专升本《集成电路版图设计》_试卷_答案

专升本《集成电路版图设计》
一、（共75题,共150分）
1. 单词“LAYOUT”的含义是:（）。

（2分）
A.版图
B.电路
C.输出
.标准答案：A
2. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成，通常可以用厚度一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为（）。

（2分）
A.方块电阻
B.电阻
C.半导体电阻
.标准答案：A
3. 由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5～100）的区域。

对于发射区电阻可以忽略（）和电导调制效应。

（2分）
A.电流调制
B.电压调制
C.电荷调制
.标准答案：B
4. 在模拟BiCMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入（）外延层内；（2分）
A.P型
B.N型
C.P型或N型
.标准答案：A
5. 电容的标准单位是（）。

（2分）
A.法拉
B.伏特
C.安培
.标准答案：A
6. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，（）可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。

（2分）
A.电阻多晶硅
B.电容多晶硅
C.多晶硅栅
.标准答案：C
7. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成（）。

（2分）
A.反比
B.正比
C.无关
.标准答案：B
8. 流过导体的电流会在导体周围产生（）。

（2分）
A.电场
B.磁场
C.电磁场
.标准答案：B
9. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（）工作电压。

重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。

（2分）A.最大 B.最小 C.任意
.标准答案：A
10. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（）的，所以VCBO通常很大。

（2分）
A.重掺杂
B.不掺杂
C.轻掺杂
.标准答案：C
11. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准（）源。

（2分）
A.电压
B.电流
C.电压或电流
.标准答案：A
12. 使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂（）型扩散区用于制作PMOS晶体管。

（2分）
A.N
B.P
C.N或P
.标准答案：A
13. MOS晶体管是一种（）控制器件。

（2分）
A.电流
B.电压
C.电阻
.标准答案：B
14. 根据版图设计规则中的（）最小宽度，可以确定器件最小沟道长度。

（2分）
A.active
B.poly
C.metal1
.标准答案：B
15. LVS的作用是检查所设计的版图是否与所设计的（）完全一致。

（2分）
A.结构图
B.电路性能
C.电路图
.标准答案：C
16. 集成电路版图设计按设计自动化程度来分有: ________________和
________________。

（4分）
.标准答案：1. 手工设计;2. 自动设计;
17. 导体又分为____________和____________区分。

材料传导电流的强弱用材料电阻值来描述。

（4分）
.标准答案：1. 良导体;2. 不良导体;
18. 在标准双极工艺中，发射区电阻常用做____________________和
____________________。

在单层金属工艺中广泛用做隧道。

（4分）
.标准答案：1. 功率管整流;2. 电流敏感电阻;
19. 电容存储的是________________。

（2分）
.标准答案：1. 电场能量;
20. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，一般而言，________________________可以用作形成上电极。

（2分）
.标准答案：1. 电阻多晶硅层;
21. 随着电流的变化，能量流入或流出这个磁场，这些能量流沿着导体产生压降。

电流和电压关系可以定量的表示为
________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ ____________________。

（2分）
.标准答案：1. ;
22. 在线圈中每圈导线称为一匝，每匝产生的磁场也会通过其他所有匝，称为
____________。

（2分）
.标准答案：1. 磁耦合;
23. 集成电路版图设计师共设( )个等级。

（2分）
A.3
B.4
C.5
.标准答案：C
24. 元素周期表中一些元素（如硅和锗）的电学特性介于金属与非金属之间，叫( )。

（2分）
A.导体
B.绝缘体
C.半导体
.标准答案：C
25. 标准双极工艺基区方块电阻的典型值范围为( )，并且允许直接在电阻上形成欧姆接触。

（2分）
A.10～20
B.100～200
C.400～800
.标准答案：B
26. 发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在( )内，基区扩散又制作在一个N阱内。

（2分）
A.有源区
B.基区扩散
C.发射区扩散
.标准答案：B
27. 标准双极工艺和BiCMOS工艺都能提供发射结电容。

在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为0.8fF/um2）,但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐( )。

