ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺
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元
换代工作。
５ｎ ５ｍ嵌入 式 闪存技 术基 于意 法半 导体 ２ ０年来 的嵌入 式 闪存 研 制技 术 ， 意法 半导 体成 功 的 ９ ｎ 是 ０ｍ 嵌 入式 闪存 车用微 控 制器 系列 的延续 。新 技术 将让 意法半 导体 能够 为客户 提 供更 高 的产 品性 能 和附加 东芝公 司今年 计划 耗 资 １０亿 １ ５ ３元 （ 约合 １ ． ６ 值 ， 同 时 为 意 法 半 导 体 未 来 的 基 于 Ｐｗ ｒ 亿 美 元 ） 建一 条试 验 生产 线 ， ｏ ｅ 兴 生产 小 于 ２ ５纳米 制 Ａ ｃｉｃ ｒ 架 构 的 车用 ３ 微 控 制器 提 供 技术 平 程 的 Ｎ Ｎ ｒｈｔ ｔ ｅ ｅｕ ２位 Ａ Ｄ闪存 芯片 。
液 晶 电视 解 决 方 案 简 化设 计
飞 兆 半导 体 公 司 的半 桥解 决 方案 Ｕｔ Ｒ Ｅ ｌａＦ Ｆ Ｔ ｒ
Ｓ Ａ 内存 实 体 以及 ＳＷａｅ Ｍ６ Ｇ Ｒ Ｍ ｉ ｒＴ ５ Ｐ高密 度 Ｓ Ａ Ｒ Ｍ
系列进一步优化设计 ，具有 ３ ｎ～ ５ｓ ５ ｓ６ ｎ 的同类最佳
反 向恢 复 时问 和业界 最小 的反 向恢 复 电流 （ ．Ａ～ １ ８
过 同类 电气机器指数 ０ ％的涨幅。 ． ８ 而东芝与其它半
导体 厂商 ２ 米制程 闪存 的开 发 ， ０纳 也可 望于未 来两 年 内开始量 产 。
Ｒ ｎｓｓ ｌｃｏｉｓ 全 球 第 三 大 半 导 体 制 造 ｅｅａ ｅｔ ｎｃ 为 Ｅ ｒ 商 ，根 据 该 公 司数 据 ，其 合 并 营 收 达 １ ５兆 日元 ． ０ （ １ 美元 ） 仅 次 于美 国英 特 尔 ， 及 韩 国 的 三 １３亿 ， 以
合。
产 品。为生产新 的 ２ 纳米制程 以下的芯片 ， ５ 需使用 较短光波的极紫外光微影技术 ， 因此 ， 东芝也将进行 相应的技术升级 。 前 ， 目 东芝已向荷兰半导体微影系
统 大 厂 Ａ ＭＬ订 购设 备 ， Ｓ 预计 在今 年夏 天试 验投 产 。 消息 一 经 公 布 ， 芝 在股 市 中涨 幅 达 ３５ ， 东 ．％ 远远 超
合 运行 时 间 。
Ｓ 发布 ５ ｎ Ｔ ５ ｍ嵌入式闪存 制造工艺
意法半 导体 发布 ５ ５纳米嵌 入式 闪存 制造 艺 。 ］ 意法半 导体 的新 一代 车用 微控制 器 芯片将 采用 这项
小反 向恢 复 电流 。阻 隔二极 管可 以防止 ＭＯ Ｆ Ｔ的 ＳＥ
内建 二极管 导通 ， 消除二 极管 的大 反 向恢复 电流 。 并
编译器系列产品专为 Ｍ Ｐ ３Ｔ处理器而优化 ， ＩＳ２ Ｍ 以协
助客 户加 速为 蓝 光 Ｄ Ｄ、 Ｄ Ｖ、Ｐ’ Ｖ Ｈ Ｔ Ｉ１ Ｖ、机顶 盒 和宽
ｈ ＋ ＾ ． ｈ… ● ，
…
，； 、
＾
，＾ ｍ ｌ
可扩展 基础 架构 ，在 四核 平 台上可 产生 两倍 提升综
