单片机的EEPROM功能

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单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)

单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。

在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。

这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花更多的心思。

在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。

下面就详细介绍 STC 单片机内置 EEPROM 及其使用方法。

flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。

当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。

在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。

单片机内的Flash与EEPROM作用及区别

单片机运行‎时的数据都‎存在于RA‎M（随机存‎储器）中，‎在掉电后R‎A M 中的‎数据是无‎法保留的，‎那么怎样使‎数据在掉电‎后不丢失呢‎？这就需要‎使用EEP‎R OM或‎F LASH‎R OM 等‎存储器来‎实现。

在传‎统的单片机‎系统中，一‎般是在片外‎扩展存储器‎，单片机与‎存储器之间‎通过II‎C或SP‎I等接口‎来进行数据‎通信。

这样‎不光会增加‎开发成本，‎同时在程序‎开发上也要‎花更多的‎心思。

在S‎T C 单片‎机中内置了‎E EPRO‎M（其实是‎采用IAP‎技术读写‎内部FLA‎S H 来‎实现EEP‎R OM），‎这样就节省‎了片外资源‎，使用起来‎也更加方便‎。

下面就详‎细介绍ST‎C单片‎机内置EE‎P ROM ‎及其使用方‎法。

‎f lash‎是用来放程‎序的，可以‎称之为程序‎存储器，可‎以擦出写入‎但是基本都‎是整个扇区‎进行的.‎一般来说‎单片机里的‎f lash‎都用于存放‎运行代码，‎在运行过程‎中不能改；‎EEP‎R OM是用‎来保存用户‎数据，运行‎过程中可以‎改变，比如‎一个时钟的‎闹铃时间初‎始化设定为‎12：00‎，后来在运‎行中改为6‎：00，这‎是保存在E‎E PROM‎里，不怕掉‎电，就算重‎新上电也不‎需要重新调‎整到6：0‎0下面‎是网上详细‎的说法，感‎觉不错：‎F LASH‎和EEP‎R OM的最‎大区别是F‎L ASH按‎扇区操作，‎E EPRO‎M则按字节‎操作，二者‎寻址方法不‎同，存储单‎元的结构也‎不同，FL‎A SH的电‎路结构较简‎单，同样容‎量占芯片面‎积较小，成‎本自然比E‎E PROM‎低，因而适‎合用作程序‎存储器，E‎E PROM‎则更多的用‎作非易失的‎数据存储器‎。

当然用F‎L ASH做‎数据存储器‎也行，但操‎作比EEP‎R OM麻烦‎的多，所以‎更“人性化‎”的MCU‎设计会集成‎F LASH‎和EEPR‎O M两种非‎易失性存储‎器，而廉价‎型设计往往‎只有 FL‎A SH，早‎期可电擦写‎型MCU则‎都是EEP‎R M结构，‎现在已基本‎上停产了。