（2分）
A.增大
B.减小
C.不变
.标准答案：B 28. 使用( )的电介质，利用相对较小的区域制作大电容器。

（2分）
A.高介电常数
B.低介电常数
C.无所谓
.标准答案：A
29. 结电容通常作在隔离岛内，隔离岛必须制作接触以确保集电结( )。

（2分）
A.正偏
B.不偏
C.反偏
.标准答案：C
30. 品质因数的一般性原则:寄生效应越小，品质因数Q( )；（2分）
A.越大
B.越小
C.无关
.标准答案：A
31. 集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。

对于标准双极型工艺制造的NPN 晶体管，VEBO大约( )左右。

（2分）
A.1V
B.7V
C.10V
.标准答案：B
32. 当NPN晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入( )。

（2分）
A.饱和工作状态
B.线性放大工作状态
C.截止工作状态
.标准答案：A
33. 发射结齐纳二极管的发射区通常为圆形或椭圆形。

采用圆形是为了防止发射区拐角( )增强。

（2分）
A.磁场
B.电场
C.电磁场
.标准答案：B
34. 使用N型外延层，必须加入深的轻掺杂( )型扩散区用于制作NMOS晶体管。

（2分）
A.N
B.P
C.N或P
.标准答案：B
35. MOS晶体管是( )端器件。

（2分）
A.2
B.3
C.4
.标准答案：C
36. 版图设计规则，原因是器件的几何图形受加工精度的限制，物理学上对器件图形大小和( )也有要求。

（2分）
A.间距
B.形状
C.层次
.标准答案：A
37. 以下是正确的版图设计步骤的是( )。

（2分）
A.先画版图，再设计线路图，然后做LVS,最后是DRC
B.先画线路图，再设计版图，然后做DRC,最后是LVS
C.先画DRC，再设计线路图，然后做LVS,最后是版图
.标准答案：B
38. 按照对布局布线位置的限制和布局模块的限制来分有
________________________________________________________________和
________________________________________________________________2大类。

（4分）
.标准答案：1. 全定制(full custom);2. 半定制(semi-custom )。

;
39. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成，通常可以用厚度一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为________________。

（2分）
.标准答案：1. 方块电阻;
40. 实际电阻的非线性（电压调制）源于几个因素:____________、____________以及____________。

（6分）
.标准答案：1. 自加热;2. 强场速度饱和;3. 耗尽区侵蚀;
41. 如果导体中加入电荷，导体内部就会产生电场，电场的产生就意味着导体内电势的变化，这个关系可用下式定量表示: ____________________；（2分）
.标准答案：1. Q=C*V;
42. 电容产生的电场方向和芯片表面平行，这些电容被称作是
________________________。

（2分）
.标准答案：1. 横向通量电容;
43. 电感器是用于提供精确电感值的电路元件。

国际单位制定义________为电感的标准单位。

（2分）
.标准答案：1. 亨利;
44. 电流集边效应使高频下电感的串联电阻Rs急剧增大。

________________是造成电流集边的原因之一。

（2分）
.标准答案：1. 趋肤效应;
45. 电容的标准单位是（）。

（2分）
A.法拉
B.伏特
C.安培
.标准答案：A
46. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，（）可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。

（2分）
A.电阻多晶硅
B.电容多晶硅
C.多晶硅栅
.标准答案：C 47. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成（）。

（2分）
A.反比
B.正比
C.无关
.标准答案：B
48. 流过导体的电流会在导体周围产生（）。

（2分）
A.电场
B.磁场
C.电磁场
.标准答案：B
49. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（）工作电压。

重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。

（2分）
A.最大
B.最小
C.任意
.标准答案：A
50. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（）的，所以VCBO通常很大。

（2分）
A.重掺杂
B.不掺杂
C.轻掺杂
.标准答案：C
51. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准（）源。