３１ 。 目前 的液 晶 电视设 计使 用 ＭＯ Ｆ Ｔ和半桥 ．Ａ） ＳＥ 电路 中 的两个 快 速恢 复 二 极 管 （ Ｒ 及 两个 阻 隔 Ｆ Ｄ） 二极 管来 实现非 零 电压 切换 ， 用 Ｆ Ｄ可 以用 来减 使 Ｒ
台。
东芝 计 划 耗 资 １０亿 日元 ５
生产 ２ ５纳米闪存
目前 东 芝 生 产 的 Ｎ Ｎ Ａ Ｄ闪 存 是 采 用 ３ ２与 ４ ３ 纳米技 术 ，主要 应用 于手 机及 数字相 机 等 电子 消费
全球第三大芯 片厂诞生
日本 芯 片 大厂 Ｎ Ｃ电 子 和瑞 萨科 技 合 并交 易 Ｅ 近 日生 效 ， 创 造 出 大 型 半 导 体 制 造 商 Ｒ ｎｓｓ ｅｅａ Ｅｅｔｎｃ Ｃ ｒ． 但 该公 司 目前 必须 重 新 思 考 在 日 ｌ ｒ ｉ ｏｐ ， ｃｏ ｓ 本 市场 的独立 性 ，并将 重 迭 的营运单 位加 以重 组整
星 电子 。
… Ｐ 科 技 和 Ｖ ｇ ｏ Ｓ ａ ｅ Ｌ ｇ 成 ｉ ｒ ｉ ｃ结
合作伙伴提供优化嵌 入式 内存 Ｉ Ｐ
飞兆 半 导 体 推 出
美普 思科技 公 司和 Ｖｒｇ ｏｉ共 同宣布 ， 方 ｉ ｅＬｇ ａ ｃ 双 将结 成合 作伙 伴关 系为 两家公 司的共 同客 户提供 优 化 嵌 入 式 内 存 Ｉ。 Ｖｒｇ Ｐ ｉ ｅ的 ＬｇｃＡ Ａ Ｔ ９ｎ ａ ｏｉ Ｓ ＰＭ ０ ｍ
飞兆 半导体 的突破性 解决 方案 省去 了半 桥 电路 中的 两个 阻隔二 极管 和两 个快 速恢 复二极 管 ，节省 了线
． 先进技术。目前 ，意法半导体正在位于法国 Ｃｏｅ ｒｌ 路 板 空 间 ，并 使 每 个 设 计 的成 本 节 省 多 达 ０２美 ｌｓ 的世 界 一 流 的 ３０ 晶圆 厂进 行 这 项 技 术 的升 级 ０ｍｍ
换代工作。
５ｎ ５ｍ嵌入 式 闪存技 术基 于意 法半 导体 ２ ０年来 的嵌入 式 闪存 研 制技 术 ， 意法 半导 体成 功 的 ９ ｎ 是 ０ｍ 嵌 入式 闪存 车用微 控 制器 系列 的延续 。新 技术 将让 意法半 导体 能够 为客户 提 供更 高 的产 品性 能 和附加 东芝公 司今年 计划 耗 资 １０亿 １ ５ ３元 （ 约合 １ ． ６ 值 ， 同 时 为 意 法 半 导 体 未 来 的 基 于 Ｐｗ ｒ 亿 美 元 ） 建一 条试 验 生产 线 ， ｏ ｅ 兴 生产 小 于 ２ ５纳米 制 Ａ ｃｉｃ ｒ 架 构 的 车用 ３ 微 控 制器 提 供 技术 平 程 的 Ｎ Ｎ ｒｈｔ ｔ ｅ ｅｕ ２位 Ａ Ｄ闪存 芯片 。
液 晶 电视 解 决 方 案 简 化设 计
飞 兆 半导 体 公 司 的半 桥解 决 方案 Ｕｔ Ｒ Ｅ ｌａＦ Ｆ Ｔ ｒ
Ｓ Ａ 内存 实 体 以及 ＳＷａｅ Ｍ６ Ｇ Ｒ Ｍ ｉ ｒＴ ５ Ｐ高密 度 Ｓ Ａ Ｒ Ｍ
系列进一步优化设计 ，具有 ３ ｎ～ ５ｓ ５ ｓ６ ｎ 的同类最佳
反 向恢 复 时问 和业界 最小 的反 向恢 复 电流 （ ．Ａ～ １ ８
过 同类 电气机器指数 ０ ％的涨幅。 ． ８ 而东芝与其它半
导体 厂商 ２ 米制程 闪存 的开 发 ， ０纳 也可 望于未 来两 年 内开始量 产 。