单片机断电短暂记忆功能

单片机断电短暂记忆功能在一些应用场景下，单片机需要断电后能够保留一些重要的信息，例如电子秤需要保存当前称量的数值，温湿度传感器需要保存当前的环境信息等。

如果没有断电短暂记忆功能，每次断电后都需要重新初始化这些信息，这不仅浪费时间和资源，还可能导致数据丢失。

一种常用的实现方法是使用EEPROM(电可擦可编程只读存储器)来存储断电前的数据。

EEPROM是一种非易失性存储器，它可以在断电时保存数据，并且在电源重新上电后还能恢复这些数据。

EEPROM主要通过电场效应将数据存储在晶体管的栅极上，因此它不需要外部电源来保持数据的存储状态。

在单片机上，可以使用I2C或SPI接口与EEPROM通信，读写数据。

另一种常见的方法是使用闪存来实现断电短暂记忆功能。

闪存是一种非易失性存储器，通常用于存储程序代码和配置信息。

与EEPROM相比，闪存具有更高的存储密度和更快的读写速度，但相应的价格也更高。

在单片机上，可以通过SPI接口与闪存通信，将断电前的数据保存在闪存中，并在上电后恢复这些数据。

除了EEPROM和闪存外，还可以使用SD卡等外部存储器来实现断电短暂记忆功能。

SD卡是一种常见的存储介质，具有较大的存储容量和较快的读写速度。

在单片机上，可以通过SPI接口与SD卡通信，将断电前的数据保存在SD卡中，并在上电后从SD卡中读取这些数据。

无论是使用EEPROM、闪存还是SD卡，都需要在软件层面做一些工作来实现断电短暂记忆功能。

首先，需要定义一个数据结构，用于保存断电前的数据。

然后，需要在断电前将这些数据存储到外部存储器中，可以使用适当的协议或API来实现数据的读写。

在上电后，需要读取外部存储器中的数据，并将其恢复到相应的变量或寄存器中。

最后，需要在程序中处理可能出现的数据错误或异常情况，以确保数据的正确性和完整性。

总之，单片机断电短暂记忆功能是一种非常有用的功能，它可以保留断电前的信息，简化系统的初始化过程，并提高系统的可靠性和稳定性。

STC系列单片机片内EEPROM的应用

（2）向STC12C5A60S2单片机片内EEPROM中某单元写入数据（假设系统时钟频率为20MHz）：
MOV IAP_DATA,#DATA；先将要写入旳数据送至IAP_DATA寄存器
MOV IAP_ADDRH,#BYTE_ADDRH；送单元地址旳高8位 MOV IAP_ADDRL,#BYTE_ADDRL；送单元地址旳低8位 MOV IAP_CONTR,#10000010B；设置等待时间且允许对
MS1 MS0 • 操作任务旳选择
0
0
待机模式，不操作
0
1
对EEPROM进行读操作
1
0
对EEPROM进行写操作
1
1 对EEPROM进行擦除操作
2.控制寄存器IAP_CONTR
WT2 WT1 WT0 读（2个时钟）
1 1 1 2个时钟
写（55us） 55个时钟
扇区擦除（ 21ms） 21012个时钟
MOV IAP_ADDRH,DPH；送地址旳高8位
MOV IAP_TRIG,#5AH；开启写操作
MOV IAP_TRIG ,#0A5H
LCALL DELAY_55μs ；延时等待
RET
BYTE_READ：
；读
MOV IAP_CONTR,#82H
MOV IAP_CMD,#01H ；读EEPROM命令
• EEPROM分为若干个扇区，每个扇区旳大小为512B，数据存储器旳擦除操作是按扇区进行旳，能够擦写旳次数在10 万次以上。
• 使用时，同一次修改旳数据应该存储于同一种扇区，不是同一次修改旳数据最佳存储在不同旳扇区，不一定要存满。内部EEPROM旳扇区地址如表10－1所示。
起始地址结束地址起始地址结束地址

AVR单片机内部EEPROM应用方法

AVR 单片机内部EEPROM 应用方法
AVR 单片机内部集成了EEPROM，但是在GCC 写编写EEPROM 应用
程序的时候，经常会出现读写EEPROM 时程序出错，或重启等不正常现象。

在软件仿真时也许结果是正确的，但是在片上运行的时候就不正常。

困扰很
久，终于发现原因在于编译器，已经我们对EEPROM 操作说明的理解不正确
或不仔细。

操作EEPROM 对时序的要求较高。

更加Datasheet 里的写操作范例程序：while(EECR & (1EEAR = address; //设置地址和数据寄存器
EEDR = data;
EECR |= (1
EECR |= (1 以上代码在GCC 中的编译结果，发现EECR |= (1while(EECR & (1EEAR = address; //设置地址和数据寄存器
EEDR = data;
asm volatile(SBI 0x1C,2 \n\t);
asm volatile(SBI 0x1C,1 \n\t);。

Stc单片机eeprom使用心得

Stc单片机eeprom使用心得STC单片机利用IAP技术实现了EEPROM功能，相比外置存储芯片而言，在操作上比较方便。

涉及STC单片机EEPROM操作的特殊功能寄存器有6个，地址分别是E2H、E3H、E4H、E5H、E6H和E7H。

在STC单片机使用手册中，作者分别将它们定义为：一、IAP＿DATA（E2H）二、IAP＿ADDRH（E3H）三、IAP＿ADDRL（E4H）四、IAP＿CMD（E5H）五、IAP＿TRIG（E6H）六、IAP＿CONTR（E7H）本人认为，手册中给每个地址单元定义的英文词组太长，而且有点哆嗦，占的篇幅又大，感觉对正常阅读和理解产生了一定的干扰，反倒不好了解作者的意图了，还不如让使用者自己定义为好。

