2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第二篇 第5章习题
浙江大学远程教育2016年秋季计算机基础知识题1
第1章计算机基础知识(单选题)这些题目必须做一遍，来自统考题库（期末考试题也多半出在这里），参考答案在另一个Word文档中（上传自己做的答案后才可以下载…）。
据说，统考题库中大约有10,000测试题，我想它的十分之一还是要做的。
只要大家听话，一次性通过考试还是没问题的。
知识题以单选题的形式给出。
一．关于计算机的诞生与发展1、一般认为，世界上第一台电子数字计算机诞生于__A____。
A.1946年B.1952年C.1959年D.1962年[解析]参考p.12、当前的计算机一般被认为是第四代计算机，它所采用的逻辑元件是___C___。
A.集成电路B.晶体管C.大规模集成电路D.电子管[解析]请记忆：第一代主要元件是电子管，第二、三代分别是晶体管和集成电路（参考p.1和p.2）。
计算机经历了四个时代，其划分主要依据是计算机的“构成元件”（又称电子元器件）。
3、下列关于世界上第一台电子计算机ENIAC的叙述中，错误的是__D____。
A.世界上第一台计算机是1946年在美国诞生的B.它主要采用电子管作为主要电子器件C.它主要用于军事目的和科学计算，例如弹道计算D.确定使用高级语言进行程序设计[解析] ENIAC是第一台电子计算机的英文缩写。
从第二代计算机才开始引入高级程序语言BASIC和ForTran等，所以D是错的。
4、目前，微型计算机中广泛采用的电子元器件是__D____。
A.电子管B.晶体管C.小规模集成电路D.大规模和超大规模集成电路[解析]略5、早期的计算机体积大、耗电多、速度慢，其主要原因是制约于__D____。
A.元材料B.工艺水平C.设计水平D.元器件 -----早期的计算机元器件是电子管，其体积大、耗电多。
[解析]略二．计算机的分类6、计算机可分为数字计算机、模拟计算机和数模混合计算机，这种分类是依据__B____。
A.功能和用途B.处理数据的方式（或处理数据的类型）C.性能和规律D.使用范围[解析]参考p.2。
集成电子技术基础浙大版习题答案二篇 5章
第五章习题题2.5.1 静态RAM与动态RAM相比，各有什么特点?比较内容静态RAM 动态RAM存储容量小存储容量更大功耗较大更小存取速度快更快价格贵便宜题RAM，则：(1)该RAM有几根数据线?(2)该RAM有几根地址线?解：一个基本存储单元存放有一位二进制信息，一个字节为8位二进制信息，32768=215=212×8=212×23。
所以：(1) 有8根数据线；(2) 有12根地址线，一次访问一个字节，即8位数据。
题2.5.3 RAM的容量为256×４字位，则：(1)该RAM有多少个存储单元?(2)该RAM每次访问几个基本存储单元?(3)该RAM有几根地址线?解：一个基本存储单元存放有一位二进制信息，所以1024字位容量就有：(1) 1024个基本存储单元；(2) 由四个基本存储单元组成一个4位的存储单元，所以，该存储器每次访问4个基本存储单元；(3) 有256=28，所以有8根地址线。
题2.5.4 试用256×４字位的RAM，用位扩展的方法组成一个256*8字位的RAM，请画出电路图。
解：256×４字位的RAM只有4位数据线，要扩大成8位时应采用位扩展的方法实现。
将8位地址线、片选线、读/写控制线并联，RAM（1）的4位作扩展后8位的高4位，RAM（2）的4位作为扩展后的低4位，组成扩展后的8位数据输出。
其扩展的连接电路如图所示：题2.5.5 C850是64*1字位容量的静态RAM，若要用它扩展成一个128*4字位容量的RAM，需要几块C850?并画出相应的电路图。
解：该题原地址为64=26为6位，现要有128=27，需用7位地址线，因此要用地址扩展；数据线只有1位，现需要4位数据，同时要进行数据位扩展；所以要有8块C850是64*1字位容量的静态RAM。
其连接后的电路如图所示：题2.5.6 按照编程工艺不同，只读存储器大致可分为哪几类?各有什么特 点?解： 熔丝/反熔丝型，EPROM 型，E 2PROM 型，Flash Memory 型等。
2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第二篇 第4章习题
第二篇 第4章习题题2.4.1 一个负反馈放大器产生自激振荡的相位条件为πϕ)12(+=n AF ，而正弦振荡器中的相位平衡条件是πϕn AF 2=，这里有无矛盾？答：负反馈反馈回来的信号与原信号应该是-180o 的正数倍，才能形成负反馈；而振荡电路必须是正反馈，即反馈回来的信号应该是原信号360o 的正数倍。