（2分）
A.电压
B.电流
C.电压或电流
.标准答案：A
52. 使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂（）型扩散区用于制作PMOS晶体管。

（2分）
A.N
B.P
C.N或P
.标准答案：A
53. MOS晶体管是一种（）控制器件。

（2分）
A.电流
B.电压
C.电阻
.标准答案：B
54. 根据版图设计规则中的（）最小宽度，可以确定器件最小沟道长度。

（2分）
A.active
B.poly
C.metal1
.标准答案：B
55. LVS的作用是检查所设计的版图是否与所设计的（）完全一致。

（2分）
A.结构图
B.电路性能
C.电路图
.标准答案：C
56. 集成电路版图设计按设计自动化程度来分有: ________________和
________________。

（4分）
.标准答案：1. 手工设计;2. 自动设计;
57. 导体又分为____________和____________区分。

材料传导电流的强弱用材料电阻值来描述。

（4分）
.标准答案：1. 良导体;2. 不良导体;
58. 在标准双极工艺中，发射区电阻常用做____________________和
____________________。

在单层金属工艺中广泛用做隧道。

（4分）
.标准答案：1. 功率管整流;2. 电流敏感电阻;
59. 电容存储的是________________。

（2分）
.标准答案：1. 电场能量;
60. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，一般而言，________________________可以用作形成上电极。

（2分）
.标准答案：1. 电阻多晶硅层;
61. 随着电流的变化，能量流入或流出这个磁场，这些能量流沿着导体产生压降。

电流和电压关系可以定量的表示为________________。

（2分）
.标准答案：1. ;
62. 在线圈中每圈导线称为一匝，每匝产生的磁场也会通过其他所有匝，称为
____________。

（2分）
.标准答案：1. 磁耦合;
63. 集成电路版图设计师共设( )个等级。

（2分）
A.3
B.4
C.5
.标准答案：C
64. 元素周期表中一些元素（如硅和锗）的电学特性介于金属与非金属之间，叫( )。

（2分）
A.导体
B.绝缘体
C.半导体
.标准答案：C
65. 标准双极工艺基区方块电阻的典型值范围为( )，并且允许直接在电阻上形成欧姆接触。

（2分）
A.10～20
B.100～200
C.400～800
.标准答案：B
66. 发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在( )内，基区扩散又制作在一个N阱内。

（2分）
A.有源区
B.基区扩散
C.发射区扩散
.标准答案：B 67. 标准双极工艺和BiCMOS工艺都能提供发射结电容。

在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为0.8fF/um2）,但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐( )。

（2分）
A.增大
B.减小
C.不变
.标准答案：B
68. 使用( )的电介质，利用相对较小的区域制作大电容器。

（2分）
A.高介电常数
B.低介电常数
C.无所谓
.标准答案：A
69. 结电容通常作在隔离岛内，隔离岛必须制作接触以确保集电结( )。

（2分）
A.正偏
B.不偏
C.反偏
.标准答案：C
70. 品质因数的一般性原则:寄生效应越小，品质因数Q( )；（2分）
A.越大
B.越小
C.无关
.标准答案：A
71. 集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。

对于标准双极型工艺制造的NPN 晶体管，VEBO大约( )左右。

（2分）
A.1V
B.7V
C.10V
.标准答案：B
72. 在线圈中每圈导线称为一匝，每匝产生的磁场也会通过其他所有匝，称为
____________。

（2分）
.标准答案：1. 磁耦合;
73. 集成电路版图设计师共设( )个等级。

（2分）
A.3
B.4
C.5
.标准答案：C
74. 元素周期表中一些元素（如硅和锗）的电学特性介于金属与非金属之间，叫( )。

（2分）
A.导体
B.绝缘体
C.半导体
.标准答案：C
75. 标准双极工艺基区方块电阻的典型值范围为( )，并且允许直接在电阻上形成欧姆接触。

（2分）
A.10～20
B.100～200
C.400～800
.标准答案：B。