大功率LED照明产品及散热技术
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现有的功率型LED的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片 的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增大芯片面积， 加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较 高的发光通量。除了芯片外，器件的封装技术也举足轻 重。关键的封装技术工艺有：
几种整合模式
3W模组,9颗芯片(芯片尺寸:18mil),3并3串, 电流300mA,电压9.6-10.5V 5W模组,4颗芯片 (芯片尺寸:40mil),2并2串,电流700mA,电压6.2-7.0V
30W模组,81颗芯片(芯片尺寸:18mil),9并9串,电流1000mA,电压27-31.5V
1W 氮化镓蓝光LED倒装芯片
1. 产品优势与应用领域
产品特点 专利倒装技术 专利模组技术 超高出光效率 高效散热设计 超高可靠性能 便于客户封装
应用领域 普通照明领域 道路照明领域 车用照明领域 景观照明领域 高级闪光灯领域 特殊照明领域
1400 mA 2000 mA
125 ℃ -40℃ to +85℃ -40℃ to +100℃
> 4000 V Class3A
反向电压
VR
注3 备注: 1. 以上数据为使用Power Dome支架、无灌胶条件下裸晶测试结果，不同封装方式得到的测 试结果可能不尽相同，仅供参考；LED最大结温允许值也与封装方式相关；若封装生产使用回 流焊，必须保证不能在300 ℃以上温度条件使用超过3秒； 2. 抗静电释放测试根据人体模型，使用RAET方式模拟静电释放，所有产品通过测试，符合 JESD22-A114-B标准Class 3A等级。 3. 测试LED使用的反向电压不能超过6V，否则有可能损坏产品，而且正常使用情况下，供电 电源不能反接LED。 4. 由于硅基体易碎，因此强烈建议封装打线时，尽量远离基体边缘，以免损坏基体。
LED大功率的实现方法
(1)加大尺寸法: 通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL
层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大 发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光 通量和实际应用效果。 (2)硅底板倒装法:
首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备出 相应尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导 电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再利用共晶焊接设备 将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理， 既考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的大功 率LED的生产方式。
大功率芯片封装结构
提高LED性能的一种方法乃将电流由弯流改 成顺流。由于蓝宝石基材不导电，LED正负 两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格 时电流必须由垂直顺流改成水平横流，这样 电流就会集中在内弯处，导致不能有效使用 P-N接口的电子层和电洞层，因而减少了发光 效率。更有甚者，电流集中之处会产生热点 使晶格缺陷范围延伸，LED的亮度就会随缺 陷扩大而递减。为了延长LED的寿命，输入 的电流必须降低（如350mA），单位面积的 发光亮度，就受到了限制。LED设计的主要 设计有如下列诸图所示(如图1)
大功率LED技术、照明产品及 其散热技术
主要内容 功率型ＬＥＤ芯片技术原理 大功率ＬＥＤ技术结构设计
功率型ＬＥＤ散热技术 结束语
功率型ＬＥＤ芯片技术原理
LED的应用面不断扩大，首先进入特种照明的市场领域， 并向普通照明市场迈进。由于LED芯片输入功率的不断 提高，对这些功率型LED的封装技术提出了更高的要求。 功率型LED封装技术主要应满足以下两点要求：
大功率ＬＥＤ技术结构设计
半导体LED若要作为照明光源，常规产品的光通量与白炽 灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。LED要在照 明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现 有照明光源的等级。
功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术 和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高， 但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。
2. 倒装芯片说明 (1) 倒装芯片尺寸与材料
外观图
材料说明 芯片衬底 蓝宝石
外延材料 氮化镓
基体材料
硅
电极材料
金
凸点材料
金
尺寸说明
芯片尺寸
1325μm ×1325μm
基板尺寸
1995μm ×1775μm
电极尺寸 99 μm ×304μm
芯片厚度 基板厚度 总厚度
115±5μm 250±5μm 390±10μm