题2.4.2 振荡器的幅度平衡条件为1=。
F A ，而起振时，则要求1>。
F A ，这是为什么？ 答：平衡条件是稳定振荡时的幅度要求，而起振必须要求正反馈量不断地大于原信号，才能振起来。
振起来后，如一直还大于，则放大器会进入饱和，使信号失真，所以应该进入稳定振荡，即要求振幅自动维持在1的水平。
题2.4.3 RC 桥式正弦振荡器如图题2.4.3 所示，其中二极管在负反馈支路内起稳幅作用。
图题2.4.3（1）试在放大器框图A 内填上同相输入端（+）和反相输入端（-）的符号，若A 为μA741型运放，试注明这两个输入端子的管脚号码。
（2）如果不用二极管，而改用下列热敏元件来实现稳幅：（a ）具有负温度系数的热敏电阻器；（b ）具有正温度系数的钨丝灯泡。
试挑选元件（a ）或（b ）来替代图中的负反馈支路电阻（R 1或R 3），并画出相应的电路图。
答：(1) RC 桥式正弦振荡器中，由于RC 串并联网络在f=f o 时，其相移φAF =0，为满足相位条件：φAF =φA +φF =0，放大器必须接成同相放大器，因此与RC 串并联网络连接的输入端为(+)，与负反馈支路连接的输入端为(-)，若A 为A741，其管脚号为：反相输入端为2，同相输入端为3。
(2) (a)负温度系数的热敏电阻取代R 3；(b)正温度系数的钨丝灯泡取代R1。
题2.4.4试用相位平衡条件判别图题2.4.4所示各振荡电路。
（1）哪些可能产生正弦振荡，哪些不能？（注意耦合电容C b、C e在交流通路中可视作短路。
）（2）对那些不能满足相位平衡条件的电路，如何改变接线使之满足相位平衡条件？（用电路图表示。
浙大远程-计算机网络基础第5、6章离线作业和答案
第5章运输层作业五一．填空题：1.从通信和信息处理的角度看，在TCP/IP模型中向其上面的应用层提供通信服务的协议层称为_运输_层。
2.传输层使用了___网络层__提供的服务，并通过执行_传输层协议_，针对最高层屏蔽__通信子网_在技术、设计上的差异与服务不足，向_更高层（或写应用层）_提供了一个标准的完善的通信服务。
3.TCP协议可以为其用户提供_可靠_、面向连接的、全双工的数据流传输服务。
4.UDP协议可以为其用户提供不可靠、__无连接的数据传输服务。
5.人们把将要发送的完整的数据块称为报文，在运输层直接对应用层交下来的报文进行封装的协议是_ UDP _。
6.在运输层，TCP协议传递给网络层IP协议的数据单元称为_报文段_。
7.TCP/IP的运输层有两个不同的协议，它们是TCP和UDP,其中文名分别叫做传输控制协议和_用户数据报协议__。
前者是面向连接的协议，而后者则属于无连接协议。
使用UDP协议，系统资源开销小，UDP报文段的首部只有_8_字节。
而对于TCP来说，其报文段的首部至少有_20_字节，传输开销比较大，TCP开销大的另一个原因是占有CPU的处理时间。
因此，在应用层开发中运输层使用哪个协议要视具体情况而定。
诸如“万维网、电子邮件和文件传输”服务在运输层使用_ TCP_协议封装，而“域名转换协议DNS和IP电话”服务在运输层使用_ UDP协议封装。
8.熟知端口即系统端口号是IANA指派的。
FTP服务使用的熟知端口号是_21_，简单邮件传输协议SMTP使用的熟知端口号是_25_，邮局协议POP3使用的熟知端口号是_110_。
9.在TCP/IP网络中，两个应用进程之间建立的Socket连接是由4个数字确定的，包括双方的IP地址和双方的__端口号__。
10.主机A向主机B发送TCP报文段，首部中的源端口是m而目的端口是n。
当B向A发送回信时，其TCP报文段的首部中的源端口和目的端口分别是_ n 和m __。
电子技术基础习题答案
电子技术基础习题答案前言电子技术是现代社会非常重要的一项技术，也是许多工程领域不可或缺的技能。
学习电子技术需要大量的练习和实践，只有通过练习才能深刻理解和掌握相关知识。
本文将提供一些电子技术基础习题的答案，供学生们参考和练习。
习题答案1. 带有负电荷的粒子在电场中受到力的作用方向是什么？答：带有负电荷的粒子在电场中会受到向电场正方向的力的作用。
2. 系统中两个电差同向的电动势相等，此时电流大小为多少？答：此时电流大小为0。
3. 电压和电势有什么区别？答：电压是两个电势差的表现，电势是场控制下电荷的能力。
4. 等效电路中的等效电阻如何计算？答：等效电路中的等效电阻是指在等效电路中取代多个独立电阻，使其电学性质与原电路相同的电阻。
计算等效电阻需要使用串联和并联公式。
5. 什么是放大器？答：放大器是一种用来放大电信号的电路，它可以增加电信号的电压、电流或功率，起到放大信号的作用。
