单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点
单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法
单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。
随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。
SCR与IGBT区别
可控硅SCR，IGBT，区别[收集]
可控硅（SCR）只能触发导通，不能触发关断，称之为半控器件：
1、分为单向可控硅与双向可控硅。
常见的是单向可控硅。
2、阳极与阴极间加正电压同时给门控电压时导通。
电流触发（脉冲），导通后，撤去门控电压不会关断。
3、关断条件：阳极与阴极电流小于“维持电流”或阳极与阴极间加反向电压。
3、只能用于通、断（开/关）控制。
开关频率低。
4、主要用于：调压、整流、软起动器、固态继电器.....
5、一般控制脉动直流（或类似于）或交流。
IGBT，其结构为绝缘栅双极场效应晶体管，可以触发导通，也可以触发管断，仅栅极既可以控其通断，所以称为全控器件：
1、可以等效为（或理解为）：场效应管与大功率三极管组成的复合管。
2、特性类似于场效应管。
输入阻抗非常高，输出阻抗低，驱动功率非常小，主要是结电容引起的驱动电流、放大倍数高。
3、开关频率较高，耐压高、通流能力强（额定电流大）。
4、主要用于：变频器（逆变）、电磁炉，中、大功率逆变、氩弧焊机等、高频电源......
可控硅的开关速度很低，IGBT的很高。
IGBT可以脉宽调制控制。
可控硅不行，只能做移相触发。
IGBT优点：输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低（甚至接近GTR的饱和压降）、耐压高、电流大。
可控硅的工作原理与种类
可控硅的工作原理与种类可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种用于控制大电流的半导体元件，广泛应用于电力电子领域。
其工作原理是基于PN结的特性，通过控制正向偏置电压和触发电流，实现对电流的控制。
可控硅由四个PN结组成，即两个正向接触的P区，中间夹着两个N区。
当P 区加上正向电压，N区加上反向电压时，PN结呈现出正向偏置特性，此时NPNPN结构的形成使电流能够通过。
但当P区加上负向电压，N区加上正向电压时，PN结的反向耐压特性生效，电流无法通过。
在可控硅导通之前，需要通过一个触发电流（Gate Current）来激活。
当触发电流Igt满足一定标准时，从低阻态（OFF态）向高阻态（ON态）切换，并开始导通电流，从而实现对电流的控制。
在可控硅中，还存在一个关键参数叫做触发电压（Gate Voltage）。
当触发电流通过后，正向电压达到一定值时，才能够激活并导通，这就是触发电压的作用。
触发电压的值取决于具体的可控硅型号与工作条件。
可控硅根据不同的工作状态和应用特性，可分为以下几种类型：1. 静态门极控制型可控硅（SGCR）静态门极控制型可控硅是最常见的一种可控硅类型。
当触发电流通过后，硅片的移动电荷会改变PN结的导电特性，从而实现硅片的导通。
通过改变触发信号来控制触发电流，可以实现对电流的调控。
2. 双向晶闸管（Thyristor）双向晶闸管是一种具有双向导通能力的可控硅。
与普通的单向可控硅不同，双向晶闸管可以实现两个方向上的导通和关断。
这种特性使其适用于交流电源的控制。
3. 光控硅（Light Controlled SCR，LSCR）光控硅是一种通过光控制触发电流的可控硅。
光控硅内部嵌入了一个光敏元件，当光敏元件受到光照时，产生电流以激活SCR。
通过改变光照强度和光敏元件的特性，可以实现对电流的控制。
4. 可控硅二极管（SCR-Diodes）可控硅二极管是一种由多个可控硅串联而成的电子元件。
单向双向可控硅触发电路设计原理
单向/双向可控硅触发电路设计原理1，可以用直流触发可控硅装置。
2，电压有效值等于U等于开方{（电流有效值除以2派的值乘以SIN二倍电阻）加上(派减去电阻的差除以派）}。
3,电流等于电压除以（电压波形的非正弦波幅值半波整流的两倍值）。
4，回答完毕。
触摸式台灯的控制原理这种台灯的主要优点是没有开关，使用时通过人体触摸，完成开启、调光、关闭动作，给使用带来方便。
一、电路设计原理人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极，使电路导通，并给负载——灯泡或灯管供电，使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作，达到调光的目的。
电路见图1，该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。
二、降压稳压电路由R3、VDl、VD4、C4组成。
输出9V直流电，供给BA2101，由③⑦脚引入。
三、触发电路由触发电极M将人体的感应信号，经c3、R8、R7送至④脚的sP端，经处理后，由⑥脚输出触发信号，经cl、R1加至可控硅VS的G极，VS导通，电灯H点亮。
第二次触摸，可改变触发脉冲前沿的到达时间，而使电灯亮度改变。
反复触摸，可按弱光、中光、强光和关闭四个动作状态循环，达到调节亮度的目的。
可控硅VS在动作中其导通角分别为120度、86度、17度。
四、辅助电路VD2和vD3为保护集成电路而设。
防止触摸信号过大而遭破坏。
C3为隔离安全电容。
R4为取得同步交流信号而设。
R5为外接振荡电阻。
五、使用中经常出现的故障(1)由震动引发的故障。
触摸只需轻轻触及即可。
但在家庭使用中触击的强度因人而异，小孩去触摸可能是重重的一拳。
性格刚烈的人去触摸，可能引起剧烈震动。
因此经常出现灯泡断丝。
(2)集成块焊脚由震动而产生脱焊。
如③脚脱焊，使电源切断而停止工作；④、⑥脚脱焊，使触摸信号中断，都会引起灯泡不亮。
