模电试卷期中考试
模拟电路期中试题
一、选择题(每小题3分，共30分)1、在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价2、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽3、设二极管的端电压为v D ，则二极管的电流方程是 。
A. D v I e SB. T D V v I e SC. )1e (S －T D V v I4、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大B. 不变C. 减小5、稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿6、光电二极管正常工作时，工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区B ．反向截止区C ．反向击穿区7、（ ）如图，V为理想二极管 A V 导通，V AB =0V 。
B V 导通，V AB =15V 。
C V 截止，V AB =12V 。
D V 截止，V AB =3V 。
8、（ ）如图，V 为理想二极管A V 截止，V AB =12V 。
B V 导通，V AB =6V 。
C V 导通，V AB =18V 。
D V 截止，V AB =0V 。
9、（ ）二极管两端加上正向电压时A 一定导通B 超过死区电压才能导通B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通10、二极管的反向电阻（ ）。
A ．小B ．大C ．中等D ．为零11、温度上升时，半导体三极管的( )A.β和I CEO 增大，uBE 下降 B.β和u BE 增大,I CEO 减小C.β减小，I CEO 和u BE 增大D.β、I CEO 和u BE 均增大 12、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( )A.PNP 型硅B.NPN 型锗管C.PNP 型锗管D.PNP 型硅管13、在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo 与ui 相位6V －－8V －2.2V ① ③图1相反、|Au|>1的只可能是( )A.共集电极放大电路B.共基极放大电路C.共漏极放大电路D.共射极放大电路14、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
模电期中考试
一、填空题20分
1、N型半导体是在本征半导体中掺入 五价 价元素，其多数载流子 是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 2、PN结和二极管具有相同的 单向导电性 性，外加正向 电压时 导通 ,外加反向电压时 截止 。 3、稳压二极管工作在 反向击穿 区，具有很好的稳 压特性。 4、三极管工作在放大状态的外部条件是 集电结反 偏 ，和 发射结正偏 。 5、某NPN型硅三极管UBE=0.7V，UBC=0.7V，则该三极管工作 在 饱和区 区。 6、场效应管是一种 压控 控器件，它利用 栅源电压 控制漏极电流iD。 7、电压负反馈主要稳定 输出电压 ，直流负反馈主要稳定 静态工作点 。 8. 集成运放的四个组成部分是 电压负反馈 、 电流负反 馈 、 串联负反馈 、并联负反馈 。 9、差分放大电路放大 差模 信号，抑制 共模 信号。
A
。
三、判断题10分
• • • • • • • • • 1、在P型半导体中掺入足够量的5价元素，可将其改为N型半导体。T 3、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。T 4、放大电路采用有源负载的目的是提高电压放大倍数。T 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。F 6、双端输出差分放大电路的Aod大约是单端输出的一半。F 7、OTL互补对称电路输出无电容，采用单电源供电。F 8、多级放大电路的输入级要求有较高的输入电阻，差分放大电路具有较高 的输入电阻。T 9、通频带BW越宽说明放大电路对信号频率变化的适应性更差。F 10、输出电阻Ro越大说明放大电路带负载的能力越强。F
5、如图所示电路参数理想对称，晶体管的β 均为100， =100Ω ，UBEQ≈0.7V。试计算RW滑动端在中点时T1管和 T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Aud、Ri、Ro。
模拟电子技术期中考试题
模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。
（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。
（3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。
双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。
（4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。
（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。
（6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。
