Multisim里的NPN三极管参数资料大全
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词:"MHz"
晶体管型号:2N1711(S)
生产厂家:德国AEG公司,DIT,德国椤茨标准电器公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:75V
最大电流允许值:0.5A
最大耗散率:0.8W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>70MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC140,BC141,BC300,BC301,2N1990,
晶体管型号:2N2102(A.L.S)
生产厂家:美国国民半导体公司,美国无线电公司,SEM,美国得克萨斯仪表公司,德国凡尔
伏公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)
封装形式:直插封装
极限工作电压:120V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:1W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>120MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BC300,BSS42,BSS43,BSV84,BSW67,BSX47,2N2243,2N2405,2N3019,2N3020,3DK 03E,
晶体管型号:2N2218(A)
生产厂家:SEM,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司,德
国凡尔伏公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.8A
最大耗散率:0.8W
放大倍数:β>40
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BC141,BC301,BFX96A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX60,BSX61, 2N3444,3DK3 D,
晶体管型号:2N2219
生产厂家:德国AEG公司,DIT,美国、法国费兰第有限公司,美国通用电器公司,德国椤茨标
准电器公司,美国摩托罗拉半导体公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.8A
最大耗散率:0.8W
放大倍数:β300
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:BC140,BC302,BFX97,BSW52,BSX45,3DK3D,
晶体管型号:2N2219(A)
生产厂家:SEM,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司,德
国凡尔伏公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.8A
最大耗散率:0.8W
放大倍数:β>100
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BC141,BC301,BFX97A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX60,BSX61, 2N3444,3DK3 D,
晶体管型号:2221
生产厂家:未知生产厂家
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.8A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β=40-120
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:2N2221,
晶体管型号:2N2222
生产厂家:德国AEG公司,DIT,美国、法国费兰第有限公司,美国通用电器公司,德国椤茨标
准电器公司,美国摩托罗拉半导体公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.8A
最大耗散率:0.5W
放大倍数:β=300
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:BC546,BC639,BFX95,BSW62,BSW85,3DK3D,3DG2222,
晶体管型号:2N2222A
生产厂家:SEM,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司,德
国凡尔伏公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.8A
最大耗散率:0.5W
放大倍数:β>100
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BC546,BC637,BFX95A,BSS40,BSS41,BSW61,BSW62,BSW63,BSW64,BSW85,2N4014 ,3DK3D,
晶体管型号:2N2369(A)
生产厂家:DIT,德国椤茨标准电器公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国晶体管有限公司,
德国凡尔伏公司
制作材料:Si-NPN
性质:高速开关(SS)
封装形式:直插封装
极限工作电压:40V
最大电流允许值:0.2A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>40
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,B SY62,BSY63,2N 3227,2N3261,
2SC2901,3DG84B,
晶体管型号:2N2712
生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:18V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.12W
放大倍数:β>75
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG120 C,
晶体管型号:2N1714
生产厂家:SEM,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:90V
最大电流允许值:0.75A
最大耗散率:0.8W
放大倍数:β>20
最大工作频率:>16MHZ
引脚数: 3
可代换的型
号:BC141,BC301,BSS42,BSS43,BSX46,BSX47,2N5320,2N4239,3DK3D, 晶体管型号:2N2923
生产厂家:SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.2W
放大倍数:β>90
最大工作频率:300MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:2N2924
生产厂家:SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.2W
放大倍数:β>150
最大工作频率:300MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:2N2925
生产厂家:SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.2W
放大倍数:β>235
最大工作频率:300MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:2N3019(S)
生产厂家:德国AEG公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公司,美国摩托罗拉半导体
公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:140V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:0.8W
放大倍数:β>100
最大工作频率:>100MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BSS43,BSW68,2SC1860,2N3440,2N3500,2N3501,2G072C,
晶体管型号:2N3020(S)
生产厂家:德国AEG公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公司,美国摩托罗拉半导体
公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:140V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:0.8W
放大倍数:β>40
最大工作频率:>100MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BSS43,BSW68,2SC1860,
晶体管型号:2N3055(E,H,S,U,)
生产厂家:德国AEG公司,德国椤茨标准电器公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公
司,美国摩托罗拉半导体公司,德国凡尔伏公司,德国西门子AG公司,美国晶体管有限公司,美国无线电
公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:100V
最大电流允许值:15A
最大耗散率:115W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>2.5MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N5630,2N5 631,2N6254,3D D17D,
晶体管型号:2N3390
生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>400
最大工作频率:140MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 C,
晶体管型号:2N3391(A)
生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>250
最大工作频率:160MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:2N3392
生产厂家:美国通用电器公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>150
最大工作频率:120MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 A,
晶体管型号:2N3393
生产厂家:美国通用电器公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>90
最大工作频率:120MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号:2N3394
生产厂家:美国通用电器公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>55
最大工作频率:120MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号:2N3414
生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限__________工作电压:25V
最大电流允许值:0.5A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>75
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型