6. 如何计算电荷的单位？答：电荷的单位是库仑(C)，1库仑等于1安的电流在1秒钟内通过一定截面的导体产生的电荷量。
7. 什么是导体？答：导体是指能够传递电流的物质，通常具有低电阻、高导电性、易受到外加电势的作用等特性。
8. 什么是虚地？答：虚地是指在电路中有一个虚拟的电势连接点，通常使用符号GND表示。
在实际电路中，这个电势连接点并不与地之间真正连接，而是作为一个参考点使用，将各个电路元件的电势值与其比较。
9. 如何计算电场强度？答：电场强度是指单位正电荷在电场中所受到的力的大小，计算公式为E=F/q，其中E表示电场强度，F表示电场中受到的力，q表示电荷量。
10. 什么是半导体？答：半导体是一种介于导体和绝缘体之间的物质，具有在一定温度下电导率介于导体和绝缘体之间的特性。
半导体在现代电子技术中有着非常重要的应用价值。
以上是一些电子技术基础习题的答案，希望能帮助学生们加深对相关知识的理解。
电子技术是一个广泛而又有挑战性的学科，在学习过程中需要大量的实际练习和实践。
16秋浙大《电子技术基础》在线作业-推荐下载
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术通关，1系电过，力管根保线据护敷生高设产中技工资术艺料0不高试仅中卷可资配以料置解试技决卷术吊要是顶求指层，机配对组置电在不气进规设行范备继高进电中行保资空护料载高试与中卷带资问负料题荷试2下卷2，高总而中体且资配可料置保试时障卷，各调需类控要管试在路验最习；大题对限到设度位备内。进来在行确管调保路整机敷使组设其高过在中程正资1常料中工试，况卷要下安加与全强过，看度并22工且22作尽22下可22都能22可地护以缩1关正小于常故管工障路作高高；中中对资资于料料继试试电卷卷保破连护坏接进范管行围口整，处核或理对者高定对中值某资，些料审异试核常卷与高弯校中扁对资度图料固纸试定，卷盒编工位写况置复进.杂行保设自护备动层与处防装理腐置，跨高尤接中其地资要线料避弯试免曲卷错半调误径试高标方中高案资等，料，编试要5写、卷求重电保技要气护术设设装交备备置底4高调、动。中试电作管资高气，线料中课并敷3试资件且、设卷料中拒管技试试调绝路术验卷试动敷中方技作设包案术，技含以来术线及避槽系免、统不管启必架动要等方高多案中项；资方对料式整试，套卷为启突解动然决过停高程机中中。语高因文中此电资，气料电课试力件卷高中电中管气资壁设料薄备试、进卷接行保口调护不试装严工置等作调问并试题且技，进术合行，理过要利关求用运电管行力线高保敷中护设资装技料置术试做。卷到线技准缆术确敷指灵设导活原。。则对对：于于在调差分试动线过保盒程护处中装，高置当中高不资中同料资电试料压卷试回技卷路术调交问试叉题技时，术，作是应为指采调发用试电金人机属员一隔，变板需压进要器行在组隔事在开前发处掌生理握内；图部同纸故一资障线料时槽、，内设需，备要强制进电造行回厂外路家部须出电同具源时高高切中中断资资习料料题试试电卷卷源试切，验除线报从缆告而敷与采设相用完关高毕技中，术资要资料进料试行，卷检并主查且要和了保检解护测现装处场置理设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
(完整版)电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
16秋浙大《电子技术基础》在线作业
B. 基
C. 集电
正确答案：
14. 组合逻辑电路应该由哪种器件构成()
A. 触发器
B. 计数器
C. 门电路
D. 振荡器
正确答案：
15. 半加器的输出端与输入端的逻辑关系是 （ ）。
A. 与非
B. 或非
C. 与或非
D. 异或
正确答案：
浙大《电子技术基础》在线作业
13. PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位低。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
14. 反相比例运算电路，从负反馈角度看是电压并联负反馈。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
15. 发光二极管光谱范围相当宽。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
16. 在N型半导体中空穴是少数载流子。
二、判断题（共 35 道试题，共 70 分。）
1. 利用二极管的单向导电性可以完成整流的任务。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
2.
