20120210 士兰分立器件产品介绍
士兰微电子 SD15G60FA 说明书
智能功率模块(IPM)，600V/15A 3相全桥驱动描述SD15G60FA是高度集成、高可靠性的3相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、电冰箱、洗衣机等。
内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管。
SD15G60FA内部集成了欠压、短路等各种保护功能以及温度输出，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD15G60FA采用了高绝缘和易导热设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的场合。
主要特点♦内置6个低损耗600V/15A IGBT♦内置高压栅极驱动电路(HVIC)♦内置欠压保护、温度输出、过流保护♦内置带限流电阻的自举二极管♦完全兼容3.3V和5V的MCU的接口，高电平有效♦3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用♦报警信号：对应于低侧欠压和短路保护♦封装体采用Al2O3 DBC设计，热阻极低♦绝缘级别：1500V rms/min应用♦空调压缩机♦冰箱压缩机♦低功率变频器产品规格分类内部框图极限参数推荐工作条件电气特性参数 (除非特殊说明，T amb =25 C, V CC =V BS =15V)逆变部分(a)开启(b)关闭CE图1：开关时间定义控制部分备注1：短路保护或欠压保护工作时故障信号FO 输出。
每种保护模式下FO 脉宽均不同。
短路保护时，FO 脉宽为固定值（最小20us ）,欠压保护时，FO 持续输出直到系统恢复正常（最小FO 脉宽为20us ）. 备注2：短路保护只对低侧有效。
自举二极管部分(除非特殊说明，适用于每个自举二极管)0204060801001201401600123456789101112131415内置自举二极管 V F -I F 特性I F (m A )V F (V)注： 电阻特性:等效电阻: ~100Ω.管脚排列图管脚描述开关损耗开关损耗(典型值)100200300400500600700800900246810121416开关损耗 (导通)-集电极电流关系曲线开关损耗 – E S W (O N )(µJ )集电极电流 – I C (A)1000110001002003004005000246810121416开关损耗 (关断)-集电极电流关系曲线开关损耗– E S W (O F F )(µJ )集电极电流 – I C (A)600700图2：开关损耗特性0.41.62.02.83.23.64.02.42030407090110120LVIC 温度(°C)V O T 输出(C )3.042.92.765060801000.81.225图3：LVIC 温度-VOT 输出特性(1)在低于室温的环境下，建议插入5kΩ或更高（5.1 kΩ推荐）的下拉电阻以实现线性输出特性。
士兰微电子 SD02M50DAE DAS 说明书
智能功率模块(IPM)，500V/2A 三相全桥驱动描述SD02M50DAE/DAS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。
其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。
SD02M50DAE/DAS 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD02M50DAE/DAS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。
主要特点♦ 内置6个500V/2A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护 ♦ 内置自举二极管♦ 内置负温度系数电阻用于温度检测♦ 完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口，高电平有效 ♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦ 绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类备注1：壳温测试点，请看图5所示。
推荐工作条件电气特性参数（除非特殊说明，Tamb=25︒C，VCC =VBS=15V）逆变器部分(除非特殊说明，特指每个快恢复MOSFET)(a)开启(b) 关断图1. 开关时间定义控制部分 (除非特殊说明，特指每个HVIC)备注2：BV DSS 是指加在每个功率MOSFET 源漏之间的极限最高电压，实际应用的时候，考虑到导线杂散电感的影响，V PN 必须足够小于BV DSS 这个值，以保证在任何时候加到MOSFET 上的V DS 都不会超过B VDSS 。
备注3：t ON 和t OFF 包括内部的驱动IC 的传输延迟时间。
列出的值是在实验室的测试条件，会随着应用现场不同的印刷电路板和电线的效果而不同。
请参阅图1的开关时间定义和图6的开关测试电路图。
新员工入职培训——综合知识培训
DIP-24LB
SOP-16LS
TO-220F
生产引线框架基本流程：
表面 处理 成型
分选
模具 制造
冲压
生产引线框架的标准依据：
ISO-9001
IEC
SEMI
GB/T
质量 标准
国际 电工 组织 标准
半导 体设 备和 材料 标准
国家 标准
考勤制度：
每天打卡
4
次！ 13：00-17：30 12：00-16：00 18：10-24：00
因公外出办事，必须事先填 写出门条，经部门经理签字同意 后，方可外出。持一张出门条只 能进出一次。
不得代他人打卡，也不得请人代 打卡，违者一经发现，将处以小过处 分。
3天 30天 30天
请病假一天以上的，需要提供 区级 以上（含区级）医院出具的病休证明。病 假期间（30天以内）基本工资100%核发、 效益工资按照请假天数扣减。
4、签订劳动合同和办理其他相关手续必须提 供真实有效的证件，不得使用伪造或他人 的证件。违者一经发现，将处以100元罚款。
（3）违法安全、工艺操作规程，造成火灾或重 大设备事故、质量事故，使公司直接经济损失 达2万元以上的； （4）利用公司的原材料、动力、设备或运输工 具干私活的。