我国光学光电子行业协会光电子器件分会行业协会根据 LED产品发展的需要，于2003年发布了“发光二极管测 试方法（试行）”,该测试方法增加了对LED色度参数的 规定。但LED要往照明业拓展，建立LED照明产品标准 是产业规范化的重要手段。
筛选技术与可靠性保证
由于灯具外观的限制，照明用LED的装配空间密封受到局 限，密封且有限的空间不利于LED散热，这意味着照明 LED的使用环境要劣于传统显示、指示用LED产品。
美国Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒装 芯片（FCLED）结构，其制造流程是：
首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的 NiAu层，用于欧姆接触和背反射；
再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出N 型层；
经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为 1mm×1mm,P型欧姆接触为正方形，N型欧姆接触以梳状 插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；
照明LED是处于大电流驱动下工作，这就对其提出更高的 可靠性要求。在产业化生产中，针对不同的产品用途， 进行适当的热老化、温度循环冲击、负载老化工艺筛选 试验，剔除早期失效品，保证产品的可靠性很有必要。
电防护技术
由于GaN是宽禁带材料，电阻率较高，该类芯片在生产过 程中因静电产生的感生电荷不易消失，累积到相当的程 度，可以产生很高的静电电压。当超过材料的承受能力 时，会发生击穿现象并放电。蓝宝石衬底的蓝色芯片其 正负电极均位于芯片上面，间距很小；对于 InGaN/AlGaN/GaN双异质结，InGaN活化薄层仅几十纳 米，对静电的承受能力很小，极易被静电击穿，使器件 失效。
检测技术与标准
随着W级功率芯片制造技术和白光LED工艺技术的发 展，LED产品正逐步进入（特种）照明市场，显示或指 示用的传统LED产品参数检测标准及测试方法已不能满 足照明应用的需要。国内外的半导体设备仪器生产企业 也纷纷推出各自的测试仪器，不同的仪器使用的测试原 理、条件、标准存在一定的差异，增加了测试应用、产 品性能比较工作的难度和问题复杂化。
10W 模组,9 颗芯片 (芯片尺寸:40mil),3并3串,电流1050mA,电压9.0-10.5V
10W 模组,36颗芯片(芯片尺寸:18mil),6并6串,电流500mA,电压18-21V 25W 模组,25颗芯片 (芯片尺寸:40mil),5并5串,电流1750mA,电压15-17.5V
半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都 可能存在光学参数（如波长、光强）和电学（如正向电 压）参数差异。
RGB三基色芯片更是这样，对于白光色度参数影响很大。 这是产业化必须要解决的关键技术之一。
根据应用要求产生的光色度参数控制：
不同用途的产品，对白光LED的色坐标、色温、显色性、 光功率（或光强）和光的空间分布等要求不同。上述参 数的控制涉及产品结构、工艺方法、材料等多方面因素 的配合。在产业化生产中，对上述因素进行控制，得到 符合应用要求、一致性好的产品十分重要。
LED电流转弯的问题不能靠封装的设计 (如复晶或Flip Chip)改善，把电流截 弯取直才是正道，这样必须把电极置于 LED磊晶的两侧。电流平顺就可以明显 提升LED的亮度。除此之外，相同亮度 的顺流LED使用的芯片面积较小，因此 晶圆上切出的晶粒数目较多，也就是单 颗LED的制造成本可能降低。尤其进者， 电流转弯时若扩大芯片的面积会使LED 发光更不均匀。但是顺流LED其发射的 光子数目则会由发光面积的加大而提高。 所以一颗以大电流(如1A)驱动大面积的 顺流LED，其亮度会大于具有相同面积 的多颗横流LED。(如图2)
(4)蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝 宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传 统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。
(5) AlGaInN碳化硅（SiC）背面出光法。美国Cree公司是 全球唯一采用SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的厂家，几 年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提 高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，采用单 引线键合，兼容性较好，使用方便，因而成为AlGaInNLED 发展的另一主流产品。
功率型LED白光技术
粉涂布量控制： LED芯片+荧光粉工艺采用的涂胶方法，通常是将荧光粉 与胶混合后用分配器将其涂到芯片上。在操作过程中， 由于载体胶的粘度是动态参数、荧光粉比重大于载体胶 而产生沉淀以及分配器精度等因素的影响，此工艺荧光 粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不 均匀。
芯片光电参数配合：
几种静电防范技术
对于大工作电流的功率型LED芯片，低热阻、散热良好及 低应力的新的封装结构是功率型LED器件的技术关键。
可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片； 在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，