我自己对这些单元分别定义为DA T ADDRH ADDRL CMD TRIG CONTR。

一、DAT（E2H）从EEPROM中读取到的数据首先进入这里。

要把数据写入EEPROM中，也要把数据放到这个单元中。

也就是说，这个单元起到了中转站的作用，写入和读出都要通过这个单元。

二、ADDRH、ADDRL分别是EEPROM地址单元高8位和低8位。

如要把数据存储到1000H 单元中，那么在程序中，ADDRH的数值为10H，ADDRL的数值为00H。

三、CMD表示操作类型。

数值为1是读，数值为2是写，数值为3是擦除。

简单点说，就是“1读2写3擦除”。

四、CONTR寄存器，说明书上作了好多功能表述，但对于一般使用者来说，寄存器的前5位可以不作过多了解，只要掌握后3位意义就可以了。

一般理解为，选择好后3位的数值，为的是确保在不同数值晶振下正确读写擦除EEPROM。

考虑到TRIG这个寄存器的要求，一般使用时，可将前5位设置为10000，后3位根据不同晶振频率来确定（这个见使用手册）。

五、TRIG这个寄存器，看了好长时间手册才了解它的一般使用，对这个寄存器理解应当放到最后。

说明书是这样写的：为isp/iap操作时的命令模式寄存器。

STC单片机EEPROM读写程序

STC单片机EEPROM读写程序在单片机中，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，可以用于存储数据，即使在断电情况下，数据也会被保留。

因此，掌握STC单片机的EEPROM读写程序对于开发嵌入式系统非常重要。

一、EEPROM简介EEPROM是一种可重复擦写的存储器，可用于存储小量数据。

与Flash存储器相比，EEPROM具有更快的写入和擦除速度。

在STC单片机中，EEPROM的存储容量通常较小，一般在几个字节到几千字节之间。

二、EEPROM读操作在STC单片机中，进行EEPROM读操作需要按照以下步骤进行：1. 初始化I2C总线：STC单片机使用I2C总线进行EEPROM读写操作，因此需要先初始化I2C总线。

通过设置相关寄存器，设置I2C 总线的速度和地址。

2. 发送设备地址：确定要读取的EEPROM设备的地址，并发送到I2C总线。

3. 发送寄存器地址：确定要读取的EEPROM寄存器地址，并将其发送到I2C总线。

4. 发送读命令：向EEPROM发送读命令，以启动读操作。

5. 读取数据：从EEPROM中读取数据，并保存到变量中。

6. 结束读操作：完成读操作后，关闭I2C总线。

三、EEPROM写操作类似于读操作，进行EEPROM写操作也需要按照一定的步骤进行：1. 初始化I2C总线：同样地，首先需要初始化I2C总线。

2. 发送设备地址：确定要写入的EEPROM设备的地址，并发送到I2C总线。

3. 发送寄存器地址：确定要写入的EEPROM寄存器地址，并将其发送到I2C总线。

4. 发送写命令：向EEPROM发送写命令，以启动写操作。

5. 写入数据：将要写入EEPROM的数据发送到I2C总线。

6. 结束写操作：完成写操作后，关闭I2C总线。

四、注意事项在进行EEPROM读写操作时，需要注意以下几点：1. 确保正确的设备地址：要与EEPROM的地址匹配，否则无法进行有效的读写操作。

stc89c52中EEPROM使用方法

单片机STC89C52RC 内部EEPROM单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。

在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC 或SPI 等接口来进行数据通信。

这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。

在STC 单片机中内置了EEPROM（其实是采用ISP/IAP 技术读写内部FLASH 来实现EEPROM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。

下面就详细介绍STC 单片机内置EEPROM 及其使用方法STC 各型号单片机内置的EEPROM 的容量最小有2K，最大有16K，基本上很好地满足项目的需要，更方便之处就是节省了周边的EEPROM 器件，达到节省成本的目的，而且内部EEPROM 的速度比外部的EEPROM 的速度快很多。

STC 各型号单片机内置的EEPROM 是以512 字节为一个扇区，EEPROM 的起始地址=FALSH 容量值+1，那么STC89C52RC 的起始地址为0x2000，第一扇区的起始地址和结束地址0x2000~0x21FF，第二扇区的起始地址和结束地址0x2200~0x23FF，其他扇区如此类推。