3、公司若有下列情况之一的，员工可以随时 提出解除劳动合同： （1）在试用期内，只需提前3天通知公司即 可解除劳动合同（需本人填写离职申请单， 经部门经理同意，主管领导批准后方可办理 离厂手续）； （2）公司以暴力威胁或非法限制人身自由的 手段强迫劳动的； （3）公司未按劳动合同约定支付劳动报酬， 或提供劳动条件的。
病假、事假最小单位为
生产区为禁烟区，请自觉停止吸烟。 违者将处以小过以上处罚。
士兰微IC资料
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一 SD690X合封系列产品简介
1, 主要特点:
非隔离降压式电路结构（BUCK） 内置高压MOS管(600V) 有源功率因数校正功能（APFC） 较高的电源转换效率(>92% 典型值) 超低IC启动电流，系统快速启动 VCC过压保护，VCC欠压保护 LED开路保护，LED短路保护 内置过热保护
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Silan 士兰微电子
3. COMP脚设计
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（1）COMP脚为内部跨导放大器输出端，外接电容器作补偿。建议在LAY 板时，在空间许可的前提下，采用下图所示电路结构，可以消除由于 LAY板不合理带来的高频噪声影响。 若空间较小，可将C9去掉。 COMP （2）电容C2取值，一般建议在1uF~4.7uF 之间；电容C9取值，一般建议在47pF ~1nF之间;电阻R8取值，一般建议在 0~2.2K之间。
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二 SD6902D/04D/6D典型应用
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士兰电子 SC46166 300mA、500KHz高效率升压型DC-DC转换器 说明书
版本号：1.2 2008.07.04 共11页 第2页
参
数
符号
测试条件
进入省电模式的负载门限 Iload L=4.7μH
输出电压线性调整率
△VLINE 1V≤VIN≤3 V
输出电压负载调整率
△VLOAD 1mA≤ IL ≤100mA
开关频率
Fs --
最大占空比
DMAX FB=1.2V
NMOS开关管导通电阻
省电模式负载电流门限 与输入电压的关系曲线 35 L=4.7μH 30
25
20
15
10
VOUT=3.3V
VOUT=5V
5
0 0.9 1.4 1.9 2.4 2.9 3.4 3.9 4.4 输入电压（V）
（见下页）
版本号：1.2 2008.07.04 共11页 第6页
（接上页）
典型特性曲线（除非特别注明，否则 Tamb =25°C ）
SOT-23-6 SOT-89-5
主要特点
* 0.85V的低电压启动 * 单节AA电池100mA输出电流能力 * 轻负载自动进入省电模式，仅需20μA静态电流 * 效率高达90％ * +2.5V~+6V的输出工作电压范围 * 关断电流小于1μA * 500KHz的固定开关频率 * 过温保护 * 4KV HBM ESD保护 * 纤小型SOT-23-6和SOT-89-5封装
注：士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
杭州士兰微电子股份有限公司 http:
版本号：1.2 2008.07.04 共11页 第10页
SC46166
附： 修改记录：
日期 2008.01.02 2008.05.27 2008.07.04
士兰微电子 SBD30C45T PN S PS 说明书 30A、45V肖特基整流管 说明书
30A 、45V 肖特基整流管描述SBD30C45T/PN/S/PS 是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
特点♦ 具有过压保护的保护环结构 ♦ 高电流冲击能力 ♦ 低功耗，高效率 ♦正向压降低产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SBD30C45T TO-220-3L SBD30C45T 无铅 料管 SBD30C45PN TO-3P 30C45 无铅 料管 SBD30C45S TO-263-2L SBD30C45S 无卤 料管 SBD30C45STR TO-263-2L SBD30C45S 无卤 编带 SBD30C45T TO-220HW-3L SBD30C45T 无铅 料管 SBD30C45PSTO-247S-3L30C45无铅料管极限参数(除非特殊说明，T C =25°C)参 数 名 称符 号 额定值 单位 最大反向峰值电压 V RRM 45 V 正向平均整流电流 I FAV 30 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms I FSM 200 A 工作结温范围（注 1） T J -55~150 °C 存储温度范围T STG-55~150°C注1：a)Rth(j 1dTjdPtot −<避免器件热失控的使用条件。
热阻特性参 数 名 称符号 额定值 单位 芯片对管壳热阻(TO-220-3L\TO-220HW-3L) R θJC2.0°C/W电参数规格参数符号测试条件最小值最大值单位正向压降V F I F=15A(T C=25°C) -- 0.70 V I F=15A(T C=125°C) -- 0.65V 反向漏电流I RV R=45V(T C=25°C) -- 100 μAV R=45V(T C=125°C) -- 35 mA 典型特性曲线图1. 典型正向特性图2. 典型反向特性瞬态正向电流,IF(A)瞬态正向压降, VF(V)瞬态反向偏压, V R(V)瞬态反向电流,IR(mA)0.010.111010000.10.20.30.40.50.60.70.80.0010.010.110100图3. 结电容特性反向偏压, V R(V)结电容,C J(pF)02545图4. 正向平均整流电流特性正向平均整流电流,IFAV(A)温壳, Tc(°C)520102004008005101520303540151封装外形图封装外形图（续）封装外形图（续）声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