因此要检查集成块各脚是否脱焊。
(3)可控硅VS一般采用MAC94A4型双向可控硅，由于反复触发，或意外大信号触发，会引起可控硅击穿而停止工作。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。
单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。
双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。
1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。
若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。
且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。
若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。
再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。
然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。
对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。
然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。
若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。
可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。
对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。
然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。
否则说明该器件已损坏。
可控硅工作原理及其应用新版
可控硅工作原理及其应用新版可控硅(scr: silicon controlled rectifier)是可控硅整流器的简称。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种型别它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
单向可控硅的工作原理单向可控硅原理可控硅是p1n1p2n2四层三端结构元件，共有三个pn结，分析原理时，可以把它看作由一个pnp管和一个npn管所组成当阳极a加上正向电压时，bg1和bg2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极g输入一个正向触发讯号，bg2便有基流ib2流过，经bg2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为bg2的集电极直接与bg1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经bg1放大，于是bg1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到bg2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈迴圈的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于bg1和bg2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极g的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发讯号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表r×100或r×1k 挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的範围）时，黑表笔所接的是控制极g，红表笔所接的是阴极c，余下的一只管脚为阳极a。
双向可控硅)
∙ 1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。
随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
双向可控硅的设计及应用分析∙引言1958年，从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。
单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点
单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
可控硅基础知识
1、阳极电位低于阴极电位 任一条 2、阳极电流小于维持电流 件即可
单向可控硅电参数
序号
参数
1 额定通态峰值电流
2 额定通态平均电流
3 不重复通态浪涌电流
4 断态重复峰值电压
5 反向重复峰值电压
6 断态重复平均电流
7 反向重复平均电流
单向可控硅等效结构
单向可控硅晶体管模型
单向可控硅平面和纵向结构
K G
K G
玻璃ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ化
玻璃钝化
可控硅工作原理-导通
• 栅极悬空时，BG1和BG2 截止,没有电流流过负载 电阻RL。
• 栅极输入一个正脉冲电压 时,BG2道通，VCE(BG2)下 降，VBE(BG1)升高。
• 正反馈过程使BG1和BG2 进入饱和道通状态。
8 通态平均电压
