本模拟电子技术试卷(9)答案
模拟电子技术考试试卷及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH-fL），（1+AF）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy），电路符号是（）。
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。
2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。
5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。
6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。
10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1。
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
（2分)A.电阻阻值有误差 B。
晶体管参数的分散性C。
晶体管参数受温度影响 D。
晶体管结电容不确定性。
标准答案：C2。
稳压二极管的有效工作区是（ )。
（2分）A。
正向导通区 B。
反向击穿区 C。
反向截止区 D。
死区。
标准答案：B3。
如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（）。
（2分）A。
放大状态 B。
微导通状态 C。
截止状态 D。
饱和状态。
标准答案:D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
（2分）A。
便于设计 B。
放大交流信号C.不易制作大容量电容 D。
不易制作大阻值的电阻。
标准答案：C5。
用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（）. (2分）A。
抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大C。
差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大。
标准答案：A6。
半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
（2分）A。
N区自由电子向P区的扩散运动B。
N区自由电子向P区的漂移运动C。
P区自由电子向N区的扩散运动D。
P区自由电子向N区的漂移运动标准答案：A7。
理想的功率放大电路应工作于( )状态. （2分）A。
甲类互补 B。
乙类互补 C。
甲乙类互补 D.丙类互补。
标准答案：C8。
NPN共射电路的Q点设置在接近于（）处将产生顶部失真。
(2分）A。
截止区 B.饱和区 C。
击穿区 D。
放大区。
标准答案:A9。
当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( ）。
（2分）A。
低通 B.高通 C。
带通 D。
带阻标准答案：C10。
差动放大电路的特点是抑制（）信号，放大（）信号。
(2分）A。
共模共模 B.共模差模C.差模差模 D。
差模共模。
标准答案：B11。
利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（2分）（）。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第九章理想运算放大电路及应用
第九章理想运算放大电路及应用9-1．填空（1）理想集成运放的A od= ，r id= ，r od= ，K CMR= 。
（2）运算放大器组成运算电路必须引入反馈，在电压比较器中则应。
（3）欲实现电压放大倍数Au=-100应该选用电路。
（4）欲实现电压放大倍数Au=+100应该选用电路。
（5）比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地。
答案：（1）∞，∞，0，∞。
（2）负反馈，开环或加入正反馈。
（3）反相比例放大电路。
（4）同相比例放大电路。
（5）反相。
9-2．判断下列说法是否正确。
（1）运算电路中集成运放一般工作在线性区。
（）（2）反相比例运算电路输入电阻很大，输出电阻很小。
（）（3）虚短是指集成运放两个输入端短路。
（）（4）同相比例运算电路中集成运放的共模输入电压为零。
（）（5）单限比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
（）（6）无源滤波电路带负载后滤波特性将发生变化。
（）（7）因为由集成运放组成的有源滤波电路往往引入深度电压负反馈，所以输出电阻趋于零。
（）(8)由于有源滤波电路带负载后滤波特性基本不变，即带负载能力强，所以可将其用作直流电源的滤波电路。
（）（9）无源滤波器不能用于信号处理。
（）（10）按照将积分运算电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现微分运算的思路，将低通滤波电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现高通滤波。
（）答案：（1）对；在运算电路中，为使集成运放工作在线性区，一定要引入负反馈，只有在引入深度负反馈的条件下，输出电压与输入电压运算关系才几乎仅仅决定于反馈网络和输入网络。
（2）错；反相运算电路输入电阻与反相输入端所接电阻大小有关。
（3）错；“虚短”的含义不是说两个端短路，而是指两个端电位近似相等。
（4）错；同相比例运算电路输入单端输入模式。
（5）错；迟滞比较器的抗干扰能力强于单限比较器。
（6）对；本题考查是否理解“有源”和“无源”滤波电路的特点。
有源滤波电路有其局限性，主要表现在：一是频率响应受组成它的晶体管、集成运放频率参数的限制。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号u ic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。
A．β增加，I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加，u BE减小C．β与u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
长沙理工大学模拟电子技术试卷及答案09
一、判断（本题共15分,每小题1.5分，正确的打√，错误的打×）：1.（）从一定意义上来说，模拟电子技术重点研究的就是信号通过电路所发生的各种现象和过程，研究电路对信号的处理方式和效果等。
2.（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3.（）在三极管的三种基本组态中，只有电压放大能力而无电流放大能力的是基本共集组态。