士兰微电子推出600V／30A 3相全桥驱动智能功率模块SD30M60AC
公司 （ Ｉ ｎ ｔ ｅ ｒ ｎ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ Ｒｅ ｃ ｔ ｉ ｆ ｉ ｅ ｒ ，简 称 Ｉ Ｒ １ 推 出Ｉ Ｒ Ｆ Ｈ Ｅ ４ ２ ５ ０ Ｄ
工 业 自动 化 、４ ｍ Ａ至 ２ ０ ｍＡ过程 控 制 、仪 表 、测 试设 备
压 输 出 的数模 转 换 器 （ Ｄ ＡＣ Ｌ Ｔ Ｃ ２ ６ ４ ５ 。这 些 器 件在 不 到
８ ０ ｓ 时间 内将 Ｐ ＷＭ输入 信号 转换 成准 确 、稳定 、有缓 冲
的 ｌ ２位 电压 输 出 ，消 除 了一 般 与 模 拟 滤 波 器有 关 的 纹 波 和延 迟 。Ｌ Ｔ Ｃ ２ ６ ４ ５一 行代 码都 无 需编 写 ，就 可 为准 确 地 设 定 和 调节 ４个 电压 提 供 一 个 简 单 、可 靠 的解 决 方
列 。新 款２ ５ Ｖ 器件 在２ ５ Ａ的 电流下 能够 比其 它顶级 的传 统 电源模 块 产 品减 少５ ％以上 的 功率 损耗 ，适 用于 １ ２ Ｖ 输 入
士 兰微 电子 推 出６ ０ ０ Ｖ ／ ３ ０ Ａ ３ 相全桥驱动智能功率
模 块 ＳＤ３ ０Ｍ６ Ｏ ＡＣ
ＤＣ — Ｄ Ｃ 同 步 降 压 应 用 ，包 括 先 进 的 电 信 和 网 络 通 讯 设
产品 资 讯
Ｄｌ Ａ Ｌ ＯＧ半 导体 有 限公 司的 蓝牙 ⑧智 能芯 片被 小米
手环选 用
２ ０ １ ４ 年８ 月１ ３日 一 高 集 成 电 源 管 理 、ＡＣ ／ ＤＣ 、 固 态 照
并对 谐波 测试 提 出 了更 高 的要求 。Ｐ Ａ１ ０ ０ ０ 功 率分 析仪 具 有 高达 １ ＭＨｚ 的带 宽 和０ ． ０ ５ ％的精 度 ，为Ｌ Ｅ Ｄ 驱 动 装 置 测 试提供 可靠 准确 的评 价 。
士兰微电子 SVF12N65CF K S KL FQ 说明书 - 12A、650V N沟道增强型场效
SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 说明书12A 、650V N 沟道增强型场效应管描述SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。
特点♦ 12A ，650V ，R DS(on)（典型值）=0.64Ω@V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力产品命名规则产品规格分类产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF12N65CF TO-220F-3L SVF12N65CF 无卤 料管 SVF12N65CK TO-262-3L SVF12N65CK 无卤 料管 SVF12N65CS TO-263-2L 12N65CS 无卤 料管 SVF12N65CSTR TO-263-2L 12N65CS 无卤 编带 SVF12N65CKL TO-262L-3L 12N65CKL 无卤 料管 SVF12N65CFQTO-220FQ-3L12N65CFQ无卤料管极限参数(除非特殊说明，T C=25°C)参数符号参数范围单位SVF12N65CF/FQ SVF12N65CK/KL SVF12N65CS漏源电压V DS650 V 栅源电压V GS±30 V漏极电流T C=25°CI D12A T C=100°C 7.6漏极脉冲电流I DM48 A耗散功率（T C=25°C）- 大于25°C每摄氏度减少P D51 209 210 W0.41 1.67 1.68 W/°C单脉冲雪崩能量（注1）E AS790 mJ 工作结温范围T J-55～+150 °C 贮存温度范围T stg-55～+150 °C热阻特性参数符号参数范围单位SVF12N65CF/FQ SVF12N65CK/KL SVF12N65CS芯片对管壳热阻RθJC 2.44 0.6 0.60 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA62.5 62.5 62.5 °C/W电气参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V，I D=250µA 650 -- -- V漏源漏电流I DSS V DS=650V，V GS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流I GSS V GS=±30V，V DS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压V GS(th)V GS=V DS，I D=250µA 2.0 -- 4.0 V导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=6.0A -- 0.64 0.8 Ω输入电容C issV DS=25V，V GS=0V，f=1.0MHz -- 1390 --pF输出电容C oss-- 156 -- 反向传输电容C rss-- 15.2 --开启延迟时间t d(on)V DD=325V，I D=12A，V GS=10V ，R G=24Ω(注2，3) -- 25.80 --ns开启上升时间t r-- 46.40 -- 关断延迟时间t d(off)-- 82.26 -- 关断下降时间t f-- 42.13 --栅极电荷量Q g V DS=520V，I D=12A，V GS=10V(注2，3) -- 32.5 --nC栅极-源极电荷量Q gs-- 7.37 -- 栅极-漏极电荷量Q gd-- 14.2 --源-漏二极管特性参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流I S MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结-- -- 12A源极脉冲电流I SM-- -- 48源-漏二极管压降V SD I S=12A，V GS=0V -- -- 1.4 V反向恢复时间T rr I S=12A，V GS=0V，dI F/dt=100A/µS （注2）-- 562 -- ns反向恢复电荷Q rr-- 5.12 -- µC 注：1. L=30mH，I AS=6.0A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25°C；2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3. 基本上不受工作温度的影响。