9 控制极触发电流
10 控制极触发电压
符号
IT(RMS) IT(AV) IT(TSM) VDRM VRRM IDRM IRRM VTM IGT VGT
单向可控硅电参数
序号
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
参数
门极（触发极）峰值电流 门极（触发极）峰值电压 门极（触发极）反向峰值电压 门极（触发极）峰值功耗 门极（触发极）平均功耗 断态电压换向变化率 通态电流换向变化率 控制极触发导通时间 维持电流 关闭电流
可控硅—十条黄金规则
规则1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电 流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。 规则2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够 长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述 条件。 规则3. 设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。 规则4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1（或阴 极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。 高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双 向可控硅。 规则5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。 若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解 决办法，采用Hi-Com 双向可控硅。
单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法
单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。
随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。
可控硅的一些基本知识
可控硅的一些基本知识摘要：可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。
双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。
其通断状态由控制极G决定。
在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。
这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
结构编辑大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸可控硅管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性。
可控硅介绍
一、可控硅符号与性能介绍可控硅符号：可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。
这是TLC336的样子：二、向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。
实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
单向可控硅与双向的区分判断好坏
单向双向可控硅的判断
首先：可控硅（也叫晶闸管）分为单向可控硅和双向可控硅两种类型。
这两种类型都有着三个引脚，但三个引脚的种类两种类型的可控硅却不一样。
单向可控硅的三个引脚分别为：G（控制极）、A（阳极）、K（阴极）；
双向可控硅的三个引脚则是：G（控制极）、T1（输入端）、T2（输出端）。
其实，双向可控硅就是由两个单向可控硅反向并联所组成的。
说一下单向可控硅与双向可控硅的区分方法：
1、区分单向、双向可控硅的方法：拿来一只万用表，用万用表的RX1档来分别对可控硅三个引脚进行两两正反的测量，这样一共需要测量这个可控硅六次，且这六次中，如果只有一次测得可控硅的数值在几十到几百欧之间，则可以判定测量的这个可控硅是单向可控硅。
万用表上的红笔所接的引脚是K极，黑笔接的则是G极，剩下的那个引脚是A极。
如果在测量当中的结果上，有两个引脚的正反值都在几十到几百欧之间的话，那么这个可控硅就是双向可控硅。
2、区分可控硅的好坏：
在单向可控硅中：把万用表打到RX1档上，红笔连接到K极，黑笔则同时连接到G极和A极上，然后，松开G极的同时，不要断开A极，这时候的万用表指针应该在几十到一百欧之间，然后在断开A极，这个时候指针就退回原位去了，这就说明这个单行可控硅是好的。
在双向可控硅中：用万用表的红笔接T1极，黑笔同时连接G、T2极，然后和单向可控硅的步骤一样，第一次指针完了之后，再次重复指针要比上一次大十几几十欧左右，则可以说明双向可控硅是正常的。
区分单向和双向可控硅的方法，你学会了吗？。
单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点
一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表RX100或RX1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范伟I）时，黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方而进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通：第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方而的好坏进行判断。
