单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)

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单片机内的Flash与EEPROM作用及区别

单片机运行‎时的数据都‎存在于RA‎M（随机存‎储器）中，‎在掉电后R‎A M 中的‎数据是无‎法保留的，‎那么怎样使‎数据在掉电‎后不丢失呢‎？这就需要‎使用EEP‎R OM或‎F LASH‎R OM 等‎存储器来‎实现。

在传‎统的单片机‎系统中，一‎般是在片外‎扩展存储器‎，单片机与‎存储器之间‎通过II‎C或SP‎I等接口‎来进行数据‎通信。

这样‎不光会增加‎开发成本，‎同时在程序‎开发上也要‎花更多的‎心思。

在S‎T C 单片‎机中内置了‎E EPRO‎M（其实是‎采用IAP‎技术读写‎内部FLA‎S H 来‎实现EEP‎R OM），‎这样就节省‎了片外资源‎，使用起来‎也更加方便‎。

下面就详‎细介绍ST‎C单片‎机内置EE‎P ROM ‎及其使用方‎法。

‎f lash‎是用来放程‎序的，可以‎称之为程序‎存储器，可‎以擦出写入‎但是基本都‎是整个扇区‎进行的.‎一般来说‎单片机里的‎f lash‎都用于存放‎运行代码，‎在运行过程‎中不能改；‎EEP‎R OM是用‎来保存用户‎数据，运行‎过程中可以‎改变，比如‎一个时钟的‎闹铃时间初‎始化设定为‎12：00‎，后来在运‎行中改为6‎：00，这‎是保存在E‎E PROM‎里，不怕掉‎电，就算重‎新上电也不‎需要重新调‎整到6：0‎0下面‎是网上详细‎的说法，感‎觉不错：‎F LASH‎和EEP‎R OM的最‎大区别是F‎L ASH按‎扇区操作，‎E EPRO‎M则按字节‎操作，二者‎寻址方法不‎同，存储单‎元的结构也‎不同，FL‎A SH的电‎路结构较简‎单，同样容‎量占芯片面‎积较小，成‎本自然比E‎E PROM‎低，因而适‎合用作程序‎存储器，E‎E PROM‎则更多的用‎作非易失的‎数据存储器‎。

当然用F‎L ASH做‎数据存储器‎也行，但操‎作比EEP‎R OM麻烦‎的多，所以‎更“人性化‎”的MCU‎设计会集成‎F LASH‎和EEPR‎O M两种非‎易失性存储‎器，而廉价‎型设计往往‎只有 FL‎A SH，早‎期可电擦写‎型MCU则‎都是EEP‎R M结构，‎现在已基本‎上停产了。

单片机中的ROM,RAM和FLASH的作用

单⽚机中的ROM,RAM和FLASH的作⽤ROM,RAM和FLASH的区别，下⾯主要是具体到他们在单⽚机中的作⽤。

⼀、ROM,RAM和FLASH在单⽚中的作⽤ROM——存储固化程序的（存放指令代码和⼀些固定数值，程序运⾏后不可改动）c⽂件及h⽂件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm⽂件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，⼀些低端的单⽚机是没有这个的）通通都存储在ROM中。

RAM——程序运⾏中数据的随机存取（掉电后数据消失）整个程序中，所⽤到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。

FLASH——存储⽤户程序和需要永久保存的数据。

例如：现在家⽤的电⼦式电度表，它的内核是⼀款单⽚机，该单⽚机的程序就是存放在ROM⾥的。

电度表在⼯作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。

电压和电流时⼀个适时的数据，⽤户不关⼼，它只是⽤来计算电度⽤，计算完后该次采集的数据就⽤完了，然后再采集下⼀次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM⾥边。

然⽽计算完的电度，是需要永久保存的，单⽚机会定时或者在停电的瞬间将电度数存⼊到FLASH⾥。

⼆、ROM,RAM和FLASH在单⽚中的运作原理1、程序经过编译、汇编、链接后，⽣成hex⽂件；2、⽤专⽤的烧录软件，通过烧录器将hex⽂件烧录到ROM中注：这个时候的ROM中，包含所有的程序内容：⼀⾏⼀⾏的程序代码、函数中⽤到的局部变量、头⽂件中所声明的全局变量，const声明的只读常量等，都被⽣成了⼆进制数据。