士兰微电子 内置MOSFET的单节锂电池保护芯片SC8821 说明书
SC8821
过充电状态→负载放电→正常状态
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.2 2009.05.05 共10页 第5页
过放电状态→充电器正常充电→正常状态
SC8821
过放电状态→充电器异常充电→正常状态
杭州士兰微电子股份有限公司
充电器时， VDD电压大于VOCU，且延迟时间超过TOC，则电池电压进入到过充电状态，VBAT端电流为0，停止对电池充电。
杭州士兰电子股份有限公司
版本号：1.2 2009.05.05 共10页 第3页
SC8821
释放过充电状态 进入过充电状态后，要解除过充电状态，返回正常状态，有两种方法。 • 如果电池自我放电，并且VDD<VOCR ，返回到正常状态。 • 在移去充电器，连接负载后，如果VOCR<VDD<VOCU且VCSI>VOI1，返回到正常状态。
则返回到正常状态。
异常充电检测 当电池在正常状态时，VBAT+与VBAT-之间接充电器，若VCSI<VCH ，延迟时间超过TOC，
则VBAT-端电流为0，停止对电池充电。
过电流/短路电流检测 在正常状态下，VBAT+与VBAT-之间接负载，当放电电流太大时，检测到CSI端电压大于
VOIX(VIO1或VIO2)，并且延迟时间大于TOIX (TIO1或TIO2)，则代表过电流（短路）状态，CSI端 通过内部电阻RCSIS拉到VSS，VBAT-端电流为0，VBAT-端电压由于负载的原因而拉到VDD。
SC8821
内置MOSFET的单节锂电池保护芯片
描述
SC8821是内置MOSFET的单节锂电池保护芯片，为避 免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或 电池被损坏而设计的。SC8821具有高精确度的电压检测与 时间延迟功能。
士兰微电子简介 - 采购第一站,电源管理芯片,MOSFET
分立器件芯片
开关二极管芯片； 稳压二极管芯片； 肖特基二极管芯片； TVS、ESD保护二极管芯片； 低压MOS小功率管芯片； 高压功率MOS管芯片。 高亮度蓝、绿、红LED芯片
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Silan 士兰微电子
10亿 9亿 8亿 7亿 6亿 5亿 4亿 3亿 2亿 1亿 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 5.1亿 5.9亿 6.8亿 8.0亿
公 司 组 织 结 构
设 计 、研 发
专用集成电路部 数字音视频产品部 图像处理技术部 MCU产品研发部 混合信号技术部 嵌入式软件技术部 后端设计技术部 处理器技术部 数字媒体技术部
销 售
深圳销售一部 深圳销售二部 杭州销售一部 深圳销售三部 深圳销售四部 深圳销售五部 海外销售部
滨江测试工厂
芯片测试部 成品测试部 测试设备开发部
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Silan 士兰微电子
公司的产品开发策略
利用公司在多个技术平台积累的核心技术优势和新的工艺平台的技术能力， 开发新功能、整合更多的外部零件的集成电路新产品，以全新的技术方案进入 市场，实现产品的差异化； 跟踪新兴的整机市场开发创新的应用产品，提升产品的附加值； 关注整机系统中主芯片之外的周边电路，如电源、音频功放、其他功率驱动 等产品； 配合亚太地区整机品牌大厂的发展，开发量大、销售量稳定的产品，为品牌 大厂服务； 完善集成电路产品的软、硬件支持工具和环境，对于绝大多数的产品，要能 够支持独立第三方的应用系统开发。
2008年公司产品按门类销售比例
士兰微电子 SVF10N80F K 高压功率 MOS 场效应晶体管说明书
10A 、800V N 沟道增强型场效应管描述SVF10N80F/K N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。
特点♦ 10A ，800V ，R DS(on)(典型值)=0.92 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4 代表 4A,10 代表 10A,08 代表 0.8A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V ，65表示650V 封装外形标识例如： F:TO-220FS V F X N E X X X沟道极性标识，N 代表N 沟道特殊功能、规格标识，通常省略例如：E 表示内置了ESD 保护结构产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T C=25︒C)热阻特性电气参数(除非特殊说明，T=25︒C)C源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH，I AS=7.50A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25︒C;2. V DS=0~400V，I SD<=10A，T J=25︒C;3. V DS=0~480V;4. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；5. 基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 – I D (A )0.111000.1100漏源电压 – V DS (V)漏极电流 – I D (A )24681013579栅源电压 – V GS (V)0.80212漏源导通电阻 – R D S (O N )(Ω)漏极电流 – I D (A)图3. 导通电阻vs.