一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法[发明专利]
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
专利名称：一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法专利类型：发明专利
发明人：李志强,徐星亮,李俊焘,张林,代刚
申请号：CN201710801669.4
申请日：20170907
公开号：CN107546115A
公开日：
20180105
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提出的一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法，通过采用杂质分凝技术(dopant segreation)改善金属/SiC欧姆接触性能；杂质分凝技术能实现对肖特基势垒的有效调制，同时还能提高界面处杂质的激活浓度，进而非常有利于实现金属/SiC理想的欧姆接触；而且该方法能够通过注入n型和p型杂质分别实现对电子、空穴势垒的调节，进而都适用于n‑SiC和p‑SiC的欧姆接触，利于基于SiC衬底同时实现n型和p型欧姆接触。
此外，该方法具有工艺简单、与传统CMOS工艺完全兼容等优势，因而该技术在SiC高压功率器件中具有非常大的应用前景。
申请人：中国工程物理研究院电子工程研究所
地址：621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
国籍：CN
代理机构：成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人：蒋斯琪
更多信息请下载全文后查看。