加速散热； 设计二次散热装置，来降低器件的热阻。 在器件的内部，填充透明度高的柔性硅橡胶，在
硅橡胶承受的温度范围内（一般为-40℃ ~200℃），胶体不会因温度骤然变化而导致器 件开路，也不会出现变黄现象。 零件材料也应充分考虑其导热、散热特性，以获 得良好的整体热特性。
焊 接 要 素 :热 量 (HEAT) 超 音 波 能 量 (ULTRASONIC)
压 力 (PRESSURE)
金丝
二焊点
引线架 （ LEAD）
瓷 嘴
热量
晶 片 (CHIP)
压力
（FORCE）
超音波振荡
（US）
引线脚 （ LEAD）
二次光学设计技术
为提高器件的取光效率，设计外加的反射杯与多重光学透 镜。
然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静 电保护二极管（ESD）的硅载体上。
(3) 陶瓷底板倒装法: 先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电
极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在 陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利 用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。 这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且 采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热效果非常理想，价 格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为 将来的集成电路一体化封装预留空间。
项目
符号
APT-B5501AB-V WHz)
LED结温 工作温度范围 存储温度范围 抗静电释放能力 (HBM模式) 注2 抗静电释放等级 (根据JESD22-A114-B) 注2
IF IFP Tj Topr Tstg ESDHBM ESDLevel
一是封装结构要有高的取光效率； 二是热阻要尽可能低，这样才能保证功率LED的光电性能
和可靠性。
何为大功率芯片?
大功率LED广义上说就是单颗LED光源功率大于 0.35W(含0.35W)的，拥有大额定工作电流的发光二极 管。普通LED功率一般为0.05W、工作电流为20mA， 而大功率LED可以达到1W、2W、甚至数十瓦，工作电 流可以是几十毫安到几百毫安不等。由于目前大功率 LED在光通量、转换效率和成本等方面的制约，因此决 定了大功率白光LED短期内的应用主要是一些特殊领域 的照明，中长期目标才是通用照明。
(2) 光电参数说明 (测试环境温度TA=25℃)
项目 正向电压 (VF) 主波长 (WLD) 辐射功率 (LOP)
符号 VF λd IV
3. 特性测试 注1
测试电流 If = 350 mA
最小值 2.8 450 250
最大值 3.4 465 370
单位 V nm
mW
(3) 最大额定值 (测试环境温度TA = 25℃) 注1
几种整合模式
3W模组,9颗芯片(芯片尺寸:18mil),3并3串, 电流300mA,电压9.6-10.5V 5W模组,4颗芯片 (芯片尺寸:40mil),2并2串,电流700mA,电压6.2-7.0V
30W模组,81颗芯片(芯片尺寸:18mil),9并9串,电流1000mA,电压27-31.5V
1W 氮化镓蓝光LED倒装芯片
1. 产品优势与应用领域
产品特点 专利倒装技术 专利模组技术 超高出光效率 高效散热设计 超高可靠性能 便于客户封装
应用领域 普通照明领域 道路照明领域 车用照明领域 景观照明领域 高级闪光灯领域 特殊照明领域
1400 mA 2000 mA
125 ℃ -40℃ to +85℃ -40℃ to +100℃
> 4000 V Class3A
反向电压
VR
注3 备注: 1. 以上数据为使用Power Dome支架、无灌胶条件下裸晶测试结果，不同封装方式得到的测 试结果可能不尽相同，仅供参考；LED最大结温允许值也与封装方式相关；若封装生产使用回 流焊，必须保证不能在300 ℃以上温度条件使用超过3秒； 2. 抗静电释放测试根据人体模型，使用RAET方式模拟静电释放，所有产品通过测试，符合 JESD22-A114-B标准Class 3A等级。 3. 测试LED使用的反向电压不能超过6V，否则有可能损坏产品，而且正常使用情况下，供电 电源不能反接LED。 4. 由于硅基体易碎，因此强烈建议封装打线时，尽量远离基体边缘，以免损坏基体。
LED大功率的实现方法
(1)加大尺寸法: 通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL
层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大 发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光 通量和实际应用效果。 (2)硅底板倒装法:
首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备出 相应尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导 电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再利用共晶焊接设备 将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理， 既考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的大功 率LED的生产方式。
