L-Edit画与门和或门简明教程

L-Edit画与门和或门简明教程电子科技大学上机教程2013.12.11 小基本操作步骤：（1）打开此程序（2）另存新文件：选择File→Save As（3）取代设定：选择File→Replace Setup命令，单击右侧的Browser，选择F:\EDA 实践\Ledit90\Semples\spr\example1\light.tdb文件，然后点击ok，会出现警告，按确定钮。

（4）绘制N Well图层：横向34格，纵向19格绘制图层信息在窗口左下角显示（有图层类型，宽度，长度，坐标等）绘图完成后，通过alt+鼠标左键或者直接用鼠标滚轮来调整图层大小和位置。

Ctrl+鼠标滚轮来调整窗口大小。

home键将图层放置到整个绘图窗口中心位置。

（5）绘制Active图层：横向22格，纵向9格（6）绘制P Select图层：横向28格，纵向14格（7）绘制Poly 图层：据横向2 格，纵向14格完成后进行DRC检查，单击工具栏按钮，或者Tools→DRC，在检查完毕后会出现DRC检查结果，No DRC errors found 说明没有设计规则错误如果有错误，选中Display DRC Error Navigator 复选框，点击OK，会出现错误提示窗口，展开错误标记。

双击Error3,在版图中出现错误提示，这时可以通过alt+鼠标左键来调整图形大小位置来消除DRC错误，最后点击DRC图标，反复修改，直到错误消除，这时绘图窗口将会恢复之前的状态。

（8）绘制Active Contact 图层：横纵2格，然后DRC检查（9）绘制Metal1 图层：纵横4格，DRC检查（最好每步完成后都马上进行DRC 检查，注意，在此之后将不再提示DRC检查，但每步之后最好检查）其中重复的一些操作可以通过复制来完成，该操作通过Ground 来完成。

鼠标拖动选中要复制图形，选择Draw→Ground（或直接Ctrl+G），完成后所选中区域将会变成一个整体，可以对组件进项复制、移动操作。

一个组件不能对其中的单元操作，要调整组件中单元大小位置，可通过选中图形，选择Draw→Unground （或直接Ctrl+U）解除组件来完成。

（10）重新命名：将Cell0 的名称重新命名，可选择Cell—Rename 命令，打开Rename Cell对话框，将cell 名称改成nandpmos（11）新增NMOS 组件：选择Cell→New 命令，打开Create New Cell 对话框，在其中的New cell name 文本框中输入“nandnmos”，单击OK 按钮（12）编辑与非门的NMOS 组件：依照PMOS 组件的编辑流程，建立出Active 图层、N Select 图层、Poly 图层、Active Contact 图层与Metal1 图层。

其中，Active 宽为22个格点，高为9 个格点；Poly 宽为2 个格点，高为14 个格点：N Select宽为18 个格点，高为14个格点；Active Contact 宽皆为2 个格点，高皆为2 个格点：Metal1 宽皆为4 个格点，高皆为4 个格点。

DRC检查（13）设计导览：选择view 按钮，打开Design Navigator 窗口，可以看到Exl0 文件有nandnmos与nandpmos 两个cell （或直接点工具栏中的按钮），双击便可直接进入单元。

（14）编辑非门的PMOS 组件：新建cell，命名为norpmos，建立出N well图层、Active 图层、P Select 图层、Poly 图层、Active Contact 图层与Metal1 图层。

其中，N well 宽为24个格点，高为19个格点；Active 宽为14个格点，高为9 个格点：Poly 宽为2 个格点，高为14 个格点：P Select宽为18 个格点，高为14个格点；Active Contact 宽皆为2 个格点，高皆为2 个格点：Metal1 宽皆为4 个格点，高皆为4 个格点。

DRC检查(15) 编辑非门的NMOS 组件：新建cell，命名为nornmos，建立出Active 图层、N Select 图层、Poly 图层、Active Contact 图层与Metal1 图层其中，Active 宽为14个格点，高为5 个格点；Poly 宽为2 个格点，高为9 个格点：N Select宽为18 个格点，高为9个格点；Active Contact 宽皆为2 个格点，高皆为2 个格点：Metal1 宽皆为4 个格点，高皆为4 个格点。

DRC检查（16）编辑PMOS 保护环（well tap）：新建cell，命名为guardpmos，建立出N well 图层、Active 图层、N Select 图层、Active Contact 图层与Metal1 图层其中，N well宽为13个格点，高为19 个格点；Active 宽为6个格点，高为9 个格点；N Select宽为10 个格点，高为13个格点；Active Contact 宽皆为2 个格点，高皆为2 个格点：Metal1 宽皆为4 个格点，高皆为4 个格点。

DRC检查（17）编辑NMOS 保护环（well tap）：新建cell，命名为guardnmos，建立出Active 图层、P Select 图层、Active Contact 图层与Metal1 图层其中，Active 宽为6个格点，高为5 个格点；P Select宽为10 个格点，高为9个格点；Active Contact 宽皆为2 个格点，高皆为2 个格点：Metal1 宽皆为4 个格点，高皆为4 个格点。