深入重点：�传统的EEPROM 是电可擦可编程只读存储一种掉电后数据不丢失的存储芯片。

�STC89C52RC 的EEPROM 是通过ISP/IAP 技术读写内部FLASH 来实现EEPROM。

�STC89C52RC 的EEPROM 起始地址为0x2000，以512 字节为一个扇区，EERPOM 的大小为2K 字节。

STC89C52RC 与EEPORM 实现的寄存器有6 个，分别是ISP_DATA、ISP_ADDRH、ISP_ADDRLISP_TRIG、ISP_CMD、ISP_CONTR。

RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别

RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。

在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.FLASH:单片机运行的程序存储的地方。

SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。

EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。

SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。

DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

STC单片机内部EEPROM的应用

STC单片机内部EEPROM的应用可以使单片机可以将数据写入到程序存储器中，使得数据如同烧入的程序一样，掉电不丢失。

当然写入数据的区域与程序存储区要分开来，以使程序不会遭到破坏。

上面提到了IAP，它的意思是“在应用编程”，即在程序运行时程序存储器可由程序自身进行擦写。

正是是因为有了IAP，从而可以使单片机可以将数据写入到程序存储器中，使得数据如同烧入的程序一样，掉电不丢失。

当然写入数据的区域与程序存储区要分开来，以使程序不会遭到破坏。

要使用IAP功能，与以下几个特殊功能寄存器相关：ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。

ISP/IAP从Flash读出的数据放在此处，向Flash写的数据也需放在此处ISP_ADDRH：ISP/IAP操作时的地址寄存器高八位。

ISP_ADDRL：ISP/IAP操作时的地址寄存器低八位。

ISP_CMD：ISP/IAP操作时的命令模式寄存器，须命令触发寄存器触发方可生效。

ISP_TRIG：ISP/IAP操作时的命令触发寄存器。

当ISPEN（ISP_CONTR.7）=1时，对ISP_TRIG先写入0x46，再写入0xb9，ISP/IAP命令才会生效。

单片机芯片型号起始地址内置EEPROM容量（每扇区512字节）STC89C51RC，STC89LE51RC0x2000共八个扇区STC89C52RC，STC89LE52RC0x2000共八个扇区STC89C54RD+，STC89LE54RD+0x8000共五十八个扇区STC89C55RD+，STC89LE55RD+0x8000共五十八个扇区STC89C58RD+，STC89LE58RD+0x8000共五十八个扇区寄存器标识地址名称76543210初始值0xE2ISP/IAP闪存数据寄存器11111111ISP_DATAISP_DATA0xE2ISP_ADDRH0xE3ISP/IAP闪存地址高位00000000ISP_ADDRL0xE4ISP/IAP闪存地址低位00000000ISP_CMD0xE5ISP/IAP闪存命令寄存器MS2MS1MS0xxxxx000ISP_TRIG0xE6ISP／IAP闪存命令触发xxxxxxxxISP_CONTR0xE7ISP/IAP控制寄存器ISPEN SWBS SWRST WT2WT1WT000xx000B7B6B5B4B3B2B1B0命令／操作模式选择保留命令选择－－－－－000待机模式，无ISP/IAP操作－－－－－001对用户的应用程序Flash区及数据Flash区字节读－－－－－010对用户的应用程序Flash区及数据Flash区字节编程－－－－－011对用户的应用程序Flash区及数据Flash区扇区擦除ISP_CONTR：ISP/IAP控制寄存器。

51单片机EEprom的存取

51单⽚机EEprom的存取/****************************************************************************** *********************⼯程名称：IIC功能描述：每按下⼀次复位键或重新给系统上电，发光⼆极管表⽰的数据加1，实现记录开机次数。