（7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。
（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。
2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。
武夷学院13级模电期中试题答案【精选】
.武夷学院期中考试试卷级专业一、单选题（20%）1、N 型半导体（ c ）。
A ：带正电B ：带负电C ：呈中性2、在常温下，流过二极管的正向电流与其两端的外加电压（ b ）。
A ：几乎无关B ：近似按指数规律上升C ：线性关系3、P 沟道增强型MOS 管的开启电压为（ b ）。
A ：大于0B ：小于0C ：等于04、采用图解法分析基本放大器的静态特性时，必须画出晶体管特性曲线和（ a ），所求两者之交点即为Q 点。
A ：直流负载线B ：交流负载线C ：转移特性曲线5、在测量二极管反向电阻时，若用手把管脚捏紧，电阻值将会 B 。
A ．变大 B.变小 C.不变化6、在共射组态基本放大电路中，用示波器观察输出电压与输入电压的波形，它们应该 C 。
A.相同B.不相同C.反相7、用万用表测得电路中三极管各电极对地的直流电压电位分别如（a ）、(b)所示，试判断这些三极管分别处于哪种工作状态。
（ a ）。
A. (a)发射结短路，(b)放大B. (a)集电结开路，(b)截止C. (a)放大，(b)集电极开路D. (a)集截止，(b)饱和8、场效应管漏极电流由（ a ）的漂移运动形成。
A ：多子B ：少子C ：两种载流子9、某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( D )。
A ．P 沟道增强型MOS 管B ．P 沟道结型场效应管C ．N 沟道增强型MOS 管D ．N 沟道耗尽型MOS 管10、在NPN 组成的共射基本放大电路中，当输入为正弦波时，输出电压波形出现了底部失真，这种失真是 B 。
A.截止失真B.饱和失真C.频率失真党二、填空1.纯净的半导体单晶体称为__本征半导体__，它有两种载流子，即带_正_电的__空穴_和带_负__电的__自由电子_。
由于两者___电量____相等、____极性_____相反，所以半导体呈电中性。
2.根据掺入杂质的性质不同，可以分为__ P __型半导体和__ N __型半导体。
模拟电子技术期中测试
模电期中测试一、 填空题(1空1分，共30分)1. 自然界的各种物质按导电能力分__导体____、_半导体______、__绝缘体________。
2. 杂质半导体具有___P______型和_____N _____型之分。
3. PN 结加正向电压，是指电源的正极接_P________区，电源的负极接_______N __区，这种接法叫___正向偏置法______。
4. N 型半导体是在本征半导体中掺入___+5_____价元素，其多数载流子是___自由电子_________，少数载流子是___空穴________。
5. P 型半导体是在本征半导体中掺入__+3______价元素，其多数载流子是____空穴________，少数载流子是___自由电子________。
6. 二极管的最主要特性是____单向导电性___________，它的两个主要参数是反映正向特性的___电流_____和反映反向特性的___电压________。
7. 稳压二极管是利用二极管的___反向击穿________特性进行稳压的。
8. .双极型晶体管从结构上可以分成__NPN____和___PNP ____两种类型，它们工作时有_自由电子____和____空穴__两种载流子参与导电。
9. 晶体三极管用来放大时，应使发射结处于__正向___偏置，集电结处于_反向____偏置。
10. 为了实现下列目的，应引入A.电压B.电流C.串联D.并联①为了稳定放大电路的输出电压，应引入_A ____。
②为了稳定放大电路的输出电流，应引入__B ___。
③为了增大放大电路的输入电阻，应引入__C ___。
④为了减小放大电路的输入电阻，应引入__D ___。
⑤为了增大放大电路的输出电阻，应引入__B ___。
⑥为了减小放大电路的输出电阻，应引入__A ___。
※电流串联电阻大，电压并联电阻小，对应出入电阻二、 判断题(每题2分，共10分)1.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
模拟电子技术期中测验题及答案
模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:（共52分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，B ．100，C ．400）。
2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 0v 。
3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C.0.9）倍。
当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
题号 一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3（16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。
模电期中考试题库及答案