疑问：既然所有的数据在ROM中，那RAM中的数据从哪⾥来？什么时候CPU将数据加载到RAM中？会不会是在烧录的时候，已经将需要放在RAM中数据烧录到了RAM中？答：（1）ROM是只读存储器，CPU只能从⾥⾯读数据，⽽不能往⾥⾯写数据，掉电后数据依然保存在存储器中；RAM是随机存储器，CPU既可以从⾥⾯读出数据，⼜可以往⾥⾯写⼊数据，掉电后数据不保存，这是条永恒的真理，始终记挂在⼼。

EEPROM和FLASH的区别,单片机中为啥很少有EEPROM

EEPROM和FLASH的区别，单片机中为啥很少有EEPROMROM的发展ROM：Read-Only Memory，只读存储器。

以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息，信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。

最早的ROM是不能编程的，出厂时其存储内容（数据）就已经固定了，永远不能修改，也不灵活。

因为存在这种弊端，后来出现了PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器），可以自己写入一次，要是写错了，只能换一块芯片。

因为只能写一次，还是存在很多不方便，于是出现了EPROM （Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可编程只读存储器），这种存储器就可以多次擦除，但是这种可擦除的存储是通过紫外线进行擦除，擦除的时候也不是很方便。

引用一个比如：如果你往单片机下载一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。

随着技术的不断进步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）来了，解决了ROM过去历史中存在一些问题。

早期的EEPROM:早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，现在基本以字节为单位了。

早期的EEPROM具有较高的可靠性，但是电路更复杂，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，从几KB到几百KB不等。

（有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因，RAM的容量也不大）。

如今的EEPROM支持连续多字节读写操作了，算是已经发展到很先进的水平了。

至此，大家今天看到的EEPROM，基本都是发展的很成熟的EEPROM 了。

Flash的发展Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。

什么是ROM,RAM,EPROM,EEPROM,DRAM,Flash,MRAM,RDRAM,各有什么作用

一、什么是ROM，RAM，EPROM，EEPROM，DRAM，Flash，MRAM，RDRAM，各有什么作用什么是ROM，有什么作用简称：ROM 标准：Read Only Memory 中文：只读存储器只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。

ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使.Yco688 { display:none; } 简称：ROM标准：Read Only Memory中文：只读存储器只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。

ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。

ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确认其储存数据的能力。

此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

什么是RAM，有什么作用简称：RAM标准：Random Access Memory中文：随机存储器随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指令和资料暂时存在这里。

RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘 (Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU 把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打印机、显示器。

RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的速度越快。

FLASH-SRAM-EEPROM-区别-【专业篇】加【通俗篇】

FLASH和EEPROM的最大区别专业篇FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。

当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。

至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。

在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。

技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。

没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。

现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM 主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼上说的很好另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

FLASH和EEPROM的最大区别

FLASH‎和EEPR‎O M的最大‎区别FLASH‎和EEPR‎O M的最大‎区别是FL‎A SH按扇‎区操作，EEPRO‎M则按字节‎操作，二者寻址方‎法不同，存储单元的‎结构也不同‎，FLASH‎的电路结构‎较简单，同样容量占‎芯片面积较‎小，成本自然比‎E EPRO‎M低，因而适合用‎作程序存储‎器，EEPRO‎M则更多的‎用作非易失‎的数据存储‎器。

当然用FL‎A SH做数‎据存储器也‎行，但操作比E‎E PROM‎麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设‎计会集成F‎L ASH和‎E EPRO‎M两种非易‎失性存储器‎，而廉价型设‎计往往只有‎F LASH‎，早期可电擦‎写型MCU‎则都是EE‎P RM结构‎，现在已基本‎上停产了。

至于那个“总工”说的话如果‎不是张一刀‎记错了的话‎，那是连基本‎概念都不对‎，只能说那个‎“总工”不但根本不‎懂芯片设计‎，就连MCU‎系统的基本‎结构都没掌‎握。