在数字电路中 ，晶体管一般工作在截止区和饱和区 ，起开关的作用 。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
3. 放大电路实质上是一种能量转换器。
C. 0.9
D. 1
正确答案：
9. JK触发器的输入J和K都接高电平上，如果现态为Qn＝0，则其次态应为()
A. 0
B. 1
C. 高阻
D. 不定
正确答案：
10. 理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为()
A. 1
B. 0
C. 无穷
浙江大学远程教育2016年夏程序设计基础(C)离线作业答案(全)
浙江大学远程教育学院《程序设计基础（C）》课程作业姓名：王春强学号：年级：2016春学习中心：桐庐学习中心—————————————————————————————第１章Ｃ语言的基本构成程序调试题1．编辑、调试以下程序步骤1：在Visual C++环境下新建文件可用[开始]→[程序]→[Microsoft Visual C++6.0] →[Microsoft Visual C++6.0] →[文件] →[新建]→[文件] →[C++ Sourse File],输入文件请思考文件ex1-1.c由几个函数构成？调用了那几个系统函数？此程序中用到了哪几个保留字？哪几个用户自定义标识符？答：1.有2个函数构成，主函数main()及自定义函数add()2．调用的系统函数有输入函数scanf()及输出函数printf()3．保留字有:int, return4．自定义标识符有：a,b,c,z,x,y步骤3：编译并运行程序，程序运行时输入两个整数，20 40 ，观察程序运行的结果。
答：结果是20+40=60截图如下：2.编辑、调试以下程序步骤1：在Visual C++环境下新建文件可用[开始]→[程序]→[Microsoft Visual C++6.0] →[Microsoft Visual C++6.0] →[文件] →[新建]→[文件] →[C++ Sourse File],输入文件名ex1-2.c步骤5：点击编译图标，编译程序1-2.c步骤4：点击执行图标，执行程序1-2.c ，当程序运行时，键盘输入20 40，按回车。
20 4020 && 40=120 || 40=1您可以输入其它的整数，观察程序的执行结果。
答：（增加语句：#include<ex1-2-3.c>）输入20 40；20 20；30 60 如下：第２章输入输出程序设计1．用printf输出一个中空的五角星。
答：#include<stdio.h>void main(){printf("☆\n");}截图如下：2．仿照例子2.2，定义一个字符数组，从键盘输入一字符串，然后输出的程序。
浙大电子技术基础离线作业(答案)
(1)求静态工作点
ICQ=βIBQ=0.9mA
VCEQ=15-(Rc+Re)ICQ=9.5V
(2)CB组态，微变等效电路为：
(3)动态指标计算
Ro≈Rc=5.1kΩ
图(c)电路：
(1)求静态工作点
ICQ=β×IBQ=2mA
VCEQ=1.5-ICQ×Re=15-2×3=9V
(2)CC组态，微变等效电路
浙江大学远程教育学院
《电子技术基础》课程作业
姓名：
学号：
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学习中心：
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模拟电子技术基础部分
题1在图1电路中，设 ，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管）。
题2电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D的导通压降VD=0.7 V，并求出D导通时电流ID的大小。
（1）计算各电路的静态工作点；
（2）画出交流通路，说明各种放大电路的组态。
解：
图(a)：IBQ≈18.5μA，ICQ≈0.93mA，VCEQ≈8.2V；
图(b)电路：
图(C)电路：
ICQ=βIBQ=0.9mA
VCEQ=15-(Rc+Re)ICQ=9.5V
(2)交流通路如下图所示。图(a)、图(b)为CE组态，图(c)为CB组态。
(1)计算T1、T2管的静态电流ICQ和静态电压VCEQ，若将Rc1短路，其它参数不变，则T1、T2管的静态电流和电压如何变化？
(2)计算差模输入电阻Rid。当从单端（c2）输出时的差模电压放大倍数 =?；
(3)当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数 和共模抑制比KCMR；
(4)当vI1=105 mV，vI2=95 mV时，问vC2相对于静态值变化了多少？e点电位vE变化了多少？
电子技术基础课程作业
浙江大学远程教育学院《电子技术基础》课程作业姓名：学号：年级：学习中心：—————————————————————————————模拟电子技术基础部分题1在图1电路中，设Vtviωsin12=，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管）。
解：题中的电路是二极限幅电路，对电路（a），当输入电压幅度6+≥iv V时，二极管导电，输出电压为+6V，当输入电压6+≤iv时D截止，输出电压等于输入电压iovv=；对电路（b）,当输入电压幅度6+≤iv V时二极管导电，输出电压为iovv=，输入电压6+≥iv V 时，二极管截止，输出电压为+6V；对电路（c）,是一个双向限幅电路，当输入电压6-≤iv V 时，D1导电、D2截止，输出为—6V，当输入电压8+≥iv V时，D2导电、D1截止，输出电压为+8V。
图1题2 电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。
设二极管D 的导通压降V D = V ，并求出D 导通时电流I D 的大小。