模电期中考试题库及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。
A. 基极电流大于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。
A. 0ΩB. ∞ΩC. 1ΩD. 1kΩ答案：B3. 共发射极放大电路中，若基极电流增大，则集电极电流将（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 无法确定答案：A4. 在多级放大电路中，耦合方式为（）可以避免零点漂移。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：A5. 差分放大电路中，若输入信号为共模信号，则输出电压将（）。
A. 增大B. 减小C. 基本不变D. 无法确定答案：C6. 场效应管的控制量是（）。
A. 漏极电流B. 漏极电压C. 栅源电压D. 漏极电流和漏极电压答案：C7. 正弦波振荡电路中，若要产生正弦波，则相位移动网络的相位移动量应为（）。
A. 90°B. 180°C. 270°D. 360°答案：A8. 理想二极管的正向导通电压为（）。
A. 0VB. 0.7VC. 0.3VD. 1V答案：A9. 电源滤波电路中，若要提高滤波效果，可以（）。
A. 增大电感B. 增大电容C. 增大电阻D. 减小电感答案：B10. 负反馈放大电路中，反馈信号与输入信号相位（）。
A. 相同B. 相反C. 无法确定D. 有时相同有时相反答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是发射极、集电极和______。
答案：基极2. 运算放大器的差模输入电压是两个输入端电压的______。
答案：差值3. 共基极放大电路的电流增益为______。
答案：14. 差分放大电路的差模输入电压是两个输入端电压的______。
答案：差值5. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是______。
2019-2020-1-模电期中试卷
考核人数______ 考核班次_______________ 任课教员_________ 出题教员签名________ 任课教研室主任签名_______日期_______ 队别__________ 教学班次___________ 学号___________ 姓名____________…………………………密………………………………封………………………………线………………………………………南京信息工程大学《模拟电子电路》期中考试试卷题目部分，（卷面共有25题，100分，各大题标有题量和总分）1.二极管具有_______导电性，稳压二极管在稳压时，工作在_______区域。
2.当温度升高时，二极管的正向压降将________；反向饱和电流将________。
3.某放大器空载时，输出电压为6V ，接入3kΩ负载后输出电压为3V ，则该放大器的输出电阻为________；接入负载后输出电压几乎没有变化，说明输出电阻__________（很大/很小）。
4.在放大电路中，能实现阻抗变换的耦合方式是________；集成电路中一般采用的耦合方式是_________。
5.根据器件的工作原理，晶体三极管是_________控制器件，场效管是__________控制器件。
6.实验室中现有以下仪器（仪表）：A 、0~1kHz 的3位半数字万用表，B 、20Hz~1MHz 电子毫伏表，C 、0~30MHz 示波器。
为测量下列性能指标应选择最合理的仪器（仪表），测电路的静态工作点，应选用________；测视频（6MHz ）放大器输出电压，应选用________。
1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。
（ ） A. 五价B. 四价C. 三价2.测得某放大电路中三极管三个电极ABC 对地的电位分别为12V ，0.7V ，0V ，则该管是______管，ABC 分别为_____。
（ ） A. 硅；集电极，基极，发射极 B. 硅；集电极，发射极，基极C. 锗；发射极，基极，集电极D. 锗；集电极，基极，发射极3.三极管共射、共集、共基三种放大电路中，频率特性最好的是______。
模电期中考试试题
电路分析期中考试试题一、填空题（10分）1实际电路的电路模型由元件连接而成。
2.一个元件的电流电压参考方向可以指定。
如果指定流过元件的电流的参考方向是从标以电压的负极性的一端指向正极性一端，两者的参考方向称为方向。
3.电气设备或电路部件实际消耗的功率不能其标定的额定功率，否则会造成设备损坏或不能正常工作。
4.KCL是在之间施加的线性约束关系；KVL则对施加线性约束关系。
5.将阻值为R星形连接的电阻，等效为三角形连接，电阻阻值相应变为。
6.对于一个具有b条支路和n个节点的电路其具有的独立回路数为。
7.从减少方程数量的角度考虑，应将支路选作连支。
8.所谓节点电压法是以为未知量，列节点电压方程。
二、选择题(20分)1、必须设立电路参考点后才能求解电路的方法是（）A、支路电流法B、回路电流法C、结点电压法2、如下定理或定律只适应于线性电路是（）A、基尔霍夫定律B、戴维南定理C、叠加定理3、必须设立电路参考点后才能求解电路的方法是（）A、支路电流法B、回路电流法C、结点电压法4、两个电阻串联，R1：R2=1：2，总电压为60V，则U1的大小为（）A、10VB、20VC、30V5、一电阻R上u、i参考方向不一致。