在芯片的内‎电路中，FLASH‎和EEPR‎O M不仅电‎路不同，地址空间也‎不同，操作方法和‎指令自然也‎不同，不论冯诺伊‎曼结构还是‎哈佛结构都‎是这样。

技术上，程序存储器‎和非易失数‎据存储器都‎可以只用F‎A LSH结‎构或EEP‎R OM结构‎，甚至可以用‎“变通”的技术手段‎在程序存储‎区模拟“数据存储区‎”，但就算如此‎，概念上二者‎依然不同，这是基本常‎识问题。

没有严谨的‎工作精神，根本无法成‎为真正的技‎术高手。

现在的单片‎机,RAM主要‎是做运行时‎数据存储器‎,FLASH‎主要是程序‎存储器,EEPRO‎M主要是用‎以在程序运‎行保存一些‎需要掉电不‎丢失的数据‎.楼上说的很好‎另外，一些变量，都是放到R‎A M里的，一些初始化‎数据比如液‎晶要显示的‎内容界面，都是放到F‎L ASH区‎里的（也就是以前‎说的ROM‎区），EEPRO‎M可用可不‎用，主要是存一‎些运行中的‎数据，掉电后且不‎丢失ROM和R‎A M指的都‎是半导体存‎储器，ROM是R‎e ad Only Memor‎y的缩写，RAM是R‎a ndom‎Acces‎s Memor‎y的缩写。

FLASH存储器和EEPROM存储器的区别

FLASH存储器和EEPROM存储器的区别FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。

而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。

并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。

2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。

但比单片机片内RAM的读写还要慢。

3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。

另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。

EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister 组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。

技术上，FLASH是结合EPROM 和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。

但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是1。

EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。

单片机内Flash与EEPROM作用及区别(精)

单片机内的Flash与EEPROM作用及区别单片机运行时的数据都存在于RAM(随机存储器中,在掉电后RAM中的数据是无法保存的,那么怎样使数据在掉电后不丧失呢 ?这就需要使用EEPROM或FLASHROM等存储器来实现。

在传统的单片机系统中,一般是在片外扩展存储器,单片机与存储器之间通过IIC或SPI等接口来进行数据通信。

这样不光会增加开发本钱,同时在程序开发上也要花更多的心思。

在STC单片机中内置了EEPROM(其实是采用IAP技术读写内部FLASH来实现EEPROM,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。

下面就详细介绍STC单片机内置EEPROM及其使用方法。

flash是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是根本都是整个扇区进行的.一般来说单片机里的flash都用于存放运行代码,在运行过程中不能改;EEPROM是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比方一个时钟的闹铃时间初始化设定为12:00,后来在运行中改为6:00,这是保存在EEPROM里,不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM那么按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,本钱自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM那么更多的用作非易失的数据存储器。

当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化〞的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有FLASH,早期可电擦写型MCU那么都是EEPRM结构,现在已根本上停产了。

在芯片的内电路中,FLASH和EEPROM不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同,不管冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。

技术上,程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构,甚至可以用“变通〞的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区〞但,就算如此,概念上二者依然不同,这是根本常识问题。

FLASH存储器和EEPROM存储器的区别

FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。

而FLASH 需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。

并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。

但比单片机片内RAM的读写还要慢。

3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。

另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。

EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。

技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。

但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM 单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是:1、EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。

flash和eeprom工作原理

flash和eeprom工作原理
Flash存储器和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，可电擦可编程只读存储器）在存储数据和编程操作上存在一些区别。

