用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光
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用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光
马剑平;卢刚;陈治明;杭联茂;雷天民;封先锋
【期刊名称】《西安电子科技大学学报（自然科学版）》
【年(卷),期】2001(028)004
【摘要】将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约0.5 mm的SiC多晶薄片.X射线衍射(XRD)、Raman散射等分析表明所制备样品为3C-SiC多晶体.采用He-Cd激光325 nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光(PL)测试分析.PL实验结果表明随着温度的变化,PL 发光中心发生蓝移,其中心由2.13 eV移至2.39 eV.
【总页数】3页(P535-537)
【作者】马剑平;卢刚;陈治明;杭联茂;雷天民;封先锋
【作者单位】西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,;西安理工大学电子工程系,
【正文语种】中文
【中图分类】TN304
【相关文献】
1.碳在纯锰和纯铁熔体中的饱和溶解度及Mn-Fe-C熔体的热力学性质 [J], 王海川;张友平;董元篪;李文超
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4.硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制 [J], 马剑平;卢刚;雷天民;陈治明
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