（1）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 2 k Ω，R 2= 3 k Ω； （2）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1=R 2= 3 k Ω； （3）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 3 k Ω，R 2= 2 k Ω。
图2解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求出流过二极管的电流。
二极管开路后流过R1和R2的电流：mA R R V V I CC CC 4.25122121==++=，则二极管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=，由于二极管两端开路电压大于，所以二极管导电,导电后，二极管二端压降为。
此时流过二极管的电流用载维南等效电路计算。
（2）当R1=R2=3K 时，二极管开路时流过过两电阻电流为：mA R R V V I CC CC 26122121==++=则二极管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 01122=-=-=，所以二极管截 止，流过二极管的电流为零。
浙大远程教育嵌入式系统在线作业参考答案
1.【第01章】关于Linux的系统调用使用情况，最恰当的是（）。
∙ A 由于系统调用号数目有限，那些不再使用的调用号需要回收利用∙ B 系统调用函数的参数必须通过寄存器传送∙ C Linux的所有系统调用都有一个明确的用途∙ D 自定义系统调用可以不修改内核2.【第01章】对Linux内核的理解，一定正确的是（）。
∙ A Linux的效率非常高，因此经常被用在有硬实时需求的环境中∙ B 在用Linux作为系统的嵌入式环境中，一定要使用ARM的处理器∙ C Linux可以运行在没有内存管理单元（MMU）的架构上∙ D Linux的内核抢占是所有嵌入式应用中必须的3.【第01章】Linux 实现的虚拟文件系统（VFS）有几个主要类型的结构体对象，以下选项中，不属于VFS结构体对象的是（）。
∙ A 超级块（superblock）对象 B 目录项（inode）对象∙ C 文件（file）对象 D 数据（data）对象4.【第01章】关于Linux的调度机制中，不恰当的是（）。
∙ A Linux提供了基于动态优先级的调度机制∙ B 调度程序对优先级高的进程默认分配更长的时间片∙ C 当调度程序查找可执行程序时，查找时间不会因为系统任务繁重而变慢∙ D 当need_resched被设置时，系统就立刻调用schedule()进行调度5.【第01章】Linux遵循POSIX标准，意味着绝大多数UNIX应用程序不需要任何改动就可以在Linux系统上编译且运行。
∙正确错误6.【第01章】Linux的系统调用是作为C库的一部分提供的。
∙正确错误7.【第01章】任何一个Linux应用程序都需要调用exi1（）函数。
∙正确错误8.【第01章】Linux的内存管理采用了分页的机制，因此即使是内核本身也全部是分页的。
∙正确错误9.【第01章】Linux 内核的中断服务程序运行于与所有进程都无关的中断上下文中。
∙正确错误10.【第01章】当前的Linux调度算法非常高效，但是查找当前最高优先级的可运行程序时，开销会随着可运行程序的多少而变化。
浙大远程教育计算机网络基础离线作业参考答案剖析
浙江大学远程教育学院《计算机网络基础》课程作业姓名：学号：年级：学习中心：—————————————————————————————第1章概述一．填空题：1.从资源共享的角度来定义计算机网络，计算机网络指的是利用通信线路将不同地理位置的多个独立的自治计算机系统连接起来以实现资源共享的系统。
2.在TCP/IP的应用层协议一般使用的是客户服务器方式，其中，客户是服务请求方，服务器是服务提供方。
3.美国的IBM公司在1974年宣布了它研制的网络体系结构 SNA 。
4.通信线路的带宽是指通信线路上允许通过的信号频带范围(或通频带) ，单位是HZ。
但在计算机网络中，它又用来表示网络通信线路所能传送数据的能力。
5.数据通信中的信道传输速率单位用b/s表示，b/s的含义是每秒比特。
6.目前，“带宽”常用作描述信道传送数据能力的物理量，其单位是 b/s(bit/s),比之大的单位有： Kb/s 、 Mb/s 、 Gb/s 等。
7.将计算机网络划分为局域网LAN、城域网MAN、广域网WAN是按网络的作用范围划分的。
8.各节点都与中心节点连接，呈辐射状排列在中心节点周围，这种拓扑结构称为星型拓朴结构。
9.假设某用户通过电线部门的ADSL技术以2M（即2Mb/s）带宽接入Internet，在正常情况下其下载速度大约是 244KB/s 。
10.发送数据时，数据块从结点进入到传输媒体所需要的时间称为发送时延；网络中电磁信号在信道中传播一定的距离而花费的时间称为传播时延。
11.在发送报文之前，先将较长的报文划分成为一个个更小的等长数据段，在每一个数据段前面，加上一些由必要的控制信息组成的首部(header)后，就构成了一个分组。
12.在计算机网络中，各个子层及其各子层的协议的集合称为网络体系结构。
13.开放系统互联，采用分层体系结构的模型称为 OSI 参考模型。
14.在OSI参考模型中，在对等层次上传送的数据单位，都称为该层的协议数据单元（PDU）。
电子技术基础习题答案
中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平Publishing House of Electronics Industry北京 BEIJING《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1 半导体的基本知识一、填空题1、（自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体）；（掺杂半导体导电粒子）2、（电子、空穴）3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴）4、（三价元素、空穴、自由电子）5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置）6、（较大、导通、很小、截止）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即PN结在加上正向电压时，通过PN结的正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态；PN结在加上反向电压时，通过PN结的反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。
