晶体缺陷理论-位错的萌生与增殖.

晶体缺陷理论
第3章 位错的萌生与增殖
§1
位错的萌生
§2
位错的增殖机制
§3
螺旋线位错的形成机制
第3章 位错的萌生与增殖
§1位错的萌生
1.1 空位机制
（a）快冷形成过饱和空位； （b）空位在某些特定面上聚集可以降低体系的能量；
（c）一定数量的空位形成空位片；
（d）空位片达到一定的尺寸后，坍塌形成了空位环；
2.1 Frank-Read平面源
D

↑b
1
4 D′
┬
↑b
左
右 2 3

右 左 ┴ 5
┴
★见位错增殖swf
2.2 Frank-Read空间源 (1)位错增殖
★见L型位错swf
（2）CD段旋转运动
位错有弹性能和线张
2.3 极轴机制位错源
2.4 Bardeen-Herring位错源
2.5 交滑移位错源
★见双交滑移swf
§3螺旋线位错的形成机制
3.1位错形状的改变
影响曲线形状的因素：
1.空位或间隙原子的过饱和度； 2.空位或间隙原子向位错线扩散速度（Vd）的大小； 3.空位或间隙原子在位错线上重新排列的速度（Vr） ； 4.位错在柱面上发生滑移的难易程度；
5.晶体的各向异性（不同方向上的位错能量不同）
（d）运动过程，位错拉长。在接近圆柱面的底部附近，螺位 错异号； （e）继续运动，异号螺位错相互吸引、消失，位错环仍然向
右运动，而左边则留下一小段位错；
（f）切应力继续作用，小位错向上运动，重复上面的过程，
形成位错环，留下小位错；
（g）此过程周而复始，源源不断地放出位错环，产生变形效
应。
§2 位错的增殖机制
3.2 Vr ＞ Vd
3.3 Vd ＞ Vr
（e）如图为一刃型位错。
过
（a）最大切应力在夹杂物的π/4处； （b）界面处夹杂物与基体的膨胀系数差造成应力集中， 基体晶格错动松弛，形成一段小的位错； （c）切应力作用下，刃位错部分沿背离夹杂物方向， 在圆柱面上运动，螺位错部分沿柱面的两边圆周方向向 下运动；
g此过程周而复始源源不断地放出位错环产生变形效位错的增殖机制21frankread平面源见位错增殖swf22frankread空间源1位错增殖2cd段旋转运动位错有弹性能和线张23极轴机制位错源24bardeenherring位错源25交滑移位错源见双交滑移swf3螺旋线位错的形成机制31位错形状的改变影响曲线形状的因素