一种富氧空位二氧化锰纳米片的制备方法及其应用[发明专利]

专利名称：一种富氧空位二氧化锰纳米片的制备方法及其应用专利类型：发明专利
发明人：程博,张林杰,王瑞虎
申请号：CN202111335184.3
申请日：20211111
公开号：CN114195195A
公开日：
20220318
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种含氧空位的二氧化锰纳米片的制备方法，及其在锌离子电池中的应用。

所述含氧空位的二氧化锰纳米片，主要通过锰基配位聚合物前驱体进行室温碱性环境下的水解得到，本发明首次克服了传统二氧化锰制备工艺中需要使用强氧化剂，且反应须在高温高压条件下进行的缺点，具有制备方法简单，成本低，易于宏量制备等优点。

使用本发明所制备的含氧空位的二氧化锰纳米片，表现出了优异的锌离子储存性能，锌离子电池性能测试表明，在100mAg‑1的电流密度下，表现出了282.2mAhg‑1的高比容量和良好的电化学循环性能。

申请人：中国科学院福建物质结构研究所
地址：350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
国籍：CN
代理机构：北京元周律知识产权代理有限公司
代理人：孙小万
更多信息请下载全文后查看。