大功率芯片封装结构
提高LED性能的一种方法乃将电流由弯流改 成顺流。由于蓝宝石基材不导电，LED正负 两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格 时电流必须由垂直顺流改成水平横流，这样 电流就会集中在内弯处，导致不能有效使用 P-N接口的电子层和电洞层，因而减少了发光 效率。更有甚者，电流集中之处会产生热点 使晶格缺陷范围延伸，LED的亮度就会随缺 陷扩大而递减。为了延长LED的寿命，输入 的电流必须降低（如350mA），单位面积的 发光亮度，就受到了限制。LED设计的主要 设计有如下列诸图所示(如图1)
大功率LED技术、照明产品及 其散热技术
主要内容 功率型ＬＥＤ芯片技术原理 大功率ＬＥＤ技术结构设计
功率型ＬＥＤ散热技术 结束语
功率型ＬＥＤ芯片技术原理
LED的应用面不断扩大，首先进入特种照明的市场领域， 并向普通照明市场迈进。由于LED芯片输入功率的不断 提高，对这些功率型LED的封装技术提出了更高的要求。 功率型LED封装技术主要应满足以下两点要求：
大功率ＬＥＤ技术结构设计
半导体LED若要作为照明光源，常规产品的光通量与白炽 灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。LED要在照 明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现 有照明光源的等级。
功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术 和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高， 但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。
2. 倒装芯片说明 (1) 倒装芯片尺寸与材料
外观图
材料说明 芯片衬底 蓝宝石
外延材料 氮化镓
基体材料
硅
电极材料
金
凸点材料
金
尺寸说明
芯片尺寸
1325μm ×1325μm
基板尺寸
1995μm ×1775μm
电极尺寸 99 μm ×304μm
芯片厚度 基板厚度 总厚度
115±5μm 250±5μm 390±10μm
我国光学光电子行业协会光电子器件分会行业协会根据 LED产品发展的需要，于2003年发布了“发光二极管测 试方法（试行）”,该测试方法增加了对LED色度参数的 规定。但LED要往照明业拓展，建立LED照明产品标准 是产业规范化的重要手段。
筛选技术与可靠性保证
由于灯具外观的限制，照明用LED的装配空间密封受到局 限，密封且有限的空间不利于LED散热，这意味着照明 LED的使用环境要劣于传统显示、指示用LED产品。
美国Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒装 芯片（FCLED）结构，其制造流程是：
首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的 NiAu层，用于欧姆接触和背反射；
再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出N 型层；
经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为 1mm×1mm,P型欧姆接触为正方形，N型欧姆接触以梳状 插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；
照明LED是处于大电流驱动下工作，这就对其提出更高的 可靠性要求。在产业化生产中，针对不同的产品用途， 进行适当的热老化、温度循环冲击、负载老化工艺筛选 试验，剔除早期失效品，保证产品的可靠性很有必要。
电防护技术
由于GaN是宽禁带材料，电阻率较高，该类芯片在生产过 程中因静电产生的感生电荷不易消失，累积到相当的程 度，可以产生很高的静电电压。当超过材料的承受能力 时，会发生击穿现象并放电。蓝宝石衬底的蓝色芯片其 正负电极均位于芯片上面，间距很小；对于 InGaN/AlGaN/GaN双异质结，InGaN活化薄层仅几十纳 米，对静电的承受能力很小，极易被静电击穿，使器件 失效。
检测技术与标准
随着W级功率芯片制造技术和白光LED工艺技术的发 展，LED产品正逐步进入（特种）照明市场，显示或指 示用的传统LED产品参数检测标准及测试方法已不能满 足照明应用的需要。国内外的半导体设备仪器生产企业 也纷纷推出各自的测试仪器，不同的仪器使用的测试原 理、条件、标准存在一定的差异，增加了测试应用、产 品性能比较工作的难度和问题复杂化。
10W 模组,9 颗芯片 (芯片尺寸:40mil),3并3串,电流1050mA,电压9.0-10.5V
10W 模组,36颗芯片(芯片尺寸:18mil),6并6串,电流500mA,电压18-21V 25W 模组,25颗芯片 (芯片尺寸:40mil),5并5串,电流1750mA,电压15-17.5V
半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都 可能存在光学参数（如波长、光强）和电学（如正向电 压）参数差异。
RGB三基色芯片更是这样，对于白光色度参数影响很大。 这是产业化必须要解决的关键技术之一。
根据应用要求产生的光色度参数控制：
不同用途的产品，对白光LED的色坐标、色温、显色性、 光功率（或光强）和光的空间分布等要求不同。上述参 数的控制涉及产品结构、工艺方法、材料等多方面因素 的配合。在产业化生产中，对上述因素进行控制，得到 符合应用要求、一致性好的产品十分重要。