漏极电流00.20.40.6 1.2反向漏极电流 – I D R (A )源漏电压 – V SD (V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度1.20.1110060.11000.8 1.01100.981.11.04110101010图5. 电容特性图6. 电荷量特性电容(p F )020*******漏源电压 – V DS (V)栅源电压 – V G S (V )0540总栅极电荷 – Q g (nC)0.111000024681012301010020100010352515400典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – R D S (O N )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21500.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5图9-1. 最大安全工作区域(SVF10N80F)10-110010110210101010310-2漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)图9-2. 最大安全工作区域(SVF10N80K)10-110010110210101010310-2漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)图10. 最大漏极电流vs. 壳温漏极电流 - I D (A )壳温 - T C (°C)0102462550751001251508典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
士兰微电子SDH7612D LED恒流驱动芯片说明书
内置高压启动无VCC 电容隔离型LED 恒流驱动芯片描述SDH7612D 是一款高精度、低成本的原边反馈LED 恒流驱动芯片，应用于反激隔离LED 照明。
芯片工作在电感电流断续模式，适用于90Vac~265Vac 输入电压、12W 输出功率。
SDH7612D 集成650V 高压功率MOS ，内置高压启动电路，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电；SDH7612D 无需外部VCC 电容；极大节省了系统成本。
SDH7612D 内部集成多种保护功能，包括过压保护，过热调节等，增强了系统安全性和可靠性。
SDH7612D 采用DIP-8A-300-2.54封装。
特性♦ ±3%LED 输出电流精度 ♦ 内置600V 高压功率MOS ♦ 内置高压启动模块 ♦ 无需VCC 电容 ♦ 无需环路补偿 ♦ LED 开路保护 ♦ 欠压保护♦ 过热调节功能 ♦无辅助绕组应用♦ GU10 LED 射灯 ♦ LED 球泡灯 ♦ PAR 灯 ♦其他LED 照明产品规格分类内部框图=25°C) 极限参数(除非特殊说明，Tamb电气参数(内置MOSFET部分, 除非特别说明, Tamb=25°C)电气参数(除非特殊说明，VCC =10V，Tamb=25°C)管脚排列图HVGNDNC CSDRAINNCDRAIN管脚描述管脚号管脚名称I/O 功能描述1 NC / 不连接引脚2 GND P 芯片地3 NC / 不连接引脚4 HV I 高压供电脚5 DRAIN I 内部高管功率管漏极6 DRAIN I 内部高管功率管漏极7 CS O 外接检测电阻功能描述SDH7612D芯片各功能具体描述如下。
1.启动控制SDH7612D集成了高压启动供电电路，无需启动电阻和辅助绕组供电。
芯片通过HV端直接从高压端口取电，给内部电源VCC供电，极大的简化了外围电路，同时也减小了系统启动时间。
系统上电后，芯片通过HV端、经过高压启动电路给VCC和VDD充电，当VDD电压达到芯片开启阈值时，芯片开始工作；特色的电路设计，也使得芯片无需外部电源电容就能稳定工作。
20130310 杭州士兰微--分立器件成品产品介绍
当采用 S-RinTM 工艺的时候，器 件就使用SRinTM标识
封装形式信息. 例如： T: TO-220;F: TO-220F; M: TO-251; 额定电压值, 用2位数值表示， 例如: 60 表示 600V. 65 表示 650V. 特殊功能标识,一般省略； 例如：E表示内置ESD结构。
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2013-3-11
Silan 士兰微电子
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产品目录
• MOSFET 产品介绍 • 瞬态电压抑制二极管(TVS)产品介绍 • IGBT产品介绍 • 快恢复管(FRD)产品介绍 • 肖特基(SBD)产品介绍 • 三极管(Transistor)产品介绍 • 恒流二级管(CRD)产品介绍
Q2 Q3 Q4 Q1
2009-2011
Q2 Q3 Q4 Q1
2012-2013
Q2 Q3 Q4
Generations
Q1
Q2
Q3
The S-RinTM VDMOS
400V—800V full series products, ESD Structure can be embeded
Improved Strip Cell; Improved guard ring structure and EAS ability
整体性能指标与Fairchild 的UniFET技术、ST-Micro 的 SuperMesh技术类似。
SDH系列恒流二极管 说明书_1.1-L
附：
修改记录：
日期 2010.09.29 2011.01.05
版本号 1.0 1.1
原版 修改说明书模板
描
述
页码
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.1 2011.01.05 共7页 第7页
2.7 Min.0.8Ip max.1.1 -0.18~ -0.45 100
3.2 Min.0.8Ip max.1.1 -0.20~ -0.53 100
3.7 Min.0.8Ip max.1.1 -0.25~ -0.45 100
4.5 Min.0.8Ip max.1.1 -0.25~ -0.53 100
该系列产品主要应用在需要提供恒定电流的场合，可 应用于 LED 的恒流驱动灯驱动、电话线路模块等。
