离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

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离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究
邓书康;陈刚;高立刚;陈亮;俞帆;方静华;杨宇
【期刊名称】《功能材料》
【年(卷),期】2004(035)0z1
【摘要】用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.
【总页数】3页(P1116-1118)
【作者】邓书康;陈刚;高立刚;陈亮;俞帆;方静华;杨宇
【作者单位】云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091;云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091;云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091;云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091;云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091;云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091;云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091
【正文语种】中文
【中图分类】TN21
【相关文献】
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