已知u=－10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（）A、200ΩB、－200ΩC、20ΩD、－20Ω6、电阻元件上电压电流参考方向不一致，电阻元件吸收的功率计算方法正确的是（）A 、p=ui B、p=u2/R C、p=i2R D、p=-i2R7、容量为5μF的电容两端电压为1KV,则电容上存储的电场能为（）A、2.5焦耳B、2500焦耳C、2.5×10-3焦耳D、250焦耳8、已知空间有a、b两点，电压U ab=10V，a点电位为V a=4V，则b点电位V b 为（）A、6VB、－6VC、14VD、－14V9、如图一所示电路，电压U=（）A.-12VB.-6VC.-4VD.4V10、一个电容与一个4uf的电容串联，总电容为3uf，则该电容为（）A. 31μF；B. 2μF；C. 7μF；D. 12μF；R。
模拟电子技术考试试题
模拟电子技术考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的基本作用是：A. 放大电压B. 放大电流C. 调节电阻D. 转换能量形式2. 理想运算放大器的开环增益是：A. 有限的B. 非常大的C. 零D. 13. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 增加稳定性D. 减小输出阻抗4. 非线性失真主要发生在信号的哪个阶段：A. 线性放大B. 饱和区C. 截止区D. 过渡区5. 差分放大电路的主要优点是：A. 增益高B. 稳定性好C. 抑制共模干扰D. 功耗低6. 集成运算放大器的电源电压通常为：A. ±5VB. ±12VC. ±15VD. 所有选项都是可能的7. 以下哪个不是模拟信号的特点：A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大8. 一个理想的电压源的内阻是：A. 无穷大B. 非常大C. 零D. 有限9. 信号的频率响应特性通常用来描述：A. 放大器的增益B. 放大器的相位C. 放大器的稳定性D. 放大器的失真10. 一个理想的电流源的输出电流：A. 随负载变化B. 不随负载变化C. 随电压变化D. 不随电压变化二、简答题（每题5分，共20分）1. 简述运算放大器的两种基本配置：非反相放大器和反相放大器的工作原理。
2. 说明什么是共模抑制比（CMRR），并解释它在差分放大电路中的重要性。
3. 解释什么是电源抑制比（PSRR），并说明它对运算放大器性能的影响。
4. 描述在设计模拟电路时，为什么需要考虑温度漂移问题。
三、计算题（每题10分，共30分）1. 给定一个非反相放大器电路，其输入电阻为10kΩ，反馈电阻为2kΩ，求放大器的电压增益。
2. 如果一个差分放大电路的共模抑制比为60dB，共模输入电压为5V，求差模输出电压。
3. 设计一个简单的低通滤波器，其截止频率为1kHz，求所需的电阻和电容值。
四、分析题（每题15分，共30分）1. 分析一个带有负反馈的放大器电路，并说明负反馈对放大器性能的影响。
模拟电子技术期中试卷(一)(可编辑修改word版)
模拟电子技术期中试卷（一）一、选择题。
（每题3 分，共36 分）1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于。
A.掺杂工艺B.温度C.杂质浓度D.晶体缺陷2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出I 1 =-1.2mA, I2=-0.02mA, I3= 1.22mA 由此可知对应电极①是。
A.发射B.基极C.集电D.不定3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置.A.正向,反向B.反向,正向C.反向,反向D.不定4.如果在电路中测出某NPN 管三个电极对地电位分别为:V E = 1.0V ;VB= 1.65V ;VC= 1.3V , 则该管工作在区。
A.放大B.饱和C.截止D.击穿5.P NP 型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是。
A.Vc <Vb <VeB.Ve<Vc<VbC.Vc >Vb>VeD.Vc<Ve<Vb6.在图示电路中,设 C1、C2 对交流信号的影响可以忽略不计,当输入 f=1KHz 的正弦电压信号后,用示波器观察Vi和Vo ,则二者的相位关系为。
A.相差90ºB.相差45ºC.相同D.相差180º7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用。
A．共射电路 B.差动放大电路C．OCL 电路（互补对称电路） D.共集电路8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是。
A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.性能不变D.静态工作点稳定性变好9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）A. 电压放大倍数近似为1B. r i很大C. r O很小10.PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，。
A．其反向电流增大B．其反向电流减小C．其反向电流基本不变11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B 两端的电压为。