1.2 半导体二极管一、填空题1、（单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、）2、（硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管）3、（单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3）4、（最大正向电流I FM、最大反向工作电压U RM、最大反向电流I RM、一半或三分之一）5、（硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通；）6、（过热烧毁、反向击穿）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、 答：（1）N 型锗材料普通二极管；（2）N 型锗材料开关二极管；（3）N 型硅材料整流二极管； （4）N 型硅材料稳压二极管；2、 答：不能，因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。
2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第三篇 第4章习题
第三篇第4章习题题3.4.1 数字逻辑器件可分为哪几类?每一类各有什么特点?题3.4.2 简述PLD器件的一般结构。
题 3.4.3 试用可编程与或阵列实现三位二进制码(B2B1B0)转变为三位格雷码(G2G1G0)的代码转换电路，并画出简化逻辑电路图。
代码转换表如表题3.4.3所示。
表题3.4.3 三位二进制码转变为三位格雷码的代码转换表题3.4.4 简述大规模可编程逻辑器件的基本结构。
题3.4.5 大规模可编程逻辑器件有哪些类型？CPLD和FPGA有什么区别？题3.4.6 可编程逻辑器件的常用编程工艺有哪些？各有什么特点？题3.4.7 简述CPLD标准逻辑块（GLB）的结构与特点。
题3.4.8 简述FPGA产品可配置逻辑块（CLB）的内部结构与功能。
题3.4.9简述CPLD器件I/O单元的结构和配置。
题3.4.10简述FPGA输入/输出接口模块（IOB）的结构与功能。
题3.4.11简述数字系统的EDA设计技术是和一般设计流程。
题3.4.12 EDA的基本工具有哪些？题3.4.13 数字系统EDA设计输入工具有哪些？各有什么特点？题3.4.14 数字系统EDA综合工具的目标是什么？题3.4.15 数字系统EDA功能仿真和定时仿真有什么区别？题3.4.16 试用集成PLD设计工具设计一个一位全加器，输入变量A（加数），B（被加数），Cin（低位进位）和输出变量S（和数），Cout（进位输出）分别保存在寄存器中。
体会EDA设计的综合过程和物理设计过程题3.4.17 登录网站，查找FLEX6000/8000/10K、Stratix系列产品的封装，引脚和器件结构的差别。
题3.4.18 登录网站，查找SpartanII、Spartan-IIE、Virtex-II、Virtex-II Pro 系列产品的封装，引脚和器件结构的差别。
浙大远程电力电子离线作业
浙江大学远程教育学院《电力电子技术》课程作业姓名：学号：年级：学习中心：—————————————————————————————第1章1．把一个晶闸管与灯泡串联，加上交流电压，如图1-37所示图1-37问：（1）开关S闭合前灯泡亮不亮？（2）开关S闭合后灯泡亮不亮？（3）开关S闭合一段时间后再打开，断开开关后灯泡亮不亮？原因是什么？解：（1）开关S闭合前，灯泡不亮。
（2）开关S闭合后，灯泡亮。
（3）灯泡不亮，因为晶闸管已关断。
2．在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠，可能是什么现象和原因？冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因？解：在夏天，晶闸管触发电路调试好后正常工作，但到冬天随着温度变化，U GT和I GT的数值增大。
所以原来调整好的触发电路数值已不够，则晶闸管装置变得不可靠。
在冬天，晶闸管触发电路调试好后正常工作，到了夏天随着温度变化，U GT和I GT数值变低了，收外界干扰，出现误导通，所以变得不可靠。
3．型号为KP100-3，维持电流I H＝4mA的晶闸管，使用在如图1-38电路中是否合理？为什么？（分析时不考虑电压、电流裕量）(a) (b) (c)图 1-38 习题5图解： （a ）mA I mA A I H d 42002.010501003=<==⨯=，,H d I I < 无法导通，不合理。
（b ）A I 20102002==H I A I I >==7.1257.1/2dVU TM 8.2822200==VV 3008.282<能正常工作（c ） H I A I >==1601/160d A Id I T 160==A A 15710057.1160=⨯>不能正常工作4．什么是IGBT 的擎住现象？使用中如何避免？ 解：（1）IGBT 的擎住效应有静态擎住和动态擎住静态擎住：IC 上升，Rbr 压降使NPN 通，经正反馈，寄生等效晶闸管通，IGBT栅极失去控制作用。
电子技术基础习题答案解析
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
《电子技术基础》作业参考答案