号:BC338,BC378,BC738,BC838,2N220,2N221,2N2222,2N3402,3DK3A, 晶体管型号:2N3415
生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.5A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>75
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:2N3403,
晶体管型号:2N3416
生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.5A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>75
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型
号:BC337,BC377,BC737,BC837,2N2220,2N2221,2N2222,2N3404,3DK3A, 晶体管型号:2N3417
生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.5A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>75
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:2N3405,
晶体管型号:2N3439(L,S)
生产厂家:德国AEG公司,美国无线电公司,美国得克萨斯仪表公司,德国电子元件股份公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司
制作材料:Si-NPN
性质:开关管(S),视频输出(Vid)
封装形式:直插封装
极限工作电压:450V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:1W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:BSS49,BUX54,BUX55,BUX64,BUY59,BUY60,2N5095,3DK304B,
晶体管型号:2N3441
生产厂家:美国无线电公司,法国巴黎珊斯公司,德国西门子AG公司,SEM,美国硅晶体技术
公司,美国晶体管有限公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:160V
最大电流允许值:3A
最大耗散率:25W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>0.8MHZ
引脚数: 2
可代换的型
号:BD193,BD241D,BD243D,BDX22,BDY72,BDY79,2SD386(A),2N3738,2N6264,3DD61E, 晶体管型号:2N3501(S)
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,美国晶体管有限公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:150V
最大电流允许值:0.3A
最大耗散率:1W
放大倍数:β>100
最大工作频率:>150MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BSS43,BSW68,2SC1860,
晶体管型号:2N3700
生产厂家:美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司,德国凡尔伏公司制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:140V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:0.5W
放大倍数:β>100
最大工作频率:200MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C, 晶体管型号:2N3707
生产厂家:美国国民半导体公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),前置放大(V),低噪放大(ra)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.03A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:80MHZ
引脚数: 3
可代换的型
号:BC109,BC169,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG110B, 晶体管型号:2N3711
生产厂家:美国国民半导体公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.03A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>180
最大工作频率:80MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:2N3858
生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>60
最大工作频率:125MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 M.,
晶体管型号:2N3859
生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>100
最大工作频率:140MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 M,
晶体管型号:2N3860
生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>150
最大工作频率:170MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG121 M,
晶体管型号:2N3879
生产厂家:美国无线电公司,美国硅晶体技术公司,美国晶体管有限公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:120V
最大电流允许值:7A
最大耗散率:35W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>40MHZ
引脚数: 2
可代换的型号:BD193,BDX22,MJE15030,2N5202,2N6264,3DA27B,
晶体管型号:2N3903
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.2A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β>50
最大工作频率:>250MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC174,BC182,BC190,BC546,2N2220,2N2221,2N2222,3DK40B,
晶体管型号:2N3904
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.2A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β>100
最大工作频率:>250MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC174,BC182,BC190,BC546,
晶体管型号:2N3947
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,SSI
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.2A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:β>100
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型
号:BC182,BC546,BFX94,BSW61,BSW84,2N2221,2N2221(A),2N2222(A),3DG130B, 晶体管型号:2N4014
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:开关管(S)
封装形式:直插封装
极限工作电压:80V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:2N3737,3DG84C,
晶体管型号:2N4123
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)
封装形式:直插封装
极限工作电压:40V
最大电流允许值:0.2A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BC107,BC171,BC183,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,BSW41,2N2220,2N2221 ,2N2222(A),2N22 22,2N2221(
A),3DK40A,
晶体管型号:2N4124
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.2A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:BC238,BC548,BSW41,2N2221(A),2N2222(A),
晶体管型号:2N4264
生产厂家:CSR,美国摩托罗拉半导体公司,美国半导体技术公司
制作材料:Si-NPN
性质:开关管(S)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.2A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β>40
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX90,BSX91,B SX92,BSX93,B SY62,BSY63,2N
914,2N2368(A),2N2369(A),3DK40A,
晶体管型号:2N4265
生产厂家:CSR,美国摩托罗拉半导体公司,美国半导体技术公司
制作材料:Si-NPN
性质:开关管(S)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.2A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β>100
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX90,BSX91,B SX92,BSX93,B SY62,BSY63,2N
914,2N2368(A),2N2369(A),3DK40A,
晶体管型号:2N4286
生产厂家:美国国民半导体公司,PIH
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.05A
最大耗散率:0.25W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:3CG120c,
晶体管型号:2N4400
生产厂家:美国、法国费兰第有限公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国史普拉各电气公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.6A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β>50
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:
BC337A,BC487,BC537,BC637,BC639,2N2220,2N2221,2N2221(A),2N2222,2N222 2(A),3DK4B,