A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应。
模电期中考试题
一、（30％）简要回答下列问题。
（1）什么是放大器中的密勒效应？ 见课件。
（2）当负载电阻为1k Ω时，放大器的输出电压幅度比负载开路时下降20％，则该放大器的输出电阻为多少？()()Ω250%201%20%201=-=⇒+=-L o oppLo LoppR r V R r R V（3）要使双极型晶体管达到正常放大作用，其发射结（be 结）应该_正向偏置，集电结（bc 结）应该_反向_偏置。
所以，对于pnp 型晶体管，其发射极电位应该比基极电位_高_ __，集电极电位应该比基极电位__低 __。
（4）当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 0.707 。
（5）组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 输出阻抗减小 。
（6）当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is 将增大，为什么？ 是因为少数载流子的浓度随着环境温度的升高而增大了。
二、（15%）单级放大电路如下图所示：在输入信号的中频段C 1、C 2、C 足够大且对交流短路，试求：（1）该放大电路的I BQ ，I CQ ，V CEQ 的表达式；（5%）（2）画出该放大电路的交流小信号等效电路，并推导出A V 、R in 、R out 的的表达式；（5%） （3）该电路为何能稳定工作点？若要提高电压增益，可采取哪些措施？（5%）解：① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：212BQ CC R V V R R =⋅+ ()()553451BQ BEQEQ CQBQ BEQBQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=+=-+-② 画出交流小信号等效电路如图：()()()'451250411////1T be bb EQv be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-++=++⎡⎤⎣⎦=③ 由于该电路具有分压式偏置电路，BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。
2019-2020-1-模电期中试卷
南京信息工程大学《模拟电子电路》期中考试试卷题目部分，（卷面共有25题，100分，各大题标有题量和总分）1.二极管具有_______导电性，稳压二极管在稳压时，工作在_______区域。
2.当温度升高时，二极管的正向压降将________；反向饱和电流将________。
3.某放大器空载时，输出电压为6V ，接入3kΩ负载后输出电压为3V ，则该放大器的输出电阻为________；接入负载后输出电压几乎没有变化，说明输出电阻__________（很大/很小）。
4.在放大电路中，能实现阻抗变换的耦合方式是________；集成电路中一般采用的耦合方式是_________。
5.根据器件的工作原理，晶体三极管是_________控制器件，场效管是__________控制器件。
6.实验室中现有以下仪器（仪表）：A 、0~1kHz 的3位半数字万用表，B 、20Hz~1MHz 电子毫伏表，C 、0~30MHz 示波器。
为测量下列性能指标应选择最合理的仪器（仪表），测电路的静态工作点，应选用________；测视频（6MHz ）放大器输出电压，应选用________。
1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。
（ ） A. 五价B. 四价C. 三价2.测得某放大电路中三极管三个电极ABC 对地的电位分别为12V ，0.7V ，0V ，则该管是______管，ABC 分别为_____。
（ ） A. 硅；集电极，基极，发射极 B. 硅；集电极，发射极，基极C. 锗；发射极，基极，集电极D. 锗；集电极，基极，发射极3.三极管共射、共集、共基三种放大电路中，频率特性最好的是______。
（ ）A 、共射B 、共集C 、共基D 、无区别4.差分放大电路中，共模抑制比越小，说明电路中_______。
（ ） A. 差模放大倍数越小 B. 共模放大倍数越大 C. 抑制温漂的能力越弱D. 共模放大倍数越小5.在一个由NPN 管构成的单管共射放大电路中，输出波形正弦波下半周发生失真，属于_____失真。
模电期中(附答案)
一、填空（10个）1、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
少数温度无关2、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
反向正向3、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
共射极共集电极共基极4、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件βIb 电流5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制元件。
g m u gs 电压6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
增加增加7、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。