4.（）由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。
5.（）通常，甲类功放电路的效率最大只有50%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。
6.（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
7.（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。
8.（）要使放大电路的电压放大倍数稳定并使输入电阻减小，应引入电压并联负反馈。
9.（）串联反馈式稳压电路一般均由调整管、基准电压电路、输出电压取样电路、比较放大电路和保护电路这几个部分组成。
10.（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。
1、√2、√3、×4、×5、√6、×7、×8、√9、√ 10、×二、单项选择（本题共20分,每小题2分）：1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2．当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（）。
A 反向偏置但不击穿B 正向偏置但不击穿C 反向偏置且被击穿D 正向偏置且被击穿3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（）。
A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是（）。
A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
模拟电子技术答案 第9章 功率放大电路
第9章 功率放大电路自测题一、选择合适的答案填入括号内。
(1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大( A )。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率(2)功率放大电路的转换效率是指( B )。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比；B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比；C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
(3) 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( BDE )。
A ．βB ．I CMC ．I CBOD ．U CEOE ．P CMF ．f T(4) 若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CES U ，则最大输出功率P OM =( C )。
A.2()2CC CES LV U R - B.21()2CC CES L V U R - C.21()22CC CES L V U R -图T9.1 图T9.2二、电路如图T9.2 所示，已知T l 和T 2的饱和管压降2CES U V =，直流功耗可忽略不计。
回答下列问题：(1)R 3、R 4 和T 3的作用是什么？(2)负载上可能获得的最大输出功率P om 和电路的转换效率η各为多少？(3)设最大输入电压的有效值为1V 。
为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V ，电阻R 6至少应取多少千欧？解：(1)消除交越失真。
(2)最大输出功率和效率分别为：2()162CC CES omLV U P W R -==, 69.8%4CC CES CC V U V πη-=⋅≈ (3)由题意知，电压放大倍数为：61111.3u R A R =+≥== ∴61(11.31)10.3R R k ≥-=Ω习题9.1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
( × )(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
模拟电子技术试题.(答案)
模拟电子技术试题（答案）一．判断题1.N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
（×）2.点接触型晶体二极管因其结电容很小，因此工作频率也很小，比较适用于做小信号检波。
（×）3.室温下，当锗晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取0.7V。
（×）4.最大整流电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。
（√）5.正常情况下，二极管的正向电阻阻值小于反向电阻阻值。
（√）6.晶体二极管的阳极电位是10V，阴极电位是20V，则该晶体二极管处于导通状态。
（×）7.稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向导通来实现的。
（×）8.若把二个稳压值相同的稳压二极管正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值为二个稳压值相加。
（×）9.变容二极管是一只工作在正向偏压下的二极管，只是在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。
（×）10.发光二极管是利用PN结内电光效应发光的，当有电流流过时，就能发出光来。
（√）11.光电二极管PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升。
（√）12.三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为发射结正偏，集电结正偏。
（√）13.在三极管放大电路放大区，基极电流与集电极电流的比值保持不变，为一常数。
（√）14.根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为截止区和饱和区，相当于一个开关。
（×）15.晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV<sub>ceo</sub>的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。
（√）16.用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管，各电极对地的电位是：U<sub>1</sub>=-2.7V，U<sub>2</sub>=-6V，U<sub>3</sub>=-2V，则该晶体三极管各管脚分别为1脚为b、2脚为c、3脚为e。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。
