SFH305-2中文资料

Mini-NPN-Silizium-Fototransistor Mini-Silicon NPN Phototransistor

Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 305Q62702-P836SFH 305-2Q62702-P848SFH 305-3

Q62702-P849

Wesentliche Merkmale

q Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 460 nm bis 1060 nm q Hohe Linearität q Mini-Bauform

q Gruppiert lieferbar Anwendungen

q Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik

q “Messen/Steuern/Regeln”

Features

q Especially suitable for applications from

460 nm to 1060 nm q High linearity q Mini-package

q Available in groups Applications

q Miniature photointerrupters q Punched tape reading q Industrial electronics

q

For control and drive circuits

SFH 305

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

f e o 06137

Grenzwerte

Maximum Ratings Bezeichnung Description

Symbol Symbol

Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range T op ;T stg – 40...+ 80°C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,Lötzeit t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s T S

230

°C

Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,Lötzeit t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s T S

300°C

Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage V CE 32V Kollektorstrom Collector current

I C 50mA Kollektorspitzenstrom,τ <10 µs Collector surge current I CS 200mA Verlustleistung,T A = 25°C Total power dissipation P tot 70mW Wärmewiderstand Thermal resistance

R thJA

950

K/W

Kennwerte (T A = 25°C,λ = 950 nm)Characteristics Bezeichnung Description

Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity

λS max 850nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max

Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max

λ

460 (1060)

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area

A 0.17

mm 2

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures.1)I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1)

I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area

L ×B L ×W 0.6×0.6mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-fläche

Distance chip front to case surface H

1.3... 1.9

mm

Halbwinkel Half angle

ϕ±16Grad deg.Kapazität Capacitance

V CE = 0 V,f = 1 MHz,E = 0C CE

5.5

pF

Dunkelstrom Dark current

V CE = 25 V,E = 0

I CEO

3 (≤20)nA

Bezeichnung Description

Symbol Symbol

Wert Value

Einheit Unit

-2

-3

Fotostrom,λ =950 nm Photocurrent

E e = 0.5 mW/cm 2,V CE = 5 V

E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,V CE = 5 V

I PCE I PCE 0.25...0.51.40.4...0.82.2mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time

I C = 1 mA,V CC = 5 V,R L = 1 k Ωt r , t f

5.5

6

µs

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C =I PCEmin 1)× 0.3,E e = 0.5 mW/cm 2

V CEsat

150150mV

Kennwerte (T A = 25°C,λ = 950 nm)Characteristics (cont’d)Bezeichnung Description

Symbol Symbol

Wert Value Einheit Unit