保护二极管会快速导通，将过大的电流引入地 线，从而保护设备不受损坏。同时，保护二极管也有助于提高设备的安全性和稳定性，
02
半导体二极管的基本特 性
伏安特性
正向伏安特性
当二极管两端加上正向电压时，随着电压的增加，电流逐渐增大。当电压达到阈 值时，电流急剧增加。
反向伏安特性
当二极管两端加上反向电压时，随着电压的增加，电流逐渐减小，最终趋近于零 。
频率特性
低频和高频下的正向压降
在低频和高频下，二极管的正向压降会有所不同。在低频下 ，正向压降较小；在高频下，正向压降较大。
反向击穿电压与频率的关系
在一定频率范围内，随着频率的增加，反向击穿电压会降低 。
温度特性
正向压降的温度系数
随着温度的升高，二极管的正向压降会减小。温度系数是描述正向压降随温度变化的参数。
反向击穿电压的温度系数
随着温度的升高，二极管的反向击穿电压会降低。温度系数是描述反向击穿电压随温度变化的参数。
可靠性
一半。
全波整流电路
利用两个二极管将交流 电转换为直流电，输出 电压与原交流电压相等
。
桥式整流电路
利用四个二极管将交流 电转换为直流电，输出
电压平稳，效率高。
检波电路
01
02
03
04
检波电路
利用半导体二极管的单向导电 性，将调幅信号中的调制信号
提取出导通和截止，将 调幅信号的包络线提取出来。
半导体二极管及其应用课件
*
P型半导体
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
N型半导体
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
扩散运动
内电场E
漂移运动
扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。
内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。
RL
ui
uo
ui
uo
t
t
二极管的应用举例 二极管半波整流
§2.4 稳压二极管
U
I
IZ
IZmax
UZ
IZ
稳压误差
曲线越陡，电压越稳定。
+
-
UZ
动态电阻：
rz越小，稳压性能越好
*
（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。
（5）最大允许功耗
稳压二极管的参数:
（1）稳定电压 UZ
*
扩散电容示意图
当外加正向电压 不同时，扩散电流即 外电路电流的大小也 就不同。所以PN结两 侧堆积的多子的浓度 梯度分布也不同，这 就相当电容的充放电 过程。
14-半导体二极管稳压管-PPT文档资料
4.2.4二极管电路 分析举例
定性分析：判断二极管的工作状态
导通 截止
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截 止时二极管相当于断开。 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗 0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。
– B
若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 考虑管压降， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V
在这里，二极管起钳位作用。
[例 4.3] 电路如图，求：UAB 【解】 分析；两个二极管的阴极接在 一起，取 B 点作参考点，断开二极管， 分析二极管阳极和阴极的电位。 U1阳 =－6 V，U2阳=0 V U1阴 = U2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V
VB
DA
DB R –15V
Y
在这里，DA 起钳位作用，将输出端电位钳制在 + 2.3 V。
[例 4.2] 电路如图，求：UAB 【解】 分析；取 B 点作参考点，断 开二极管，分析二极管阳极和阴极的 6V 电位。 U阳 =－6 V U阴 =－12 V U阳>U阴 二极管导通
×
3k
12V
D
+
A
UAB
12 mA 流过 D2 的电流为 ID2 4 3
D2
×
×
D1 3k 12V + UAB A
6V
– B
D1承受反向电压为－6 V
半导体二极管,发光二极管,稳压二极管的异同
半导体二极管、发光二极管和稳压二极管：特性异同点晓谕半导体二极管、发光二极管和稳压二极管都是由半导体材料制成的电子元器件，具有共性，也具有各自的特性。
本文从三方面对它们进行比较，希望对读者有所帮助。
1. 工作原理半导体二极管是一种具有单向导电特性的二极管，正电压下通电，反电压下不导电。
当二极管上加正向电压，P型材料被注入大量的自由载流子，N型材料被抽取大量自由载流子，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散，两者在P区和N区的结合区域重新结合，放出多余的能量，使得结合区域内电子浓度和空穴浓度明显增加，导致二极管具有单向导电的特性。
发光二极管是一种特殊的二极管，通过在P区和N区之间引入夹杂的少量杂质（如镓、氮等），形成一个带隙结构，使杂质电子激发到导带中形成自由电子，结合区域是可以辐射出特定颜色的光。
它是一种集发光和导电于一体的器件，可以广泛应用于数字显示、光通信、路灯等领域。
稳压二极管也是一种二极管，主要用于电压稳定器中，是一种依靠Zener效应来维持电压稳定的二极管。
当稳压二极管正向电压（即输入电压）小于谷值电压时，稳压二极管表现为半导体二极管的特性，不导电。
当正向电压大于谷值电压时，稳压二极管进入谷值电流区域，稳压二极管上提供了恒定的电压（即稳压电压），进而起到维持电压稳定的作用。
2. 特点半导体二极管具有单向导电特性，在电路中主要用作整流、开关等。
由于不需要加热就能工作，因此被广泛应用于各种电子设备中。
发光二极管主要特点是具有发光效应，可以吸收电子的能量而发出光。
稳压二极管主要特点是它可以抵御电源电压的变化，在输入电压波动时起到维持稳定电压的作用。
3. 应用半导体二极管广泛应用于电路中的整流、开关、逆变等领域。
发光二极管被广泛应用于指示灯、显示屏、光通信、人工光源等领域。
稳压二极管则广泛应用于稳压器、电源为以及仪器仪表中的输出稳定电压的调节和涟漪的滤波。