LED电流转弯的问题不能靠封装的设计 (如复晶或Flip Chip)改善，把电流截 弯取直才是正道，这样必须把电极置于 LED磊晶的两侧。电流平顺就可以明显 提升LED的亮度。除此之外，相同亮度 的顺流LED使用的芯片面积较小，因此 晶圆上切出的晶粒数目较多，也就是单 颗LED的制造成本可能降低。尤其进者， 电流转弯时若扩大芯片的面积会使LED 发光更不均匀。但是顺流LED其发射的 光子数目则会由发光面积的加大而提高。 所以一颗以大电流(如1A)驱动大面积的 顺流LED，其亮度会大于具有相同面积 的多颗横流LED。(如图2)
(4)蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝 宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传 统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。
(5) AlGaInN碳化硅（SiC）背面出光法。美国Cree公司是 全球唯一采用SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的厂家，几 年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提 高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，采用单 引线键合，兼容性较好，使用方便，因而成为AlGaInNLED 发展的另一主流产品。
功率型LED白光技术
粉涂布量控制： LED芯片+荧光粉工艺采用的涂胶方法，通常是将荧光粉 与胶混合后用分配器将其涂到芯片上。在操作过程中， 由于载体胶的粘度是动态参数、荧光粉比重大于载体胶 而产生沉淀以及分配器精度等因素的影响，此工艺荧光 粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不 均匀。
芯片光电参数配合：
几种静电防范技术
对于大工作电流的功率型LED芯片，低热阻、散热良好及 低应力的新的封装结构是功率型LED器件的技术关键。
可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片； 在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，
加速散热； 设计二次散热装置，来降低器件的热阻。 在器件的内部，填充透明度高的柔性硅橡胶，在
硅橡胶承受的温度范围内（一般为-40℃ ~200℃），胶体不会因温度骤然变化而导致器 件开路，也不会出现变黄现象。 零件材料也应充分考虑其导热、散热特性，以获 得良好的整体热特性。
焊 接 要 素 :热 量 (HEAT) 超 音 波 能 量 (ULTRASONIC)
压 力 (PRESSURE)
金丝
二焊点
引线架 （ LEAD）
瓷 嘴
热量
晶 片 (CHIP)
压力
（FORCE）
超音波振荡
（US）
引线脚 （ LEAD）
二次光学设计技术
为提高器件的取光效率，设计外加的反射杯与多重光学透 镜。
然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静 电保护二极管（ESD）的硅载体上。
(3) 陶瓷底板倒装法: 先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电
极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在 陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利 用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。 这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且 采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热效果非常理想，价 格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为 将来的集成电路一体化封装预留空间。
项目
符号
APT-B5501AB-V WHz)
LED结温 工作温度范围 存储温度范围 抗静电释放能力 (HBM模式) 注2 抗静电释放等级 (根据JESD22-A114-B) 注2
IF IFP Tj Topr Tstg ESDHBM ESDLevel
一是封装结构要有高的取光效率； 二是热阻要尽可能低，这样才能保证功率LED的光电性能
和可靠性。
何为大功率芯片?
大功率LED广义上说就是单颗LED光源功率大于 0.35W(含0.35W)的，拥有大额定工作电流的发光二极 管。普通LED功率一般为0.05W、工作电流为20mA， 而大功率LED可以达到1W、2W、甚至数十瓦，工作电 流可以是几十毫安到几百毫安不等。由于目前大功率 LED在光通量、转换效率和成本等方面的制约，因此决 定了大功率白光LED短期内的应用主要是一些特殊领域 的照明，中长期目标才是通用照明。
(2) 光电参数说明 (测试环境温度TA=25℃)
项目 正向电压 (VF) 主波长 (WLD) 辐射功率 (LOP)
符号 VF λd IV
3. 特性测试 注1
测试电流 If = 350 mA
最小值 2.8 450 250
最大值 3.4 465 370
单位 V nm
mW
(3) 最大额定值 (测试环境温度TA = 25℃) 注1