13001三极管资料
电子镇流器常用三极管的管脚和参数
MJE13001是小功率高压高速开关三极管，典型应用：荧光灯电子镇流器。
它采用TO-92封装，管脚排列如图：MJE13001主要参数：集电极-基极最高耐压VCBO=500V集电极-发射极最高耐压VCEO=400V发射极-基极最高耐压VEBO=9V集电极电流IC=0.3A耗散功率PC=7W结温Tj=150℃贮藏温度TSTG=-50~150℃直流放大系数HFE=8~403DD13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。
3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。
采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图：１脚：基极；２脚：集电极；３脚：发射极3DD13001主要参数：集电极最大耗散功率PCM=1.2W (Tamb=25℃)集电极最大允许电流ICM=0.2A集电极-基极反向击穿电压BVCBO=600V集电极-发射极反向击穿电压BVCEO=400V发射极-基极反向击穿电压BVEBO=7V结温Tj=150℃贮藏温度TSTG=-55~150℃直流放大系数=8~40MJE13002是高压高速开关三极管，国产同类型号为3DD13002。
它主要用于电子节能灯、日光灯电子镇流器，以及其它开关电路中。
MJE13002(3DD13002)采用TO-126封装的外形尺寸和管脚排列如图：MJE13002(3DD13002)主要参数VCBO=600VVCEO=400VVEBO=7VIC=1APC=1.2WTj=150℃TSTG=-55~150℃ICBO=100μAIEBO=100μAHFE=10~40VCE(sat) =0.5VVBE(sat) =1.0VfT=4MHzTf=0.6μsMJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN型，采用TO-126封装，它的外形和管脚排列如下：MJE13003主要参数集电极-基极电压VCBO 700 V集电极-发射极电压VCEO 400 V发射极-基极电压VEBO 9V集电极电流IC 2.0 A集电极耗散功率PC 40 W最高工作温度Tj 150 °C贮存温度Tstg -65-150 °C集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 μA集电极-发射极截止电流ICEO (VCE=400V,IB=0) 250 μA集电极-发射极电压VCEO (IC=10mA,IB=0) 400 V发射极-基极电压VEBO (IE=1mA,IC=0) 9 V直流电流放大倍数5~403DD13005是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造，开关速度快，耐压高。
MJE13001 NPN 外延硅晶体管技术资料
Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO
IC=100µA, IE=0
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO
Ic=1mA, IB=0
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=100µA, IC=0
IE=0 f=1MHz
10
Cob (pF), Capacitance
VBE(sat),VCE(sat),Saturation Voltage
0.1
0.01 1
VCE(sat)
10
100
Ic (mA)Collector Current
1
0.1
1
10
100
VCB(V),Collector-Base Voltage
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=600V, IE=0
Collector Cut-off Current
ICEO
VCE=400V, IB=0
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=7V, IC=0
DC current gain
hFE(1)
VCE=20V, Ic=20mA
VBE
IE=100mA
Transition Frequency
fT
VCE=20V, Ic=20mA, f=1MHz
Fall Time Storage Time
tF
Ic=50mA, IB1=-IB2=5mA,
tS
Vcc=45V
MIN TYP MAX UNIT
13001-13009三极管的参数
1300113009三极管的参数详解一、概述二、主要参数1. 集电极发射极电压（VCEO）1300113009三极管的集电极发射极电压范围为30V至40V，具体数值取决于型号。
这个参数表示三极管在正常工作状态下，集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