Flash存储器是一种基于非挥发性存储技术的存储器，常用于存储程序代码和数据。

它被分为多个扇区，每个扇区可以被独立擦除和编程。

Flash存储器的工作原理是利用电子漂移现象，通过在晶体管中储存电荷来表示数据的位状态。

擦除操作会将整个扇区的位状态清零，编程操作会将位状态设置为1。

擦除和编程操作都需要高电压和特定的操作序列。

EEPROM（可电擦可编程只读存储器）是一种可擦写的非挥发性存储器，可以在电子设备中存储和读取数据。

EEPROM的工作原理是利用电子隧道效应，通过在细小的浮栅结构中存储电荷来表示数据的位状态。

相比于Flash 存储器，EEPROM在编程和擦除操作上更为灵活，可以以字节为单位进行操作，而不需要擦除整个扇区。

然而，EEPROM的写入速度相对较慢，且有限的擦写寿命限制了其使用次数。

总的来说，Flash和EEPROM在编程和擦除机制上有所不同。

Flash通常以扇区为单位进行操作，而EEPROM可以以字节为单位进行操作。

此外，EEPROM的写入速度较慢，且具有有限的擦写寿命。

浅谈EEPROM和flash的区别及 nor flash和nand flash

浅谈EEPROM和flash的区别及nor flash和nand flashNOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。

Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。

NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。

性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

EEPROM与FLASH

EEPROM与FLASH一、EEPROMEEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。

EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。

一般用在即插即用。

EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。

EEPROM不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。

在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。

EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。

在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。

ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。

如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。

ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。

EEPROM由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。

最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。

PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。

eeprom和flash的区别

eeprom和flash的区别
EEPROM和Flash都是非易失性存储器，它们都可以在掉电后保留数据。

但它们在很多方面存在一些差异，具体区别如下：
1.擦写方式：EEPROM的擦写是以字节为单位进行的，而Flash 通常需要按块进行擦写。

也就是说，在Flash中，要擦除一个数据，通常需要先擦除一整个块，然后再将该块中需要保留的数据重新写入。

因此，Flash的擦写操作相对EEPROM更为复杂。

2.写入方式：EEPROM的写入方式也是按字节进行，而Flash
的写入方式通常是按块进行。

这意味着，在Flash中，要写入一个数据，需要先将整个块擦除，然后再将新数据写入该块。

3.擦写速度：EEPROM的擦写速度通常比Flash慢得多，这可能会影响到系统的性能。

4.存储密度：EEPROM和Flash的存储密度都很高，可以存储大量的数据。

5.使用场景：EEPROM通常用于存储掉电后不希望丢失的数据，如配置参数等。

而Flash则更多地用于存储程序代码或大量数据。

6.可靠性：Flash的可靠性通常比EEPROM更高，因为它具有更高的擦写次数和更长的使用寿命。

7.价格：一般来说，Flash的价格比EEPROM要便宜一些。

综上所述，EEPROM和Flash在擦写方式、写入方式、擦写速度、存储密度、使用场景、可靠性和价格等方面都存在差异。

在选择使用哪种存储器时，需要根据具体的应用需求和系统要求来决定。

rom_ram_eeprom_flash区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU 的一级缓冲，二级缓冲。

另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM 相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。

Flash和E2PROM的区别（转载）

Flash和E2PROM的区别（转载）所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。

所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory.E2PROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的。

现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Device, 一类是Charge Trapping Device 。

这里的分类标准主要是program 与 erase的机制的不同。

一:FLASH和E2PROM的区别1:相同点是两者都能掉电存储数据2:不同点是A,FLASH写入时间长,E2PROM写入时间短.B,FLASH擦写次数少(10000次),E2PROM次数多(1000000次)二:单片机的数据存储器不能用FLASH,因为:1:FLASH有一定的擦除,写入次数,一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次.2:FLASH写入数据需要比较长的时间,大约需要4-6ms.而且写FLASH需要加上9V的高压,麻烦.三:至于E2PROM,可以作为数据存储器,但是单片机一般用RAM作为数据存储器,因为E2PRM工艺复杂,成本高,适合于存储掉电保护的数据,而这类数据往往不需要存储太多.所以一般的单片机都没在内部集成E2PROM,需要的时候,可以让单片机外挂24C01一类的串行E2PROM.在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。

如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。

ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。

由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM （Programmable ROM，可编程ROM）。