《电子技术基础》作业一．电路如图所示：1、请计算该电路的静态工作点Q ；112:b B a b R Q V V R R =⋅+ B BE E e V V I R -= c E I I ≈ c B I I β= c B I I β-= 12////b b be Rin R R γ= o c R R =2、 请画出该电路的微变等效电路图；3、请计算该电路的输入电阻Ri;输出电阻Ro;12////b b be Rin R R γ= o c R R =二．电路如图所示，试判断：1.该电路的反馈类型； 答：该反溃为电压串联页反溃2.该反馈稳定什么输出量，该反馈对输入输出电阻有什么影响。
答：该反溃稳定输出电压，该反溃减少输出电阻，增大输入电阻三．电路如图所示：a) 请画出该电路的差模单边等效电路并计算差模输入电阻Rid ，输出电阻Rod ； 22(//)b be Rid R γ= 2c Rod R =b) 请画出该电路的共模单边等效电路并计算共模输入电阻Ric ，输出电阻Roc ；12(//)ic b be R R γ= 2c Rod R =c) 请计算该电路的差模电压放大倍数Aud ， cud beR A βγ=-d) 共模电压放大倍数Auc 。
四．电路如图所示，请分析输入与输出之间的关系。
o12o if V V R R -= 12f o i R V V R =- 1o o V V = 2f o i R V V R =- 五．请分析下列电路，试分析：1.该电路中二极管的作用；该电路中的二极管给12,V V2.计算该电路的最大输出功率。
答：222(182max 8a a a L L LV V V Po R R R ===六．请判断该波形描述何种电路元件。
结型N 沟道场效应管七．请分析下列电路图，试判断：1.该电路的反馈类型；答：A 图为电压串联页反溃 B 图为电流并联页反溃 2.该反馈稳定什么输出量,该反馈对输入输出电阻有什么影响。
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第二篇 第5章习题题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示，设已知V CC =12V ，R L =16Ω，v I 为正弦波。
求：（1）在三极管的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om =？（2）每个管子允许的管耗P CM 至少应为多少？ （3）每个管子的耐压｜V (BR)CEO ｜应大于多少？图题2.5.1解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V om =12V(W 5.416212222=⨯==L om om R V P ) (2) (W)9.02.0(max)==om CM p P ∴CM P ≥0.9W (3) CEO BR V )(≥24V题2.5.2 在图题2.5.2 所示的OTL 功放电路中，设R L =8Ω，管子的饱和压降｜ＶCES ｜可以忽略不计。
若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W ，则电源电压V CC 至少应为多大？（已知v i 为正弦电压。
）图题2.5.2解：W 982)21(2)21(22(max)=⨯==CC L CC om V R V PV CC =24(V)∴电源电压V CC 至少24V题2.5.3 OTL 放大电路如图题2.5.3所示，设T 1、T 2特性完全对称，v i 为正弦电压，V CC =10V ，R L =16Ω。
试回答下列问题：（1）静态时，电容C 2两端的电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？ （2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？（3）若R 1=R 3=1.2k Ω，T 1、T 2管的β=50，｜V BE ｜=0.7V ，P CM =200mW ，假设D 1、D 2、R 2中任意一个开路，将会产生什么后果？图题2.5.3解：(1) 静态时，电容C 2两端的电压应为5V 。
调整R 1、R 3，可调整上、下两部分电路的对称性，从而使C 2两端电压为5V 。
(2) 若出现交越失真，应调大R 2，使b １b 2间电压增大，提供较大的静态电流。
(3) 若D 1、D 2、R 2中任意一个开路，则(m A)58.322121=-==R V V I I BECCB B I C1=I C2=βI B1=179(mA)P C =I C1·V CE =I Ｃ１·5V=895(mW)＞Pcm,∴功率管会烧坏。
题2.5.4 在图题2.5.3电路中，已知V CC =35V ，R L =35Ω，流过负载的电流i L =0.45cos ωt （A ）。
求：（1）负载R L 所能得到的信号功率P o ； （2）电源供给的功率P E ； （3）两个管子的总管耗P T 。
解：(1) (W)54.3)2(2≈=L Lm o R i P(2) =ω⋅π=⎰ππ-2221t d i V P L CC E ⎰ππ-ωω⋅π22cos 45.021t td V CC=(W)5245.021≈⨯⨯⨯πCC V (3) (W)46.1≈-=o E T P P P题2.5.6 图题2.5.6功放电路中，设运放A 的最大输出电压幅度为±10 V ，最大输出电流为±10mA ，晶体管T 1、T 2的｜V BE ｜=0.7V 。
问：（1）该电路的电压放大倍数A vf =？（2）为了得到尽可能大的不失真输出功率，T 1、T 2管的β值至少应取多少？ （3）该电路的最大不失真输出功率P om =？（4）当达到上述功率时，输出级的效率是多少？每个管子的管耗多大？图题2.5.6解： (1) 1010100-=-==kk v v A i o vf (2) 运放最大输出电流±10mA,所以功放管的I B =10mA ，运放的最大输出电压±10V ，v o 的最大输出电压幅度为,V 3.9V )7.010(±=-± (A )17.13.9==Lom R I 管子I Em =I om ，所以 β≥117=BEm I I(3) (W)41.5823.9222≈⨯==L om om R V P ⎰πωω⋅π⨯=0)(sin 212t td R V V P L om CC V =(W)1.11283.915212≈⨯⨯⨯π⨯%7.48≈=ηVom P P(W)85.2)(2121≈-==om V T T P P P P题2.5.7 在图题2.5.7所示电路中，已知V CC =15V ，T 1和T 2 的饱和管压降｜V CES ｜=1V ，集成运放的最大输出电压幅值为±13V ，二极管的导通电压为0.7V 。