SDH 系列恒流二极管目前可提供 SOD-123、SOT223-3L 和 TO-92-3L 三种封装外形。
特点
∗ 较低的起始稳流电压。 ∗ 很高的动态阻抗。 ∗ 恒流电流规格范围：1mA – 40mA。 ∗ 产品可并联使用，以扩充电流。 ∗ 具有负温度系数，可在高温情况下保护 LED 管。
最高使用电
压电流比
Vk [ V ] Ik [ mA ] IVMAX/Ip
温度系数 [%/°C]
最高使用 电压
Vmax.(V)
1.7 Min.0.8Ip max.1.1 -0.10~ -0.37 100
2.0 Min.0.8Ip max.1.1 -0.13~ -0.40 100
2.3 Min.0.8Ip max.1.1 -0.15~ -0.42 100
典型特性曲线
SDH 系列恒流二极管 说明书
0.1 0.2 0.3 00..57
士兰微电子 SGT60N60FD1PN P7 说明书
60A 、600V 绝缘栅双极型晶体管描述SGT60N60FD1PN/P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止（Field Stop ）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS 以及PFC 等领域。
特点♦ 60A ，600V ，V CE(sat)(典型值)=2.2V@I C =60A ♦ 低导通损耗 ♦ 快开关速度 ♦高输入阻抗命名规则SGT 60 N 60 □□□ P □IGBT 系列电流规格,60表示60A N : N ChannelNE : N 沟平面栅带ESD T : N 沟槽栅电压规格 : 60表示600VD : 封装快恢复二极管的器件R : 集成续流二极管的器件封装形式,如PN 表示TO-3P 封装形式; P7表示TO-247封装形式1,2,3… : 版本号L : 低饱和压降器件S : 标准器件Q : 快速器件F : 高速器件UF : 超高速器件产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SGT60N60FD1PN TO-3P 60N60FD1 无铅 料管 SGT60N60FD1P7TO-247-3L60N60FD1无铅料管极限参数(除非特殊说明，T C =25°C)参 数符 号 参数范围 单位 集电极-射极电压 V CE 600 V 栅极-射极电压 V GE ±20 V 集电极电流 T C =25°C I C 120 A T C =100°C60 集电极脉冲电流 I CM 180 A 耗散功率（T C =25°C ） P D 321 W 工作结温范围 T J -55～+150 °C 贮存温度范围 T stg-55～+150°C热阻特性参数符号参数范围单位芯片对管壳热阻（IGBT）RθJC0.39 °C/W 芯片对管壳热阻（FRD）RθJC 1.10 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA40 °C/WIGBT电性参数(除非特殊说明，T C=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位集射击穿电压BV CE V GE=0V, I C=250μA 600 -- -- V 集射漏电流I CES V CE=600V, V GE=0V -- -- 200 μA 栅射漏电流I GES V GE=20V, V CE=0V -- -- ±400 nA 栅极开启电压V GE(th)I C=250μA, V CE=V GE 4.0 5.0 6.5 V饱和压降V CE(sat)I C=60A,V GE=15V -- 2.2 2.7 V I C=60A,V GE=15V,T C=125°C -- 2.6 -- V输入电容C ies VCE=30VV GE=0Vf=1MHz -- 2850 --pF输出电容C oes-- 294 -- 反向传输电容C res-- 85 --开启延迟时间T d(on)V CE=400VI C=60AR g=10ΩV GE=15V感性负载-- 36 --ns开启上升时间T r-- 142 --关断延迟时间T d(off)-- 193 --关断下降时间T f-- 136 --导通损耗E on-- 3.72 --mJ 关断损耗E off-- 1.77 --开关损耗E st-- 5.49 --栅电荷Q gV CE = 400V, I C=60A, V GE = 15V -- 179 --nC发射极栅电荷Q ge-- 23 --集电极栅电荷Q gc-- 100 --FRD电性参数(除非特殊说明，T C=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位二极管正向压降V FM I F=30A, T C=25°C -- 1.9 2.6V I F=30A, T C=125°C -- 1.5 --二极管反向恢复时间T rr I ES=30A, dI ES/dt=200A/μs -- 38 -- ns 二极管反向恢复电荷Q rr I ES=30A, dI ES/dt=200A/μs -- 85 -- nC典型特性曲线图1. 典型输出特性集电极电流 – I C (A )090180026集电极-发射极电压 – V CE (V)15030120集电极-发射极电压 – V C E (V )栅极-发射极电压 – V GE (V)图5. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压204820481612图6. 饱和电压vs.壳温集电极-发射极电压 – V C E (V )1242575150壳温– T C (°C)125412165060集电极-发射极电压 – V C E (V )栅极-发射极电压 – V GE (V)图4. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压20482048161212163100图2. 传输特性集电极电流 – I C (A )401001015栅极-发射极电压 – V GE (V)8020605图3. 典型饱和电压特性集电极电流 – I C (A )0601800246集电极-发射极电压 – V CE (V)12030901501.52.53.5典型特性曲线（续）图8. 