Eeprom和Flash的区别

Eeprom和Flash的区别存储器分为两⼤类：ram（内存：随机存储器）和rom（外存：程序存储器），分别存数据和程序。

ram就不讲了，今天主要讨论rom。

（1）rom最初不能编程，出⼚什么内容就永远什么内容，不灵活。

（2）后来出现了prom，可以⾃⼰写⼊⼀次，要是写错了，只能换⼀⽚，⾃认倒霉。

（3）⼈类⽂明不断进步，终于出现了可多次擦除写⼊的EPROM，每次擦除要把芯⽚拿到紫外线上照⼀下，想⼀下你往单⽚机上下了⼀个程序之后发现有个地⽅需要加⼀句话，为此你要把单⽚机放紫外灯下照半⼩时，然后才能再下⼀次，这么折腾⼀天也改不了⼏次。

（4）历史的车轮不断前进，伟⼤的EEPROM出现了，拯救了⼀⼤批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。

（ROM--PROM--EPROM--EEPROM的进化！）　EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器（不要觉得多⾼⼤上，其实经常都会⽤到），即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。

是相对于紫外擦除的rom来讲的。

但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了⼀类存储器的统称。

flash属于⼴义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。

但是为了区别于⼀般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。

狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何⼀个字节，可以往每个bit中写⼊0或者1。

这是最传统的⼀种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。

具有较⾼的可靠性，但是电路复杂/成本也⾼。

因此⽬前的EEPROM都是⼏⼗千字节到⼏百千字节的，绝少有超过512K的。

flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，⽽是以块为单位，⼀次简化了电路，数据密度更⾼，降低了成本。

上M的rom⼀般都是flash。

flash分为nor flash和nand flash。

浅谈单片机的FLASH存储器结构和功能

浅谈单片机的FLASH存储器结构和功能
STM8S 的FLASH由两部分存储器组成：
1.FLASH程序存储器；
2.数据EEPROM（选项字节OPT Byte就存放在这个区）
读者如果困惑FLASH和EEPROM有什么区别，小编在这里给大家做个简要说明。

FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同。

FLASH的电路结构较简单，适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。

在数据处理上，FLASH主要用于存续程序代码，EEPROM用于在程序运行时保存一些需要掉电不丢失的数据，如LCD显示频在每次开启单片机时显示的数据的保存（RAM是用做单片机运行时的临时数据存储器，如定义的一些临时变量）。

它们的地址分配我们来看图1。

图1 FLASH存储器
从图1 我们来分析FLASH的组织结构。

它包括：用户启动区域(UBC)、数据EEPROM(DATA)、主程序区、选项字节(Option byte)。

1.用户启动区：它是程序IAP模式下程序启动入口，包含中断向量表和复位信息，在用户启动区的初始位置存放中断向量。

程序一般从复位信号发出后开始从中断向量表向下执行。

图2 用户启动区地址分布
2.数据EEPROM：可存储一些重要数据，不会因断电而失去这些数据。

3.主程序区：我们的代码经编译后通常存储在这个区域。

4.选项字节：在对一些保护数据进行访问，或者使用stm8的端口复用功能时，需要对选项字节进行操作。

图3 选项字节的映射功能表
通过对FLASH的认识，我们对单片机CPU的内存就有一个更深刻的认识啦。

EEPROM 与FLSAH 的区别

EEPROM 与FLSAH 的区别The primary difference between EEPROM and FLASH is the removal of the ability to erase at the byte level. EEPROM和FLASH的主要区别是以字节为单位擦除内存的能力。

FLASH erases in much larger chunks of memory commonly referred to as sectors. Depending on the array size and the technology chosen, the sector size can vary significantly and therefore there is not a standard erase sector size across the industry and even within a product family.FLASH通常是按照扇区来擦除整块的数据。

根据不同的工艺和技术的选择，扇区的大小差别很大，因此扇区的大小是没有标准的，每个厂家甚至每个系列产品的扇区大小都不见得一样。

The main point to remember is that the array is erased in large pieces as opposed to byte erase found in full featured EEPROM.主要需要记住的是：EEPROM是按照字节擦除的，而FLASH 是按照块擦除的。

Almost all commercially available FLASH memoriesutilized Fowler-Nordheim tunneling for the erase operation. 几乎所有的商业用FLASH都用一种叫（Fowler-Nordheim tunneling）的技术进行擦除操作。

单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)