图题2.5.7（1）为了提高输入电阻，稳定输出电压，且减小非线性失真，应引入哪种组态的交流负反馈？ 试在图中画出反馈支路。
（2）若v i =0.1V ，v o =5V ，则反馈网络中电阻的取值约为多少？ （3）若输入电压幅值足够大，则电路的最大不失真输出功率为多大？ 解：(1) 应引入电压串联负反馈，见图3.4.7。
图3.4.7(2) 1150V 1.0V5.0R R R V V A f i o vf +====∴R f =49(k Ω)(3) 集成运放的最大输出电压幅度为13V ，则v o 的最大幅度 V om =13+V D -V BE =13+0.7-0.7=13V(W)56.108213222=⨯==L om om R V P+ -v oCC v i –所以输入电压有效值 (m V)64==voi A V V 题2.5.8 一个用集成功放LM384组成的功率放大电路如图题2.5.8所示。
设v i 为正弦电压，电路在通带内的电压增益为40dB ，在R L =8Ω时，不失真的最大输出电压（峰-峰值）可达18V 。
求：（1）最大不失真输出功率P om ；（2）输出功率最大时的输入电压有效值V i 。
图题2.5.8解：（1）p om =5.1W ； (2)V i =64mV题2.5.9 单相全波整流电路如图题2.5.9所示，变压器二次侧有一个中心抽头，并设整流管正向压降和变压器内阻可以忽略不计。
（1）画出变压器二次侧电压与整流输出电压波形； （2）求整流电路输出直流平均电压V O(A V)与V 21、V 22的关系；（3）求各整流二极管的平均电流I D(A V)1、I D(A V)2与负载电流平均值I L(A V)的关系； （4）求各整流二极管所承受的最大反向电压V (BR)与V 21、V 22的关系。
图题2.5.9解：(1) 见图(2) 直流平均电压V o=0.9V 21= 0.9V 22,V 21、V 22为付边电压有效值。
(3) I D （A V ）1= ID （A V ）2=1/2I L(4) 当D 1导通，D 2截止时，加在D 2上的反向电压为V 21+V 22；同理D 2导通，D 1截止时，加在D 1上的反向电压为V 21+V 22，因次级线圈抽头为中心抽头，V 21=V 22，所以整流二极管的最大反向电压2122V V BR 。
题2.5.10 图题2.5.10所示为桥式整流电路。
（1）分别标出V O1 和V O2对地的极性；（2）当V 21=V 22=20V （有效值）时，输出电压平均值V O(A V)1和V O(A V)2各为多少？ （3）当V 21=18V ，V 22=22V 时，画出v O1、v O2的波形，并求出V O1和V O2各为多少？图题2.5.10解：(1)V 01上“+”下“-”，V 02上“+”下“-” (2) V O （A V ）1= V O （A V ）2=0.9V 21=18(V)(3) V O （A V ）1= V O （A V ）2=1/2×0.9(V 21+V 22)=18(V)题2.5.11 桥式整流滤波电路如图题2.5.11所示。
已知v 2=202sin ωt （V ），在下述不同情况下，说明输出直流电压平均值V O(A V)各为多少伏？（1）电容C 因虚焊未接上；tt（2）有电容C ，但R L =∞（负载R L 开路）；（3）整流桥中有一个二极管因虚焊而开路，有电容C ，R L =∞； （4）有电容C ，R L ≠∞。
图题2.5.11解：(1) C 未接上，V O(A V)=0.9V 2=0.9×20=18(V) (2) R L 开路，V O(A V)=202≈28.3(V)(3) 有一个二极管开路，则半个周期整流桥导通，电容C 充电至2V 2，所 以V O(A V)=2V 2≈28.3(V)(4) V O(A V)=1.2V 2=24(V)题2.5.12 整流稳压电路如图题2.5.12所示。
设V 2=18V （有效值），C =100μF ，D Z 的稳压值为5V ，I L 在10mA 至30mA 之间变化。
如果考虑到电网电压变化时，V 2变化±10%，试问：（1）要使I Z 不小于5mA ，所需R 值应不大于多少？ （2）按以上选定的R 值，计算I Z 最大值为多少？图题2.5.12解：当电网电压变化±10%时， V Imax =1.2V 2(1+10%)=23.76(V) V Imin =1.2V 2(1-10%)=19.44(V) (1) 当要求I z ≥5mA 时，R ≤)(413max Im Ω=+-L Z oinI I V V （取390Ω） (2) (m A)381039.0576.23min Im =--=--=L o ax zMAX I R V V I 题2.5.13 串联型稳压电路如图题2.5.13所示，设A 为理想运算放大器，求：（1）流过稳压管的电流I Z ；（2）输出电压V O；（3）将R3改为0～3kΩ可变电阻时的最小输出电压V O(min)及最大输出电压V O(max)。
图题2.5.13解：(1) 上“+”下“-”。
(2)运放最大输出电流1mA，作为T的基极电流，∴I omax=β·1mA=100(mA)运放最大输出电压20V，所以V omax=20-V BE=20-0.7=19.3(V)当R w滑动触头置于最上端时，输出电压V o最小，V omin=6VP CM=I omax·V CEmax=I omax·(24V-6V)=1.8(W)题2.5.14串联型稳压电路如图题2.5.14所示。
设A为理想运算放大器，其最大输出电流为1 mA，最大输出电压范围为0～20 V。
（1）在图中标明运放A的同相输入端（+）和反相输入端（-）；（2）估算在稳压条件下，当调节R w时，负载R L上所能得到的最大输出电流I O(max)和最高输出电压V O(max)，以及调整管T的最大集电极功耗P CM。