增加也增加8、两个放大系数β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（）。
β29、在共基、共集、共射三种放大电路中输出电阻最小的电路是（）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（）。
共集共射10、当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（）型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
耗尽增强二、简答（2个）1、下图图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。
二极管D导通，-3V二、指出下图所示各放大电路的名称，并画出它们的交流电路（图中电容对交流呈现短路）。
共集电极放大电路共基极放大电路三、计算（2个）1、电路如下图所示，试求：1、输入电阻；2、放大倍数。
50K 3002、三极管放大电路如下图所示，已知三极管的U BEQ=0.7V，β=100，各电容在工作频率上的容抗可不计。
（！）求静态工作点I CQ、U CEQ；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui；（4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(1)I CQ=2.2mA U CEQ=2.1V(2)(3) A u≈–100(4) R i≈1.5K R0≈3K四、分析（1个）简要分析下图电路的功能与工作原理。
（此图在小班课上简要分析过）。
模电测试题及答案
模电测试题及答案一、选择题（每题5分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管的基本放大作用是通过改变哪个参数来实现的？A. 集电极电流B. 发射极电流C. 基极电流D. 漏极电流答案：C2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 零B. 无穷大C. 有限值D. 负值答案：B3. 在共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位关系是：A. 同相B. 反相C. 正交D. 无固定相位关系答案：B4. 以下哪个元件不是模拟电路中的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 逻辑门答案：D二、填空题（每空3分，共15分）1. 在模拟电路中，放大器的增益可以通过改变________来调节。
答案：电阻值2. 运算放大器的输出电压范围受到________的限制。
答案：电源电压3. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗________。
答案：高4. 模拟电路中的反馈可以分为________和________。
答案：正反馈，负反馈5. 模拟电路中的噪声主要来源于________和________。
答案：电源，半导体器件三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案：模拟电路处理的是连续变化的信号，而数字电路处理的是离散的信号。
模拟电路通常使用模拟信号，如电压或电流的连续变化，来表示信息；数字电路则使用二进制数字信号，即0和1，来表示信息。
2. 描述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器，用于放大两个输入端之间的电压差；中间级为高增益放大级，进一步放大信号；输出级则负责将放大后的信号输出。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈电阻来控制放大倍数。
四、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个共发射极放大电路，其静态工作点为Vcc=12V，Rc=2kΩ，Re=1kΩ，β=100，求该电路的静态集电极电流Ic。
(完整word版)电自(中期)卷模电考试题
一、选择题：（本题共10小题,每小题2分，共20分）A. P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电； B。
N型半导体中由于多数载流子为只有电子，所以它带负电； C。
P型半导体和N型半导体本身都不带电。
2。
在题1-2图所示的电路中,U o为( ).题1-2图A。
—12V B. —9ＶC。
－３Ｖ3.在题1—3图所示的电路中，U o为( ）。
其中,忽略二极管的正向压降。
题1-3图A. 4VB. 1VC. 10V4.在题1-5图所示的电路中,稳压二极管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和7V，其正向压降忽略不计，则U o为( ）。
题1-5图A。
5 V B。
7 V C. 0 V5.在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9 V，4 V,3.4 V,则这三个极分别为（）。
A。
C，B，E B. C,E,B C. E，C，B6。
在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为—6 V,-2。