其在各自的应用领域都具有不可替代的作用。
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1、在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用______挡，这是因为______。
A．R×100／防止过压反响击穿二极管
B．R×100／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
C．R×1／防止过压反响击穿二极管
D．R×1／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
2、如图电路，R=1 kΩ，设二极管导通时的管压降为0.5 V，则电压表的读数是______。
A．0.5 V
B．15 V
C．3 V
D．5 V
u为正弦波，幅值为1 V，二极管导通时的正向电压降为0.6 3、如图，设输入信号i
V，关于输出信号0u波形的说法，正确的是______。
A．输出电压值范围介于-0.6、+0.6之间
B．输出电压值范围介于0、+0.6之间
C．输出电压值范围介于-0.6、0之间
D．输出电压值范围介于0、1之间
u为正弦波，幅值为10 V，E=5 V。
忽略二极管导通时的4、如图，设输入信号i
正向电压降，关于输出信号0u波形的说法，正确的是______。
A．输出电压值范围介于-10 V、+5 V之间
B．输出电压值范围介于+5 V、+10 V之间
C．输出电压值范围介于-15 V、+5 V之间
D．输出电压值范围介于-10 V、-5 V之间
5、如图电路中，V C=-12 V，V A=+3 V，V B=0 V。
设二极管正向管压降为0.5 V，则V F=______ V。
A．+2.5 V
B．+3.5 V
C．+0.5 V
D．-0.5 V
6、关于二极管的功能，下列说法错误的是______。
A．整流功能
B．滤波功能
C．钳位功能
D．小范围稳压功能
7、图中二极管的管压降均为0.7 V，可求得U0=______。
A．9 V
B．0 V
C．1.4 V
D．2.1 V
8、对于晶体二极管来说，以下说法错误的是______。
A．正向电阻很小
B．无论加多大的反向电压，都不会导通
C．未被反向击穿前，反向电阻很大
D．所加正向电压大于死区电压时，二极管才算真正导通
9、二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为______。
A．死区电压
B．击穿电压
C．截止电压
D．峰值电压
10、在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是______。
A．0.1／0.5
B．0.2／0.5
C．0.5／0.7
D．0.5／1.0
11、如图电路，R=10 kΩ，忽略二极管导通时的管压降，则电流表的读数是______。
A．0 mA
B．1.5 mA
C．0.3 mA
D．15 mA
12、用动圈式模拟万用表欧姆挡检测二极管的极性，红黑表笔分别接二极管的两个极，测其电阻，再调换表笔再测一次电阻，电阻______的那一次，黑表笔接的是______极。
A．大／阴
B．小／阴
C．小／阳
D．大／阴或小／阳
13、稳压管正常工作时，一般情况下是工作在______状态。
A．反向击穿
B．放大
C．正向击穿
D．截止
14、在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时，若红黑表笔分别接二极管的两个极测其电阻，调换表笔后再测一次电阻。
若二次所测电阻值都比较小或都很大，说明二极管性能______。
A．正常／正常
B．不正常／正常
C．正常／不正常
D．不正常／不正常
15、用万用表测试二极管性能时，如果正反向电阻相差很大，则说明该二极管性能______，如果正反向电阻相差不大，则说明该二极管______。
A．好／好
B．好／不好
C．不好／不好
D．不好／好
16、如图，设输入信号u i为正弦波，幅值为10 V。
D Z为双向限幅的稳压管，U Z=5 V。
关于输出信号u0波形的说法，最为恰当的是______。
A．输出电压值范围介于-10 V、+5 V之间
B．输出电压值范围介于+5 V、+10 V之间
C．输出电压值范围介于-10 V、+10 V之间
D．输出电压值范围介于-5 V、+5 V之间
17、如图，设输入信号u i为正弦波，幅值为10 V。
D Z为稳压管，其U Z=5 V。
若忽略二极管及稳压管的正向导通压降，关于输出信号u0波形的说法，最为恰当的是______。
A．输出电压值介于0 V、+5 V之间
B．输出电压值介于-10 V、+5 V之间
C．输出电压值介于-10 V、+10 V之间
D．输出电压值介于-5 V、+5 V之间
18、某电工师傅在一整流滤波电路后，欲加稳压环节使电压稳定在6 V。
但手头仅有U Z=5.8 V的稳压管和正向导通电压为0.2 V的二极管。
关于该环节的正确电路是______。
（R为稳压管限流电阻）
19、稳压管的稳压功能通常是利用下列______特性实现的。
A．具有结电容，而电容具有平滑波形的作用
B．PN结的单向导电性
C．PN结的反向击穿特性
D．PN结的正向导通特性
20、一电路如图所示，设稳压管的稳压值U Z = 6 V，当U12由零变化到12 V时，测出U32的变化特性是______。
21、一电路如图所示，设稳压管的稳压值U Z = 6 V，当U12由零变化到12 V时，测出U32的变化特性是______。
22、图中稳压管的稳压值为6 V，正向压降为0.7 V，可求得U0=______。
A．6 V
B．0.7 V
C．6.7 V
D．5.3 V
23、图中稳压管的稳压值为5 V，二极管正向导通管压降为0.7 V。
可求得U0=______。
A．20 V
B．5.7 V
C．1.4 V
D．10 V
24、在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是______。
A．0.1～0.2／0.3
B．0.2～0.3／0.7
C．0.3～0.5／0.7
D．0.5／0.7
1-10：BAACA BCBAC 11-20:CDADB DACCC 21-24:DBBA。