2. 集电极电流（IC）该系列三极管的集电极电流范围为100mA至800mA，不同型号的电流值有所不同。
集电极电流是衡量三极管放大能力的重要参数，它决定了三极管在电路中的负载能力。
3. 发射极电流（IE）发射极电流与集电极电流的比值约为1:1，即发射极电流略大于集电极电流。
在设计电路时，需要注意发射极电流的取值，以确保三极管正常工作。
4. 放大倍数（β）1300113009三极管的放大倍数一般在100至300之间，具体数值取决于型号。
放大倍数是三极管的关键参数，它表示三极管在放大信号时的能力。
5. 功耗（Pc）三极管的功耗与其工作电压和电流有关，计算公式为Pc=VCEO×IC。
在设计电路时，应确保三极管的功耗在安全范围内，以防过热损坏。
6. 特征频率（fT）7. 封装类型三、应用注意事项1. 选择合适的三极管型号，确保其参数满足电路设计要求。
2. 在安装三极管时，注意散热，避免因温度过高导致性能下降或损坏。
3. 在使用过程中，避免超过三极管的极限参数，如集电极发射极电压、集电极电流等。
4. 对于高频应用，应选择特征频率较高的三极管型号。
四、电路设计建议1. 偏置电路设计：为了确保1300113009三极管能够稳定工作，设计偏置电路时需考虑合适的基极电流。
通常，基极电流应设置为集电极电流的1/10至1/20。
这样可以保证三极管在放大信号时不会进入饱和或截止状态。
2. 电源去耦：在电源线上加入适当的去耦电容，可以减少电源波动对三极管工作的影响，提高电路的稳定性。
3. 信号匹配：在设计信号输入和输出电路时，应注意信号源和负载的阻抗匹配，以减少信号反射和损失，保证信号完整性。
十种NPN开关管参数
TO-92 封MJE13001是小功率高压高速开关三极管，典型应用：荧光灯电子镇流器。
它采用 装，管脚排列如图：MJE13001主要参数：集电极-基极最高耐压VCBO=500V集电极-发射极最高耐压 VCEO=400V发射极-基极最高耐压VEBO=9V集电极电流IC=0.3A耗散功率PC=7W结温 Tj=150 C贮藏温度 TSTG=-50~150 C直流放大系数HFE=8~403DD13001是硅NPN 型小功率开关三极管，主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等 开关电源电路。
3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高 温性能好等特点。
采用 TO-251封装的3DD13001管脚排列如图：TO —2511 BASE2 COLLECTORREMITTER1脚：基极； 2脚：集电极； 3脚：发射极3DD13001主要参数：集电极最大耗散功率 PCM=1.2W (Tamb=25 C )集电极最大允许电流 ICM=0.2A集电极-基极反向击穿电压 BVCBO=6OOV集电极-发射极反向击穿电压 BVCEO=4OOV发射极-基极反向击穿电压 BVEBO=7V结温 Tj=150 C贮藏温度 TSTG=-55~150 C直流放大系数=8~40TO-92封装的外形硅NPN日光灯电子镇流器，以及其它开关电路中。
MJE13002(3DD13002)采用TO-126 尺寸和管脚排列如图：TO-12S MJE13002(3DD13002)主要参数 VCBO=600V VCEO=400V VEB0=7V IC=1A PC=1.2W Tj=150 C TSTG=-55~150 C ICB0=100 [iA IEBO=100 [iA HFE=10~40 VCE(sat) =0.5V VBE(sat) =1.0V fT=4MHz Tf=0.6 jis MJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，型，采用TO-126封装，它的外形和管脚排列如下：TO^12 5MJE13003主要参数集电极-基极电压 VCBO 700 V集电极-发射极电压 VCEO 400 V发射极-基极电压VEBO 9V2. COLLECTOR3 EMITTER集电极电流IC 2.0 A集电极耗散功率 PC 40 W最高工作温度Tj 150 ° C贮存温度 Tstg -65-150 ° C集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 卩A集电极-发射极截止电流ICEO (VCE=400V ,IB=0) 250卩A集电极-发射极电压 VCEO (IC=10mA,IB=0) 400 V发射极-基极电压 VEBO (IE=1mA,IC=0) 9 V直流电流放大倍数 5~403DD13005是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN 型，平面扩散工艺制造，开关速度 快，耐压高。
13001-13009三极管的参数
MJE13001是小功率高压高速开关三极管，典型应用：荧光灯电子镇流器。