3 V,-2 V,则—2。
3 V那个极为（）。
A. 集电极B. 基极C. 发射极7。
在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为6 V,1.2 V,1 V，则此管为（）。
A. NPN型硅管B. PNP型锗管 C。
NPN型锗管8.对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE >0,UBC>0，UCE〉0,则此管工作在（ ).A. 放大区B. 饱和区C. 截止区 9。
晶体管的控制方式为（ )。
A 。
输入电流控制输出电压B 。
输入电流控制输出电流 C.输入电压控制输出电压 10。
场效应管的控制方式为（ ）。
A. 输入电流控制输出电压B.输入电压控制输出电压C 。
输入电压控制输出电流 ( ）二、判断题（正确打√，错误打×）：（本题共10小题，每小题2分，共20分) 1.半导体具有光敏性、热敏性、掺杂性。
√2。
二极管的最高反向电压就是它的反向击穿电压。
× 3.点接触型PN 结的面积小,所以不能通过较大的电流。
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浙江大学本科生考试用纸
课程名称：模拟电子技术基础 考试日期：2005年5月 日 _________系________专业_______班 学号________姓名________
一、 选择题：
1. 在图1所示的稳压电路中，稳压管的稳定电压为10V ，稳
压管电流小于2mA 时不能稳压。
为了使稳压管起稳压作用，
则负载电阻R L 应大于
【 】 （A ）4 k Ω （B ）1 k Ω
（C ）800Ω （D ）1.25k Ω
2．图2为场效应管电路和它的输出特性曲线，若R g =1M Ω，R d =5 k Ω，则从图中可知场效应管工作在
【 】 （A ）可变电阻区 （B ）放大区
（C ）截止区 （D ）临界饱和
图 2
3. N 沟道结型场效应管工作在线性放大区时，
【 】
(A) V GS 为正电压，V DS 为正电压
(B) V GS 为正电压，V DS 为负电压
(C) V GS 为负电压，V DS 为正电压
(D) V GS 为负电压，V DS 为负电压
4、在图3所示的电路中，如空载时（即R L 开路）调节R b ，使U CE =V CC /2，若I CEO ，U CES 均忽略不计。
问接上负载R L 后，逐渐加大输入信号u S ，输出电压u O 首先出现什么失真？ 【 】
（A ）截止失真
（B ）饱和失真
（C ）同时出现上述两种失真
（D ）交越失真
图
1
5. 单管直耦放大电路如图4所示，设V CES=0V。
已知A v＝－10，且当V I＝1V时，V O＝6V，则当V I＝1.01V时，V O为【】（A）10.1V （B）5.9V
（C）6.1V （D）–10.1V
图 4
6. 上题中，又当V I＝0V时，V O变为【】（A）16V （B） 0V
（C）10V （D）6V
二、判断下列说法是否正确，对者画“√”，错者画“×”。
1、任何单管放大电路的输入电阻均与负载电阻无关。
（）
2、任何单管放大电路的输出电阻均与负载电阻无关。
（）
3、直接耦合放大电路只能放大直流信号。
（）
4、阻容耦合放大电路只能放大一定频率范围内的交流信号。
（）
5、直接耦合放大电路采用差分放大电路是因为它可以有效地抑制温漂。
（）
6、为了使高输出电阻的放大电路与低阻值的负载很好地配合，可以在放大电路
与负载之间接入共集电路。
（）
7、已知图5所示电路的静态工作点符合理论估算值。
但在加上交流输入电压后，用交流毫伏表测得输出电压有效值Uo＝0V。
判断下面列举的理由哪些可能成立（画√）？哪些不可能成立（画×）？
（1） C1短路；（）（2）R g1短路；（）
（3） C2短路；（）（4）R d短路；（）
图5
三、一个三级负反馈放大器的开环增益如下，分别写出其对数幅频特性和相频特性的表达式，并画出相应的波特图。
⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝
⎛+=764510110110110f j f j f j A u
四、放大电路如图6所示，设晶体管T 1、T2为具有理想对称特性的两只晶体管，
且电路中各元器件参数均为已知量。
1、T 1、T 2各组成哪种基本接法（共射、共基、共集）的放大电路；
2、求出输入电阻R i 和输出电阻R o 的表达式。
图6
五、两级阻容耦合放大电路如图7所示，已知三极管的V BE = 0.7V，β=85。
设旁路电容和
耦合电容的容抗可忽略不计。
求：
1. 第二级电路的静态工作点I CQ和V CEQ。
2. 画出整个电路在中频段的小信号模型电路。
3. 整个放大电路的各级放大倍数A u1和A u2以及总的电压放大倍数
A （只需写出表达
v
式）
4. 在输出特性图上画出第二级电路的直流、交流负载线。
确定该电路的最大不失真输
出电压V om(max)。
图7
六、差动放大电路如图8所示，设各晶体管的β=100，U BE=0.7V，且r be1=r be2=3kΩ，电流源
I Q=2mA，R=1MΩ，差动放大电路从C2端输出。
（1）计算静态工作点（I C1Q，U C2Q和U EQ）；
（2）计算差模电压放大倍数A d2，输入电阻R id和输出电阻R o；
(3) 计算共模电压放大倍数A c2和共模抑制比K CMR；
(4).若u i=20sinωt (mV)，试求出u C2和u E，并画出u C2和u E的波形，在图上注明直流
分量和交流分量的幅值大小。
图8。