A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。
a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。
A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ） ，则说明引入的是负反馈。
《模拟电子技术》试卷及答案
《模拟电子技术》试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。
（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术考试试卷(附答案)
模拟电子技术考试试卷（附答案）一、填空题（除6题外，每空1分，共20分）1．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.2．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般采用_______________电路。
3．直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4．图1示电路，要求达到以下效果，应该引人什么反馈？（1）希望提高从输入端看进去的输入电阻，接Rf应与_______点和________点相连；（2）希望输出端接上负载RL 后，Uo（在给定Ui情况下的交流电压有效值）基本不变，接Rf与_______点和________点相连；（用A～F的字符表示连接点）。
5．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_________，______________和_______________。
6．在图2示差动放大电路中，假设各三极管均有β=50，UBE=0.7V。
求（1）ICQ1=ICQ2=__________mA；（2分）（2）UCQ1=UCQ2=__________V（对地）；（2分）（3）Ro = __________KΩ。
（2分）二、OCL 电路如图3所示，已知V cc =12V ，R L = 8Ω ，v i 为正弦电压。
（10分） 1．求在U CES = 0的情况下，电路的最大输出功率P max 、效率η和管耗P T 。
2．求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少？三、某放大电路的频率响应如图4所示。
（12分） 1．该电路的中频放大倍数|A um | = ？2．该电路的增益频率响应 A U （j ω）表达式如何？3．若已知其输出电压最大不失真动态范围为U om = 10V ，当输入信号时，试判断输出信号是否会失真？说明理由。
模拟电子技术试卷9
１昆 明 冶 金 高 等 专 科 学 校 试 卷课程名称：模拟电子技术 任课教师： 考试时间： 试卷类别： 专 业： 班 级： 学生姓名： 学 号： 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总 分一、单选题(每题1分) 1. 图示电路中，（ ）。
A ．只要将二次线圈的同名端标在上端，就能振荡 B ．将二次线圈的同名端标在下端，可能振荡 C ．将二次线圈的同名端标在上端，可满足振荡的相位条件 D ．将二次线圈的同名端标在下端，可满足振荡的振幅条件 2. 图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（ ）。
A. R B1开路 B. R B2开路 C. R C 短路 D. C E 短路图号3201 3. 图示电路（ ） A ．等效为PNP 管，电流放大倍数约为β1 B ．等效为NPN 管，电流放大倍数约为β2 C ．连接错误，不能构成复合管 D ．等效为PNP 管，电流放大倍数约为β1β 2 图号3402 1V 2V 1β2β 4. 某集成运放频率特性如图所示，则用于放大100kHz 信号时能达到的最高电压放大倍数为 （ ）。
A. 10B. 5000000C.50 D. 无法确定5. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ） ，则说明引入的是负反馈。
A. 输入电阻增大 B. 输出量增大 C. 净输入量增大 D. 净输入量减小6. 一过零比较器的输入信号接在反相端，另一过零比较器的输入信号接在同相端，则二者的（ ） A ．传输特性相同 B ．传输特性不同，但门限电压相同 C ．传输特性和门限电压都不同 D ．传输特性和门限电压都相同7. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于8. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（ ）A ．增大差模输入电阻B ．提高共模增益C ．提高差模增益D ．提高共模抑制比 9. 由迟滞比较器构成的方波产生电路，电路中（ ） A ．需要正反馈和选频网络B ．需要正反馈和RC 积分电路C ．不需要正反馈和选频网络D ．不需要正反馈和RC 积分电路10. 对于理想模拟乘法器，下列说法不准确的为（ ）。
《模拟电子技术》试题及答案
《模拟电子技术》试题一、填空题（每空1分，共20分）1、如果按结构分类,二极管可分为型和型两种类型.2、BJT工作在截止区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置.3、电压射极输出器的输出电阻R0的值越好。
4、为消除乙类功放的交越失真，给BJT发射结加一定的偏压,使Q点上移，摆脱电压的影响。
这时,电路工作在状态。
5、互补对称功放采用类型的两个BJT组成推挽输出器，在输入交流信号作用下，两管工作，为使输出电压波形对称，要求两管的性能。
6、双端输出差动放大器在电路完全对称时，其共模增益为,共模抑制比为。
7、运算放大器的输出电阻越小，它带负载的能力，如果是恒压源，带负载的能力.8、深度负反馈是指，负反馈深度等于。
9、正弦波振荡器主要由电路、电路和电路三部分组成。
二、判断题(每小题1分，共10分）1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。
（）2、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。
（）3、BJT的β值越大，放大能力越强,但在选用BJT时，并不是β值越大越好。
（）4、集电极电阻R C的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。
因此, R C的值越大，输出电压越高。
( ）5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。
（）6、分压偏置电路的发射极电阻R e越大，工作点稳定性越好.但R e过大,会使BJT的V CE减小,影响放大器的正常工作。