硬件连接：⽤8位杜邦线将J8与J13连接，2位杜邦线分别将J11_7与J17_SDA、J11_6与J17_SCL连接维护记录：2011-8-22******************************************************************************* ********************/#include "reg51.h" //包含头⽂件#include"intrins.h" //_nop_();延时函数⽤sbit sda=P2^7; //数据线sbit scl=P2^6; //时钟线#define uchar unsigned char#define uint unsigned int//***************************************************************************** *********************//延时//***************************************************************************** *********************delay(uint time) //int型数据为16位,所以最⼤值为65535{uint i,j; //定义变量i,j,⽤于循环语句for(i=0;ifor(j=0;j<50;j++); //for循环,循环50次}//***************************************************************************** *********************//启动(SCL为⾼，SDA由⾼变为低是⼀个开始条件)//***************************************************************************** *********************void start(){sda=1; //数据线置⾼,_nop_(); //延时scl=1; //时钟线置⾼_nop_(); //延时sda=0; //数据线置低,由⾼变低_nop_(); //延时scl=0; //时钟线置低,准备发送或接收数据,总线进⼊忙状态(I2C总线在空闲状态时，SDA与SCL均被置⾼)//停⽌（SCL为⾼，SDA由低变为⾼是⼀个结束条件）//***************************************************************************** *********************void stop(){sda=0; //数据线置低_nop_(); //延时scl=1; //时钟线置⾼_nop_(); //延时sda=1; //数据线置⾼，由低变⾼_nop_(); //延时}//***************************************************************************** *********************//检测应答(所有的地址和数据字都是以8bit,在第9个时钟周期，从器件发出"0"信号来作为收到⼀个字的应答信号) //***************************************************************************** *********************void checkACK() //主器件检测从器件是否返回应答{scl=1; //时钟线置⾼_nop_(); //延时while(sda==1); //等待第9个时钟周期器件发出的响应信号"0"scl=0; //时钟线置低_nop_(); //延时}//***************************************************************************** *********************//发送应答(发送⽅为主器件，接收⽅为从器件，控制器作为从器件接收完1数据时，发送应答信号//***************************************************************************** *********************void sendACK(bit ACK){if(ACK)sda=1; //如果i位为1则发送1,即发送"⾮应答信号"else sda=0; //如果i位为0则发送0,即发送"应答信号"scl=1; //时钟线置⾼,给⼀个脉冲_nop_(); //延时scl=0; //时钟线置低//写⼀字节//***************************************************************************** ********************* void send_byte(uchar date) //写⼀个8位字{uchar i,temp; //定义局部变量temp=date; //待发8位数据赋予tempfor(i=0;i<8;i++) //循环8次，每次写⼊1位，从最⾼位开始发送{if(temp&0x80)sda=1; //如果temp最⾼位为1则发送1else sda=0; //如果temp最⾼位为0则发送0_nop_(); //延时scl=1; //给⼀个脉冲，发送sda当前这位数据_nop_(); //延时,需⼤于4us(参考数据⼿册时序图)_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();scl=0; //时钟线置低,准备下⼀脉冲_nop_(); //延时,需⼤于4.7us(参考数据⼿册时序图)_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();temp=temp<<1; //左移1位，准备好下1位待发送的数据}checkACK(); //查询是否返回应答信号}//***************************************************************************** ********************* //读⼀字节//***************************************************************************** ********************* uchar receive_byte() //读⼀个8位字{uchar i,temp; //定义局部变量sda=1; //设置数据线为输⼊_nop_(); //延时for(i=0;i<8;i++) //循环8次，每次读取1位，从最⾼位开始接收{scl=1; //给⼀脉冲，准备发送1位数据_nop_(); //延时,需⼤于4us(参考数据⼿册时序图)_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();temp=(temp<<1)|sda; //读取1位数据,放在temp最低位scl=0; //准备给下1个脉冲_nop_(); //延时,需⼤于4.7us(参考数据⼿册时序图)_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();}return temp; //返回读取的8位数据}//***************************************************************************** ********************* //向某I2C器件的某字地址写⼀字节数据//***************************************************************************** ********************* void write_word(uchar device_add,uchar word_add,uchar date) //写进去⼀个存储数据{start(); //启动send_byte(device_add); //选择从器件地址,RW位为0，即选择写命令send_byte(word_add); //写字地址send_byte(date); //写数据stop(); //停⽌}//***************************************************************************** ********************* //向某I2C器件的某字地址读⼀字节数据//***************************************************************************** ********************* uchar read_word(uchar device_add,uchar word_add) //读出⼀个存储的数据{uchar date;start(); //启动send_byte(device_add); //选择从器件地址,RW位为0，即选择写命令send_byte(word_add); //写字地址start(); //启动send_byte(device_add+1); //选择从器件地址,RW位为1，即选择读命令date=receive_byte(); //读数据sendACK(1); //发送⾮应答信号stop(); //停⽌return date; //返回读取结果数据}//***************************************************************************** *********************//主函数//***************************************************************************** *********************void main(){uchar temp; //定义中间变量temp=read_word(0xa0,0); //从I2C器件a0的第0个地址读出数据赋予temp write_word(0xa0,0,temp+1); //向I2C器件a0的第0个地址写temp+1delay(100); //延时while(1) //死循环{temp=read_word(0xa0,0); //从第0个地址读出⼀个数据delay(100); //延时P1=~temp; //送数据到P1⼝显⽰}}。