栅极电荷栅极-发射极电压 – V G E (V )01580200栅极电荷 – Qg(nC)612图9. 开启特性 vs.栅极电阻开关时间(n S )栅极电阻 - Rg(Ω)开关损耗 - E (m J )栅极电阻 - R g (Ω)图11. 开关损耗 vs. 栅极电阻3940120160图10. 关断特性 vs.栅极电阻开关时间(n S )栅极电阻 - Rg(Ω)100图7. 电容特性C (pF )6000135集电极-发射极电压 – V CE (V)4000102000100030005000100000101010001020501图12. 开启特性 vs.集电极电流开关时间(n S )集电极电流 - I C (A)1010000101100101000301100203040502030405051030406090120典型特性曲线（续）开关损耗（m J ）集电极电流 - I C (A)图14.开关特性vs. 集电极电流反向恢复时间- T r r (n s )正向电流 - I F (A)图16.反向恢复时间vs. 正向电流开关时间（n s ）集电极电流 - I C (A)图13.关断特性vs. 集电极电流45303540集电极电流 - I C E (A )集电极-发射极电压 - V CE (V)图18.最大安全工作区域10210210-110110310010110030105060402010311000200.11040608012010002012010010804060100100正向电流-I F M (A )正向电压-V FM (V)图15.正向特性1000.52.5101211.5反向恢复电荷- Q r r (n c )正向电流 - I F (A)图17.反向恢复电荷vs. 正向电流100020403010506040206080典型特性曲线（续）热阻抗（标准化）脉冲宽度(Sec)图19.瞬态热阻抗-脉冲宽度 (IGBT)10110010-110-310-510-110-610-31010-410-210-2热阻抗（标准化）脉冲宽度(Sec)图20.瞬态热阻抗-脉冲宽度 (FRD)10110010-110-310-510-110-610-310010-410-210-2101102封装外形图声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
士兰微 SD4840 4841 4842 4843 4844 说明书
SD4840P67K65
漏端连续电流 SD4841P67K65
SD4842P67K65
ID
(Tamb=25°C)
SD4843P67K65
SD4844P67K65
SD4840P67K65
信号脉冲雪崩 SD4841P67K65
能量注2
SD4842P67K65
EAS
SD4843P67K65
SD4844P67K65 供电电压 模拟输入电压范围
封装类型 DIP-8-300-2.54
注：P 表示 DIP8 封装，67k 表示频率为 67KHz，65 表示耐压 650V。
打印名称 SD4840P67K65 SD4841P67K65 SD4842P67K65 SD4843P67K65 SD4844P67K65
杭州士兰微电子股份有限公司
电气参数(除非特殊说明，VCC=12V，Tamb=25°C)
参
数
符号
测试条件
欠压部分 上电启动电压 关断电压 振荡部分 振荡频率 振荡频率抖动 振荡频率随温度的变化率 最大占空比 反馈部分
Vstart Vstop
FOSC FMOD
-Dmax
25°C≤Tamb≤+85°C
反馈源电流 反馈关断电压 关断延迟电流 内部软启动时间 限流部分
SD4844P67K65
符号 VDGR VGS
IDM
参 数 范围 650 ±30 4 6 8 11 14
单位 V V
A
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.0 2008.07.07 共10页 第2页
SD4840/4841/4842/4843/4844
参
数
符号
-- 550 --
士兰微电子 SC65D02P40预置型多功能遥控器发射电路(OTP型) 说明书
SC65D02P40
元中，低字节存放在 OTP 的 FFFAH 单元中） 。 特殊功能寄存器（SFR）被置为复位值。 所有输入/输出口被置为输入状态，端口上拉。 存储在用户 RAM 中的数据保持不变。
2.2 复位源
2.2.1 外部复位 外部复位是通过给 nRST 脚施加一个 32ms 以上的低电平信号，从而使 MCU 复位。
23
VPP
管脚类型 --I O I I/O I/O O O
--
功能说明 电源 地 外接晶振输入脚 外接晶振输出脚（XOUT 与晶振之间需串接驱动电阻） 外部复位脚（内有上拉电阻，低电平有效） I/O 管脚，一般用作键盘矩阵的输入脚 I/O 管脚，一般用作键盘矩阵的输出脚 输出管脚，一般用于直接驱动 LED 指示灯 红外信号控制输出脚 OTP 编程电压输入脚（编程模式下接 6.5V，非编程模 式下接 VDD）
9.8
CYOUT
9.8
P0/P1/P2 9.8
VOL=0.3V P30Fra bibliotek9.8
CYOUT
9.8
--
350
典型值 --4.5 12 10 10 12 10 375
最大值 --
0.1VDD 4.6 12.3 10.2 10.2 12.3 10.2 400
单位 V V mA mA mA mA mA mA KΩ
打印名称 SC65D02P40 SC65D02P40A SC65D02P40B SC65D02P40C
杭州士兰微电子股份有限公司
Http:
版本号：1.3 2009.10.28 共19页 第1页
内部框图
SC65D02P40
BUS：包含地址总线、数据总线、读写及片选信号。
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芯片产能 (pcs) 40K/M 4K/M 50K/M 4K/M 0.1K/M 2K/M 18K/M 5.5K/M 2K/M 8K/M
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S-RinTM 表示采用了比前几代高压HVDMOS更小尺寸的GR环的新一代士兰 VDMOS器件。
• •
S-RinTM 系列高压VDMOS同时采用了优化后的条形元胞结构。 控制和调节J-FET注入的深度和浓度来改善Rdson 参数.