DRC检查（18）编辑与门：在此，所有的cell 都已建立完毕。

新建cell 命名为and，在and中选择Cell→Instance 命令，打开Select Cell to Instance 对话框，可以看到，在组件列表中有nandpmos，nandnmos , norpmos, nornmos ,guardpmos, guardnmos 这6 组件，选择nandpmos 组件再单击OK 按钮，在编辑画面多出一个nandpmos 组件，然后选择nandnmos 组件再单击OK 按钮，在编辑画面多出一个与nandpmos 重叠的nandnmos 组件，可利用Alt 键加鼠标拖曳的方式分开nandpmos与nandnmos，同样的方法分别添加其余组件。

（19）连接栅极Poly：将放置的组件在and中按位置放置好，然后根据逻辑关系绘制连接栅极的多晶层。

由于电路的pmos 与nmos 的栅极极是要相连的，故直接以Poly图层将pmos 与nmos 的Poly 相连接，绘制出Poly 宽两个格点，绘制后进行DRC检查。

（20）连接源漏极：电路的nmos 漏极与pmos 漏极是相连的，则以Metal1 连接即可，利用Metal1 将图中的nmos 与pmos 的右边扩散区有接触点处相连接，绘制Metal1 宽两个格点、高6 个格点。

绘制后进行DRC检查（21）绘制电源线和地线：由于电路需要有Vdd 电源与GND 电源，电源绘制是以Metal1图层表示，利用Metal1 将图中pmos 上方与nmos 下方各绘制一个宽为72 个格点、高为5 个格点的电源图样，绘制后进行DRC检查（22）加入Vdd 与GND 节点名：单击工具栏中插入节点按钮（），再到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与上方电源图样重叠的宽为72 个格点、高为5 个格点的方格后，将出现Edit Object(s)对话框，如图所示。

在On文本框中选中Metal1层，在Port name 文本框中输入节点名称“Vdd”，在Text Alignment 选项组中选择文字相对于框的位置的右边，单击“确定”按钮；同样的方法变出GND。

(23) 连接电源线与地线：根据逻辑关系，将电源线与地线和pmos，nmos，guardpmos，guardnmos 连接起来。

完成后DRC检查。

（24）连接与非门和反相器：先绘制反相器输入端口，先在编辑窗口空白处进行编辑，先绘制Poly Contact 图层2*2，再绘制Poly 图层5*5，接着绘制Metal1 图层4*4使之重叠于Poly Contact 图样上，最后将此输入端口图形群组起来，先选中组合区域部分，再选择Draw→Group 命令，会出现Group 对话框。

在Group CellName 文本框中输入名称portA，之后单击OK 按钮。

将portA移至反相器输入端，连接非门和反相器。

最后DRC检查。

（25）加入输入端口：由于与门有两个输入端口，且输入信号是从栅极(Poly)输入，输入输出信号由Metal2 传入，故一个与门输入端口需要绘制Metal2 图层、Via 图层、Metal1 层、Poly ontact 图层与Poly 图层，才能将信号从Metal2 图层传至Poly 层。

先在编辑窗口空白处进行编辑，最后再移至整个组件的位置。

先绘制Poly Contact 图层2*2，再绘制Poly 图层5*5，接着绘制Metal1 图层10*4使之重叠于Poly Contact 图样上，接着在Metal1 上要绘制Via 图层2*2，Via 图层是用来连接Metal1 图层与Metal2 图层的接触孔，接着绘制Metal2 图层4*4，它要与图层Via 与Metal1 重叠。

DRC检查。

将此输入端口图形群组起来，先选中组合区域部分，再选择Draw→Group 命令，会出现Group 对话框。

在Group CellName 文本框中输入名称portB，之后单击OK 按钮。

将port B 部分移至与非门栅极的位置当成输入端口，结果如图所示。

注意，在放置时Metal1 与Metal1 之间要距离3 个格点以上，并要以设计规则检查无误才可，复制port B 放置到另一个输入端口，通过R键来旋转portB。

最后DRC 检查。

（26）在port B 组件上加入节点名称作为输入点，需利用加入节点按钮。

单击按钮，再在Layers 面板的下拉列表中选择Metal2 选项，使Metal2 图样被选取，再到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与port B 组件的Metal2 图样重叠的宽为4 个格点、高为4 个格点的方格后，会出现Edit Object(s)对话框，在Port name 文本框输入输入端口名称“A”，在Text Alignment 选项组选择文字相对于框的位置的左边，再单击“确定”按钮；同样的方法标出B输入端口。

（27）加入输出端口：与门有一个输出端口，先绘制Via 图层，在反相器的Metal1 图层上画出横向两格、纵向两格的方形，接着绘制Metal2 图层4*4，它要与Via与Metal1 图层重叠。