它采用TO-92封装，管脚排列如图：MJE13001主要参数：集电极-基极最高耐压VCBO=500V集电极-发射极最高耐压VCEO=400V发射极-基极最高耐压VEBO=9V集电极电流IC=0.3A耗散功率PC=7W结温Tj=150℃贮藏温度TSTG=-50~150℃直流放大系数HFE=8~403DD13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。
3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。
采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图：１脚：基极；２脚：集电极；３脚：发射极3DD13001主要参数：集电极最大耗散功率PCM=1.2W (Tamb=25℃)集电极最大允许电流ICM=0.2A集电极-基极反向击穿电压BVCBO=600V集电极-发射极反向击穿电压BVCEO=400V发射极-基极反向击穿电压BVEBO=7V结温Tj=150℃贮藏温度TSTG=-55~150℃直流放大系数=8~40MJE13002是高压高速开关三极管，国产同类型号为3DD13002。
它主要用于电子节能灯、日光灯电子镇流器，以及其它开关电路中。
MJE13002(3DD13002)采用TO-126封装的外形尺寸和管脚排列如图：MJE13002(3DD13002)主要参数VCBO=600VVCEO=400VVEBO=7VIC=1APC=1.2WTj=150℃TSTG=-55~150℃ICBO=100μAIEBO=100μAHFE=10~40VCE(sat) =0.5VVBE(sat) =1.0VfT=4MHzTf=0.6μsMJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN型，采用TO-126封装，它的外形和管脚排列如下：MJE13003主要参数集电极-基极电压VCBO 700 V集电极-发射极电压VCEO 400 V发射极-基极电压VEBO 9V集电极电流IC 2.0 A集电极耗散功率PC 40 W最高工作温度Tj 150 °C贮存温度Tstg -65-150 °C集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 μA集电极-发射极截止电流ICEO (VCE=400V,IB=0) 250 μA集电极-发射极电压VCEO (IC=10mA,IB=0) 400 V发射极 -基极电压VEBO (IE=1mA,IC=0) 9 V直流电流放大倍数5~403DD13005是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造，开关速度快，耐压高。
13001是什么系列三极管
13001是什么系列三极管三极管13001能代换1300313001主要参数：集电极-基极最高耐压VCBO=500V集电极-发射极最高耐压VCEO=400V发射极-基极最高耐压VEBO=9V集电极电流IC=0.3A耗散功率PC=7W13003主要参数：集电极-基极电压VCBO 700 V集电极-发射极电压VCEO 400 V发射极-基极电压VEBO 9V集电极电流IC 2.0 A集电极耗散功率PC 40 W通过对比会发现，13003可以替换13001，而13001不能替换13003。
非要换的话，后果就是换上一通电就炸裂。
还有可能损坏后面的元器件。
三极管13001可用什么代替1300系列的所有三极管都可以代替13001，还有就是普通的BU406等等都行，只要参数满足的都可以，比如Vceo=500V的管子，集电极电流在500mA的NPN管子都行。
MJE13001是硅NPN型小功率高压高速开关三极管，其主要参数如下：C-B极最高耐压：Vcbo=500VC-E极最高耐压：Vceo=400VE-B极最高耐压：Vebo=9V集电极电流：Ic=0.3A耗散功率：PC=7W直流放大系数：HFE=8~40典型应用：荧光灯镇流器封装形式：TO-92三极管替换要看被替换的三极管的作用和产品参数。
当电路使用三极管时，并不是利用三极管所有的参数，而是只利用其中部分参数，所以替换原则第1就是看功用。
例如用于高频小信号放大的三极管，主要看三极管的使用频率，其次看放大倍数；如果是用做低频大功率放大，主要就看三极管的功率、Uce、(耐压)Ice（最大电流），其次看三极管的频率。
总之，不同用途的三极管代换原则是不一样的。
扩展资料：替换三极管主要看的产品参数1、特征频率当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.fT称作增益带宽积，即fT=βfo。
若已知当前三极管的工作频率fo 以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。
13001和13003可以替换吗 三极管13001管脚排列
13001和13003可以替换吗三极管13001管脚排列
本文主要是关于13001和13003的相关介绍，并着重对13001和13003的替换进行了详尽的阐述。
13001和13003可以替换吗13001不能用13003代替，如果非要换上的话，后果就是换上一通电就炸裂。