Silan 士兰微电子 分立器件产品封装 • • • • • •
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目前,已在士兰集成芯片厂完成建立了分立器件产品封装净化厂房 (主要针对高压 MOS管/FRD/SBD等产品) 2011年3月开始批量封装FRD/SBD产品; 2011年7月开始批量封装HVMOS产品; 目前批量生产的封装形式有TO-220-3L/TO-220F-3L/TO-3PN这3种; 后续会根据具体需求有计划的增加TO-252-2L/TO-251-3L/ TO-263-2L/TO-262-3L等; 目前封装厂的产能已扩展到15KK/M; 我们正在成都建立功率半导体封装基地用来扩展更大产能和降低成本.
ESD embeded structure ESD embeded structure
The 2nd VDMOS
800V， 1A 800V， 1A 600V，1A，4A，6A 600V，1A，4A，6A 400V—500V 1A, 2A, 4A 400V—500V 1A, 2A, 4A
Rectangle Cell, Rectangle Cell, J-FET Process to J-FET Process to reduce Rdson reduce Rdson
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th
400V—800V full series 400V—800V full series products, ESD Structure products, ESD Structure can be embeded can be embeded
N 表示 N 沟道 N 表示 N 沟道
特殊功能标识,一般省略； 特殊功能标识,一般省略； 例如：E表示内置ESD结构。 例如：E表示内置ESD结构。
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Silan 士兰微电子 S-RinTM 的含义以及主要结构特点
•
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2009-2010
Q2 Q3 Q4 Q1
2011-2012
Q2 Q3 Q4
Generations
Q1
Q2
Q3
650V，1A, 2A, 4A 650V，1A, 2A, 4A
The 1 VDMOS
st
600V，1A, 2A, 4A 600V，1A, 2A, 4A
Strip cell; Strip cell; Large die size Large die size
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• • • • •
士兰已经在二厂开发出4代平面结构的高压VDMOS器件。 总体的参数和成本在新一代产品中都得到了很好得改进。 S-RinTM 是士兰第三代高压MOSFET的注册商标。 S-RinTM高压MOSFET是量产系列，并且可适用于绝大部分领域的应用。 F-CellTM 系列产品已经在2009年底开发成功，它是士兰第四代高压 MOSFET.其中应用了很多先进的技术来改进器件的电参数。
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第二部分
MOS产品介绍
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Silan 士兰微电子 士兰MOSFET简介
SVD4NE60T
士兰VDMOS公司代号,三位字母； 士兰VDMOS公司代号,三位字母； SVD 表示芯片采用S-Rin结构； SVD 表示芯片采用S-Rin结构； SVF 表示芯片采用F-Cell结构。 SVF 表示芯片采用F-Cell结构。 额定电流表示，使用1～2个数字 额定电流表示，使用1～2个数字 例如: 4 表示 4A， 例如: 4 表示 4A， 10 表示 10A， 10 表示 10A， 08 表示 0.8A 08 表示 0.8A 封装形式信息. 例如： 封装形式信息. 例如： T: TO-220;F: TO-220F; T: TO-220;F: TO-220F; M: TO-251; M: TO-251; 额定电压值, 用2位数值表示， 额定电压值, 用2位数值表示， 例如: 60 表示 600V. 例如: 60 表示 600V. 65 表示 650V. 65 表示 650V.
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士兰微电子发展功率半导体芯片的优势
利用0.8微米先进的芯片生产线，研发的效率和工艺的稳定性得到大幅度的改善。 工艺生产线上工艺加工手段和分析测量设备、仪器齐备，有利于新工艺方案的实 施和问题的判断。 技术研发力量充实，有助于研发队伍的持续和稳定。有机会大幅度缩小与世界先 进水平的差距。
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Silan 士兰微电子 S-RinTM 系列的元胞结构示意图
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BPSG Top Metal
Poly gate
Gate Oxide
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分立器件产品的产能扩展计划
产品类别 HV-MOSFETs TVS/ESD protection devices Schottky Barrier diodes Fast recovery diodes Constant current diodes Bipolar power transistors Switching diodes Full series of Zener diodes Planar process DB3 device LV-MOSFETs
Flat Cell Structure; Flat Cell Structure; 400V-800V Voltage range; 400V-800V Voltage range; ESD embeded Structure ESD embeded Structure
Super Junction Super Junction Structure Structure
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Silan 士兰微电子
士兰MOS产品发展路线图
2006 2007
Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
Return
2008
Q2 Q3 Q4 Q1
Improve the stability； Improve the stability； Improve Crss,Qg Improve Crss,Qg parameters parameters Lower ARdson Lower ARdson
Shrink guard ring; Shrink guard ring;
Improved Strip Cell; Improved Strip Cell; Improved guard ring Improved guard ring structure and EAS ability structure and EAS ability
The 3rd VDMOS The S-RinTM The 4 VDMOS The F-CellTM The 5th VDMOS (CoolMos)
Company Confidential, don’t copy
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Silan 士兰微电子
士兰分立器件产品种类
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
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销售模式 产品种类 HV-MOSFETs TVS/ESD protection devices Schottky Barrier diodes Fast recovery diodes Constant Current Diodes Bipolar transistors Switching diodes Full series of Zener diodes Planner process DB3 device LV-MOSFETs