（）7、射极输出器的输入电流是I B,输出电流是I E，因此，具有较高的电流放大倍数。
（)8、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路.（）9、在运放电路中，闭环增益A F是指电流放大倍数。
（）10、只要满足AF=1，ϕa+ϕf=2nπ这两个条件,就可以产生正弦波振荡.三、选择题（每小题1分，共10分）1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流（）漂移电流。
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷试卷号：B140011校名___________ 系名___________ 专业___________ 姓名___________ 学号___________ 日期___________（请考生注意：本试卷共 页）一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D (本大题分6小题, 每小题9分, 共54分)1、填空：晶体管的各类反向击穿电压和反向漏电流的定义如图所示。
对于同一个晶体管来说，在四种漏电流中________________最小，________________最大；在四种击穿电压中________________最小，________________最大。
e 开路bCBOU R2、场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图所示，说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路，用a 、b 、c 、d 填空。
1．结型场效应管可以采用图示电路中的 ____； 2．增强型MOS 场效应管可以采用图示中的_____；3．耗尽型MOS 场效应管可以采用图示电路中的_____。
(a )( b )( c )( d )3、从括号中选择正确答案，用A 、B 、C 、D 填空。
已知图示电路中场效应管的m g ＝3mS 。
该放大电路的中频电压放大倍数mu A 为_____（A ．10， B ．20， C ．30）；下限截止频率L f 约为 ____Hz （A ．10 ， B ．50， C ．100）；当输入信号频率f ＝L f 时，输出电压与输入电压相位差为 ____。
（A ．45°，B ．－45°，C ．－135°，D ．－225°）。
V u 4、R e 的阻值减小时，试就下列问题选择正确答案填空（答案：A ．增大，B ．减小，C ．不变或基本不变）。
1．差模电压放大倍数I2I1Od u u u A u -=＿＿；2．差模输入电阻R id ＿＿；3．共模电压放大倍数()I2I1Oc 21u u u A u +=＿＿；4．共模输入电阻R ic ＿＿。
电子技术模拟题(九)
模拟试题九一、填空题1．三极管放大电路的三种基本组态是、和，其中组态输出电阻低、带负载能力强；组态兼有电压放大作用和电流放大作用。
2．放大电路没有输入信号时的工作状态称为；放大电路有输入信号作用时的工作状态称为。
3．放大电路中的直流通路是指，交流通路是指。
4．在三极管放大电路中，若静态工作点偏低，容易出现失真；若静态工作点偏高，容易出现失真。
5．画三极管的简化微变等效电路时，其B、E两端可用一个等效代替，其C、E两端可用一个等效代替。
6．射极输出器是一种共放大电路。
7．射极输出器的电压放大倍数。
8．引入反馈可提高电路的增益，引入反馈可提高电路增益的稳定性。
9．将信号的一部分或全部通过某种电路端的过程称为反馈。
10．电压负反馈能稳定输出，电流负反馈能稳定输出。
11．负反馈对输出电阻的影响取决于端的反馈类型，电压负反馈能够输出电阻，电流负反馈能够输出电阻。
12．负反馈对输入电阻的影响取决于端的反馈类型，串联负反馈能够输入电阻，并联负反馈能够输入电阻。
13．以功率三极管为核心构成的放大器称放大器。
它不但输出一定的还能输出一定的，也就是向负载提供一定的功率。
14．功率放大器简称。
功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：类功放、类功放和类功放电路。
15．功放管可能工作的状态有三种：类放大状态，它的失真、效率；类放大状态，它的失真、效率；类放大状态，它的失真、效率；。
16．功率放大电路功率放大管的动态范围大,电流、电压变化幅度大，工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区，进入或，产生失真。
17．所谓“互补”放大器，就是利用型管和型管交替工作来实现放大。
18．OTL电路和OCL电路属于工作状态的功率放大电路。
19．为了能使功率放大电路输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在。
20．当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两管交替工作时产生。
21．对于乙类互补称功放，当输入信号为正半周时，型管导通，型管截止；当输入信号为负半周时，型管导通，型管截止；输入信号为零（Ui=0）时，两管，输出为。
模拟电子技术题库答案
模拟电⼦技术题库答案模拟电⼦技术试题汇编成都理⼯⼤学⼯程技术学院电⼦技术基础教研室2010-9第⼀章半导体器件⼀、填空题1、本征硅中若掺⼊5价元素的原⼦，则多数载流⼦应是电⼦，少数载流⼦应是空⽳。
2、在N 型半导体中，电⼦浓度⼤于空⽳浓度，⽽在P 型半导体中，电⼦浓度⼩于空⽳浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放⼤___区、__截⽌________区。
5、场效应管分为两⼤类：⼀类称为_结型场效应管___________，另⼀类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体⼆极管的基本特性是单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作⽤。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进⾏着两种载流⼦的运动：多数载流⼦的扩散运动和少数载流⼦的___漂移_____运动。
10、硅⼆极管的死区电压约为__0.5____V ，锗⼆极管的死区电压约为__0.1____V 。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选⽤晶体管的时候，⼀般希望CBO I 尽量___⼩_______。
12、场效应管实现放⼤作⽤的重要参数是___跨导_m g ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管⼯作在放⼤区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。