Ｒ ｎｓｓ ｌｃｏｉｓ 全 球 第 三 大 半 导 体 制 造 ｅｅａ ｅｔ ｎｃ 为 Ｅ ｒ 商 ，根 据 该 公 司数 据 ，其 合 并 营 收 达 １ ５兆 日元 ． ０ （ １ 美元 ） 仅 次 于美 国英 特 尔 ， 及 韩 国 的 三 １３亿 ， 以
合。
产 品。为生产新 的 ２ 纳米制程 以下的芯片 ， ５ 需使用 较短光波的极紫外光微影技术 ， 因此 ， 东芝也将进行 相应的技术升级 。 前 ， 目 东芝已向荷兰半导体微影系
统 大 厂 Ａ ＭＬ订 购设 备 ， Ｓ 预计 在今 年夏 天试 验投 产 。 消息 一 经 公 布 ， 芝 在股 市 中涨 幅 达 ３５ ， 东 ．％ 远远 超
合 运行 时 间 。
Ｓ 发布 ５ ｎ Ｔ ５ ｍ嵌入式闪存 制造工艺
意法半 导体 发布 ５ ５纳米嵌 入式 闪存 制造 艺 。 ］ 意法半 导体 的新 一代 车用 微控制 器 芯片将 采用 这项
小反 向恢 复 电流 。阻 隔二极 管可 以防止 ＭＯ Ｆ Ｔ的 ＳＥ
内建 二极管 导通 ， 消除二 极管 的大 反 向恢复 电流 。 并
编译器系列产品专为 Ｍ Ｐ ３Ｔ处理器而优化 ， ＩＳ２ Ｍ 以协
助客 户加 速为 蓝 光 Ｄ Ｄ、 Ｄ Ｖ、Ｐ’ Ｖ Ｈ Ｔ Ｉ１ Ｖ、机顶 盒 和宽
ｈ ＋ ＾ ． ｈ… ● ，
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可扩展 基础 架构 ，在 四核 平 台上可 产生 两倍 提升综
３１ 。 目前 的液 晶 电视设 计使 用 ＭＯ Ｆ Ｔ和半桥 ．Ａ） ＳＥ 电路 中 的两个 快 速恢 复 二 极 管 （ Ｒ 及 两个 阻 隔 Ｆ Ｄ） 二极 管来 实现非 零 电压 切换 ， 用 Ｆ Ｄ可 以用 来减 使 Ｒ
台。
东芝 计 划 耗 资 １０亿 日元 ５
生产 ２ ５纳米闪存
目前 东 芝 生 产 的 Ｎ Ｎ Ａ Ｄ闪 存 是 采 用 ３ ２与 ４ ３ 纳米技 术 ，主要 应用 于手 机及 数字相 机 等 电子 消费
全球第三大芯 片厂诞生
日本 芯 片 大厂 Ｎ Ｃ电 子 和瑞 萨科 技 合 并交 易 Ｅ 近 日生 效 ， 创 造 出 大 型 半 导 体 制 造 商 Ｒ ｎｓｓ ｅｅａ Ｅｅｔｎｃ Ｃ ｒ． 但 该公 司 目前 必须 重 新 思 考 在 日 ｌ ｒ ｉ ｏｐ ， ｃｏ ｓ 本 市场 的独立 性 ，并将 重 迭 的营运单 位加 以重 组整
星 电子 。
… Ｐ 科 技 和 Ｖ ｇ ｏ Ｓ ａ ｅ Ｌ ｇ 成 ｉ ｒ ｉ ｃ结
合作伙伴提供优化嵌 入式 内存 Ｉ Ｐ
飞兆 半 导 体 推 出
美普 思科技 公 司和 Ｖｒｇ ｏｉ共 同宣布 ， 方 ｉ ｅＬｇ ａ ｃ 双 将结 成合 作伙 伴关 系为 两家公 司的共 同客 户提供 优 化 嵌 入 式 内 存 Ｉ。 Ｖｒｇ Ｐ ｉ ｅ的 ＬｇｃＡ Ａ Ｔ ９ｎ ａ ｏｉ Ｓ ＰＭ ０ ｍ
飞兆 半导体 的突破性 解决 方案 省去 了半 桥 电路 中的 两个 阻隔二 极管 和两 个快 速恢 复二极 管 ，节省 了线
． 先进技术。目前 ，意法半导体正在位于法国 Ｃｏｅ ｒｌ 路 板 空 间 ，并 使 每 个 设 计 的成 本 节 省 多 达 ０２美 ｌｓ 的世 界 一 流 的 ３０ 晶圆 厂进 行 这 项 技 术 的升 级 ０ｍｍ