使用PIC单片机的EEPROM

PIC16F886系列单片机的SRAM是368字节，EEPROM是256字节。通过对4个寄存器进行操作就可以实现EEPROM的操作。
以下是对EEPROM的读和写程序代码：
void EEPROMwrite(uchar EEAddr,uchar Cmd)
{
EEADR = EEAddr; //EEPROM的地址
使用PIC单片机的EEPROM
PIC单片机中程序存储器是Flash结构，数据存储器有两种类型SRAM和EEPROM程序设计时，大部分变量特别是全局变量默认是存放在SRAM中，这些数据掉电后不能保存，复位后这些变量又变为默认值。在某些情况下，希望单片机复位后能记忆复位前的数值，这就要用EEPROM来存储这些数值。
GIE = 0Байду номын сангаас
RD = 1;
ReEEPROMread = EEDATA; //EEPROM的读数据
RD = 0;
GIE = 1;
return ReEEPROMread;
}
EEDATA = Cmd; //EEPROM的写数据
EEPGD = 0;
//CFGS = 0; //PIC18F中要用到
GIE = 0;
WREN = 1;
EECON2 = 0x55; //必须按这样的时序
EECON2 = 0xAA;
WR = 1;
while(WR==1); //等待写操作完成
GIE = 1;
}
uchar EEPROMread(uchar EEAddr)
{
uchar ReEEPROMread;
EEADR = EEAddr;
EEPGD = 0;

单片机内的Flash与EEPROM作用及区别一

单片机内的Flash与EEPROM作用及区别一单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM或FLASHROM 等存储器来实现。

在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC或SPI等接口来进行数据通信。

这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。

在STC单片机中内置了EEPROM（其实是采用IAP技术读写内部FLASH来实现EEPROM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。

下面就详细介绍STC单片机内置EEPROM及其使用方法。

flash是用来放程序的，可以称之为程序存储器，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.一般来说单片机里的flash都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在运行中改为6：00，这是保存在EEPROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00下面是网上详细的说法，感觉不错：FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。

当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。

在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。

技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。

单片机片内大容量EEPROM的一种巧妙应用

单片机片内大容量EEPROM的一种巧妙应用引言MCS-51 单片机是目前国内应用最广泛的一种单片机型。

全球各单片机生产厂商在MCS-51 内核基础上，派生了大量的51 内核系列单片机，极大地丰富了MCS-51 的种群。

其中STC 公司推出了STC89 系列单片机，增加了大量新功能，提高了51 的性能，是MCS-51 家族中的佼佼者。

早期的单片机控制系统，采用单片机加片外EEPROM 配合，来存储一些需要预置的重要参数，并在数码管上显示出来。

由于单片机控制的整流器要求实时性很强，而早期EEPROM 的写周期在10 ms 左右，因此运行参数的预置是在整流器待机的情况下进行的。

而很多情况下需要在运行的同时记录数据，如用单片机控制的12脉波汽车电泳整流器要求在运行的同时实时记录重要数据，而且在掉电时不丢失。

由于在12 脉波整流器中运行的单片机程序，其周期必须小于1．67 ms(交流电网的1 个周期是20 ms，除以12 就是l_67 ms)，这就要求实时记录的时间在1ms 以下甚至更短(考虑到程序的执行时间)。

经查阅资料发现，目前很多EEPROM 达不到这个要求[1]，即使时间最短的AT89S8252 单片机片内。

EEP- ROM 的写周期也是2．5 ms。

本文通过对EEPROM 的巧妙应用，实现了整流器在线记录数据的功能。

1 寻找符合要求的单片机设备使用的是Atmel 公司的AT89C52(40DIP 封装)单片机和EEPROM 芯片2817A。

要想在不改变原设备电路板的情况下完成要求的功能，就只能在兼容的MCS-51 系列单片机中想办法。

AT89S8252 片内含有2 KB 的EEPROM，经编程测试发现，它虽然能实时记录数据并且断电不丢失，但是在向片内EEPROM 中记录1 个数据时，能引起输出电压和电流的波动，不能满足实际运。