具体方法是：用RXlk或RXiOk挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大, 说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用RXlk或RXIOk挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上, 若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用RXlk或RX100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻RX1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。
双向可控硅导通条件
双向可控硅导通条件双向可控硅导通条件是一种特殊的导通条件，它是导通技术应用中最重要的硅元件。
作为一种复合结构，它在双向控制方面具有特殊的性能和特点。
双向可控硅导通条件多用于应用有源功率放大器，如无线电、汽车电子等行业，它可以有效提高放大电路实用性。
它也常用于输出控制电路，可大大降低温度对电路稳定性的影响。
什么是双向可控硅导通条件？它是一种典型的可控硅（SCR）结构，其由一系列由硅晶体、基板和双向控制装置组成的硅元件。
可控硅是一种静态三极管，由 negatively-biased control electrodes 与被称为 anode 和 cathode 之间构成 PN 结，当给控制electrodes 加上一个负偏压，硅晶体就可以将 anode 与 cathode 相连从而导通介绍。
由于它具有可控的特性，所以它可以被电脑控制，用于放大电路的输出控制，因此它最常见的应用就是用做有源功率放大器中的功率栅极电路。
双向可控硅导通条件在应用和使用中具有一定的优势，首先它的影响小，其噪声水平在业界最小，其密度也高，抗电磁干扰能力强，它的温度基本不受环境温度影响，耗能小，功耗降低，相对于其它形式的功能元件，它的耗能节约，更为明显，此外，它还具有一定的保护性能，在输出短路、超流等情况下，可以保护设备，重要的是，它可以有效地降低整个系统的体积，提高了系统的整体性能。
双向可控硅导通条件的结构非常之简单，但是却具有相当的实用性。
它的非切断电流、转换电容因子和电抗等性能均非常优良，除此之外，它还有着可靠的空间散热能力，可提供更好的导通效果，良好的可靠性和耐用性，延长了其可靠寿命。
这已经得到了广泛的应用，所以可以在实际生产过程中受到应用和改进。
可控硅导通和关断的条件
可控硅导通和关断的条件
首先，让我们来看看可控硅的导通条件。
可控硅的导通是通过
施加一个触发脉冲来实现的。
当在可控硅的门极和阳极之间施加一
个触发脉冲时，如果同时满足以下三个条件，可控硅就会导通：
1. 门极电压（V_G）大于可控硅的触发电压（V_GT）。
2. 阳极电压（V_A）大于可控硅的维持电压（V_D）。
3. 门极电流（I_G）大于可控硅的门极触发电流（I_GT）。
一旦可控硅导通，它将一直保持导通状态，直到阳极电流降至
零或者通过降低阳极电压来实现关断。
接下来，我们来讨论可控硅的关断条件。
可控硅的关断是通过
降低阳极电流或者增加门极触发电流来实现的。
当满足以下条件时，可控硅将关断：
1. 阳极电流降至零。
2. 门极电流降至零或者降低到一个安全的水平。
需要注意的是，为了确保可控硅可靠地关断，必须保证在关断时不会出现过高的耐压峰值和耐压上升率，以防止可控硅损坏。
总的来说，可控硅的导通和关断条件是在实际应用中需要严格控制和遵守的。
只有在满足特定的电压、电流和触发条件下，可控硅才能可靠地进行导通和关断操作，从而确保电路的正常工作和安全性。
可控硅导通和关断的条件
可控硅导通和关断的条件
可控硅（SCR）是一种重要的半导体器件，用于控制大功率电路
的导通和关断。
它具有导通时低压降和关断时高阻态的特性，因此
在电力控制和变频调速等领域有着广泛的应用。
可控硅的导通和关
断条件是其正常工作的关键，下面我们将分别介绍可控硅的导通和
关断条件。
首先是可控硅的导通条件。
要使可控硅导通，需要满足两个条件，正向电压和触发电流。
正向电压是指在可控硅的阳极和阳极之
间施加一个正向电压，这样就能形成一个正向偏置，使得P-N结处
于导通状态。
触发电流是指当施加一个脉冲电流到可控硅的门极时，能够触发P-N结处的电子和空穴的复合，从而形成导通通道。
只有
当这两个条件同时满足时，可控硅才能够导通。
其次是可控硅的关断条件。
要使可控硅关断，需要满足两个条件，减小阳极电流和施加一个负向电压。
首先，通过减小阳极电流，可以降低P-N结处的电子和空穴的注入，从而使得导通通道逐渐关闭。
其次，施加一个负向电压，使得P-N结处形成一个反向偏置，
进一步阻止电子和空穴的注入，最终使可控硅完全关断。
只有当这
两个条件同时满足时，可控硅才能够完全关断。
总的来说，可控硅的导通和关断条件是通过正向电压、触发电流、减小阳极电流和施加负向电压来实现的。
了解和掌握这些条件对于正确使用和控制可控硅至关重要，也为我们在实际应用中提供了理论指导。
希望本文能够帮助读者更好地理解可控硅的工作原理和应用。
双向可控硅电脑调压电路
双向可控硅电脑调压电路
电压调节在电子领域中起着至关重要的作用，而双向可控硅电脑调压电路作为一种常见的电压调节技术，正逐渐成为电力系统中的重要组成部分。
本文将详细介绍双向可控硅电脑调压电路的原理、特点以及应用。
双向可控硅电脑调压电路采用双向可控硅作为主要控制元件，通过改变双向可控硅的导通角度来实现对电路中电压的调节。
它具有单向可控硅和双向可控硅的双重特性，既可以在正向工作模式下控制电流的导通与截止，也可以在反向工作模式下控制电流的导通与截止。