还有可能损坏后面的元器件。
但是13003的可以用13001的代替！以下是13001和13003的主要参数：
13001主要参数：
集电极-基极最高耐压VCBO=500V
集电极-发射极最高耐压VCEO=400V
发射极-基极最高耐压VEBO=9V
集电极电流IC=0.3A
耗散功率PC=7W
13003主要参数：
集电极-基极电压VCBO 700 V
集电极-发射极电压VCEO 400 V
发射极-基极电压VEBO 9V
集电极电流IC 2.0 A
集电极耗散功率PC 40 W
三极管13001管脚排列
三极管的代换原则怎样选用和替换三极管
当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢？当你在修理中需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢？本文可以替你当一个参谋。
一、三极管的类型及材料
初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。
常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。
十种NPN开关管参数
MJE13001是小功率高压高速开关三极管，典型应用：荧光灯电子镇流器。
它采用TO-92封装，管脚排列如图：MJE13001主要参数：集电极-基极最高耐压VCBO=500V集电极-发射极最高耐压VCEO=400V发射极-基极最高耐压VEBO=9V集电极电流IC=0.3A耗散功率PC=7W结温Tj=150℃贮藏温度TSTG=-50~150℃直流放大系数HFE=8~403DD13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。
3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。
采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图：１脚：基极；２脚：集电极；３脚：发射极3DD13001主要参数：集电极最大耗散功率PCM=1.2W (Tamb=25℃)集电极最大允许电流ICM=0.2A集电极-基极反向击穿电压BVCBO=600V集电极-发射极反向击穿电压BVCEO=400V发射极-基极反向击穿电压BVEBO=7V结温Tj=150℃贮藏温度TSTG=-55~150℃直流放大系数=8~40MJE13002是高压高速开关三极管，国产同类型号为3DD13002。
它主要用于电子节能灯、日光灯电子镇流器，以及其它开关电路中。
MJE13002(3DD13002)采用TO-126封装的外形尺寸和管脚排列如图：MJE13002(3DD13002)主要参数VCBO=600VVCEO=400VVEBO=7VIC=1APC=1.2WTj=150℃TSTG=-55~150℃ICBO=100μAIEBO=100μAHFE=10~40VCE(sat) =0.5VVBE(sat) =1.0VfT=4MHzTf=0.6μsMJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN 型，采用TO-126封装，它的外形和管脚排列如下：MJE13003主要参数集电极-基极电压VCBO 700 V集电极-发射极电压VCEO 400 V发射极-基极电压VEBO 9V集电极电流IC 2.0 A集电极耗散功率PC 40 W最高工作温度Tj 150 °C贮存温度Tstg -65-150 °C集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 μA集电极-发射极截止电流ICEO (VCE=400V,IB=0) 250 μA集电极-发射极电压VCEO (IC=10mA,IB=0) 400 V发射极-基极电压VEBO (IE=1mA,IC=0) 9 V直流电流放大倍数5~403DD13005是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造，开关速度快，耐压高。
13001 极性NPN 脚位排列ECB
13001 极性NPN 脚位排列ECB:1W;0.2A;800V13003 400V,1.25W 1.5A FT=5MHZ极性NPN 脚位排列ECB8050 把三极管有字的面正对着自己，从左到右依次e、b、c 。
耐压30V，最大电流要根据具体类型而定，最小的500mA，最大的1A，极限频率可以达到100M，β（即放大倍数）值在200左右。
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN EBC 高频放大50V 30mA 0.4W 150MHz9012 PNP 贴片低频放大50V 0.5A 0.625W9013 NPN EBC 低频放大50V 0.5A 0.625W9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。