51单片机读写内部EEPROM详解

#include <intrins.h>
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
特殊功能寄存器声明****************
sfr ISP_DATA=0xe2;
sfr ISP_ADDRH=0xe3;
sfr ISP_ADDRL=0xe4;
uchar dat;
ISP_CONTR=0x81;
ISP_CMD= 0x01;/用户可以对"Data Flash/EEPROM区"进行字节读ISP_ADDRL = addr;
ISP_ADDRH=addr>>8;
EA= 0;
ISP_TRIG=0x46;
ISP_TRIG=0xB9;
_nop_();
dat=ISP_DATA;
uchar dcx(uint addr);
voidQ0();
/*
*/
/*
void main(void)
uchar V;
V = dcx(0x2002);//开机读取EEPROM区2002h数据，还原关电前LED的亮灭状况
if(V==2){LED1=0;LED2=1;}
else if(V==6){LED1=0;LED2=0;}
验证第二、第三个程序时需按程序内主程序中的操作说明进行烧录单片
机，以验证是否成功操作单片机内部EEPROM。
程序1：
/***************************************************************
作品：EEP ROM实验，开机还原关电前LED的亮灭状况
ISP_ADDRH=addr>>8;

单片机存储用户方法

单片机存储用户方法
以下是一些常见的方法：
1. 内部存储器：大多数单片机都内置了一定容量的存储器，如RAM（随机存取存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）。

你可以使用这些内部存储器来存储用户数据。

- RAM：用于临时存储数据，掉电后数据会丢失。

适用于存储临时变量、运算结果等。

- EEPROM：可用于长期存储用户数据，即使掉电数据也不会丢失。

但写入次数有限，通常在几千次到十万次之间。

2. 外部存储器：如果需要存储大量用户数据或需要更长久的数据保存，可以考虑使用外部存储器，如Flash 存储器、EEPROM 芯片或SD 卡等。

- Flash 存储器：具有较大的存储容量，可擦写次数较多（通常在数万次到百万次之间），适合长期存储用户数据。

- EEPROM 芯片：与单片机内部的EEPROM 类似，但提供更大的存储容量。

- SD 卡：提供较大的存储容量，并且易于插拔和数据传输。

3. 文件系统：对于更复杂的应用，可以考虑在单片机上使用文件系统来组织和管理用户数据。

文件系统可以提供文件和文件夹的概念，方便数据的存储、读取和删除。

stc12c5a16s2单片机eeprom的使用

/*********************************************************本程序实现了利用STC12c5a16s2内部的EEPROM来存取数据的功能，这样的功能可以保证数据在掉电后不会丢失，上电后依然会保存。

