45db041_中文

45db041中文
特点
•单为2.5V - 3.6V的或2.7V - 3.6V电源
•串行外设接口（SPI）兼容
•页面编程操作
- 单周期重新编程（擦除和程序）
- 2048页（264字节/页）主存储器
•支持页和块擦除操作
•两个264字节的SRAM数据缓冲器- 允许接收的数据
而重编程非易失性内存
•连续读取功能，通过整个阵列
•低功耗
- 4毫安主动了解当前的典型
- 2微安待机电流典型的CMOS
•20 MHz的最大时钟频率
•硬件数据保护功能
•100％兼容AT45DB041和AT45DB041A
•5.0V的容错输入：司，SCK的，CS的复位，andWP销
•商业和工业温度范围
描述
该AT45DB041B是2.5伏或2.7伏只，串行接口闪存理想
适合的数字语音，图像，程序代码和数据存储的各种
申请。

其4325376位存储器的组织264个字节为2048页
每个。

除了主内存，AT45DB041B还包含两个SRAM数据
每264字节的缓冲区。

缓冲区允许接收数据，同时在页面的主要
内存被重新编程，以及读或写一个连续
数据流。

EEPROM仿真（位或字节更改性）是很容易处理自
包括三个步骤读修改，写操作。

与传统的闪存
这是随机访问，与多个地址线和一个并行接口，
使用的DataFlash SPI串行接口，以按顺序访问其数据。

数据闪存支持SPI模式0和模式3。

简单的串行接口方便硬件布局，
提高了系统的可靠性，减少开关噪声，并减小了封装尺寸和
积极引脚数量。

该器件适合用于使用在许多商业和工业
应用在高密度，低引脚数，低电压和低功耗是至关重要的。

该器件工作在高达20 MHz的时钟频率读当前一个典型的活跃
消费4毫安。

自动页REWRITE这：这种模式只需要如果内一页或多个字节
数据多个页面顷修改1随机时尚。

此模式是一组合
两个操作：主内存页以缓冲区转移与缓冲区到主存储器佩奇
程序与内置擦除。

阿一页数据首先从主内存转入
缓冲区1或缓冲区2，然后同一数据从缓冲区1或缓冲区2（）被编程放回其主内存原始页面。

若要启动重写运作，1 8位
操作码，缓冲区58H 1或59H条缓冲区2，必须其次四个保留位，11地址位（PA10 - 其中PA0）表示指定主内存网页纳入重写，
九个额外不在乎比特。

当一个低到高过渡发生在CS引脚，的
一部分将首次转帐从主内存页数据到缓冲区然后方案
从缓冲区数据放回主内存同一页。

操作是内部
自我定时并应采取在一个TEP的最大时间地点。

在这段时间，
状态寄存器将表明一部分忙。

如果一个部门编程或重新编程顺序页面-由-页，然后编程
算法所示26页建议如图1。

否则，如果
8 AT45DB041B
1938E-DFLSH-05/02
在1页或好几页多个字节顷编程随机在一个部门，那么
编程算法所示页面27是建议如图2。