1. 双向可控硅电脑调压电路具有较快的响应速度和精确的调压效果，可以实现对电压的高精度调节。
2. 该电路结构简单，控制方式灵活，适用于多种电路设计。
3. 由于双向可控硅具有双向导通特性，使得电路具备双向调压能力，可适应更多的应用场景。
1. 双向可控硅电脑调压电路广泛应用于电力系统中，用于电力监测、调节和保护等方面。
它能够稳定输出特定电压，保证电力系统的正常运行。
2. 该电路可用于家用电器中，通过对电压的调节，实现对电器的功率控制，延长使用寿命并提高安全性。
3. 在工业自动化领域，双向可控硅电脑调压电路被广泛应用于变频调速系统，实现对电机速度的精确控制，提高生产效率。
本文通过对双向可控硅电脑调压电路进行了详细的介绍，包括其原理、特点和应用。
双向可控硅电脑调压电路作为一种重要的电压调节技术，具有快速响应、精确调压、广泛的应用前景等优点，对于电力系统和各个行业的发展都有着重要的意义。
希望本文能够为读者提供有关双向可控硅电脑调压电路的全面信息，并激发对该领域的进一步研究和应用。
可控硅曲线
可控硅曲线
可控硅，也被称为晶闸管或SCR (Silicon Controlled Rectifier)，是一种大功率电器元件，具有体积小、效率高、寿命长等优点。
它是由三层PN结构成的一个大功率半导体器件，多用于可控整流、逆变、调压等电路，也作为无触点开关。
可控硅可以分为单向可控硅和双向可控硅两种。
双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。
其通断状态由控制极G决定。
在控制极G上加正脉冲 或负脉冲）可使其正向 或反向）导通。
这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
关于可控硅的伏安特性曲线，这是一种描述可控硅在不同电压和电流下的输出特性的曲线。
实际上，对于不同的触发信号，如直流信号或脉冲信号，可控硅的伏安特性曲线也会有所不同。
例如，在触发电路中，简单的电路可以通过应用来自外部触发电路的直流信号来打开可控硅。
一旦可控硅导通，就可以打开开关以移除栅极信号。
此外，从主电源内部提供栅极信号也是可能的。
然而，需要注意的是，施加恒定的直流栅极信号是不可取的，因为在负半周期期间栅极处存在正信号会增加反向阳极电流并可能损坏可控硅。
双向可控硅的作用是什么？其它的导通条件是什么？
双向可控硅的作用是什么？其它的导通条件是什么？
一、双向可控硅介绍双向可控硅TRIAC（Triode ACSemiconductor Switch）为三端双向可控硅开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。
TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 （第二端子或第二阳极），T 2（第一端子或第一阳极）和G（控制极）亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。
二、双向可控硅的特性及用途 1. 双向可控硅替的主要优点体现在：（1）大功率双向可控硅为无触点式开关，无火花、寿命长、体积小、无噪音；（2）接触器工作时，其控制回路需要消耗一定的电能，而可控硅为弱电控制，控制回路耗电微乎其微；（3）接触器控制电路中，操作者接触的器件电压都较高，不安全，而大功率双向可控硅控制电路中操作者只接触5~15V的直流低压电源，非常安全；（4）大功率双向可控硅为弱电控制强电，弱电电路更新方便，较容易设计出满足各种要求的控制电路。
2. 双向可控硅替在电路中的主要用途双向可控硅最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。
在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的...。
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单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点.txt大悲无泪，大悟无言，大笑无声。
我们手里的金钱是保持自由的一种工具。
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一、单向可控硅工作原理
可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分
对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测
可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。
红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
四、可控硅的使用注意事项
选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。
在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。
发现有短路或断路现象时，应立即更换。
3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。
为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。
双向可控硅的工作原理
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化
2,触发导通
在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT 的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。