在这个程序中，只是简单地演示了利用该单片机的一个扇区来存储数码管的值。

数码管的值每一秒增一，日后熟练地话，可以在单片机中存储许多重要的信息。

作者：让梦远航日期：2012年10月18日最后修改：2012年11月6日欢迎对程序的功能进行扩充。

*********************************************************/#include"STC12c5a16s2.h" //stc12c5a16s2单片机的头文件，可以从stc官网上下载#include<intrins.h>#define uchar unsigned char#define uint unsigned int#define RdCommand 0x01#define PrgCommand 0x02#define EraseCommand 0x03#define Error 1#define OK 0#define WaitTime 0x01uchar count,shu,shi,ge;sbit wela=P2^1;sbit wela1=P2^2;uchar code duanma[]={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90};void delay(uint z){uint j,k;for(j=0;j<z;j++)for(k=0;k<110;k++);}void display(uchar shu){uchar shi,ge;shi=shu/10;ge=shu%10;wela1=0;P0=duanma[ge];delay(2);wela1=1;wela=0;P0=duanma[shi];delay(2);wela=1;}void ISP_IAP_enable(){EA=0;IAP_CONTR=IAP_CONTR&0x18;IAP_CONTR=IAP_CONTR|WaitTime;IAP_CONTR=IAP_CONTR|0x80;}void ISP_IAP_disable(){IAP_CONTR=IAP_CONTR&0x7f;IAP_TRIG=0x00;EA=1;}void ISPgoon(){ISP_IAP_enable();IAP_TRIG=0x5a;IAP_TRIG=0xa5;_nop_();}uchar byte_read(uint byte_addr){IAP_ADDRH =(uchar)(byte_addr>>8);IAP_ADDRL =(uchar)(byte_addr&0x00ff);IAP_CMD =IAP_CMD&0xf8;IAP_CMD =IAP_CMD|RdCommand;ISPgoon();ISP_IAP_disable();return(IAP_DA TA);}void SectorErase(uint sector_addr){uint iSectorAddr;iSectorAddr=(sector_addr&0xfe00);IAP_ADDRH =(uchar)(iSectorAddr>>8);IAP_ADDRL =0x00;IAP_CMD =IAP_CMD&0xf8;IAP_CMD =IAP_CMD|EraseCommand;ISPgoon();ISP_IAP_disable();}void byte_write(uint byte_addr,uchar original_data) {IAP_ADDRH =(uchar)(byte_addr>>8);IAP_ADDRL =(uchar)(byte_addr&0x00ff);IAP_CMD =IAP_CMD&0xf8;IAP_CMD =IAP_CMD|PrgCommand;IAP_DA TA=original_data;ISPgoon();ISP_IAP_disable();}void main(){// int i;TMOD=0x01;TH0=(65536-50000)/256;TL0=(65536-50000)%256;EA=1;ET0=1;TR0=1;shu=byte_read(0x0000); //我们在具体操作的时候，主要就是注意操作单片机的EEPROM 的扇区，0x0000是//第一扇区的起始地址，此单片机共有56个扇区，只需要把数据存到相应的扇区（每个扇//区都有自己的起始地址和结束地址，写程序的时候，只需更改括号里面的扇区地址值就行）.while(1){if(count>=20){count=0;shu++;SectorErase(0x0000); //相应的在这里也要修改，比如第二扇区起始地址是200H，只需将0000改成200就行。

eeprom的工作原理

eeprom的工作原理
EEPROM是可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）的缩写，它是一种非易失
性存储器。

EEPROM的工作原理是通过改变存储器中的电荷
状态来存储数据。

它是一种具有电子擦除特性的ROM器件，
使用特殊的编程操作可以擦除内部存储单元中存储的数据，并且可以重新编程新的数据。

EEPROM内部的存储单元由晶体管和电容器组成。

编程操作时，通过施加高电压或电压脉冲到晶体管的栅极，使其产生电子引线，并储存在电容器中。

电子引线的数量（通常是几百到几千个）决定了每个存储单元的逻辑状态。

读取操作时，通过施加合适的电压到特定存储单元的源/漏极，晶体管导通，并可以感应出相应储存单元中的电荷状态。

电容器中的电荷会改变晶体管的传导特性，从而实现对储存数据的读取。

擦除操作是将存储单元中的电荷清零，恢复到初始状态。

EEPROM使用高电压擦除电荷，通常为12V或更高的电压。

擦除操作会将编程数据清除，并将逻辑状态恢复为1。

EEPROM相比于传统的ROM和EPROM，具有可以重新编程
的优势，因此在很多应用中得到了广泛的使用。

它被广泛应用于嵌入式系统、存储设备和电子设备中，用于存储配置信息、校准数据、程序指令等。

eeprom flash

eeprom 很多用于存放各种设置的.
他可以用单片机控制很简单的擦出..写入
flash 虽然也可以擦出写入
但是基本都是整个扇区进行的.
一般来说单片机里的flash都用于存放运行代码
eeprom都是用于各种可能改变的参数,
用的时候都会单片机
一般来说flash是用来放程序的，可以称之为程序存储器
使用的时候，我们是把所编写的程序烧录到flash中去。

而EEPROM 是用来存放掉电后不希望丢失的数据的，可以理解为数据存储器。

当然flash也可以存放数据，我们可以把不发生改变的数据，以代码的形式存放到flash中。

而偶尔会修改，掉电还不希望其丢失的数据存放到EEPROM中。

eeprom可位操作目前容量最大的好像256K，串行并行都有。

flash都是块操作，容量很大很大，我现在用的是64M的，串行并行都有。

它俩都掉电保存。