晶体管型号:2N4401
生产厂家:美国、法国费兰第有限公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国史普拉各电气公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极__________限工作电压:60V
最大电流允许值:0.6A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β>100
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:BC337A,BC637,BC639,2N2221(A),2N2222(A),
晶体管型号:2N4409
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,\NSC,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:数码驱动(Nix)
封装形式:直插封装
极限工作电压:80V
最大电流允许值:0.25A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>60MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BF391,BF297,BF422,BFR22,BFR86,BSS38,BSV29,BSX21,MPSA43,2N5550,2SC16 70,3DG182H, 晶体管型号:2N4410
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,\NSC,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:数码驱动(Nix)
封装形式:直插封装
极限工作电压:120V
最大电流允许值:0.25A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>60MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BF391,BFR22,MPS-A43,2SC1670,
晶体管型号:2N4424
生产厂家:美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国史普拉各电气公司制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:0.5A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型
号:BC337A,BC487,BC537,BC637,BC640,2N2220,2N2221,2SD667,3DK40A,
晶体管型号:2N4921
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司
制作材料:Si-PNP
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:40V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:30W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>3MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BD135,BD165,BD175,BD185,BD233,BD437,3DD30A,
晶体管型号:2N4922
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司制作材料:Si-PNP
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:30W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>3MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BD137,BD167,BD177,BD187,BD235,BD439,3DD30A,
晶体管型号:2N4923
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司制作材料:Si-PNP
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:80V
最大电流允许值:1A
最大耗散率:30W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>3MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BD139,BD169,BD179,BD189,BD237,BD441,3DD30A,
晶体管型号:2N5038(-1)
生产厂家:美国无线电公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN
性质:开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:150V
最大电流允许值:20A
最大耗散率:140W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>60MHZ
引脚数: 2
可代换的型号:BUV10,BUW57,BUX10,BUX40,
晶体管型号:2N5039(-1)
生产厂家:美国无线电公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司制作材料:Si-NPN
性质:开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:120V
最大电流允许值:20A
最大耗散率:140W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>60MHZ
引脚数: 2
可代换的型号:BUV10,BUW57,BUX10,BUX40,
晶体管型号:2N5058(S)
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国硅晶体技术公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:开关管(S),视频输出(Vid)
封装形式:直插封装
极限工作电压:300V
最大电流允许值:0.15A
最大耗散率:1W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>30MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BF259,BF338,BF659,BFR59,BFS89,BFT49,3DG841,
晶体管型号:2N5059(S)
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国硅晶体技术公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:Si-NPN
性质:开关管(S),视频输出(Vid)
封装形式:直插封装
极限工作电压:250V
最大电流允许值:0.15A
最大耗散率:1W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>30MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BF258,BF259,BF337,BF658,BF659,BFS89,BFR58,BFT48,3DG841, 晶体管型号:2N5088
生产厂家:美国范恰得公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),低噪放大(ra)
封装形式:直插封装
极限工作电压:35V
最大电流允许值:0.05A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β>300
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型
号:BC109,BC169,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG120A, 晶体管型号:2N5089
生产厂家:美国范恰得公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),低噪放大(ra)
封装形式:直插封装
极限工作电压:30V
最大电流允许值:0.05A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:β>400
最大工作频率:<1MHZ或者未知工作频率
引脚数: 3
可代换的型号:BC169,BC184,BC239,BC549,
晶体管型号:2N5172
生产厂家:美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司
制作材料:Si-NPN
性质:通用型(Uni)
封装形式:直插封装
极限工作电压:25V
最大电流允许值:0.1A
最大耗散率:0.36W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:200MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221 ,2N2222,3DG120 A,
晶体管型号:2N5191
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:60V
最大电流允许值:4A
最大耗散率:40W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>2MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BD189,BD199,BD295,BD441,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3D D64C,
晶体管型号:2N5192
生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),开关管(S),功率放大(L)
封装形式:直插封装
极限工作电压:80V
最大电流允许值:4A
最大耗散率:40W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:>2MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:
BD189,BD199,BD295,BD441,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3D D64C,
晶体管型号:2N5209
生产厂家:美国、法国费兰第有限公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),低噪放大(ra)
封装形式:直插封装
极限工作电压:50V
最大电流允许值:0.05A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:80MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC184,BC384,BC413,BC414,BC550,2SC2240,3DG110C,
晶体管型号:2N5210
生产厂家:美国、法国费兰第有限公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司
制作材料:Si-NPN
性质:低频或音频放大(LF),低噪放大(ra)
封装形式:直插封装
极限工作电压:50V
最大电流允许值:0.05A
最大耗散率:0.625W
放大倍数:未知放大倍数
最大工作频率:80MHZ
引脚数: 3
可代换的型号:BC184,BC413,BC414,BC550,2SC2240,
晶体管型号:2N5223。