掺Eu的γ-La_2S_3的低温合成机理及其发光特性研究

掺Eu的γ-La_2S_3的低温合成机理及其发光特性研究
罗昔贤;付姚;邢明铭;张明
【期刊名称】《功能材料》
【年(卷),期】2012(043)019
【摘要】采用CS2硫化法制备γ-La2S3时,通过掺入Eu离子,使γ-La2S3的生成温度降低500℃以上,在700℃就能得到稳定的γ-La2S3。

掺入的Eu离子,充当γ-La2S3成核的晶种,从而降低γ-La2S3的生成温度。

一部分Eu2＋通过不等价取代La3＋,同时在晶格中形成S空位以保持电中性;另一部分Eu2＋则填入γ-La2S3的S4四面体空洞,从而稳定了γ-La2S3的晶体结构,使其能够在1100℃下仍能保持稳定。

在硫化反应过程中,Eu的掺杂使相变过程发生变化,La2S3不再经过β→γ相变,而直接由介稳相LaS2转变为γ-La2S3。

光谱分析表明,在244nm紫外光激发下,掺Eu的γ-La2S3在280、390以及570nm处有3个发射带,且390nm发射峰非常强,可能源于缺陷发光,而Eu2＋的发光很弱或不发光。

【总页数】4页(P2595-2598)
【作者】罗昔贤;付姚;邢明铭;张明
【作者单位】大连海事大学物理系,辽宁大连116026;大连海事大学物理系,辽宁大连116026;大连海事大学物理系,辽宁大连116026;大连海事大学物理系,辽宁大连116026
【正文语种】中文
【中图分类】O469
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